CN107195728A - 一种太阳能电池返工片的处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种太阳能电池返工片的处理方法，其无需二次制绒、节省酸用量，且无需返工片的前置镀膜工艺、减少色差，解决了返工片的亮面问题。将镀膜的脏片洗去膜，之后将洗去膜的硅片用炉前清洗工艺再清洗一次去掉硅片表面的脏污以及金属离子，之后将清洗后的硅片置于扩散炉管内进行热氧化工艺，通过热氧化工艺增加扩散氮及小氧保证片子方阻基本不变，且形成10nm±2nm的氧化层，之后将热氧化后的硅片进行湿法刻蚀工艺及正常镀膜工艺镀膜；镀膜出来后，将电池片经过正常印刷图，检测，制成电池片。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造的技术领域，具体为一种太阳能电池返工片的处理方法。
背景技术
在光伏电池生产过程中，会产生很多脏片需要返制绒，而返制绒目前最大的难题是亮面片问题。返制绒后会导致晶界晶格更加明显，在镀膜及印刷烧结后会形成亮面片，进而导致色差明显。
发明内容
针对上述问题，本发明提供了一种太阳能电池返工片的处理方法，其无需二次制绒、节省酸用量，且无需返工片的前置镀膜工艺、减少色差，解决了返工片的亮面问题。
一种太阳能电池返工片的处理方法，其特征在于：将镀膜的脏片洗去膜，之后将洗去膜的硅片用炉前清洗工艺再清洗一次去掉硅片表面的脏污以及金属离子，之后将清洗后的硅片置于扩散炉管内进行热氧化工艺，通过热氧化工艺增加扩散氮及小氧保证片子方阻基本不变，且形成10nm±2nm的氧化层，之后将热氧化后的硅片进行湿法刻蚀工艺及正常镀膜工艺镀膜；镀膜出来后，将电池片经过正常印刷图，检测，制成电池片。
其进一步特征在于：
将镀膜的脏片通过50％的HF酸洗去Si3N4膜；
所述炉前清洗工艺具体为将洗去膜的硅片顺次通过链式制绒机所对应的清洗槽、碱洗槽、酸洗槽，其中清洗槽、碱洗槽、酸洗槽中的溶液均单独配置，清洗槽内配置有10±0.5％的HF、碱洗槽内配置有5.5±0.5％NaOH、酸洗槽内配置有5±0.5％的HF和3±0.5％的HCl；
所述炉前清洗工艺具体也可以为将洗去膜的硅片顺次通过炉前清洗槽所对应的第一HF槽、第二HF槽、HCL槽，其中第一HF槽内配置有5±2％的HF、第二HF槽内配置有8±2％的HF、HCL槽配置有10±5％的HCl；
所述热氧化工艺需要分八步具体进行，八步中硅片均置于扩散炉管内，具体每步的工艺参数如下表：
其中，扩散氮及小氧为通过额外接口通入，且单步时间内通入，过了步骤就立马变成0；
所述湿法刻蚀工艺用于去除氧化层、氧化层中的脏污；
所述湿法刻蚀工艺具体为将热氧化后的硅片顺次通过刻蚀槽、碱槽、酸槽进行处理，去除硅片表面的氧化层、同时去除氧化层中的脏污；
所述刻蚀槽内溶液的配比HF∶HNO3∶H2O＝3∶35∶5，所述碱槽内的溶液配比NaOH∶H2O＝1∶10，所述酸槽内的溶液配比HF∶H2O＝1∶3；
所述刻蚀槽内溶液的含量为30L的HF、350L的HNO3、50L的H2O，所述碱槽内溶液的含量为5L的NaOH、50L的H2O。所述酸槽内溶液的含量为50L的HF、150L的H2O。
采用本发明后，通过将脏片洗去镀膜，然后用炉前清洗工艺再清洗一次去掉硅片表面的脏污以及金属离子，之后将清洗后的硅片置于扩散炉管内进行热氧化工艺，通过热氧化工艺增加扩散氮及小氧保证片子方阻基本不变，且形成10nm左右的氧化层，之后将热氧化后的硅片进行湿法刻蚀工艺及正常镀膜工艺镀膜；镀膜出来后，将电池片经过正常印刷图，检测，制成电池片，其不需要经过二次制绒，将返工片通过热氧化方法去除脏污，并正常流程下传，最终仍然作为A类片包装，热氧化的方案能最少的影响绒面结构及反射率，在扩散端使用热氧化工艺在硅片表面生成一层10nm左右SiO2层，大部分脏污都包含在其中，因此在湿刻机台的去PSG槽随着SiO2一起去除，此方法由于对绒面基本无影响，因此不会有亮面片问题，而且热氧化有钝化效果能更小程度的影响效率；综上，其无需二次制绒、节省酸用量，且无需返工片的前置镀膜工艺、减少色差，解决了返工片的亮面问题。
具体实施方式
一种太阳能电池返工片的处理方法：将镀膜的脏片洗去膜，之后将洗去膜的硅片用炉前清洗工艺再清洗一次去掉硅片表面的脏污以及金属离子，之后将清洗后的硅片置于扩散炉管内进行热氧化工艺，通过热氧化工艺增加扩散氮及小氧保证片子方阻基本不变，且形成10nm±2nm的氧化层，之后将热氧化后的硅片进行湿法刻蚀工艺及正常镀膜工艺镀膜；镀膜出来后，将电池片经过正常印刷图，检测，制成电池片。
将镀膜的脏片通过50％的HF酸洗去Si3N4膜；
炉前清洗工艺包括两种方法，第一种具体为将洗去膜的硅片顺次通过链式制绒机所对应的清洗槽、碱洗槽、酸洗槽，其中清洗槽、碱洗槽、酸洗槽中的溶液均单独配置，清洗槽内配置有10±0.5％的HF、碱洗槽内配置有5.5±0.5％NaOH、酸洗槽内配置有5±0.5％的HF和3±0.5％的HCl，该工艺不需要增加机台，直接过链式制绒机即可、其可大大增加清洗效率；
第二种具体为将洗去膜的硅片顺次通过炉前清洗槽所对应的第一HF槽、第二HF槽、HCL槽，其中第一HF槽内配置有5±2％的HF、第二HF槽内配置有8±2％的HF、HCL槽配置有10±5％的HCl；
将通过上述两种炉前清洗工艺所获得的清洗后的硅片于扩散炉管内进行热氧化工艺，热氧化工艺需要分八步具体进行，八步中硅片均置于扩散炉管内，具体每步的工艺参数如下表：
其中，扩散氮及小氧为通过额外接口通入，且单步时间内通入，过了步骤就立马变成0；
湿法刻蚀工艺用于去除氧化层、氧化层中的脏污；湿法刻蚀工艺具体为将热氧化后的硅片顺次通过刻蚀槽、碱槽、酸槽进行处理，去除硅片表面的氧化层、同时去除氧化层中的脏污；
刻蚀槽内溶液的配比HF∶HNO3∶H2O＝3∶35∶5，碱槽内的溶液配比NaOH∶H2O＝1∶10，酸槽内的溶液配比HF∶H2O＝1∶3；
刻蚀槽内溶液的具体含量为30L的HF、350L的HNO3、50L的H2O，碱槽内溶液的具体含量为5L的NaOH、50L的H2O。酸槽内溶液的具体含量为50L的HF、150L的H2O。
采用本发明的方法后，其通过和现有技术的处理返工片的参数对比如下：
热氧化处理的返工片几乎没有亮面，确保成片不会产生色差，保证了电池返工片处理后的成片质量。
以上对本发明的具体实施例进行了详细说明，但内容仅为本发明创造的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明创造的实施范围。凡依本发明创造申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本专利涵盖范围之内。
Claims (9)
1.一种太阳能电池返工片的处理方法，其特征在于：将镀膜的脏片洗去膜，之后将洗去膜的硅片用炉前清洗工艺再清洗一次去掉硅片表面的脏污以及金属离子，之后将清洗后的硅片置于扩散炉管内进行热氧化工艺，通过热氧化工艺增加扩散氮及小氧保证片子方阻基本不变，且形成10nm±2nm的氧化层，之后将热氧化后的硅片进行湿法刻蚀工艺及正常镀膜工艺镀膜；镀膜出来后，将电池片经过正常印刷图，检测，制成电池片。
2.如权利要求1所述的一种太阳能电池返工片的处理方法，其特征在于：将镀膜的脏片通过50％的HF酸洗去Si3N4膜。
3.如权利要求1所述的一种太阳能电池返工片的处理方法，其特征在于：所述炉前清洗工艺具体为将洗去膜的硅片顺次通过链式制绒机所对应的清洗槽、碱洗槽、酸洗槽，其中清洗槽、碱洗槽、酸洗槽中的溶液均单独配置，清洗槽内配置有10±0.5％的HF、碱洗槽内配置有5.5±0.5％NaOH、酸洗槽内配置有5±0.5％的HF和3±0.5％的HCl。
4.如权利要求1所述的一种太阳能电池返工片的处理方法，其特征在于：所述炉前清洗工艺具体也可以为将洗去膜的硅片顺次通过炉前清洗槽所对应的第一HF槽、第二HF槽、HCL槽，其中第一HF槽内配置有5±2％的HF、第二HF槽内配置有8±2％的HF、HCL槽配置有10±5％的HCl。
5.如权利要求1所述的一种太阳能电池返工片的处理方法，其特征在于：所述热氧化工艺需要分八步具体进行，八步中硅片均置于扩散炉管内，具体每步的工艺参数如下表：
其中，扩散氮及小氧为通过额外接口通入，且单步时间内通入，过了步骤就立马变成0。
6.如权利要求1所述的一种太阳能电池返工片的处理方法，其特征在于：所述湿法刻蚀工艺用于去除氧化层、氧化层中的脏污。
7.如权利要求6所述的一种太阳能电池返工片的处理方法，其特征在于：所述湿法刻蚀工艺具体为将热氧化后的硅片顺次通过刻蚀槽、碱槽、酸槽进行处理，去除硅片表面的氧化层、同时去除氧化层中的脏污。
8.如权利要求7所述的一种太阳能电池返工片的处理方法，其特征在于，所述刻蚀槽内溶液的配比HF∶HNO3∶H2O＝3∶35∶5，所述碱槽内的溶液配比NaOH∶H2O＝1∶10，所述酸槽内的溶液配比HF∶H2O＝1∶3。
9.如权利要求8所述的一种太阳能电池返工片的处理方法，其特征在于：所述刻蚀槽内溶液的含量为30L的HF、350L的HNO3、50L的H2O，所述碱槽内溶液的含量为5L的NaOH、50L的H2O。所述酸槽内溶液的含量为50L的HF、150L的H2O。
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Effective date of abandoning: 20190809 |
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