CN107195728A - 一种太阳能电池返工片的处理方法 - Google Patents

一种太阳能电池返工片的处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107195728A
CN107195728A CN201710485025.9A CN201710485025A CN107195728A CN 107195728 A CN107195728 A CN 107195728A CN 201710485025 A CN201710485025 A CN 201710485025A CN 107195728 A CN107195728 A CN 107195728A
Authority
CN
China
Prior art keywords
piece
silicon chip
over again
solar cell
processing method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710485025.9A
Other languages
English (en)
Inventor
缪乾
朱海龙
王善晓
罗茂盛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JIANGYIN XINHUI SOLAR ENERGY CO Ltd
Original Assignee
JIANGYIN XINHUI SOLAR ENERGY CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JIANGYIN XINHUI SOLAR ENERGY CO Ltd filed Critical JIANGYIN XINHUI SOLAR ENERGY CO Ltd
Priority to CN201710485025.9A priority Critical patent/CN107195728A/zh
Publication of CN107195728A publication Critical patent/CN107195728A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864Annealing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种太阳能电池返工片的处理方法,其无需二次制绒、节省酸用量,且无需返工片的前置镀膜工艺、减少色差,解决了返工片的亮面问题。将镀膜的脏片洗去膜,之后将洗去膜的硅片用炉前清洗工艺再清洗一次去掉硅片表面的脏污以及金属离子,之后将清洗后的硅片置于扩散炉管内进行热氧化工艺,通过热氧化工艺增加扩散氮及小氧保证片子方阻基本不变,且形成10nm±2nm的氧化层,之后将热氧化后的硅片进行湿法刻蚀工艺及正常镀膜工艺镀膜;镀膜出来后,将电池片经过正常印刷图,检测,制成电池片。

Description

一种太阳能电池返工片的处理方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造的技术领域,具体为一种太阳能电池返工片的处理方法。
背景技术
在光伏电池生产过程中,会产生很多脏片需要返制绒,而返制绒目前最大的难题是亮面片问题。返制绒后会导致晶界晶格更加明显,在镀膜及印刷烧结后会形成亮面片,进而导致色差明显。
发明内容
针对上述问题,本发明提供了一种太阳能电池返工片的处理方法,其无需二次制绒、节省酸用量,且无需返工片的前置镀膜工艺、减少色差,解决了返工片的亮面问题。
一种太阳能电池返工片的处理方法,其特征在于:将镀膜的脏片洗去膜,之后将洗去膜的硅片用炉前清洗工艺再清洗一次去掉硅片表面的脏污以及金属离子,之后将清洗后的硅片置于扩散炉管内进行热氧化工艺,通过热氧化工艺增加扩散氮及小氧保证片子方阻基本不变,且形成10nm±2nm的氧化层,之后将热氧化后的硅片进行湿法刻蚀工艺及正常镀膜工艺镀膜;镀膜出来后,将电池片经过正常印刷图,检测,制成电池片。
其进一步特征在于:
将镀膜的脏片通过50%的HF酸洗去Si3N4膜;
所述炉前清洗工艺具体为将洗去膜的硅片顺次通过链式制绒机所对应的清洗槽、碱洗槽、酸洗槽,其中清洗槽、碱洗槽、酸洗槽中的溶液均单独配置,清洗槽内配置有10±0.5%的HF、碱洗槽内配置有5.5±0.5%NaOH、酸洗槽内配置有5±0.5%的HF和3±0.5%的HCl;
所述炉前清洗工艺具体也可以为将洗去膜的硅片顺次通过炉前清洗槽所对应的第一HF槽、第二HF槽、HCL槽,其中第一HF槽内配置有5±2%的HF、第二HF槽内配置有8±2%的HF、HCL槽配置有10±5%的HCl;
所述热氧化工艺需要分八步具体进行,八步中硅片均置于扩散炉管内,具体每步的工艺参数如下表:
其中,扩散氮及小氧为通过额外接口通入,且单步时间内通入,过了步骤就立马变成0;
所述湿法刻蚀工艺用于去除氧化层、氧化层中的脏污;
所述湿法刻蚀工艺具体为将热氧化后的硅片顺次通过刻蚀槽、碱槽、酸槽进行处理,去除硅片表面的氧化层、同时去除氧化层中的脏污;
所述刻蚀槽内溶液的配比HF∶HNO3∶H2O=3∶35∶5,所述碱槽内的溶液配比NaOH∶H2O=1∶10,所述酸槽内的溶液配比HF∶H2O=1∶3;
所述刻蚀槽内溶液的含量为30L的HF、350L的HNO3、50L的H2O,所述碱槽内溶液的含量为5L的NaOH、50L的H2O。所述酸槽内溶液的含量为50L的HF、150L的H2O。
采用本发明后,通过将脏片洗去镀膜,然后用炉前清洗工艺再清洗一次去掉硅片表面的脏污以及金属离子,之后将清洗后的硅片置于扩散炉管内进行热氧化工艺,通过热氧化工艺增加扩散氮及小氧保证片子方阻基本不变,且形成10nm左右的氧化层,之后将热氧化后的硅片进行湿法刻蚀工艺及正常镀膜工艺镀膜;镀膜出来后,将电池片经过正常印刷图,检测,制成电池片,其不需要经过二次制绒,将返工片通过热氧化方法去除脏污,并正常流程下传,最终仍然作为A类片包装,热氧化的方案能最少的影响绒面结构及反射率,在扩散端使用热氧化工艺在硅片表面生成一层10nm左右SiO2层,大部分脏污都包含在其中,因此在湿刻机台的去PSG槽随着SiO2一起去除,此方法由于对绒面基本无影响,因此不会有亮面片问题,而且热氧化有钝化效果能更小程度的影响效率;综上,其无需二次制绒、节省酸用量,且无需返工片的前置镀膜工艺、减少色差,解决了返工片的亮面问题。
具体实施方式
一种太阳能电池返工片的处理方法:将镀膜的脏片洗去膜,之后将洗去膜的硅片用炉前清洗工艺再清洗一次去掉硅片表面的脏污以及金属离子,之后将清洗后的硅片置于扩散炉管内进行热氧化工艺,通过热氧化工艺增加扩散氮及小氧保证片子方阻基本不变,且形成10nm±2nm的氧化层,之后将热氧化后的硅片进行湿法刻蚀工艺及正常镀膜工艺镀膜;镀膜出来后,将电池片经过正常印刷图,检测,制成电池片。
将镀膜的脏片通过50%的HF酸洗去Si3N4膜;
炉前清洗工艺包括两种方法,第一种具体为将洗去膜的硅片顺次通过链式制绒机所对应的清洗槽、碱洗槽、酸洗槽,其中清洗槽、碱洗槽、酸洗槽中的溶液均单独配置,清洗槽内配置有10±0.5%的HF、碱洗槽内配置有5.5±0.5%NaOH、酸洗槽内配置有5±0.5%的HF和3±0.5%的HCl,该工艺不需要增加机台,直接过链式制绒机即可、其可大大增加清洗效率;
第二种具体为将洗去膜的硅片顺次通过炉前清洗槽所对应的第一HF槽、第二HF槽、HCL槽,其中第一HF槽内配置有5±2%的HF、第二HF槽内配置有8±2%的HF、HCL槽配置有10±5%的HCl;
将通过上述两种炉前清洗工艺所获得的清洗后的硅片于扩散炉管内进行热氧化工艺,热氧化工艺需要分八步具体进行,八步中硅片均置于扩散炉管内,具体每步的工艺参数如下表:
其中,扩散氮及小氧为通过额外接口通入,且单步时间内通入,过了步骤就立马变成0;
湿法刻蚀工艺用于去除氧化层、氧化层中的脏污;湿法刻蚀工艺具体为将热氧化后的硅片顺次通过刻蚀槽、碱槽、酸槽进行处理,去除硅片表面的氧化层、同时去除氧化层中的脏污;
刻蚀槽内溶液的配比HF∶HNO3∶H2O=3∶35∶5,碱槽内的溶液配比NaOH∶H2O=1∶10,酸槽内的溶液配比HF∶H2O=1∶3;
刻蚀槽内溶液的具体含量为30L的HF、350L的HNO3、50L的H2O,碱槽内溶液的具体含量为5L的NaOH、50L的H2O。酸槽内溶液的具体含量为50L的HF、150L的H2O。
采用本发明的方法后,其通过和现有技术的处理返工片的参数对比如下:
热氧化处理的返工片几乎没有亮面,确保成片不会产生色差,保证了电池返工片处理后的成片质量。
以上对本发明的具体实施例进行了详细说明,但内容仅为本发明创造的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明创造的实施范围。凡依本发明创造申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本专利涵盖范围之内。

Claims (9)

1.一种太阳能电池返工片的处理方法,其特征在于:将镀膜的脏片洗去膜,之后将洗去膜的硅片用炉前清洗工艺再清洗一次去掉硅片表面的脏污以及金属离子,之后将清洗后的硅片置于扩散炉管内进行热氧化工艺,通过热氧化工艺增加扩散氮及小氧保证片子方阻基本不变,且形成10nm±2nm的氧化层,之后将热氧化后的硅片进行湿法刻蚀工艺及正常镀膜工艺镀膜;镀膜出来后,将电池片经过正常印刷图,检测,制成电池片。
2.如权利要求1所述的一种太阳能电池返工片的处理方法,其特征在于:将镀膜的脏片通过50%的HF酸洗去Si3N4膜。
3.如权利要求1所述的一种太阳能电池返工片的处理方法,其特征在于:所述炉前清洗工艺具体为将洗去膜的硅片顺次通过链式制绒机所对应的清洗槽、碱洗槽、酸洗槽,其中清洗槽、碱洗槽、酸洗槽中的溶液均单独配置,清洗槽内配置有10±0.5%的HF、碱洗槽内配置有5.5±0.5%NaOH、酸洗槽内配置有5±0.5%的HF和3±0.5%的HCl。
4.如权利要求1所述的一种太阳能电池返工片的处理方法,其特征在于:所述炉前清洗工艺具体也可以为将洗去膜的硅片顺次通过炉前清洗槽所对应的第一HF槽、第二HF槽、HCL槽,其中第一HF槽内配置有5±2%的HF、第二HF槽内配置有8±2%的HF、HCL槽配置有10±5%的HCl。
5.如权利要求1所述的一种太阳能电池返工片的处理方法,其特征在于:所述热氧化工艺需要分八步具体进行,八步中硅片均置于扩散炉管内,具体每步的工艺参数如下表:
其中,扩散氮及小氧为通过额外接口通入,且单步时间内通入,过了步骤就立马变成0。
6.如权利要求1所述的一种太阳能电池返工片的处理方法,其特征在于:所述湿法刻蚀工艺用于去除氧化层、氧化层中的脏污。
7.如权利要求6所述的一种太阳能电池返工片的处理方法,其特征在于:所述湿法刻蚀工艺具体为将热氧化后的硅片顺次通过刻蚀槽、碱槽、酸槽进行处理,去除硅片表面的氧化层、同时去除氧化层中的脏污。
8.如权利要求7所述的一种太阳能电池返工片的处理方法,其特征在于,所述刻蚀槽内溶液的配比HF∶HNO3∶H2O=3∶35∶5,所述碱槽内的溶液配比NaOH∶H2O=1∶10,所述酸槽内的溶液配比HF∶H2O=1∶3。
9.如权利要求8所述的一种太阳能电池返工片的处理方法,其特征在于:所述刻蚀槽内溶液的含量为30L的HF、350L的HNO3、50L的H2O,所述碱槽内溶液的含量为5L的NaOH、50L的H2O。所述酸槽内溶液的含量为50L的HF、150L的H2O。
CN201710485025.9A 2017-06-23 2017-06-23 一种太阳能电池返工片的处理方法 Pending CN107195728A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710485025.9A CN107195728A (zh) 2017-06-23 2017-06-23 一种太阳能电池返工片的处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710485025.9A CN107195728A (zh) 2017-06-23 2017-06-23 一种太阳能电池返工片的处理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107195728A true CN107195728A (zh) 2017-09-22

Family

ID=59879438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710485025.9A Pending CN107195728A (zh) 2017-06-23 2017-06-23 一种太阳能电池返工片的处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107195728A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108198902A (zh) * 2017-12-22 2018-06-22 横店集团东磁股份有限公司 一种湿法刻蚀下料叠片的返工方法
CN112447879A (zh) * 2019-09-05 2021-03-05 海南英利新能源有限公司 一种扩散高方阻硅片的处理方法
CN114558822A (zh) * 2021-12-15 2022-05-31 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 一种喷射管的清洗方法
WO2022198936A1 (zh) * 2021-03-26 2022-09-29 常州时创能源股份有限公司 硅片制绒产线

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120006790A1 (en) * 2009-03-31 2012-01-12 Kurita Water Industries Ltd. Apparatus and method for treating etching solution
CN102931290A (zh) * 2012-11-27 2013-02-13 百力达太阳能股份有限公司 一种不损伤绒面的多晶硅太阳能电池返工方法
CN103715300A (zh) * 2013-12-20 2014-04-09 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种扩散后低方阻硅片返工的方法
CN105304756A (zh) * 2015-10-30 2016-02-03 湖南红太阳光电科技有限公司 太阳能晶硅电池返工片处理工艺
CN106847991A (zh) * 2016-12-28 2017-06-13 东方环晟光伏(江苏)有限公司 一种光伏硅片扩散后蓝黑点的去除方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120006790A1 (en) * 2009-03-31 2012-01-12 Kurita Water Industries Ltd. Apparatus and method for treating etching solution
CN102931290A (zh) * 2012-11-27 2013-02-13 百力达太阳能股份有限公司 一种不损伤绒面的多晶硅太阳能电池返工方法
CN103715300A (zh) * 2013-12-20 2014-04-09 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种扩散后低方阻硅片返工的方法
CN105304756A (zh) * 2015-10-30 2016-02-03 湖南红太阳光电科技有限公司 太阳能晶硅电池返工片处理工艺
CN106847991A (zh) * 2016-12-28 2017-06-13 东方环晟光伏(江苏)有限公司 一种光伏硅片扩散后蓝黑点的去除方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108198902A (zh) * 2017-12-22 2018-06-22 横店集团东磁股份有限公司 一种湿法刻蚀下料叠片的返工方法
CN112447879A (zh) * 2019-09-05 2021-03-05 海南英利新能源有限公司 一种扩散高方阻硅片的处理方法
WO2022198936A1 (zh) * 2021-03-26 2022-09-29 常州时创能源股份有限公司 硅片制绒产线
CN114558822A (zh) * 2021-12-15 2022-05-31 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 一种喷射管的清洗方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107195728A (zh) 一种太阳能电池返工片的处理方法
TWI511196B (zh) Method of Polishing Silica Flocking Cleaning Process
CN103400890A (zh) 一种晶硅太阳电池pecvd色差片去膜重镀的返工工艺
CN105514222B (zh) 太阳能电池酸腐返工方法及使用的链式设备
CN102185035A (zh) 一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺
CN113421946B (zh) 太阳能电池返工工艺
CN104347756A (zh) 太阳电池用单晶硅片单面抛光方法
CN102306687A (zh) 一种晶体硅太阳能电池pecvd彩虹片返工方法
CN103464415A (zh) 太阳能单晶硅片清洗液及清洗方法
CN102569531B (zh) 一种多晶硅片的钝化处理方法
CN107523881A (zh) 一种制备单晶硅绒面的预处理方法
CN104993014B (zh) 扩散后不良片的单独返工方法
CN103887369B (zh) 一种硅片镀膜色差片的返工方法
CN102969392A (zh) 一种太阳能单晶硅电池的单面抛光工艺
CN104716206B (zh) 一种提高镀减反射膜后电池片返工品转换效率的方法
CN104659156B (zh) 一种单晶硅太阳能电池的刻蚀方法
CN106299023B (zh) 一种抗pid太阳能电池返工片的处理方法
CN106711248A (zh) 一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法
CN114192489A (zh) Lpcvd石英舟的清洗方法
CN105655445B (zh) 一种rie制绒硅片表面修饰清洗方法
CN103078008A (zh) 一种晶体硅背面点接触的制备方法
CN104157739B (zh) 对不合格硅片的处理方法
CN104051578A (zh) 一种太阳电池用多晶硅片的气相刻蚀制绒方法
CN106299027B (zh) 一种n型单晶双面电池的制备方法
CN103715304B (zh) 一种基于湿法刻蚀机实现色差片处理的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
AD01 Patent right deemed abandoned

Effective date of abandoning: 20190809

AD01 Patent right deemed abandoned