CN107887258B - 一种纳米线条的修复方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体微纳结构制造技术领域，具体涉及一种纳米线条的修复方法，所述方法包括如下步骤：将具有光刻胶纳米线条的硅片放在电子显微镜下观察是否有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条；将有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条的硅片放在兆声波发生器的支架上，将去离子水放入所述兆声波发生器的容器中；所述兆声波发生器在设定工作时间结束后，取出所述硅片并干燥，即可获得修复后的光刻胶图形。本发明中的兆声波发生器发出高频振荡信号，能使液体分子做加速运动并具有直流推进和空化作用，可以使坍塌或者粘连的纳米细线条发生形态变化，打破原来坍塌或者粘连的状态，大部分坍塌或者粘连的纳米细线条得以复原，达到修复的效果。

Description

一种纳米线条的修复方法
技术领域
本发明涉及半导体微纳结构制造技术领域，具体涉及一种纳米线条的修复方法。
背景技术
在集成电路的制造领域中，随着特征尺寸的减小和制造结构的复杂程度提高，光刻胶图形在显影的过程中容易发生坍塌或者粘连，如果不解决这个问题，将会导致所制造出来的电子器件有严重的缺陷。一般在发现光刻胶图形有坍塌或者粘连后会将硅片清洗干净再次涂胶光刻显影等步骤，这将会增加工艺的成本和浪费一些不必要的时间，从而降低了生产效率，增加了制造成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种纳米线条的修复方法，所述方法有助于提高集成电路制造工艺的效率，同时降低生产成本。
为了达到上述目的，本发明采用的技术方案为：
一种纳米线条的修复方法，包括如下步骤：
将具有光刻胶纳米线条的硅片放在电子显微镜下观察是否有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条；
将有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条的硅片放在兆声波发生器的支架上，将去离子水放入温度可控的所述兆声波发生器的容器中；
确定所述去离子水的温度设定值；
待所述兆声波发生器对所述去离子水的控制温度达到所述温度设定值，设定所述兆声波发生器的工作时间后开启所述兆声波发生器；
所述兆声波发生器在设定工作时间结束后，取出所述硅片并干燥，即可获得修复后的光刻胶图形。
上述方案中，所述去离子水的温度设定值为20-100℃。
上述方案中，所述兆声波发生器的工作时间设置为5-120分钟。
上述方案中，取出所述硅片后，将所述硅片放在电子加热板上干燥20分钟，所述电子加热板的温度设定为100℃。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明中的兆声波发生器发出高频振荡信号，能使液体分子做加速运动并具有直流推进和空化作用，可以使坍塌或者粘连的纳米细线条发生形态变化，打破原来坍塌或者粘连的状态，大部分坍塌或者粘连的纳米细线条得以复原，达到修复的效果。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种纳米线条的修复方法的工艺流程图。
具体实施方式
本发明中修复光刻胶纳米线条坍塌或粘连的原理为：通过兆声波的加速度作用、直流推进作用及空化作用可以使坍塌或者粘连的纳米细线条发生形态变化，打破原来坍塌或者粘连的状态，大部分坍塌或者粘连的纳米细线条得以复原，达到修复的效果。
为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
如图1所示，一种纳米线条的修复方法，包括如下步骤：
步骤110，将具有光刻胶纳米线条的硅片放在电子显微镜下观察是否有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条；
具体地，观察是否有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条后，如有并做好大致标记，方便二次观察。
步骤120，将有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条的硅片放在兆声波发生器的支架上，将去离子水放入温度可控的所述兆声波发生器的容器中；
具体地，将有坍塌或者粘连的光刻胶细线条的硅片水平放在2.7M赫兹的兆声波发生器的支架上，再加入电阻率约为18MΩ.cm去离子水。
步骤130，确定所述去离子水的温度设定值；
具体地，所述去离子水的温度设定值可以根据光刻胶的种类设定为20-100℃。
步骤140，待所述兆声波发生器对所述去离子水的控制温度达到所述温度设定值，设定所述兆声波发生器的工作时间后开启所述兆声波发生器；
具体地，所述兆声波发生器的工作时间可以设置为5-120分钟。开启兆声波发生器，其输出功率设定为30W，开始计时，工作30分钟后关闭兆声波发生器。
步骤150，所述兆声波发生器在设定工作时间结束后，取出所述硅片并干燥，即可获得修复后的光刻胶图形；
具体地，取出所述硅片，并放在电子加热板上干燥20分钟，其中电子加热板的温度设定为100℃。
本实施例还包括如下步骤：把干燥后的硅片再次放在电子显微镜下观察，并和之前没有经过兆声波处理的图片进行对比，发现对于坍塌或者粘连的光刻胶纳米线条具有明显修复作用。
本发明的优点如下：
本发明采用兆声波发生器发出高频振荡信号，使液体分子做加速运动并具有直流推进和空化作用，可以使坍塌或者粘连的纳米细线条发生形态变化，打破原来坍塌或者粘连的状态，大部分坍塌或者粘连的纳米细线条得以复原，达到修复的效果。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种纳米线条的修复方法，其特征在于，包括如下步骤：
将具有光刻胶纳米线条的硅片放在电子显微镜下观察是否有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条；
将有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条的硅片放在兆声波发生器的支架上，将去离子水放入温度可控的所述兆声波发生器的容器中；
确定所述去离子水的温度设定值；
待所述兆声波发生器对所述去离子水的控制温度达到所述温度设定值，设定所述兆声波发生器的工作时间后开启所述兆声波发生器；
所述兆声波发生器在设定工作时间结束后，取出所述硅片并干燥，即可获得修复后的光刻胶图形；
所述兆声波发生器超声波频率为2.7M赫兹。
2.如权利要求1所述的修复方法，其特征在于：所述去离子水的温度设定值为20-100℃。
3.如权利要求1所述的修复方法，其特征在于：所述兆声波发生器的工作时间设置为5-120分钟。
4.如权利要求1所述的修复方法，其特征在于：取出所述硅片后，将所述硅片放在电子加热板上干燥20分钟，所述电子加热板的温度设定为100℃。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN113212805B (zh) * 2021-06-10 2023-03-03 中国科学院微小卫星创新研究院 可在轨自主修复的纳米线阵列电推进系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010027577A (ko) * 1999-09-14 2001-04-06 김영환 반도체 현상장비의 린스액가열장치
CN104347450A (zh) * 2013-08-08 2015-02-11 中国科学院微电子研究所 一种半导体干燥装置及方法
CN104766793A (zh) * 2014-01-03 2015-07-08 北大方正集团有限公司 一种酸槽背面硅腐蚀方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013157480A (ja) * 2012-01-30 2013-08-15 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び製造装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010027577A (ko) * 1999-09-14 2001-04-06 김영환 반도체 현상장비의 린스액가열장치
CN104347450A (zh) * 2013-08-08 2015-02-11 中国科学院微电子研究所 一种半导体干燥装置及方法
CN104766793A (zh) * 2014-01-03 2015-07-08 北大方正集团有限公司 一种酸槽背面硅腐蚀方法

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