JP3338544B2 - 乾燥方法及び乾燥装置 - Google Patents

乾燥方法及び乾燥装置

Info

Publication number
JP3338544B2
JP3338544B2 JP02043894A JP2043894A JP3338544B2 JP 3338544 B2 JP3338544 B2 JP 3338544B2 JP 02043894 A JP02043894 A JP 02043894A JP 2043894 A JP2043894 A JP 2043894A JP 3338544 B2 JP3338544 B2 JP 3338544B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
drying
workpiece
plate
gas
glass substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP02043894A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07230979A (ja
Inventor
太 島井
宏仁 佐合
博嗣 熊澤
勝彦 工藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=12027056&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3338544(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP02043894A priority Critical patent/JP3338544B2/ja
Publication of JPH07230979A publication Critical patent/JPH07230979A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3338544B2 publication Critical patent/JP3338544B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は例えばガラス基板や半導
体ウェーハ等の板状被処理物を乾燥させる方法とその装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】ガラス基板の一面にTFT(薄膜トラン
ジスタ)を形成したカラー液晶基板を製作したり、半導
体ウェーハ上に各種デバイスを製作するには多くの表面
処理工程を必要とする。そして表面処理を行う前または
後に被処理物表面にゴミが付着していると、歩留まり低
下の原因となるので、従来から表面処理を行う前後には
必ず洗浄水で洗浄し、この後乾燥させて次工程へ送るよ
うにしている。
【0003】斯かる乾燥方法として、自然に乾燥させる
常圧乾燥があるが、常圧乾燥による場合には乾燥に要す
る時間が長いという問題があり、このため乾燥室内の空
気を吸引して行う減圧乾燥がある。また、スピンナー上
に被処理物を固着し、例えば、3000rpm以上の高
速回転により乾燥させる方法もある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】減圧乾燥の場合には処
理時間は早くなるが、設備が大掛かりとなりパーティク
ルが発生しやすく且つ装置的に故障の発生要素が多くメ
ンテナンスが面倒である。また、高速回転による乾燥の
場合には、板状被処理物の破損を招き、帯電しやすいた
め板状被処理物にゴミが再付着しダメージを与えるとい
う問題がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明に係る乾燥方法は、被処理物の表面に乾燥ガスを流
下させ、板状被処理物の表面に沿って乾燥ガスを流し、
板状被処理物の裏面に乾燥ガスを噴出し、下方から排出
するようにした。
【0006】また、本発明に係る乾燥装置は、板状被処
理物を回転せしめるスピンナーと、このスピンナーの上
方に配置される揺動アームと、この揺動アームに取り付
けられ、その揺動軌跡が板状被処理物の回転中心の真上
を通る乾燥ガス噴出ノズルと、板状被処理物の裏面に対
して乾燥ガスを噴出する乾燥ガス噴出ノズルとを備える
ようにした。
【0007】
【作用】被処理物の表面に流下した乾燥ガスは、板状被
処理物の表面に沿って流れる間に被処理物の表面に残る
洗浄液を乾燥させ、そのまま下方から排出される。
【0008】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図1は本発明に係る乾燥装置を組み
込んだ洗浄乾燥ステーションの平面図、図2は同乾燥装
置の平面図、図3は同乾燥装置の縦断面図であり、洗浄
乾燥ステーション1には洗浄装置10と乾燥装置20と
を配置している。
【0009】乾燥装置20は図2及び図3に示すよう
に、乾燥ケース21の底部は中央が高く周縁が低くなっ
た傾斜面22となっており、この傾斜面22には板状被
処理物としてのガラス基板Wの下面を乾燥させるための
ガス噴出ノズル23が設けられ、また底部中央に形成し
た開口24からスピンナー25がケース21内に臨み、
このスピンナー25の上端部にガラス基板Wを受けるチ
ャック26が取り付けられている。
【0010】チャック26は略十字状をなし、各先部に
はガラス基板Wの下面を支持するピン27とガラス基板
Wの位置決めを行うピン28が設けられ、またスプラッ
シュバックミストの落下を防止するために乾燥ケース2
1の内側壁には上下に離間して2種類のスカート部2
9,30を設け、更に傾斜面22に設けたセンサ31に
てチャック26にガラス基板Wが保持されているか否か
を判断するようにしている。
【0011】また、乾燥ケース21の側方にはアーム3
2が水平方向に揺動自在に配置されている。そして、こ
のアーム32には空気、窒素ガス等の乾燥に用いるガス
を下方または斜め下方に向けて噴出するノズル33が取
り付けられている。このノズル33の取り付け位置はノ
ズル33の揺動軌跡がガラス基板Wの回転中心Oの真上
を通る位置とされている。
【0012】一方、洗浄装置10は乾燥装置20とその
構成部材の一部を共通にしている。即ち、洗浄ケース1
1及びこの中に配置されるスピンナーとチャックは同一
部材とし、また類似の部材として揺動アーム12を備
え、この揺動アーム12の先端に洗浄水に振動を与えつ
つガラス基板Wに向けて噴出する超音波洗浄ユニット1
3を設けている。
【0013】以上において、ガラス基板Wを洗浄装置1
0の洗浄ケース11内にセットし、ガラス基板Wを10
0〜400rpmで回転させつつ、アーム12を必要な
回数だけ往復揺動させ超音波洗浄ユニット13でガラス
基板W表面を洗浄する。
【0014】次いで、洗浄が終了したら、搬送装置にて
ガラス基板Wを乾燥装置20のケース21内のチャック
26上にセットする。次いで、スピンナー25によって
ガラス基板Wを1700rpmで回転させつつ、ガラス
基板W表面にノズル33から噴出する空気、窒素ガス等
の乾燥ガスを真上から流下させ、ガラス基板W表面に沿
って乾燥ガスを流してガラス基板W表面に残っている洗
浄水を乾燥させ、更に乾燥ガスを下方の排出口34から
排出する。このときの乾燥ガスの噴出量は30〜40m
l/分程度が好ましく、スピンナーの回転は1000〜
2000rpm程度が好ましい。
【0015】尚、ガラス基板Wの表面のみを乾燥させる
場合にはノズル23から乾燥ガスは噴出させない。この
場合にはガスの流れは図3の右側に示すようになる。一
方、ガラス基板Wの表裏両面を乾燥させる場合にはノズ
ル23からもノズル33と同様に乾燥ガスを噴出させ
る。この場合にはガスの流れは図3の左側に示すように
なる。
【0016】また、ノズル33の位置は乾燥中ガラス基
板Wの回転中心の上方に固定してもよいが、洗浄工程と
同様にアーム32を往復揺動させノズル33をガラス基
板Wの径方向に移動させつつ乾燥せしめるようにしても
よい。噴出させる乾燥ガスは空気、窒素ガス等のガスで
あることが好ましく、さらに静電気の発生を抑えるため
にイオン化した空気、窒素ガスにすることが好ましい。
【0017】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
回転する板状被処理物の表面に乾燥ガスを流下させ、板
状被処理物の表面に沿って乾燥ガスを流し、下方から排
出するようにしたので、常圧乾燥であるにも拘らず短時
間で乾燥させることができる。また、イオン化した乾燥
ガスを用いれば、板状被処理物に回転乾燥時に静電気が
発生することがないので、ゴミの再付着が防止され、板
状被処理物が半導体用基板であるときには半導体素子に
ダメージを与えることがない。
【0018】また、本発明に係る乾燥装置は、板状被処
理物を回転せしめるスピンナーと、このスピンナーの上
方に配置される揺動アームと、この揺動アームに取り付
けられその揺動軌跡が板状被処理物の回転中心の真上を
通る窒素ガス等の乾燥ガス噴出ノズルとから構成される
ので、構造が簡単でパーティクルが発生しにくくメンテ
ナンスが容易である。更に、乾燥装置を洗浄装置と隣接
させ、しかも洗浄装置と乾燥装置の構成に共通箇所を設
けることでライン構成上有利となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る乾燥装置を組み込んだ洗浄乾燥ス
テーションの平面図
【図2】同乾燥装置の平面図
【図3】同乾燥装置の縦断面図
【符号の説明】
1…洗浄乾燥ステーション、10…洗浄装置、20…乾
燥装置、21…乾燥ケース、22…傾斜面、23,33
…乾燥ガス噴出ノズル、25…スピンナー、26…チャ
ック、32…アーム、W…ガラス基板(板状被処理
物)。
フロントページの続き (72)発明者 工藤 勝彦 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−287922(JP,A) 特開 平1−120829(JP,A) 特開 平2−304925(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被
    処理物の表面に乾燥ガスを流下させ、板状被処理物の表
    面に沿って乾燥ガスを流し、板状被処理物の裏面に乾燥
    ガスを噴出し、下方から排出するようにしたことを特徴
    とする乾燥方法。
  2. 【請求項2】 ガラス基板や半導体ウェーハ等の板状被
    処理物を回転せしめるスピンナーと、このスピンナーの
    上方に配置される揺動アームと、この揺動アームに取り
    付けられその揺動軌跡が板状被処理物の回転中心の真上
    を通る乾燥ガス噴出ノズルと、板状被処理物の裏面に対
    して乾燥ガスを噴出する乾燥ガス噴出ノズルとを備えた
    乾燥装置。
JP02043894A 1994-02-17 1994-02-17 乾燥方法及び乾燥装置 Ceased JP3338544B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02043894A JP3338544B2 (ja) 1994-02-17 1994-02-17 乾燥方法及び乾燥装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02043894A JP3338544B2 (ja) 1994-02-17 1994-02-17 乾燥方法及び乾燥装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07230979A JPH07230979A (ja) 1995-08-29
JP3338544B2 true JP3338544B2 (ja) 2002-10-28

Family

ID=12027056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP02043894A Ceased JP3338544B2 (ja) 1994-02-17 1994-02-17 乾燥方法及び乾燥装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3338544B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6073683A (en) * 1995-07-05 2000-06-13 Nippondenso Co., Ltd. Cooling apparatus using boiling and condensing refrigerant and method for manufacturing the same
JP4824883B2 (ja) * 2001-09-25 2011-11-30 株式会社岡本工作機械製作所 基板の研磨装置および基板の研磨・洗浄・乾燥方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07230979A (ja) 1995-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7422641B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
US7021319B2 (en) Assisted rinsing in a single wafer cleaning process
JPH0568092B2 (ja)
KR20140086840A (ko) 기판 세정 장치
JPH07106233A (ja) 回転式基板処理装置
JPH08139007A (ja) 洗浄方法および装置
JP3338544B2 (ja) 乾燥方法及び乾燥装置
US20020029789A1 (en) Liquid processing apparatus and method
JP3425895B2 (ja) 回転式基板乾燥装置および乾燥方法
JP2002143749A (ja) 回転塗布装置
JPH10199852A (ja) 回転式基板処理装置
JPH09162159A (ja) 回転式基板乾燥装置
JP2002016031A (ja) 基板処理方法
JP3169666B2 (ja) 現像装置及び現像方法
JP3361872B2 (ja) 基板洗浄装置
JPH06275506A (ja) 回転塗布装置及びその方法
JP2624426B2 (ja) 角形基板の洗浄装置
JPH10172880A (ja) フォトレジスト現像装置
JP2002124508A (ja) 基板用スピン処理装置
JPH0766105A (ja) 基板処理装置
JP2608136B2 (ja) 回転塗布装置
JPH118192A (ja) 処理装置および処理方法
JP4023907B2 (ja) 基板処理方法
TW201628727A (zh) 基板洗淨裝置
JPH0620935A (ja) レジスト塗布装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020730

RVOP Cancellation by post-grant opposition