CN100501934C - 用于场区隔离刻蚀的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种用于场区隔离刻蚀的方法，由一氢氟酸刻蚀步骤与一干法多晶硅刻蚀步骤组成，其在氢氟酸刻蚀步骤之后、干法多晶硅刻蚀步骤之前增加一酸碱液洗净步骤。本发明由于在氢氟酸刻蚀步骤之后，干法多晶硅刻蚀步骤之前增加了一酸碱液洗净步骤，从而去除了在氢氟酸刻蚀步骤之后常由于多晶硅材料的憎水性而残留的硅化物水迹，提高了后续干法多晶硅刻蚀的质量。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路的制作方法，尤其涉及一种用于场区隔离刻蚀的方法。
背景技术
目前进行场区隔离刻蚀的方法主要包括两个步骤：氢氟酸刻蚀步骤与干法多晶硅刻蚀步骤。由于多晶硅材料表面的憎水性质，使得在进行氢氟酸刻蚀步骤的过程中生成的硅化物会溶解在水里而残留在多晶硅表面，待水干燥后，硅化物会残留在多晶硅表面而形成水迹。残留有硅化物的水迹会成为掩膜进而阻碍后续的干法多晶硅刻蚀步骤，在多晶硅表面形成多晶硅残留，严重影响产品的品质。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种消除氢氟酸刻蚀后硅化物残留的场区隔离刻蚀方法。
为解决上述技术问题，本发明提供一种用于场区隔离刻蚀的方法，由一氢氟酸刻蚀步骤与一干法多晶硅刻蚀步骤组成，其在氢氟酸刻蚀步骤之后、干法多晶硅刻蚀步骤之前增加一酸碱液洗净步骤。
本发明由于在氢氟酸刻蚀步骤之后，干法多晶硅刻蚀步骤之前增加了一酸碱液洗净步骤，从而去除了在氢氟酸刻蚀步骤之后常由于多晶硅材料的憎水性而残留的硅化物水迹，提高了后续干法多晶硅刻蚀的质量。
具体实施方式
下面对本发明作进一步详细的说明。
本发明一种用于场区隔离刻蚀的方法，在已有技术的仅包含一氢氟酸刻蚀步骤与一干法多晶硅刻蚀步骤的基础上，在氢氟酸刻蚀步骤之后、干法多晶硅刻蚀步骤之前增加一酸碱液洗净步骤。所述酸碱液洗净步骤由以下几个步骤组成：首先，将经过氢氟酸刻蚀的多晶硅材料浸泡于添加有碱液的槽中，浸泡5分钟之后取出；再将取出的多晶硅材料浸泡于添加有酸液的槽中，同样浸泡5分钟之后取出；取出后的多晶硅材料用等离子水冲洗一遍；放置于旋转干燥机中用800rpm转速旋转5分钟进行干燥。
本发明在酸碱液洗净步骤中所采用的碱液为氨水和双氧水的混合液，其中，混合液的组分体积比为：
氨水:双氧水:水＝1:2～10:15～30。
本发明在酸碱液洗净步骤中所采用的酸液为硫酸和双氧水的混合液，其中，混合液的组分体积比为：
硫酸:双氧水＝2～10:1。
Claims (3)
1、用于场区隔离刻蚀的方法，由一氢氟酸刻蚀步骤与一干法多晶硅刻蚀步骤组成，其特征在于：在氢氟酸刻蚀步骤之后、干法多晶硅刻蚀步骤之前增加一酸碱液洗净步骤，所述酸碱液洗净步骤由以下步骤组成：
a.将多晶硅材料于添加有碱液的槽中浸泡5分钟之后取出；
b.再将多晶硅材料于添加有酸液的槽中浸泡5分钟之后取出；
c.等离子水冲洗多晶硅材料一遍；
d.旋转干燥机800rpm转速旋转5分钟干燥。
2.根据权利要求1所述的用于场区隔离刻蚀的方法，其特征在于：所述碱液为氨水和双氧水的混合液，其中，混合液的组分体积比为：
氨水:双氧水:水＝1:2～10:15～30。
3.根据权利要求1所述的用于场区隔离刻蚀的方法，其特征在于：所述酸液为硫酸和双氧水的混合液，其中，混合液的组分体积比为：
硫酸:双氧水＝2～10:1。
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| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100501934C (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104570211A (zh) * | 2013-10-26 | 2015-04-29 | 无锡宏纳科技有限公司 | 一种平面光波导分路器等离子体刻蚀后的清洗方法 |
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- 2006-09-22 CN CNB2006101164023A patent/CN100501934C/zh active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101150060A (zh) | 2008-03-26 |
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
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