CN105903713A - 半导体产品清洗方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种半导体产品清洗方法，用于对切割成型的芯片单元进行清洗，包括初筛步骤、清洗步骤和烘干步骤。本发明还提供了一种半导体产品清洗装置，包括顺次排列设置的初筛装置、清洗装置及烘干装置。本发明提供的半导体产品清洗方法及装置通过对半导体产品进行初筛、清洗及烘干，能有效将混杂于半导体产品中的残胶屑、铜屑及残留在芯片单元上的胶带丝清理干净，保证半导体产品的质量。

Description

半导体产品清洗方法及装置
技术领域
本发明涉及半导体生产领域，尤其涉及一种半导体产品清洗方法及装置。
背景技术
半导体封装过程中，为了提高生产效率，通常是批量生产作业的，在产品完成最终封装前需要进行芯片切割，切割的目的是使封装好的芯片彼此分离成一颗颗独立的芯片单元。切割时，需要将产品贴到一种粘有胶带的铁环上，再将铁环放到切割机上自动切割，切割分离后，芯片单元上会有残余的胶带丝，切割过程中产生的残胶屑及铜屑，这些残留物质粘在产品上，很难去除，严重影响产品质量。
发明内容
本发明的目的是提供一种能将切割过程中产生的残胶屑、铜屑以及残留在芯片单元上的胶带丝清除的半导体产品清洗方法及装置。
为达到上述目的，本发明提供了一种半导体产品清洗方法，用于对切割成型的芯片单元进行清洗，其中，所述半导体产品清洗方法包括：
初筛步骤：初步筛除所述芯片单元中混入的杂质，得到初筛后的芯片单元；
清洗步骤：清洗所述初筛后的芯片单元，得到清洗后的芯片单元；
烘干步骤：烘干所述清洗后的芯片单元，得到烘干后的芯片单元。
如上所述的半导体产品清洗方法，其中，所述初筛步骤包括：
一次过筛：将切割成型的所述芯片单元中尺寸大于所述芯片单元的杂质筛除，得到一次过筛后的芯片单元；
二次过筛：将所述一次过筛后的芯片单元中尺寸小于所述一次过筛后的芯片单元的杂质筛除，得到所述初筛后的芯片单元。
如上所述的半导体产品清洗方法，其中，所述清洗步骤采用超声波振动清洗，且所述清洗步骤采用的清洗液为浓度为100％的无水酒精，清洗时间为4分钟～6分钟。
如上所述的半导体产品清洗方法，其中，所述烘干步骤包括同步进行的：
烘干：烘干所述清洗后的芯片单元；
除静电：除去所述清洗后的芯片单元上所带的静电；
振动：使所述清洗后的芯片单元上残余的杂质振动脱落；
筛除：将振动脱落的杂质从所述清洗后的芯片单元中筛除。
如上所述的半导体产品清洗方法，其中，在所述烘干步骤中：
采用红外线加热对所述清洗后的芯片单元进行烘干；
采用离子风对所述清洗后的芯片单元进行除静电。
本发明还提供了一种半导体产品清洗装置，用于实施如上所述的半导体产品清洗方法，其中，所述半导体产品清洗装置包括顺次排列设置的：
初筛装置，用于初步筛除芯片单元中混入的杂质，得到初筛后的芯片单元；
清洗装置，用于清洗所述初筛后的芯片单元，得到清洗后的芯片单元；
烘干装置，用于烘干所述清洗后的芯片单元，得到烘干后的芯片单元。
如上所述的半导体产品清洗装置，其中，所述初筛装置包括由上至下顺次排列设置的上层筛、下层筛及顶部开口的收纳盒，所述上层筛、所述下层筛及所述收纳盒通过纵向设置的支撑杆固定连接。
如上所述的半导体产品清洗装置，其中，所述上层筛的筛孔的尺寸大于芯片单元的尺寸，且所述下层筛的筛孔的尺寸小于所述芯片单元的尺寸。
如上所述的半导体产品清洗装置，其中，所述初筛装置还包括围设于所述上层筛、所述下层筛及所述收纳盒外侧的筒体，所述上层筛、所述下层筛及所述收纳盒均能拆装地设置在所述筒体的内部。
如上所述的半导体产品清洗装置，其中，所述清洗装置为超声波振动清洗机。
如上所述的半导体产品清洗装置，其中，所述烘干装置为振动烘干装置，所述振动烘干装置包括振动器、加热器、除静电机、筛子、振动平台及内部具有中空腔的基板，所述筛子通过卡锁件能拆装地固定在所述振动平台上，所述振动平台通过多个能纵向压缩的弹簧安装于所述基板上，所述振动器与所述振动平台连接，且所述加热器、所述除静电机均设置于所述筛子的上方。
如上所述的半导体产品清洗装置，其中，所述振动器为振动电机，所述加热器为红外线加热灯，所述除静电机为离子风扇。
与现有技术相比，本发明的优点如下：
本发明提供的半导体产品清洗方法及装置通过对半导体产品(芯片单元)进行初筛、清洗及烘干，能有效将混杂于半导体产品中的残胶屑、铜屑及残留在芯片单元上的胶带丝清理干净，保证半导体产品的质量。
附图说明
以下附图仅旨在于对本发明做示意性说明和解释，并不限定本发明的范围。其中：
图1为本发明实施例一及实施例二提供的半导体产品清洗方法的流程图；
图2为本发明实施例三提供的半导体产品清洗装置的初筛装置的结构示意图；
图3为本发明实施例三提供的半导体产品清洗装置的烘干装置的结构示意图。
附图标号说明：
1 初筛装置
11 上层筛
111 筛孔
12 下层筛
121 筛孔
13 收纳盒
14 支撑杆
2 烘干装置
21 振动器
22 加热器
23 除静电机
24 筛子
25 振动平台
26 基板
27 弹簧
28 卡锁件
具体实施方式
为了对本发明的技术方案、目的和效果有更清楚的理解，现结合附图说明本发明的具体实施方式。
实施例一
如图1所示，本发明实施例一提供了本发明提供了一种半导体产品清洗方法，用于对切割成型的芯片单元进行清洗，其中，半导体产品清洗方法包括：
S101：初筛步骤：初步筛除芯片单元中混入的杂质，得到初筛后的芯片单元。
在初筛过程中，将切割成型的芯片单元连同混杂在芯片单元中的胶带丝、残胶屑和铜屑等杂质一同进行筛除，能有效将混杂在芯片单元中的大部分胶带丝、残胶屑和铜屑等杂质筛除。
S102：清洗步骤：清洗初筛后的芯片单元，得到清洗后的芯片单元。
在清洗步骤中，能将附着在初筛后的芯片单元表面上的细小杂质以及部分残留在初筛后的芯片单元上的胶带丝清除。
S103：烘干步骤：烘干清洗后的芯片单元，得到烘干后的芯片单元。
在烘干步骤中，能将清洗后的芯片单元表面的清洗液烘干，得到芯片单元成品，即半导体产品成品。
本发明提供的半导体产品清洗方法通过对半导体产品(芯片单元)进行初筛、清洗及烘干，能有效将混杂于半导体产品中的残胶屑、铜屑及残留在芯片单元上的胶带丝清理干净，保证半导体产品的质量。
实施例二
如图1所示，本发明实施例二提供了一种半导体产品清洗方法，用于对切割成型的芯片单元进行清洗，其中，半导体产品清洗方法包括：
S201：初筛步骤：初步筛除芯片单元中混入的杂质，得到初筛后的芯片单元。
其中，初筛步骤又包括：
一次过筛：将切割成型的芯片单元中尺寸大于芯片单元的杂质筛除，得到一次过筛后的芯片单元；
二次过筛：将一次过筛后的芯片单元中尺寸小于一次过筛后的芯片单元的杂质筛除，得到初筛后的芯片单元。
在初筛过程中，将切割成型的芯片单元连同混杂在芯片单元中的胶带丝、残胶屑和铜屑等杂质一同进行过筛，在初筛完成后，能有效将混杂在芯片单元中的大部分胶带丝、残胶屑和铜屑等杂质筛除。
S202：清洗步骤：清洗初筛后的芯片单元，得到清洗后的芯片单元。
在清洗步骤中，采用浓度为100％的无水酒精进行超声波振动清洗，清洗时间为4分钟～6分钟。通过采用无水酒精作为清洗液，由于酒精的挥发性，能在后续步骤中使芯片单元表面的液体快速挥发，使芯片单元保持干燥状态。通过清洗步骤能有效将附着在初筛后的芯片单元表面上的细小杂质以及部分残留在初筛后的芯片单元上的胶带丝清除。
S203：烘干步骤：烘干清洗后的芯片单元，得到烘干后的芯片单元。
其中，烘干步骤包括同步进行的：
烘干：烘干清洗后的芯片单元；采用红外线对清洗后的芯片单元进行烘干，能快速有效的将清洗后的芯片单元烘干，同时不会对芯片单元造成损坏。
除静电：除去清洗后的芯片单元上所带的静电；采用离子风对清洗后的芯片单元进行除静电，防止芯片单元产生静电从而导致芯片报废的情况出现。
振动：使清洗后的芯片单元上残余的杂质振动脱落；使初筛步骤后残留在芯片单元上的胶带丝等杂质在振动过程中从芯片单元上脱落，以进一步地除去芯片单元上的杂质。
筛除：将振动脱落的杂质从清洗后的芯片单元中筛除，从而得到芯片单元成品，也就是半导体产品成品。
也就是说，在烘干步骤中，能将清洗后的芯片单元表面的清洗液烘干，并进一步将混杂或附着在芯片单元上的杂质去除，得到芯片单元成品，即半导体产品成品。
通过以上初筛、清洗及烘干三个步骤，能够彻底地将切割过程中粘在产品上的胶带丝、残胶屑及铜屑等杂质清除，而且本发明可以对产品实现批量处理，在提高产品质量的同时提高了生产效率。
本发明提供的半导体产品清洗方法通过对半导体产品(芯片单元)进行一次过筛，能将尺寸大于芯片单元的杂质筛除，通过二次过筛能将尺寸小于芯片单元的杂质筛除，另外通过清洗步骤能将芯片单元表面上附着的细小杂质及残留在芯片单元上的部分胶带丝清除，最后通过烘干步骤能更进一步地混杂或附着在芯片单元上的杂质去除，有效保证半导体产品的质量。也就是说，本发明提出一种切割后去除芯片单元上的残留物质的方法，可以去除99％的残留物质，大大地提高了产品质量。
实施例三
如图2及图3所示，本发明实施例三提供了一种半导体产品清洗装置，用于实施上述实施例一及实施例二所述的半导体产品清洗方法，其中，半导体产品清洗装置包括顺次排列设置的：初筛装置1，用于初步筛除芯片单元中混入的杂质，得到初筛后的芯片单元；清洗装置，用于清洗初筛后的芯片单元，得到清洗后的芯片单元；烘干装置2，用于烘干清洗后的芯片单元，得到烘干后的芯片单元。
其中，初筛装置1用于对切割成型的芯片单元进行初步筛除，将芯片单元中混杂的大部分胶带丝、残胶屑和铜屑等杂质去除；清洗装置用于对初筛后的芯片单元进行清洗，将初筛后的芯片单元上附着的细小杂质及部分残留在芯片单元上的胶带丝去除；烘干装置2用于对清洗后的芯片单元进行烘干及最后的清理，能有效将清洗后的芯片单元上的清洗液烘干，同时能将芯片单元中混杂或附着的杂质进一步的去除，从最大程度上提高芯片单元的产品质量。
进一步地，如图2所示，本发明实施例三提供的半导体产品清洗装置，其中，初筛装置1包括由上至下顺次排列设置的上层筛11、下层筛12及顶部开口的收纳盒13，上层筛11、下层筛12及收纳盒13通过纵向设置的支撑杆14固定连接。芯片单元在初筛过程中，在上层筛11中进行一次过筛，一次过筛的过程中，芯片单元由上层筛11掉落至上层筛11下方的下层筛12中，比芯片单元尺寸大的杂质留在上层筛11，然后在下层筛12中进行二次过筛，在二次过筛的过程中，芯片单元留在下层筛12，而比芯片单元尺寸小的杂质掉落在下层筛12下方的收纳盒13中。如此能将芯片单元中混杂的大部分杂质去除。
更进一步地，如图2所示，本发明实施例三提供的半导体产品清洗装置，其中，上层筛11的筛孔111的尺寸大于芯片单元的尺寸，且下层筛12的筛孔121的尺寸小于芯片单元的尺寸。如此才能在初筛步骤完成后，使得尺寸大于芯片单元的杂质留在上层筛11，且尺寸小于芯片单元的杂质掉落至收纳盒13，而芯片单元保留在下层筛12中。
作为优选，本发明实施例三提供的半导体产品清洗装置，其中，初筛装置1还包括围设于上层筛11、下层筛12及收纳盒13外侧的筒体，上层筛11、下层筛12及收纳盒13均能拆装地设置在筒体的内部。通过设置筒体能限制芯片单元及杂质的运动范围，防止在初筛过程中芯片单元或杂质从上层筛11或下层筛12或收纳盒13中掉落至地面上。
作为优选，本发明实施例三提供的半导体产品清洗装置，其中，初筛装置1为电动筛，但需要说明的是，初筛装置1还可以为手动筛，能达到本发明筛分效果即可，本发明并不以此为限。
进一步地，本发明实施例三提供的半导体产品清洗装置，其中，清洗装置为超声波振动清洗机。经初筛装置1筛选后，将产品放入超声波振动清洗机中清洗，超声波振动清洗机中放入100％无水酒精，清洗时间4-6分钟。通过清洗装置，能进一步地将芯片单元中混杂的细小杂质去除，进一步提高本发明的清洗效果。
进一步地，如图3所示，本发明实施例三提供的半导体产品清洗装置，其中，烘干装置2为振动烘干装置，振动烘干装置包括振动器21、加热器22、除静电机23、筛子24、振动平台25及内部具有中空腔的基板26，筛子24通过卡锁件28能拆装地固定在振动平台25上，振动平台25通过多个能纵向压缩的弹簧27安装于基板26上，振动器21与振动平台25连接，且加热器22、除静电机23均设置于筛子24的上方。其中，作为优选，弹簧27设有四个并对应于振动平台25的四个角处，以使振动平台25受到均匀的支撑力。在烘干过程中，振动器21带动振动平台25及通过卡锁件28固定在振动平台25上的筛子24一同振动，在振动过程中，加热器22对芯片单元进行加热，且除静电机23对芯片单元进行除静电。其中，基板26的中空腔用于容纳振动烘干装置的电路板及电线。
作为优选，本发明实施例三提供的半导体产品清洗装置，其中，振动器21为振动电机，加热器22为红外线加热灯，除静电机23为离子风扇。需要说明的是，振动器21并不仅限于振动电机，加热器22并不仅限于红外线加热灯，且除静电机23不仅限于离子风扇，凡是能达到本发明振动、加热及除静电效果且不会对芯片单元造成损坏的装置结构均适用于本发明，本发明并不以此为限。
本发明提供的半导体产品清洗装置通过对半导体产品(芯片单元)进行初筛、清洗及烘干，能有效将混杂于半导体产品中的残胶屑、铜屑及残留在芯片单元上的胶带丝清理干净，保证半导体产品的质量。
综上所述，本发明提供的半导体产品清洗方法及装置是，在产品完成切割工序后，去残胶工序执行以下步骤：
1、用筛子筛(初筛步骤)：所述筛子包括两层筛子，位于上层的上层筛11和位于下层的下层筛12，以及位于下层筛12下方的收纳盒13。所述上层筛11的筛孔111的孔径大小大于产品本身，在通电筛动的过程中，产品会掉落到下层筛12上，比产品大的一些胶带丝、残胶会留在上层筛11上；所述下层筛12的筛孔121的孔径大小小于产品本身，在筛动的过程中，产品会留在下层筛12上，比产品小的一些残胶屑、残铜屑会掉落到位于下层筛12下方的收纳盒13内。产品经过两层筛选后，可将比产品大的和比产品小的残留物质去除掉。
所述筛子(初筛装置)可是电动的，也可以是手动的，优选地可制成电动的。
2、超声波振动清洗：经电动筛子(初筛装置)筛选后，将产品放入超声波振动清洗机中清洗，超声波振动清洗机中放入100％无水酒精，清洗时间4-6分钟。
3、振动烘干：经振动清洗机清洗后，将产品放入振动烘干装置中，利用振动烘干装置边振动边烘干。
振动烘干装置包含基板26，基板的中空腔内安放有电路板及电线，基板的中空腔中间有一孔洞，孔洞内连接有振动器21，振动器21与振动平台25连接。在基板26和振动平台25之间安装有弹簧27，弹簧27有四个，弹簧27依据振动平台25的形状间隔设置，如果振动平台25呈方形，则在四个角分别安装弹簧27；如果振动平台25呈圆形，可以等间距安装设置四个弹簧，本发明并不以此为限。
在基板26上还安装一离子风扇(用于去除产品的静电)及红外线加热灯机(对产品加热烘干)。在振动平台25上有一卡锁件28，可将装有产品的筛子24牢牢卡住。
振动平台25与振动器21相连，电源接通后，振动器21振动，带动振动平台25一起振动，位于振动平台25上的筛子24里的芯片单元跟着一起振动，在红外线加热灯作用下，产品被烘干。烘干和振动同时进行，使经过前两个工序后仍残留在产品上的碎屑彻底脱落。
通过以上三个流程，能够彻底地将切割过程中粘在产品上的胶带丝、残胶屑及铜屑消除，而且本流程可以对产品实现批量处理，在提高产品质量的同时提高了生产效率。
以上所述仅为本发明示意性的具体实施方式，并非用以限定本发明的范围。任何本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的构思和原则的前提下所作出的等同变化与修改，均应属于本发明保护的范围。

Claims (12)

1.一种半导体产品清洗方法，用于对切割成型的芯片单元进行清洗，其特征在于，所述半导体产品清洗方法包括：
初筛步骤：初步筛除所述芯片单元中混入的杂质，得到初筛后的芯片单元；
清洗步骤：清洗所述初筛后的芯片单元，得到清洗后的芯片单元；
烘干步骤：烘干所述清洗后的芯片单元，得到烘干后的芯片单元。
2.根据权利要求1所述的半导体产品清洗方法，其特征在于，所述初筛步骤包括：
一次过筛：将切割成型的所述芯片单元中尺寸大于所述芯片单元的杂质筛除，得到一次过筛后的芯片单元；
二次过筛：将所述一次过筛后的芯片单元中尺寸小于所述一次过筛后的芯片单元的杂质筛除，得到所述初筛后的芯片单元。
3.根据权利要求1所述的半导体产品清洗方法，其特征在于，所述清洗步骤采用超声波振动清洗，且所述清洗步骤采用的清洗液为浓度为100％的无水酒精，清洗时间为4分钟～6分钟。
4.根据权利要求1所述的半导体产品清洗方法，其特征在于，所述烘干步骤包括同步进行的：
烘干：烘干所述清洗后的芯片单元；
除静电：除去所述清洗后的芯片单元上所带的静电；
振动：使所述清洗后的芯片单元上残余的杂质振动脱落；
筛除：将振动脱落的杂质从所述清洗后的芯片单元中筛除。
5.根据权利要求4所述的半导体产品清洗方法，其特征在于，在所述烘干步骤中：
采用红外线加热对所述清洗后的芯片单元进行烘干；
采用离子风对所述清洗后的芯片单元进行除静电。
6.一种半导体产品清洗装置，用于实施上述权利要求1～5所述的半导体产品清洗方法，其特征在于，所述半导体产品清洗装置包括顺次排列设置的：
初筛装置，用于初步筛除芯片单元中混入的杂质，得到初筛后的芯片单元；
清洗装置，用于清洗所述初筛后的芯片单元，得到清洗后的芯片单元；
烘干装置，用于烘干所述清洗后的芯片单元，得到烘干后的芯片单元。
7.根据权利要求6所述的半导体产品清洗装置，其特征在于，所述初筛装置包括由上至下顺次排列设置的上层筛、下层筛及顶部开口的收纳盒，所述上层筛、所述下层筛及所述收纳盒通过纵向设置的支撑杆固定连接。
8.根据权利要求7所述的半导体产品清洗装置，其特征在于，所述上层筛的筛孔的尺寸大于芯片单元的尺寸，且所述下层筛的筛孔的尺寸小于所述芯片单元的尺寸。
9.根据权利要求7或8所述的半导体产品清洗装置，其特征在于，所述初筛装置还包括围设于所述上层筛、所述下层筛及所述收纳盒外侧的筒体，所述上层筛、所述下层筛及所述收纳盒均能拆装地设置在所述筒体的内部。
10.根据权利要求6所述的半导体产品清洗装置，其特征在于，所述清洗装置为超声波振动清洗机。
11.根据权利要求6所述的半导体产品清洗装置，其特征在于，所述烘干装置为振动烘干装置，所述振动烘干装置包括振动器、加热器、除静电机、筛子、振动平台及内部具有中空腔的基板，所述筛子通过卡锁件能拆装地固定在所述振动平台上，所述振动平台通过多个能纵向压缩的弹簧安装于所述基板上，所述振动器与所述振动平台连接，且所述加热器、所述除静电机均设置于所述筛子的上方。
12.根据权利要求11所述的半导体产品清洗装置，其特征在于，所述振动器为振动电机，所述加热器为红外线加热灯，所述除静电机为离子风扇。
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