JPH07106233A - 回転式基板処理装置 - Google Patents

回転式基板処理装置

Info

Publication number
JPH07106233A
JPH07106233A JP25158093A JP25158093A JPH07106233A JP H07106233 A JPH07106233 A JP H07106233A JP 25158093 A JP25158093 A JP 25158093A JP 25158093 A JP25158093 A JP 25158093A JP H07106233 A JPH07106233 A JP H07106233A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
circular
rectangular
plate
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP25158093A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3138897B2 (ja
Inventor
Yoshio Sakai
由雄 酒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP25158093A priority Critical patent/JP3138897B2/ja
Publication of JPH07106233A publication Critical patent/JPH07106233A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3138897B2 publication Critical patent/JP3138897B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting

Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 浮遊ミストの発生を抑え、処理液が基板に再
付着しにくくする。 【構成】 基板洗浄装置1は、角型基板Wを回転させな
がらその表面を洗浄液で洗浄する装置であり、基板保持
部2と、回転軸7と、ブラシ洗浄機構3とを備えてい
る。基板保持部2は、角型基板Wを収納するための凹部
Aを上端部に有し、角型基板Wを凹部Aに収納した状態
で上面全体が円形状となる。回転軸7は、基板保持部2
をその中心回りに回転させる。ブラシ洗浄機構3は、基
板保持部2に保持された角型基板Wに対して、洗浄液を
供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板処理装置、特に、
基板を回転させながらその表面を処理液で処理する回転
式基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工程や液晶表示装置の製造工
程において、フォトプロセスでパターンを形成する際に
は、基板にフォトレジストを塗布する工程や、基板を現
像液で現像する工程や、基板を洗浄液で洗浄する工程な
どの処理液による基板処理工程が不可欠である。この種
の基板処理工程に用いられる回転式基板処理装置は、基
板を真空吸着または機械的に保持する基板保持部と、基
板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処
理液供給部と、基板保持部を回転させる回転部とを備え
ている。
【0003】この種の回転式基板処理装置では、基板保
持部を回転させながら基板に対して処理液を供給する。
そして、基板洗浄装置の場合には、洗浄後に液切り乾燥
のために基板を高速回転させる。また、フォトレジスト
塗布装置や現像装置の場合には、処理液を均一に塗布す
るために基板を回転させる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の構成で基板
を高速回転させると、オリエンテーションフラットを有
する円型基板であればオリエンテーション部と円形部と
の間で、角型基板であればその側辺部分と角部分との間
で回転半径が異なることから、飛散中の液滴をオリエン
テーションフラット部または角部分が弾いてしまう。そ
の結果、浮遊ミストが大量に発生し、その浮遊ミストが
基板に再付着してしまう。
【0005】本発明の目的は、浮遊ミストの発生を抑
え、処理液が基板に再付着しにくくすることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】第1の発明に係る回転式
基板処理装置は、角型基板を回転させながら、角型基板
の表面を処理液で処理する装置であり、基板支持手段と
回転手段と供給手段とを備えている。基板支持手段は、
角型基板を収納するための収納部を上端部に有し、角型
基板を収納部に収納した状態で上面全体が円形状とな
る。回転手段は、前記上面の中心の回りに基板支持手段
を回転させる。供給手段は、基板支持手段の収納部に収
納された角型基板に対して、処理液を供給する。
【0007】第2の発明に係る回転式基板処理装置は、
オリエンテーションフラットを有する円型基板を回転さ
せながら前記円型基板の表面を処理液で処理する装置で
あり、基板支持手段と整流部と回転手段と供給手段とを
備えている。基板支持手段は、上面で円型基板を支持す
る。整流部は、基板支持手段に円型基板が支持された状
態で円型基板とともに平面円を構成するように、基板支
持手段上面に設けられている。回転手段は、平面円の中
心の回りに基板支持手段を回転させる。供給手段は、基
板支持手段に支持された円型基板に対して、前記処理液
を供給する。
【0008】
【作用】第1の発明に係る回転式基板処理装置では、角
型基板が基板処理手段の収納部に収納された状態で回転
手段が基板支持手段を回転させるとともに、基板に対し
て供給手段が処理液を供給する。角型基板に付着した処
理液は、角型基板からさらに基板保持手段の収納部の回
りの上面に広がり、基板支持手段の円形状の外周縁から
平均的に飛散する。そのため、浮遊ミストが発生しにく
くなる。
【0009】第2の発明に係る回転式基板処理装置で
は、オリエンテーションフラットを有する円型基板が基
板支持手段の上面で支持された状態で回転手段が基板支
持手段に回転させるとともに、基板に対して供給手段が
処理液を供給する。円型基板に付着した処理液は、円型
基板及び整流部の上面に広がり、円型基板及び整流部に
よって形成される平面円の外周縁から平均的に飛散す
る。そのため、浮遊ミストが発生しにくくなる。
【0010】
【実施例】図1及び図2において、本発明の一実施例と
しての基板洗浄装置1は、液晶表示装置用の角型基板W
の表面をブラシ洗浄する装置である。基板洗浄装置1
は、角型基板Wを保持する基板保持部2と、基板保持部
2を回転させる回転軸7及び駆動モータ13等からなる
回転機構と、基板保持部2に保持された角型基板Wに対
して洗浄液を供給するとともにブラシ洗浄するブラシ洗
浄機構3とを備えている。
【0011】基板保持部2は、円形の基板保持板4と、
それぞれ1対の第1整流板41と第2整流板42とから
主に構成されている。それぞれ1対の第1整流板41及
び第2整流板42は、基板保持板4の上面に固定されて
おり、各外周縁が同一円の一部を構成するような形状と
なっている。図3に示すように、第1整流板41は直線
辺41aと円弧状に延びる円弧辺41bとを有してい
る。第2整流板42も同様に、直線辺42aと円弧辺4
2bとを有している。ここでは基板Wが長方形であるこ
とから、その辺長の相違に応じて第1整流板41が第2
整流板42に比べて大きくなっている。
【0012】1対の第1整流板42は、互いの直線辺4
1aが一定間隔を隔てて対向して平行に配置されてい
る。1対の第2整流板42も、同様に、互いの直線辺4
2aが一定間隔を隔てて対向して平行に配置されてい
る。この構成により、第1整流板41及び第2整流板4
2の内側に長方形の凹部Aが形成されている。各第1整
流板41及び第2整流板42の円弧辺41b,42b
は、全体で1つの円形状になるように配置されている。
凹部A内に角型基板Wが載置されると、図3に示すよう
に、第1整流板41と第2整流板42と角型基板Wとの
上面が円形平面を構成する。
【0013】基板保持板4の上面には、角型基板Wの四
隅を位置決めするための位置決めピン5と、基板Wを下
方から支持する支持ピン6(図2)とが配置されてい
る。位置決めピン5は、角型基板Wの四隅の辺に当接す
るように各隅に1対ずつ配置されている。角型基板Wが
凹部A内に収納された状態で、角型基板Wの各辺と直線
辺41a,42aとの隙間は0.5mmである。この隙
間は大きくとも3mmが限度で、小さければ小さいほど
好ましい。また、基板収納状態で角型基板Wの上面の高
さと第1及び第2整流板41,42の上面の高さとは、
図4に示すようにほぼ同一である。
【0014】回転軸7は、図2に示すように、基板保持
板4の下面の中心に固定されている。回転軸7は、装置
フレーム10に立設された軸受部8により垂直軸回りに
回転自在に支持されている。回転軸7は、プーリ11及
びベルト12を介してモータ13により回転駆動され
る。回転軸7は中空軸であり、その内部には、角型基板
Wの裏面を洗浄するための洗浄液供給配管14と、裏面
に窒素ガスを噴出するための窒素ガス供給配管15とが
配置されている。これらの配管14,15の先端にはノ
ズル(図示せず)がそれぞれ設けられており、ノズルか
ら角型基板Wの中心方向に洗浄液及び窒素ガスを噴出可
能である。
【0015】基板保持板4の周囲には、飛散防止リング
20が配置されている。飛散防止リング20は、基板保
持板4の外周縁をその側方から上方にかけて滑らかな曲
面でもって覆うように配置されており、上部が内方(中
心側)に湾曲している。飛散防止リング20は、装置フ
レーム10上に配置された外カバー21の内周部位にお
いて、ねじを利用した上下調節機構9により、高さ調節
可能に支持されている。外カバー21は、下部が小径の
段付き有底円筒状である。外カバー21の内側面の図2
の上部には、角型基板Wに低圧でリンス液を噴出するた
めの低圧ノズル29が配置されている。
【0016】外カバー21の小径底面23の外周部に
は、下方に突出する排気ダクト22が設けられている。
排気ダクト22は、小径底面23の円周方向に等間隔で
6個設けられている。排気ダクト22の下端は、集合ダ
クト24内に開口している。集合ダクト24は中空リン
グ状であり、小径底面23の下方に平行に配置されてい
る。この集合ダクト24は、装置フレーム10に配置さ
れており、また図示しない設備排気ダクトに接続されて
いる。
【0017】小径底面23と基板保持板4との間には、
整流部25が配置されている。整流部25は上部に平ワ
ッシャー状の整流面26を有している。整流面26は基
板保持板4に対して平行に配置されており、整流面26
と基板保持板4の下面との間の隙間は5mm〜10m
m、好ましくは10mm以下である。整流部25よりも
内周側において、小径底面23には、排気ダクト22の
側面に連通する6本の排水管27が開口している。排水
管27は、整流部25と回転軸7との間に形成された空
間28の排水を排出するためのものである。
【0018】図1に示すように、ブラシ洗浄機構3は、
基板保持板4に対し平行に揺動可能かつ接近・離反する
方向に上下動可能なアーム31と、アーム31の先端に
下向きに配置されたブラシ30とを有している。ブラシ
30の内部には、超音波ノズル32が下向きに配置され
ている。ブラシ洗浄機構3は、角型基板W上を揺動しつ
つブラシ30で基板Wをブラシ洗浄するとともに、超音
波ノズル32からの洗浄水により基板Wを洗浄する。
【0019】次に、上述の実施例の動作について説明す
る。図示しない搬送機構により角型基板Wが基板洗浄装
置1に搬送されると、角型基板Wは、基板保持板4の上
面で第1整流板41及び第2整流板42によって形成さ
れた凹部A内に収納される。このとき、角型基板Wは、
基板保持板4上の支持ピン6に載置され、四隅が位置決
めピン5により位置決め保持される。
【0020】モータ13が低速で回転を始めると、基板
保持板4と角型基板Wとが一体的に低速回転状態にな
る。続いて、アーム31を移動させることでブラシ30
を角型基板Wの中心位置に配置させ、下降させて角型基
板Wに当接させる。そのような状態でアーム31を揺動
させる。また、アーム31の揺動開始とともに、超音波
ノズル32から超音波振動する純水を角型基板Wに向か
って流出させる。この結果、ブラシ30による洗浄と、
超音波ノズル32からの超音波振動する純水による洗浄
とが同時に行われる。
【0021】洗浄が終了すると、低圧ノズル29から低
圧の純水(リンス液)が角型基板Wに向かって吐出さ
れ、リンス処理がなされる。リンス処理が終了すると、
モータ13が高速回転を始め、基板保持板4及び角型基
板Wを高速回転させる。これにより、角型基板Wの液切
り乾燥処理を行う。この液切り乾燥処理時において、角
型基板Wに付着した洗浄液は遠心力により外周部に移動
し、さらに第1整流板41及び第2整流板42へと移行
する。そして、第1整流板41及び第2整流板42の円
弧辺41b,42bから外周に飛散する。ここでは、飛
散する辺が円形状になっているため、洗浄液は外周縁か
ら平均して飛散しミストが発生しにくい。
【0022】また、第1整流板41及び第2整流板42
から基板保持板4へと伝わった洗浄液は、基板保持板4
の外周縁から飛散する。第1整流板41及び第2整流板
42と基板保持板4とから飛散した水滴やミストは、図
5の矢印に示すように、回転により生じる回転中心から
外周側への空気の流れに乗って基板保持板4の中心から
外方に流れ、飛散防止リング20の内周面に向かって流
れる。このとき、飛散防止リング20が、そのなだらか
な曲面によって基板保持板4の側方から上方を覆ってい
るので、外方に流れた水滴やミストは、飛散防止リング
20により円滑に下方に導かれる。飛散防止リング20
の下方(つまり、基板保持板4の外周端の下方)には、
排気ダクト22が配置されているので、下方に導かれた
水滴やミストは、排気ダクト22を介して集合ダクト2
4に直ちに排出される。
【0023】ここでは、飛散防止リング20及び排気ダ
クト22により、回転により生じたミストが空気の流れ
とともに下方に案内されるので、基板上で空気が循環し
なくなり、角型基板Wへの洗浄液の再付着が減少する。
しかもこの実施例では、第1整流板41及び第2整流板
42と角型基板Wとが円形状になって回転するために、
角型基板Wが飛散中の液滴に衝突しにくい。そのため、
浮遊ミストが発生しにくく、さらに角型基板Wに洗浄液
が再付着しにくくなる。
【0024】〔他の実施例〕 (a) 前記実施例では角型基板Wの上面は第1整流板
及び第2整流板の上面と同じ高さとなるように配置した
が、両者の高さは正確に一致していなくてもよい。図6
に示す実施例では、第1整流板51の上面に高さは、角
型基板Wの上面の高さよりも僅かに低くなっている。 (b) 整流板41,42の直線辺41a,42aが充
分に基板Wの側辺に近接する場合には、位置決めピン5
を省略してもよい。 (c) 第1整流板及び第2整流板の内部に直線辺側と
円弧辺側とを連通する孔を設けてもよい。図7に示す実
施例では、第1整流板61に複数の連通孔62が形成さ
れている。これにより、角型基板Wの下面に供給された
洗浄液が連通孔62を通って外周方向に排出され易くな
る。 (d) 角型基板Wと略同等の厚さを有する整流板を用
いてもよい。図8に示す実施例では、第1整流板71
は、複数のピン72によって基板保持板4上に固定され
ている。この実施例でも前記実施例と同様に、角型基板
Wの下面側の洗浄液がピン72間を通って外周部に排出
される。 (e) 図9に示す実施例では、基板保持板4の外周縁
と第1整流板41及び第2整流板42のそれぞれの円弧
辺41b,42bが一致している。この構成によっても
本発明を実施できる。
【0025】また、基板保持板4の径の大きさを第1整
流板41及び第2整流板42が形成する円形状の径より
小さくしてもよい。その場合にも、同様の効果が得られ
る。 (f) 図10に示す実施例では、第1整流板81及び
第2整流板82は、直線辺側に半円形状の窪み81a,
82aをそれぞれ有している。これらの窪み81a,8
2aには、角型基板Wを凹部A内に搬送するための搬送
ハンド(図示せず)の一部が挿入される。 (g) 図11に示す実施例では、基板保持板4上に固
定された整流板91は一体の円板である。この整流板9
1は、内側に長方形の孔91aを有している。この孔9
1aによって形成される凹部A内に、角型基板が載置さ
れる。この実施例では、前記実施例に用いられていた位
置決めピンは省略されている。 (h) 本実施例においてはブラシ30の内部に超音波
ノズル32が配置されているが、ブラシ30と超音波ノ
ズル32とを別々のアームに固定して、それぞれ別々に
基板に作用するような構成にしてもよい。この場合、ブ
ラシ30によって基板を洗浄するときには、低圧ノズル
29から洗浄液を供給すればよい。 (i) オリエンテーションフラットを有する半導体ウ
エハを処理する回転式基板処理装置にも、本発明を採用
できる。
【0026】図12に示す基板洗浄装置1は、前記実施
例の図1に示された基板洗浄装置1と類似の構造を有し
ている。円形の基板保持面4の上面には、オリエンテー
ションフラットfを有する円型基板Cの周囲を位置決め
するための複数の位置決めピン5が設けられ、さらに整
流板61が固定されている。整流板61は、オリエンテ
ーションフラットfと同じ長さの直線辺61aと円弧状
に延びる円弧辺61bとを有している。
【0027】円型基板Cが基板保持面4の上面に支持さ
れた状態で、整流板61は、直線辺61aがオリエンテ
ーションフラットfとわずかな隙間を空けて対向するよ
うに、さらに円弧辺61bが円型基板61の外周ととも
に円形状になるようになっている。また、基板支持状態
で、円型基板Cの上面の高さと整流板61の上面の高さ
とは、図13に示すようにほぼ同一である。すなわち、
円型基板Cと整流板61との組み合わせにより1つの平
面円が構成されている。
【0028】洗浄処理とリンス処理を行った後、図示し
ないモータにより基板保持面4を高速回転させて円型基
板Cの液切り乾燥処理を行うときには、円型基板Cに付
着した洗浄液は遠心力により外周部に移動し、さらに整
流板61にも移行する。そして、円型基板Cの外周縁及
び整流板61の円弧辺61bから外周に飛散する。ここ
では、飛散する辺が円形状になっているため、洗浄液は
外周縁から平均して飛散しミストが発生しにくい。
【0029】
【発明の効果】第1及び第2の発明に係る回転式基板処
理装置では、角型基板またはオリエンテーションフラッ
トを有する円型基板が用いられても、処理液は円形状の
外周縁から平均的に飛散する。その結果、浮遊ミストが
発生しにくくなり、処理液が基板に再付着しにくくな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例としての基板洗浄装置の一部
切欠き斜視部分図。
【図2】その縦断面部分図。
【図3】その基板保持板の平面図。
【図4】図3のIV−IV断面図。
【図5】図2の拡大部分図。
【図6】他の実施例の図4に相当する図。
【図7】さらに他の実施例の図4に相当する図。
【図8】さらに他の実施例の図4に相当する図。
【図9】さらに他の実施例の図3に相当する図。
【図10】さらに他の実施例の図3に相当する図。
【図11】さらに他の実施例の図3に相当する図。
【図12】さらに他の実施例の図1に相当する図。
【図13】図12の実施例の図4に相当する図。
【符号の説明】
1 基板洗浄装置 2 基板保持部 3 ブラシ洗浄機構 4 基板保持板 7 回転軸 13 モータ 41,51,61,71,81 第1整流板 42,82 第2整流板 61 整流板 91 整流板 A 凹部 W 角型基板 C 円型基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/16 502 H01L 21/304 341 B 21/68 N

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】角型基板を回転させながら、前記角型基板
    の表面を処理液で処理する回転式基板処理装置であっ
    て、 前記角型基板を収納するための収納部を上端部に有し、
    前記角型基板を前記収納部に収納した状態で上面全体が
    円形状となる基板支持手段と、 前記上面の中心の回りに前記基板支持手段を回転させる
    回転手段と、 前記基板支持手段の前記収納部に収納された前記角型基
    板に対して、前記処理液を供給する供給手段と、を備え
    た回転式基板処理装置。
  2. 【請求項2】オリエンテーションフラットを有する円型
    基板を回転させながら、前記円型基板の表面を処理液で
    処理する回転式基板処理装置であって、 上面で前記円型基板を支持する基板支持手段と、 前記基板支持手段に前記円型基板が支持された状態で前
    記円型基板とともに平面円を構成するように、前記基板
    支持手段上面に設けられた整流部と、 前記平面円の中心の回りに前記基板支持手段を回転させ
    る回転手段と、 前記基板支持手段に支持された前記円型基板に対して、
    前記処理液を供給する供給手段と、を備えた回転式基板
    処理装置。
JP25158093A 1993-10-07 1993-10-07 回転式基板処理装置 Expired - Lifetime JP3138897B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25158093A JP3138897B2 (ja) 1993-10-07 1993-10-07 回転式基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25158093A JP3138897B2 (ja) 1993-10-07 1993-10-07 回転式基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07106233A true JPH07106233A (ja) 1995-04-21
JP3138897B2 JP3138897B2 (ja) 2001-02-26

Family

ID=17224934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25158093A Expired - Lifetime JP3138897B2 (ja) 1993-10-07 1993-10-07 回転式基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3138897B2 (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001185522A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Shibaura Mechatronics Corp 矩形基板の処理装置
JP2001332842A (ja) * 2000-05-24 2001-11-30 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置
JP2003086555A (ja) * 2001-09-10 2003-03-20 Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd ウェーハの表面処理装置
KR100814567B1 (ko) * 2001-03-05 2008-03-17 동경 엘렉트론 주식회사 액체공급장치
JP2009038082A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2009514208A (ja) * 2005-10-26 2009-04-02 セメス カンパニー リミテッド スピンチャック
CN101826449A (zh) * 2009-03-04 2010-09-08 东京毅力科创株式会社 液体处理装置及液体处理方法
US7793610B2 (en) 2006-04-18 2010-09-14 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
JP2011014588A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Ulvac Seimaku Kk 塗布装置及び気流制御板
US7998308B2 (en) 2006-04-18 2011-08-16 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
US8163469B2 (en) 2009-03-13 2012-04-24 Tokyo Electron Limited Coating and developing apparatus, coating and developing method, and storage medium
JP5006464B1 (ja) * 2011-10-25 2012-08-22 ミクロ技研株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN103157578A (zh) * 2011-12-12 2013-06-19 鸿富锦精密工业(武汉)有限公司 涂抹装置
JP2013131783A (ja) * 2007-10-17 2013-07-04 Ebara Corp 基板洗浄装置
JP2016162842A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 株式会社東京精密 洗浄装置
JP2017013183A (ja) * 2015-07-01 2017-01-19 不二越機械工業株式会社 研磨装置
CN112108310A (zh) * 2020-09-01 2020-12-22 兰淑月 一种轮胎加工用胎圈内侧轮胎胶浆涂抹辅助装置
CN113117985A (zh) * 2021-03-04 2021-07-16 安会锋 一种防腐管道玻璃内衬底釉处理装置

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4482188B2 (ja) * 1999-12-24 2010-06-16 芝浦メカトロニクス株式会社 矩形基板の処理装置
JP2001185522A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Shibaura Mechatronics Corp 矩形基板の処理装置
JP2001332842A (ja) * 2000-05-24 2001-11-30 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置
JP4519992B2 (ja) * 2000-05-24 2010-08-04 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
KR100814567B1 (ko) * 2001-03-05 2008-03-17 동경 엘렉트론 주식회사 액체공급장치
JP4530592B2 (ja) * 2001-09-10 2010-08-25 三益半導体工業株式会社 ウェーハの表面処理装置
JP2003086555A (ja) * 2001-09-10 2003-03-20 Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd ウェーハの表面処理装置
JP2009514208A (ja) * 2005-10-26 2009-04-02 セメス カンパニー リミテッド スピンチャック
US7998308B2 (en) 2006-04-18 2011-08-16 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
US7793610B2 (en) 2006-04-18 2010-09-14 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
JP2011238967A (ja) * 2006-04-18 2011-11-24 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP2009038082A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2013131783A (ja) * 2007-10-17 2013-07-04 Ebara Corp 基板洗浄装置
JP2010206019A (ja) * 2009-03-04 2010-09-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
KR20100100640A (ko) * 2009-03-04 2010-09-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치, 액처리 방법, 및 레지스트 도포 방법
US8375887B2 (en) 2009-03-04 2013-02-19 Tokyo Electron Limited Solution treatment apparatus, solution treatment method and resist coating method
CN101826449A (zh) * 2009-03-04 2010-09-08 东京毅力科创株式会社 液体处理装置及液体处理方法
US8163469B2 (en) 2009-03-13 2012-04-24 Tokyo Electron Limited Coating and developing apparatus, coating and developing method, and storage medium
JP2011014588A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Ulvac Seimaku Kk 塗布装置及び気流制御板
JP5006464B1 (ja) * 2011-10-25 2012-08-22 ミクロ技研株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN103157578A (zh) * 2011-12-12 2013-06-19 鸿富锦精密工业(武汉)有限公司 涂抹装置
CN103157578B (zh) * 2011-12-12 2016-04-20 赛恩倍吉科技顾问(深圳)有限公司 涂抹装置
JP2016162842A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 株式会社東京精密 洗浄装置
JP2017013183A (ja) * 2015-07-01 2017-01-19 不二越機械工業株式会社 研磨装置
CN112108310A (zh) * 2020-09-01 2020-12-22 兰淑月 一种轮胎加工用胎圈内侧轮胎胶浆涂抹辅助装置
CN113117985A (zh) * 2021-03-04 2021-07-16 安会锋 一种防腐管道玻璃内衬底釉处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3138897B2 (ja) 2001-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07106233A (ja) 回転式基板処理装置
JP2877216B2 (ja) 洗浄装置
US6379469B1 (en) Apparatus and method for washing substrate
JPH08257469A (ja) 基板回転装置および基板処理装置
JPH0878368A (ja) ワークの処理方法および装置
JPH1041269A (ja) 基板処理装置
JPH11176790A (ja) 洗浄装置
JPH0864568A (ja) ウェーハ洗浄装置
JPH05259060A (ja) 塗布装置
JPH08255776A (ja) 洗浄装置および洗浄方法
JPH10199852A (ja) 回転式基板処理装置
JPH0582435A (ja) 塗布装置
JPH09162159A (ja) 回転式基板乾燥装置
JP2005259874A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3740377B2 (ja) 液供給装置
JPH0747324A (ja) 塗布方法及びその装置
JPH1174195A (ja) 液処理装置
JP2002299305A (ja) 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2002016031A (ja) 基板処理方法
JP2906783B2 (ja) 処理装置
TW202141576A (zh) 清洗用治具及清洗方法、塗布裝置
JPH11160666A (ja) 基板処理装置
JP4447673B2 (ja) スピン処理装置
JPH0766107A (ja) 回転式基板処理装置
JPH0786145A (ja) 回転式基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term