CN104347450A - 一种半导体干燥装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体干燥装置。所述干燥装置，包括：腔室；石英装置，设置于所述腔室内，用于盛载待测硅片；GHz电磁波发生装置，设置于所述腔室内，用于产生交变电场对所述待测硅片进行加热，并且使石英装置中去离子水的温度升高，直到所述待测硅片上的水分完全蒸发。本发明还提供一种半导体干燥方法。本发明采用了GHz电磁波发生装置，GHz电磁波发生装置产生的电磁波可以使水进入一种动能的高蓄积状态，从而打破水分子团簇结构，消除水的表面张力，所以解决了微细结构的纳米图形在干燥过程中发生的断裂、倒伏或粘连等问题。

Description

一种半导体干燥装置及方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体干燥装置及方法。
背景技术
在微电子器件的制造过程中，随着特征尺寸的进一步减小和结构复杂程度的进一步提高，纳米器件结构的塌陷已成为日益严重的问题。结构塌陷的原因有很多，例如受到外界力的作用、结构自身的应力、较弱的结构材料以及干燥过程中的表面张力等。排除其它因素，干燥过程就成了非常关键的步骤。
以水为主要溶剂清洗之后的器件在传统的干燥方法中，其机械性结构较弱的部分及高深宽比的光刻胶图形会遭到破坏。表面张力是器件在湿法腐蚀后干燥过程中实际存在的一个问题，因为在干燥过程中，溶液的表面张力会把柔顺的结构拉向衬底。当干燥过程完成以后，该结构和衬底就会牢固地粘在一起，这是导致纳米器件结构的塌陷及器件失效的主要原因之一。例如，在传统的离心甩干机干燥过程中，需要消耗大量的去离子水，且是在甩干的过程中，水的表面张力对微细的光刻胶结构造成破坏，并且耗电量大。还有传统的甩干或氮气枪吹干，都会给22nm乃至16nm以下图形造成结构上的破坏，目前为止没有一种良好的干燥方法来干燥22nm节点以下的微细线条。
为了解决纳米级光刻胶图形所遇到的干燥难题，很多专家学者提出了不同的解决方法，比如：临界点干燥法，即利用超临界二氧化碳对器件进行清洗和干燥；冷冻-升华法；向水基溶剂中添加表面活性剂的方法等。但是当图形尺寸达到22nm及以下技术节点时，以上方法均不可避免的会造成纳米图形的断裂、倒伏或粘连。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种半导体干燥装置及方法，打破器件表面水分子团簇结构，消除水的表面张力，解决了微细结构的纳米图形在干燥过程中发生的断裂、倒伏或粘连问题。
为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：
一种半导体干燥装置，包括：
腔室；
石英装置，设置于所述腔室内，用于盛载待测硅片；
GHz电磁波发生装置，设置于所述腔室内，用于产生交变电场对所述待测硅片进行加热，并且使石英装置中去离子水的温度升高，直到所述待测硅片上的水分完全蒸发。
进一步的，所述石英装置包括：
石英槽，用于盛载待测硅片；
石英盖，覆盖在所述石英槽上。
进一步的，所述石英盖上设有孔，用于电磁波加热时所述石英装置内水蒸气的蒸发。
进一步的，所述干燥装置还包括：
真空抽水装置，设置于所述腔室外，并与所述石英装置通过塑料软管相连通，用于将所述石英装置中的去离子水抽出。
进一步的，所述干燥装置还包括：
金属转盘，设置在所述腔室的内壁上；
电机，设置在所述腔室外，用于驱动所述金属转盘旋转。
进一步的，所述干燥装置还包括：
黄色光源，设置在所述腔室内，用于给所述腔室提供黄色光源。
进一步的，所述黄色光源为黄色荧光灯。
进一步的，所述干燥装置还包括：
控制面板，设置于所述腔室外；所述控制面板上设有时间显示装置、时间设置旋钮和电机转速设置旋钮，其中，所述时间显示装置用于显示干燥所设定的时间，所述时间设置旋钮用于设置干燥时间，所述电机转速设置旋钮用于设置所述电机转速。
一种半导体干燥方法，包括如下步骤：
步骤110，将待测硅片放入石英装置中显影，所述石英装置中盛有显影液；
步骤120，显影完毕后，用去离子水置换掉所述石英装置中的显影液；
步骤130，将置换后的盛有所述待测硅片的所述石英装置放入干燥装置的腔室中，利用干燥装置中GHz电磁波发生装置产生的交变电场对所述待测硅片进行加热；
步骤140，在所述石英装置中的去离子水达到沸点进入动能高蓄积态时，通过设置在所述腔室外的真空抽水装置将所述石英装置中的去离子水抽出，并继续利用所述干燥装置中的交变电场对所述待测硅片进行加热；
步骤150，待所述待测硅片上的水分完全蒸发，干燥完毕，取出所述待测硅片。
进一步的，所述步骤130和所述步骤140中的所述交变电场的频率为2～100GHz。
进一步的，所述步骤140中对所述待测硅片进行加热，加热时间不超过30秒。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明的干燥装置采用了GHz电磁波发生装置，电磁波可以使水进入一种动能的高蓄积状态，从而打破水分子团簇结构，消除水的表面张力，所以解决了微细结构的纳米图形在干燥过程中发生的断裂、倒伏或粘连等问题。
附图说明
图1是本发明实施例提供的半导体干燥装置的结构示意图；
图2是本发明实施例中水分子在交变电场中的运动情况的示意图；
图3是本发明实施例提供的半导体干燥方法的流程图；
图4是利用本发明实施例提供的半导体干燥装置干燥宽度为14.9nm的HSQ胶线条的电镜扫描照片；
图5是利用本发明实施例提供的半导体干燥装置干燥直径20nm×间隔20nm×高度260nm的光刻胶点阵的电镜扫描照片；
图6是利用本发明实施例提供的半导体干燥装置干燥宽度为32.9nm的HSQ胶线条的电镜扫描照片；
图7是利用本发明实施例提供的半导体干燥装置干燥尺寸为21.8nm×17.9nm的光刻胶格栅的电镜扫描照片。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
如图1所示，本发明实施例提供一种半导体干燥装置，所述装置包括腔室3；石英装置4，设置于腔室3内，用于盛载待测硅片5；GHz电磁波发生装置11，设置于腔室3内，用于产生交变电场对待测硅片5进行加热，并且使石英装置4中去离子水的温度升高，直到待测硅片5上的水分完全蒸发。具体来说，石英装置4包括石英槽和石英盖；其中，石英槽用于盛载待测硅片；石英盖，覆盖在所述石英槽上。石英盖上还设有直径约为15mm的孔，便于电磁波加热时石英装置4内水蒸气的蒸发。
本发明实施例提供的干燥装置中采用了GHz电磁波发生装置11对待测硅片5进行干燥，其原理如图2所示。图2为水分子在交变电场中的运动情况的示意图。水属于极性分子，极性分子在没有外加电场时不显示极性。在外加交变电场的条件下，水分子会沿着电场力的方向形成有序排列，即水分子会在外加交变电场下迅速极化，且外加交变电场越强，极化作用也越强；外加交变电场的频率越高，水分子反复转向的极化也就越快。此时，分子热运动的动能增大，也就是热量增加，水的温度也随之升高，实现了电磁能向热能的转换。因此，水分子能够吸收电磁波，将电磁波能量转换成为热量而吸收。随着外加交变电场方向不断改变，水分子的极性也随之不断翻转，最终在交变电场中，快速旋转，动能增加，从液态快速升温汽化，避免气液界面的产生，达到良好的干燥效果，实现无损伤干燥。
进一步的，本发明实施例提供的半导体干燥装置还包括设置在腔室3外的真空抽水装置1。具体地，所述真空抽水装置1的一端与真空装置连接，真空抽水装置1的另一端通过塑料软管2连通石英装置4，在石英装置4中的去离子水达到沸点进入动能高蓄积态时，真空抽水装置1将石英装置4中的去离子水抽出，以缩短水分蒸发时间。
进一步的，本发明实施例提供的半导体干燥装置还包括金属转盘9和电机10。具体地，金属转盘9设置在腔室3的内壁上，并与设置在腔室3外的电机相连接，金属转盘9在电机10的驱动下旋转。金属转盘9上不放置任何物体，用于在旋转时打散驻波，使得待测硅片5加热均匀，不发生碎裂。本实施例使用金属转盘9防止待测硅片发生碎裂的原理如下：GHz电磁波以频率为2.45GHz为例，其波长为12.23cm，在半波长处产生驻波，如果待测硅片5的某一部分恰好位于半波长处，则使得待测硅片5局部的温度升高，导致待测硅片碎裂；而由于金属是不吸收电磁波的，所以加入金属转盘9后，金属转盘9能够反射电磁波，使电磁波不能在该干燥装置内产生驻波，进而消除驻波影响。若该干燥装置中没有金属转盘，待测硅片在加热一段时间后，极易发生碎裂。
进一步的，本发明实施例提供的半导体干燥装置还包括黄色光源12，用于给腔室提供黄色光源，避免待测硅片5上的光刻胶图形受到外界光源的影响。具体地，黄色光源12可以是黄色荧光灯。
进一步的，本发明实施例提供的半导体干燥装置还包括设置在腔室3外的控制面板。GHz电磁波发生装置11和黄色光源12设置在控制面板后的腔室3内，控制面板上设置有时间显示装置6、时间设置旋钮7和电机转速设置旋钮8，其中，时间显示装置6用于显示干燥所设定的时间，时间设置旋钮7用于设置干燥时间，电机转速设置旋钮8用于设置电机10的转速。
基于图1所示的GHz电磁波激发的半导体干燥装置，下面进一步说明本发明实施例提供的半导体干燥方法，包括以下步骤：
步骤110：将硅片放入石英装置中显影，石英装置中盛有显影液；
其中，石英装置具有石英槽和石英盖，石英槽用于盛载待干燥的硅片，石英盖覆盖于石英槽之上，且石英盖上有直径约为15mm的孔，便于加热时水蒸汽的蒸发。
步骤120：显影完毕后，用去离子水置换掉石英装置中的显影液；
步骤130：将置换后的盛有硅片的石英装置放入图1所示的干燥装置的腔室中，利用干燥装置中GHz电磁波发生装置产生的交变电场对待测硅片进行加热；
步骤140：在石英装置中的去离子水达到沸点进入动能高蓄积态时，通过设置在腔室外的真空抽水装置将石英装置中的去离子水抽出，并继续利用干燥装置中的交变电场对待测硅片进行加热；
步骤150：待待测硅片上的水分完全蒸发，干燥完毕，取出硅片。
进一步的，步骤130和步骤140中所述交变电场的频率为2-100GHz，优选的是2-4GHz。步骤140中对待测硅片进行加热，是在真空抽水装置抽水后，GHz电磁波发生装置对待测硅片的加热时间不超过30秒，水分即可完全蒸发。
下面利用本发明实施例提供的干燥装置分别对宽度为14.9nm的HSQ胶线条、直径20nm×间隔20nm×高度260nm的光刻胶点阵、宽度为32.9nm的HSQ胶线条和尺寸为21.8nm×17.9nm的格栅进行GHz电磁波干燥，并对本发明实施例利用该干燥装置实现的干燥方法进行详细说明。
实施例1：GHz电磁波干燥宽度为14.9nm的HSQ胶线条
步骤1：将带有光刻胶图形的2、4或8硅片放入石英装置中显影，该石英装置中有适用于HSQ胶的显影液；
步骤2：显影完毕后，用去离子水置换掉石英装置中的显影液；
步骤3：将置换后的盛有硅片的石英装置放入图1所示的干燥装置的腔室中，利用该干燥装置中的交变电场进行加热，具体加热原理为：水分子是极性分子，随着交变电场的方向迅速变化，水分子的极性也随之改变方向，当改变频率越来越快，水分子开始高速旋转，动能增加，分子团簇间不断摩擦碰撞，热能增加，水分子之间的化学键被破坏，水分蒸发，完成干燥；交变电场的频率为2-100GHz，优选的是2-4GHz。
步骤4：在水达到沸点进入动能高蓄积态时，真空抽水装置将石英装置中的水抽出，以缩短水分蒸发时间，并继续利用该干燥装置中的交变电场进行加热；交变电场的频率为2-100GHz，优选的是2-4GHz。
步骤5：待硅片上的水分完全蒸发，干燥完毕，取出硅片。一般情况下，通过实验验证，真空抽水后，电磁波加热时间不超过30s，水分即可完全蒸发。
图4示出了依照实施例1利用该干燥装置干燥宽度为14.9nm的HSQ胶线条的电镜扫描照片。
利用本发明实施例提供的干燥装置干燥直径20nm×间隔20nm×高度260nm的光刻胶点阵、宽度为32.9nm的HSQ胶线条或尺寸为21.8nm×17.9nm的光刻胶格栅的具体工艺与上述实施例1干燥宽度为14.9nm的HSQ胶线条的具体工艺是一致的，不再赘述。图5示出了依照本发明实施例利用干燥装置干燥直径20nm×间隔20nm×高度260nm的光刻胶点阵的电镜扫描照片，图6示出了依照本发明实施例利用干燥装置干燥宽度为32.9nm的HSQ胶线条的电镜扫描照片，图7示出了依照本发明实施例利用干燥装置干燥尺寸为21.8nm×17.9nm的光刻胶格栅的电镜扫描照片。
本发明实施例提供的半导体干燥装置设有GHz电磁波发生装置，由于电磁波可以使水进入一种动能的高蓄积状态，从而打破水分子团簇结构，消除水的表面张力，所以解决了微细结构的纳米图形在干燥过程中发生的断裂、倒伏或粘连等问题。
本发明实施例提供的半导体干燥装置不但可有效的解决干燥过程中结构塌陷的问题，还能提供干净和干燥的器件，而且效率较高，干燥时间很短，耗能较少。
本发明实施例提供的半导体干燥方法，是用于对显影之后微细结构的纳米图形进行干燥，能够解决微细结构的纳米图形在干燥过程中发生的断裂、倒伏或粘连等问题。本发明实施例适用于所有微细结构的纳米图形的干燥，尤其是对22/16/14nm尺寸的纳米图形或纳米线条的干燥。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种半导体干燥装置，其特征在于，所述干燥装置包括：
腔室；
石英装置，设置于所述腔室内，用于盛载待测硅片；
GHz电磁波发生装置，设置于所述腔室内，用于产生交变电场对所述待测硅片进行加热，并且使石英装置中去离子水的温度升高，直到所述待测硅片上的水分完全蒸发。
2.如权利要求1所述的半导体干燥装置，其特征在于，所述石英装置包括：
石英槽，用于盛载待测硅片；
石英盖，覆盖在所述石英槽上。
3.如权利要求2所述的半导体干燥装置，其特征在于，所述石英盖上设有孔，用于电磁波加热时所述石英装置内水蒸气的蒸发。
4.如权利要求1所述的半导体干燥装置，其特征在于，所述干燥装置还包括：
真空抽水装置，设置于所述腔室外，并与所述石英装置通过塑料软管相连通，用于将所述石英装置中的去离子水抽出。
5.如权利要求1所述的半导体干燥装置，其特征在于，所述干燥装置还包括：
金属转盘，设置在所述腔室的内壁上；
电机，设置在所述腔室外，用于驱动所述金属转盘旋转。
6.如权利要求1所述的半导体干燥装置，其特征在于，所述干燥装置还包括：
黄色光源，设置在所述腔室内，用于给所述腔室提供黄色光源。
7.如权利要求6所述的半导体干燥装置，其特征在于，所述黄色光源为黄色荧光灯。
8.如权利要求5所述的半导体干燥装置，其特征在于，所述干燥装置还包括：
控制面板，设置于所述腔室外；所述控制面板上设有时间显示装置、时间设置旋钮和电机转速设置旋钮，其中，所述时间显示装置用于显示干燥所设定的时间，所述时间设置旋钮用于设置干燥时间，所述电机转速设置旋钮用于设置所述电机转速。
9.一种半导体干燥方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤110，将待测硅片放入石英装置中显影，所述石英装置中盛有显影液；
步骤120，显影完毕后，用去离子水置换掉所述石英装置中的显影液；
步骤130，将置换后的盛有所述待测硅片的所述石英装置放入干燥装置的腔室中，利用干燥装置中GHz电磁波发生装置产生的交变电场对所述待测硅片进行加热；
步骤140，在所述石英装置中的去离子水达到沸点进入动能高蓄积态时，通过设置在所述腔室外的真空抽水装置将所述石英装置中的去离子水抽出，并继续利用所述干燥装置中的交变电场对所述待测硅片进行加热；
步骤150，待所述待测硅片上的水分完全蒸发，干燥完毕，取出所述待测硅片。
10.如权利要求9所述的半导体干燥方法，其特征在于，所述步骤130和所述步骤140中的所述交变电场的频率为2～100GHz。
11.如权利要求9所述的半导体干燥方法，其特征在于，所述步骤140中对所述待测硅片进行加热，加热时间不超过30秒。
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