JP2017013183A - 研磨装置 - Google Patents

研磨装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2017013183A
JP2017013183A JP2015132726A JP2015132726A JP2017013183A JP 2017013183 A JP2017013183 A JP 2017013183A JP 2015132726 A JP2015132726 A JP 2015132726A JP 2015132726 A JP2015132726 A JP 2015132726A JP 2017013183 A JP2017013183 A JP 2017013183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
slurry
polishing
polishing pad
cover
polishing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015132726A
Other languages
English (en)
Inventor
忠一 宮下
Chuichi Miyashita
忠一 宮下
大造 市川
Taizo Ichikawa
大造 市川
清 瀬下
Kiyoshi Seshimo
清 瀬下
正徳 大坪
Masanori Otsubo
正徳 大坪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyushu University NUC
Fujikoshi Machinery Corp
Original Assignee
Kyushu University NUC
Fujikoshi Machinery Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyushu University NUC, Fujikoshi Machinery Corp filed Critical Kyushu University NUC
Priority to JP2015132726A priority Critical patent/JP2017013183A/ja
Priority to TW105117802A priority patent/TW201703930A/zh
Priority to CN201610481878.0A priority patent/CN106312795A/zh
Priority to KR1020160081535A priority patent/KR20170004874A/ko
Publication of JP2017013183A publication Critical patent/JP2017013183A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/04—Protective covers for the grinding wheel
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Abstract

【課題】スラリーのミストの飛散を防止できる研磨装置を提供する。【解決手段】ワーク２０を保持する研磨ヘッド１８と、表面に研磨パッド１６が貼付された定盤１２と、研磨パッド１６上に研磨用のスラリーを供給するスラリー供給部２４と、定盤１２の外周に沿って設けられ、研磨パッド１６から流下するスラリーを受けるスラリー受２６と、研磨ヘッド１８と定盤１２とを相対的に運動させる運動機構とを備える研磨装置１０であって、研磨パッド１６の外周部上面との間に、スラリー供給部２４から研磨パッド１６上に供給されるスラリーが研磨パッド１６上を外方に流れるだけの隙間を空けて研磨パッド１６の外周部上面を覆うと共に、スラリー受２６の上側開口部を覆うリング状をなすスラリー飛散防止用カバー３４を具備することを特徴とする。【選択図】図２

Description

本発明は、SiC、GaN、ダイヤモンド等の高硬度材料の研磨に用いて好適な研磨装置に関する。
半導体パワーデバイスを作製する上で基板の平坦化は必須であるが、炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）、ダイヤモンドに代表されるワイドバンドギャップ半導体基板は高硬度材料であることから、高能率な平坦化は困難である。
このような高硬度材料からなるワークの研磨には、研磨効率を上げるため、定盤や研磨ヘッドを高速度で回転させる必要が生じる。通常、スラリーを用いる研磨では、定盤回転数は、６０〜１５０ｒｐｍ程度であるが、上記高硬度材料からなるワークの研磨では、定盤の回転数を２００ｒｐｍ以上、場合によっては４００ｒｐｍ以上の高速で回転させる必要が生じる。
スラリーを用いる研磨では、定盤の外周側にスラリー受を設け、定盤の回転による遠心力で定盤外に流出するスラリーをこのスラリー受で回収し、系外へ排出するようにしている。なお、場合によっては回収したスラリーを循環させて再使用することもある。
ところで、定盤を高速回転させると、遠心力によって飛び出したスラリーがスラリー受の壁面に衝突し、ミスト化して飛散するという問題点がある。ミスト化して飛散したスラリーは、研磨室全体を覆うカバー内壁面等に付着し、結晶化しやすい。特に高硬度材料からなるワークの研磨では、研磨時間が長く研磨室内の温度も高くなる傾向にあるため、上記のカバー内壁面等に付着したスラリーが一層結晶化しやすく、結晶化したスラリーが研磨中に研磨パッド上へ脱落し、ワークに研磨スクラッチ等の欠陥を生じさせる不具合がある。
そこで、特許文献１に示される研磨装置では、定盤や研磨パッドの外周面に対向するスラリー受の内壁面を、断面が横向きの放物線状に湾曲する凹面に形成し、遠心力によって研磨パッドから外方に飛び出すスラリーを該凹面で柔らかく受け止めることによって、スラリーのミスト化を減少させるようにしている。
特開２００８−２２９７５６
特許文献１に示される研磨装置では、スラリー受の内壁面を凹面に形成していることから、スラリーのミスト化を低減させることができる。
しかしながら、スラリー受の内壁面を凹面に形成したとしても、研磨パッドの外周上面と前記凹面の上端下面との間には上に開口する隙間が存在することから、多少ともミスト化したスラリーが研磨室内に飛散することは避けられない。特に、前記のように、高硬度材料からなるワークの研磨の場合には、定盤を高速度で回転させる必要があることから、スラリーが凹面に衝突した際に、やはりミスト化しやすいという課題がある。
本発明は、上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、スラリーのミストの飛散を防止でき、ワークの表面にスクラッチ等の欠陥を生じさせることなく、精度良く研磨を行える研磨装置を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明は次の構成を備える。
すなわち、本発明に係る研磨装置は、ワークを保持する研磨ヘッドと、表面に研磨パッドが貼付された定盤と、前記研磨パッド上に研磨用のスラリーを供給するスラリー供給部と、前記定盤の外周に沿って設けられ、前記研磨パッドから流下するスラリーを受けるスラリー受と、前記研磨ヘッドと定盤とを相対的に運動させる運動機構とを備える研磨装置であって、前記研磨パッドの外周部上面との間に、前記スラリー供給部から前記研磨パッド上に供給されるスラリーが該研磨パッド上を外方に流れるだけの隙間を空けて前記研磨パッドの外周部上面を覆うと共に、前記スラリー受の上側開口部を覆うリング状をなすスラリー飛散防止用カバーを具備することを特徴とする。
前記スラリー飛散防止用カバーを、その前記研磨パッドとの対向面が前記研磨パッドの上面と平行になるように設けることができる。
あるいは、前記スラリー飛散防止用カバーを、その前記研磨パッドとの対向面の少なくとも一部が前記研磨パッドの上面に対してスラリー受側に向けて低くなるように１〜５°の範囲で傾斜するように設けることができる。
前記スラリー受内で生じたスラリーのミストが前記カバーの下面に付着し、前記カバー外に流出しないようにすることができる。
前記スラリー飛散防止用カバーを、取り外し可能に前記スラリー受に支持して設けることができる。
前記スラリー飛散防止用カバーを、前記研磨パッドの上面に対する高さを調整可能に設けるようにすることができる。
前記スラリー飛散防止用カバーを、前記研磨パッド上面からの高さが５ｍｍ以下の高さとなるように設けることができる。
前記スラリー飛散防止用カバーにより、前記研磨パッドの外周側から前記研磨パッドの半径の１／３以上を覆うようにすることができる。
前記研磨パッドの外周側を前記スラリー受内に突出させるようにしてもよい。
前記スラリー飛散防止用カバーとは別に、前記研磨ヘッド、前記定盤を覆うカバーを設けるようにすることができる。
ワーク研磨時における前記定盤の回転数を、１００ｒｐｍ以上とすることができる。
SiC、GaN、サファイアもしくはダイヤモンドからなる高硬度材料からなるワークの研磨に好適に用いることができる。
スラリー飛散防止用カバーの少なくとも一部を光透過性を有する樹脂材料で形成すると好適である。
この場合に、前記スラリー飛散防止用カバーを、撥水性を有する材料、もしくは、表面処理剤による撥水コーティングを施した材料で形成すると好適である。
本発明によれば、スラリーのミストの飛散を防止でき、ワークの表面にスクラッチ等の欠陥を生じさせることなく、精度良く研磨を行える研磨装置を提供できる。
研磨装置の概略図である。 研磨装置の部分断面図である。 研磨装置の部分斜視図である。 切欠きのないカバーを用いた研磨装置の部分斜視図である。 研磨装置の他の実施の形態を示す部分斜視図である。 研磨装置の他の実施の形態における部分断面図である。 研磨装置のさらに他の実施の形態を示す部分斜視図である。 研磨装置のまたさらに他の実施の形態を示す説明図である。
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付図面に基づいて詳細に説明する。
図１は研磨装置１０の概略を示す説明図である。
図１において、１２は定盤であり、駆動機構（運動機構）により回転軸１４を中心に水平面内で回転する。定盤１２の上面には、例えば発泡ポリウレタンを主材とする研磨パッド１６が貼付されている。
１８は研磨ヘッドであり、その下面側に研磨すべきワーク（半導体ウェーハ等）２０が保持される。研磨ヘッド１８は回転軸２２を中心に回転される。また、研磨ヘッド１８は、加圧シリンダ等の上下動機構により上下動可能となっている。
２４は、スラリー供給部であり、ノズルからスラリー（研磨砥粒入り研磨液）を研磨パッド１６上に供給するものである。
図２は研磨装置１０の部分断面図であり、図３は研磨装置１０の部分斜視図である。
図２に明確なように、定盤１２を囲むようにして、定盤１２の外周に沿って樋状のスラリー受２６が設けられている（図１ではスラリー受２６の図示を省略している）。スラリー受２６は、研磨パッド１６上に供給されたスラリーが、定盤１２が回転することによる遠心力によって、研磨パッド１６上を外方に移動し、研磨パッド１６から外方に流出するスラリーを受け取り、系外に排出するものである。なお、研磨装置１０によっては、スラリー受２６に排出されたスラリーを回収し、循環させて研磨パッド１６上に再供給して、再利用するものもある。
なお、図２において、２７は軸受であり、定盤１２を基台２８上に回転自在に支持している。定盤１２には、パイプ２９から冷却水が通流される冷却水流路３０が設けられている。
研磨ヘッド１８は公知の機構のものを採用し得るものであって、その構造は特に限定されるものではない。なお、本実施の形態における研磨ヘッド１８は、その下面にワーク２０を吸着機構によって吸着保持するようになっている。また、ヘッド本体１９は、球軸受構造によって、水平面内で回動可能に固定部２１に支持され、定盤１２の動き（傾き）に追随して回動するようになっている。
次に、３４は、本実施の形態にしたがって設けられた、リング状をなすスラリー（ミスト）飛散防止用カバーである。
カバー３４は、第１リング３１、第２リング３２、第３リング３３の３つのリング体が一体に積層されたリング状をなしている。カバー３４は、第１リング３１、第２リング３２がスラリー受２６の側壁部２６ａに嵌合し、第３リング３３の外周部がスラリー受２６の上端縁に載っており、これにより、スラリー受２６に上方向に取り外し自在に支持されている。第３リング３３の外周部が、カバー３４がスラリー受２６に係止する係止部３６となる。係止部３６はフック状に設けることもできる。このように、カバー３４をスラリー受２６から取り外し自在に設けることによって、研磨パッド１６の貼り換えを容易に行うことができる。なお、カバー３４は、作製の便宜上、第１〜第３のリング体で構成したが、リング体の数は特に限定されず、２つあるいは単体等のリング体で構成することもできる。
カバー３４は、研磨パッド１６の外周部上面との間に、スラリー供給部２４から研磨パッド１６上に供給されるスラリーが研磨パッド１６上を外方に流れるだけの隙間を空けて、研磨パッド１６の外周部上面を覆うと共に、スラリー受２６の上側開口部を覆うようになっている。
具体的には、第１リング３１が、研磨パッド１６との対向面が研磨パッド１６の上面と平行になるように設けられて、研磨パッド１６の外周部上面を覆う。
第１リング３１は、さらにスラリー受２６の上側開口部をも覆うようになっている。
あるいは、スラリー飛散防止用カバー３４の第１リング３１を、その研磨パッド１６との対向面の少なくとも一部が研磨パッド１６の上面に対してスラリー受２６側に向けて低くなるように１〜５°の範囲で傾斜するように設けてもよい。例えば、第１リング３１の研磨パッド１６との対向面が、定盤１２中央側の部位が研磨パッド１６と平行で、スラリー受２６側の部位がスラリー受２６側に向けて低くなるように傾斜して設けることによって、当該傾斜面に付着したミストが凝縮し、スラリー受２６内に流れ落ちるので、定盤１２中央方向へのスラリー（ミスト）の飛散を良好に防止できる。
第１リング３１の下面と、研磨パッド１６の上面との隙間の大きさは、好適には５ｍｍ以下、さらに好適には３ｍｍ以下となるように設けられ、スラリー受２６内で生じたスラリーのミストがカバー３４（第１リング３１）の下面に付着し、前記隙間からカバー３４外（定盤１２の中央方向）に流出しないようになっている。すなわち、第１リング３１の下面に付着したミストは、第１リング３１下面で凝縮し、研磨パッド１６上に落下し、定盤１２の中央方向には流出しない。
また、カバー３４は、研磨パッドの上面に対する高さを調整可能に設けられている。このカバー３４の高さ調整は、例えば、第３リング３３の外周部（係止部３６）下面と側壁部２６ａ上端縁との間に、適宜リング状のスペーサー（図示せず）を介在させることによって行える。
このように、カバー３４の高さ調整を行うことによって、カバー３４下面と研磨パッド１６上面との間の前記隙間の大きさを最適に調整することができる。
また、カバー３４は、研磨パッド１６の外周側から研磨パッド１６の半径の１／３以上を覆うようにすると好適である。このように、カバー３４による研磨パッド１６を覆う範囲が大きくなればなるほど、カバー３４下面と研磨パッド１６上面との間の隙間を大きくしても、ミストの定盤中央方向への飛散を防止できる。
カバー３４で定盤外周側を覆う範囲と上記隙間の大きさとの兼ね合いでミストの飛散を防止するようにするとよい。
その他、ミストの飛散防止のファクターとしては、スラリーの種類、定盤１２の回転数が関係する。
定盤１２の回転数は、一般的には前記のように、６０〜１５０ｒｐｍであるが、ワーク材料が、SiC、GaN、サファイアもしくはダイヤモンドなどの高硬度材料の場合には、研磨効率を上げるため定盤１２の回転数を大きくする必要がある。定盤１２の回転数を大きくした場合には、前記のようにミストの飛散のおそれが大きくなる。本実施の形態では、上記のように、カバー３４で定盤外周側を覆う範囲と上記隙間の大きさとの兼ね合いを調整することで、定盤１２を４００ｒｐｍ以上の大きな回転数で回転させても、ミストの飛散を防止することができた。
なお、定盤１２の径が大きくなれば、その外周側での周速が大きくなる。したがって、大きな径の定盤１２の場合には、回転数が１００ｒｐｍ程度から、ミスト飛散防止条件（カバー３４の覆う範囲や、上記隙間の大きさ）を考慮する必要が生じてくる。
また、スラリーの種類については、スラリーの種類に応じて、あらかじめカバー３４で定盤外周側を覆う範囲と上記隙間の大きさとの兼ね合い（条件）を決定しておくとよい。
なお、図３における実施の形態では、研磨ヘッド１８が定盤１２上で、水平面内でも若干揺動するようになっている。図３において、カバー３４に切欠き３８を設けているが、この切欠き３８は、研磨ヘッド１８の揺動を逃がすための切欠きである。研磨ヘッド１８が揺動しない場合や、研磨ヘッド１８が小径のものの場合には、この切欠き３８は設ける必要がない（図４参照）。
図５は、研磨装置１０の他の実施の形態における部分斜視図、図６はその部分断面図である。
前記実施の形態と同一の部材は同一の符号をもって示し、その説明を省略する。
本実施の形態では、カバー３４のうち、第１リング３１で研磨パッド１６（定盤１２）の上方全体を覆うようにしている。そして、第１リング３１の研磨ヘッド１８に対応する位置には透孔４０を設け、この透孔４０に、研磨ヘッド１８の側方を囲む筒状カバー４２を設けている。筒状カバー４２は第１リング３１により支持されている。また、第１リング３１に、スラリー供給部２４からスラリーを研磨パッド１６上に供給するための筒体４４を設けている。
本実施の形態では、第１リング３１により定盤１２の上方全体を覆い、また筒状カバー４２により研磨ヘッド１８の側方を覆うようにしているので、万一ミストが定盤１２の中央方向に漏れ出しても、ミストの外部への飛散を完全に防止できる。
図７は、研磨装置１０のさらに他の実施の形態を示す部分斜視図である。
本実施の形態は、図２、図３の実施の形態のものにおいて、さらに、研磨室全体を開閉自在に覆う扉式のカバー４６を設けている。本実施の形態でも、ミストの外部への飛散を完全に防止できる。
上記の実施の形態において、スラリー飛散防止用カバー３４により、ミストをカバー３４下面に留めるようにして、ミストの飛散を防止できることを説明したが、これにより、研磨パッド１６の外周部上部からスラリー受２６の上側開口部までの領域における湿度が高く保たれるので、スラリーが結晶化することは殆どない。また、仮にスラリーが結晶化しても、ミストがカバー３４の外部に出なければ、結晶化したスラリーが外部に運び出されることはなく、ワークに欠陥を生じさせることもない。
上記各実施の形態において、スラリー飛散防止用カバー３４、筒状カバー４２、扉式のカバー４６は、少なくとも一部を光透過性を有する樹脂材料で形成すると好適である。これにより、ミストの発生状態、ミストの付着状態等を確認できる。この場合に、スラリー飛散防止用カバー３４を、撥水性を有する材料、もしくは、表面処理剤による撥水コーティングを施した材料で形成すると好適である。これにより、カバー３４へのミストの付着を少なくすることができる。
また、図８に示すように、研磨パッド１６の外周側をスラリー受２６内に突出させるようにしてもよい。これにより、定盤１２外で、カバー３４により研磨パッド１６を覆う範囲を確保できることから、リング状のカバー３４の内径を大きくでき、研磨パッド１６による研磨エリアを広く確保できる利点がある。
１０ 研磨装置、１２ 定盤、１４ 回転軸、１６ 研磨パッド、１８ 研磨ヘッド、２０ ワーク、２２ 回転軸、２４ スラリー供給部、２６ スラリー受、２７ 軸受、２８ 基台、２９ パイプ、３０ 冷却水流路、３１ 第１リング、３２ 第２リング、３３ 第３リング、３４ スラリー飛散防止用カバー、３６ 係止部、３８ 切欠き部、４０ 透孔、４２ 筒状カバー、４４ 筒体、４６ 扉式のカバー

Claims (15)

  1. ワークを保持する研磨ヘッドと、表面に研磨パッドが貼付された定盤と、前記研磨パッド上に研磨用のスラリーを供給するスラリー供給部と、前記定盤の外周に沿って設けられ、前記研磨パッドから流下するスラリーを受けるスラリー受と、前記研磨ヘッドと定盤とを相対的に運動させる運動機構とを備える研磨装置であって、
    前記研磨パッドの外周部上面との間に、前記スラリー供給部から前記研磨パッド上に供給されるスラリーが該研磨パッド上を外方に流れるだけの隙間を空けて前記研磨パッドの外周部上面を覆うと共に、前記スラリー受の上側開口部を覆うリング状をなすスラリー飛散防止用カバーを具備することを特徴とする研磨装置。
  2. 前記スラリー飛散防止用カバーが、前記研磨パッドとの対向面が前記研磨パッドの上面と平行になるように設けられていることを特徴とする請求項１記載の研磨装置。
  3. 前記スラリー飛散防止用カバーが、前記研磨パッドとの対向面の少なくとも一部が前記研磨パッドの上面に対してスラリー受側に向けて低くなるように１〜５°傾斜させて設けられていることを特徴とする請求項１記載の研磨装置。
  4. 前記スラリー受内で生じたスラリーのミストが前記カバーの下面に付着し、前記カバー外に流出しないことを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の研磨装置。
  5. 前記スラリー飛散防止用カバーが、取り外し可能に前記スラリー受に支持されていることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載の研磨装置。
  6. 前記スラリー飛散防止用カバーが、前記スラリー受の側壁部に係止する係止部を有することを特徴とする請求項５記載の研磨装置。
  7. 前記スラリー飛散防止用カバーが、前記研磨パッドの上面に対する高さを調整可能に設けられていることを特徴とする請求項１〜６いずれか１項記載の研磨装置。
  8. 前記スラリー飛散防止用カバーが、前記研磨パッド上面からの高さが５ｍｍ以下の高さとなるように設けられていることを特徴とする請求項１〜７いずれか１項記載の研磨装置。
  9. 前記スラリー飛散防止用カバーが、前記研磨パッドの外周側から前記研磨パッドの半径の１／３以上を覆うことを特徴とする請求項１〜８いずれか１項記載の研磨装置。
  10. 前記研磨パッドの外周側が前記スラリー受内に突出していることを特徴とする請求項１〜９いずれか１項記載の研磨装置。
  11. 前記スラリー飛散防止用カバーとは別に、前記研磨ヘッド、前記定盤を覆うカバーが設けられていることを特徴とする請求項１〜１０いずれか１項記載の研磨装置。
  12. ワーク研磨時における前記定盤の回転数が、１００ｒｐｍ以上であることを特徴とする請求項１〜１１いずれか１項記載の研磨装置。
  13. 研磨するワークが、SiC、GaN、サファイアもしくはダイヤモンドであることを特徴とする請求項１〜１２いずれか１項記載の研磨装置。
  14. 前記スラリー飛散防止用カバーは、少なくとも一部が光透過性を有する樹脂材料で形成されていることを特徴とする請求項１〜１３いずれか１項記載の研磨装置。
  15. 前記スラリー飛散防止用カバーが、撥水性を有する材料、もしくは、表面処理剤による撥水コーティングを施した材料で形成されていることを特徴とする請求項１４記載の研磨装置。
JP2015132726A 2015-07-01 2015-07-01 研磨装置 Pending JP2017013183A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015132726A JP2017013183A (ja) 2015-07-01 2015-07-01 研磨装置
TW105117802A TW201703930A (zh) 2015-07-01 2016-06-06 硏磨裝置
CN201610481878.0A CN106312795A (zh) 2015-07-01 2016-06-27 研磨装置
KR1020160081535A KR20170004874A (ko) 2015-07-01 2016-06-29 연마 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015132726A JP2017013183A (ja) 2015-07-01 2015-07-01 研磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017013183A true JP2017013183A (ja) 2017-01-19

Family

ID=57726354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015132726A Pending JP2017013183A (ja) 2015-07-01 2015-07-01 研磨装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2017013183A (ja)
KR (1) KR20170004874A (ja)
CN (1) CN106312795A (ja)
TW (1) TW201703930A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102129863B1 (ko) * 2018-03-09 2020-07-03 주식회사 싸이텍 연마액 비산 방지수단을 갖는 폴리싱장치
CN111515852A (zh) * 2020-05-22 2020-08-11 南昌大学 一种电化学机械抛光机
JP6927617B1 (ja) * 2020-11-19 2021-09-01 不二越機械工業株式会社 ワーク研磨装置およびトップリング用樹脂マット体

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61166748U (ja) * 1985-04-03 1986-10-16
JPH0677189A (ja) * 1992-07-10 1994-03-18 Lsi Logic Corp 半導体ウェハの研磨用パッドの取付け方法および半導体ウェハの化学機械的研磨装置
JPH07106233A (ja) * 1993-10-07 1995-04-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JPH07223142A (ja) * 1993-12-14 1995-08-22 Ebara Corp ポリッシング装置
JPH09193005A (ja) * 1996-01-23 1997-07-29 Ebara Corp ポリッシング装置の水飛散防止カバー
JPH09277159A (ja) * 1996-04-16 1997-10-28 Nippon Steel Corp 研磨方法及び研磨装置
JP2008229756A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Elpida Memory Inc 研磨装置
JP2011035348A (ja) * 2009-08-06 2011-02-17 Fujitsu Semiconductor Ltd 化学機械研磨装置及びその運転方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133277A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Ebara Corp 研磨装置の研磨面洗浄装置
JP2003179021A (ja) * 2001-12-11 2003-06-27 Sony Corp 化学機械研磨装置
KR100445634B1 (ko) * 2002-01-28 2004-08-25 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼의 평탄화 설비
JP5263657B2 (ja) * 2008-04-09 2013-08-14 株式会社ニコン 研磨装置
JP2010179407A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Elpida Memory Inc Ｃｍｐ装置
TWI538971B (zh) * 2010-09-08 2016-06-21 巴斯夫歐洲公司 用於電子、機械及光學裝置之化學機械研磨基材之水性研磨組成物及方法
JP2013084688A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Okamoto Machine Tool Works Ltd サファイア基板の平坦化加工方法
CN202702035U (zh) * 2012-05-15 2013-01-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 多孔环绕型研磨液供应系统和研磨装置
CN204075985U (zh) * 2014-09-13 2015-01-07 安徽格楠机械有限公司 一种陶瓷研磨盘

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61166748U (ja) * 1985-04-03 1986-10-16
JPH0677189A (ja) * 1992-07-10 1994-03-18 Lsi Logic Corp 半導体ウェハの研磨用パッドの取付け方法および半導体ウェハの化学機械的研磨装置
JPH07106233A (ja) * 1993-10-07 1995-04-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JPH07223142A (ja) * 1993-12-14 1995-08-22 Ebara Corp ポリッシング装置
JPH09193005A (ja) * 1996-01-23 1997-07-29 Ebara Corp ポリッシング装置の水飛散防止カバー
JPH09277159A (ja) * 1996-04-16 1997-10-28 Nippon Steel Corp 研磨方法及び研磨装置
JP2008229756A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Elpida Memory Inc 研磨装置
JP2011035348A (ja) * 2009-08-06 2011-02-17 Fujitsu Semiconductor Ltd 化学機械研磨装置及びその運転方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201703930A (zh) 2017-02-01
KR20170004874A (ko) 2017-01-11
CN106312795A (zh) 2017-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102196935B1 (ko) 연삭휠 및 연삭실의 세정 방법
KR102252945B1 (ko) 워크의 평면 연삭 방법
JP2017013183A (ja) 研磨装置
TWI788474B (zh) 用於仰面式研磨裝置的研磨頭、具備該研磨頭的研磨裝置、及使用該研磨裝置的研磨方法
TW201710028A (zh) 磨削輪及被加工物的磨削方法
JP7204318B2 (ja) 研削ホイール
TWI733943B (zh) 雙面研磨裝置用之載體、雙面研磨裝置及雙面研磨方法
KR20150114408A (ko) 연마 방법 및 보유 지지구
TWI779109B (zh) 被加工物之研削方法
KR20190115420A (ko) 연마 장치 및 기판 처리 장치
JP6580178B2 (ja) 研磨装置の構成部品用のカバー、研磨装置の構成部品、および、研磨装置
JP7050560B2 (ja) 研磨装置及び基板処理装置
TWI674173B (zh) 磨削裝置及磨削品的製造方法
JP2015120229A (ja) ワーク研磨装置
JP2017196725A (ja) ラッピング研磨用定盤およびそれを用いる装置
JP2003117818A (ja) 基板の研削方法および研削装置
JP2023107049A (ja) 基板処理装置
KR20160143424A (ko) 화학기계적 연마 장치용 헤드 어셈블리 및 이를 구비하는 화학기계적 연마 장치
JP5777383B2 (ja) 研磨パッド及び該研磨パッドを使用した板状物の研磨方法
JP2016112675A (ja) 被研磨物保持部材

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180531

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20180531

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190417

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190709