JPH0677189A - 半導体ウェハの研磨用パッドの取付け方法および半導体ウェハの化学機械的研磨装置 - Google Patents
半導体ウェハの研磨用パッドの取付け方法および半導体ウェハの化学機械的研磨装置Info
- Publication number
- JPH0677189A JPH0677189A JP5192735A JP19273593A JPH0677189A JP H0677189 A JPH0677189 A JP H0677189A JP 5192735 A JP5192735 A JP 5192735A JP 19273593 A JP19273593 A JP 19273593A JP H0677189 A JPH0677189 A JP H0677189A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- polishing pad
- polishing
- platen
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 258
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 95
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 47
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 17
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 21
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 16
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 15
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 5
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 241000272523 Aix sponsa Species 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001251094 Formica Species 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/959—Mechanical polishing of wafer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S451/00—Abrading
- Y10S451/921—Pad for lens shaping tool
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
- Y10T156/1002—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with permanent bending or reshaping or surface deformation of self sustaining lamina
- Y10T156/1026—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with permanent bending or reshaping or surface deformation of self sustaining lamina with slitting or removal of material at reshaping area prior to reshaping
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
- Y10T156/1002—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with permanent bending or reshaping or surface deformation of self sustaining lamina
- Y10T156/1034—Overedge bending of lamina about edges of sheetlike base
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
- Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハの化学機械的研磨のための改良
した手法であって、とくに化学機械的研磨装置における
二枚の研磨用パッド５０２、５１４の間での突然の層剥
離という欠陥を減少させる手法を提供すること。 【構成】 化学機械的研磨装置に取り付けるとともに外
方端部および直径「ｄ」を有するプラテン５０６に第１
の研磨用パッド５０２を取り付け、プラテン５０６の直
径「ｄ」より大きな直径「Ｄ」を有するとともにウェハ
を研磨するための表面を有する第２の研磨用パッド５１
２を第１の研磨用パッド５０２に取り付けることによ
り、この第２の研磨用パッド５１２の端部領域５１６
が、第１の研磨用パッド５０２の全周にわたって第１の
研磨用パッド５０２の周縁部をこえて拡張するようにし
たことを特徴とする。
した手法であって、とくに化学機械的研磨装置における
二枚の研磨用パッド５０２、５１４の間での突然の層剥
離という欠陥を減少させる手法を提供すること。 【構成】 化学機械的研磨装置に取り付けるとともに外
方端部および直径「ｄ」を有するプラテン５０６に第１
の研磨用パッド５０２を取り付け、プラテン５０６の直
径「ｄ」より大きな直径「Ｄ」を有するとともにウェハ
を研磨するための表面を有する第２の研磨用パッド５１
２を第１の研磨用パッド５０２に取り付けることによ
り、この第２の研磨用パッド５１２の端部領域５１６
が、第１の研磨用パッド５０２の全周にわたって第１の
研磨用パッド５０２の周縁部をこえて拡張するようにし
たことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスの研磨方
法すなわち、半導体ウェハの研磨用パッドの取付け方法
および半導体ウェハの化学機械的研磨装置にかかるもの
で、とくにウェハの化学機械的（「ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｍｅｃｈｎｉｃａｌ」あるいは「ｃｈｅｍ−ｍｅｃ
ｈ」）研磨の方法に関するものである。
法すなわち、半導体ウェハの研磨用パッドの取付け方法
および半導体ウェハの化学機械的研磨装置にかかるもの
で、とくにウェハの化学機械的（「ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｍｅｃｈｎｉｃａｌ」あるいは「ｃｈｅｍ−ｍｅｃ
ｈ」）研磨の方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハの化学機械的研磨は、デバ
イス製造工程の各種の段階においてとくに不規則な上部
表面の分布状態を平面化するために有用である。たとえ
ば、最近の半導体集積回路の製造工程において必要なこ
とは、前工程において形成した各種の構造上に導体ライ
ンあるいは他の構造を形成することである。
イス製造工程の各種の段階においてとくに不規則な上部
表面の分布状態を平面化するために有用である。たとえ
ば、最近の半導体集積回路の製造工程において必要なこ
とは、前工程において形成した各種の構造上に導体ライ
ンあるいは他の構造を形成することである。
【０００３】しかしながら、前工程において形成した構
造によって、シリコンウェハの上部表面の分布状態とし
ては、しばしば隆起、不均一な高さ、くぼみ、溝、ある
いはその他の表面不均一性などを呈し、きわめて不規則
である。こうした不規則性の結果、つぎの層がこの非常
に不規則な表面上に直接デポジションされると、つぎの
材料層によるデポジションが不完全な被覆となり、沈積
した材料に破損が生じたり、ボイドその他が発生してし
まう。
造によって、シリコンウェハの上部表面の分布状態とし
ては、しばしば隆起、不均一な高さ、くぼみ、溝、ある
いはその他の表面不均一性などを呈し、きわめて不規則
である。こうした不規則性の結果、つぎの層がこの非常
に不規則な表面上に直接デポジションされると、つぎの
材料層によるデポジションが不完全な被覆となり、沈積
した材料に破損が生じたり、ボイドその他が発生してし
まう。
【０００４】また、こうした不規則性がそれぞれの主な
処理工程において緩和されない場合には、表面の不均一
性という上部表面の分布状態はさらに助長され、半導体
の構造としてのちの処理により積層が行われるにともな
ってさらなる問題を生ずることになる。
処理工程において緩和されない場合には、表面の不均一
性という上部表面の分布状態はさらに助長され、半導体
の構造としてのちの処理により積層が行われるにともな
ってさらなる問題を生ずることになる。
【０００５】さらにまた、上述のような不規則性が発生
したときに、用いる材料の種類およびその使用目的によ
っては、多くの望ましくない特性が出てきてしまうこと
になる。たとえば、絶縁酸化層の不完全な被覆は、メタ
ライゼーション層間のショートにつながる。ボイドは、
そこに空気あるいは処理用ガスを取り込むことにより、
のちの処理工程を汚染し、あるいは単純にデバイスの総
合的な信頼性を低下させる。導体上の先鋭端部は、異常
かつ望ましくない場の効果の原因となる。一般的に、非
常に不規則な構造上に高密度の回路を製造処理すること
は、歩留まりあるいは性能の少なくともいずれか一方が
非常に低下してしまう原因となる。
したときに、用いる材料の種類およびその使用目的によ
っては、多くの望ましくない特性が出てきてしまうこと
になる。たとえば、絶縁酸化層の不完全な被覆は、メタ
ライゼーション層間のショートにつながる。ボイドは、
そこに空気あるいは処理用ガスを取り込むことにより、
のちの処理工程を汚染し、あるいは単純にデバイスの総
合的な信頼性を低下させる。導体上の先鋭端部は、異常
かつ望ましくない場の効果の原因となる。一般的に、非
常に不規則な構造上に高密度の回路を製造処理すること
は、歩留まりあるいは性能の少なくともいずれか一方が
非常に低下してしまう原因となる。
【０００６】結果として、集積回路の構造についてある
種の平面化あるいは平坦化を行うことにより、多層集積
回路の処理工程を促進するとともに、その歩留まり、性
能および信頼性を改善することが望ましい。実際、昨今
の高密度集積回路製造方法においてはすべて、製造工程
における重要な時点で平面構造を形成するための何らか
の方法を採用している。
種の平面化あるいは平坦化を行うことにより、多層集積
回路の処理工程を促進するとともに、その歩留まり、性
能および信頼性を改善することが望ましい。実際、昨今
の高密度集積回路製造方法においてはすべて、製造工程
における重要な時点で平面構造を形成するための何らか
の方法を採用している。
【０００７】平面化のための手法は、いくつかのカテゴ
リーのいずれかに分類される。すなわち、化学機械的
（「ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈｎｉｃａｌ」あるいは
「ｃｈｅｍ−ｍｅｃｈ」）研磨の手法、フィラー材料を
用いてレベリングしたのち制御した環境内でエッチング
バックする手法、および各種のリフロー手法などであ
る。
リーのいずれかに分類される。すなわち、化学機械的
（「ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈｎｉｃａｌ」あるいは
「ｃｈｅｍ−ｍｅｃｈ」）研磨の手法、フィラー材料を
用いてレベリングしたのち制御した環境内でエッチング
バックする手法、および各種のリフロー手法などであ
る。
【０００８】エッチングの手法は、種々ある手法の中
で、ウェットエッチング、ドライあるいはプラズマエッ
チング、電子的研磨およびイオンミリングなどを含む。
このほか、平面化の手法として、より一般的ではない
が、レーザー光の存在のもとガス状の相から材料を濃縮
することによって材料を溝に直接沈積させる方法もあ
る。最近の各種の平面化に関する手法間の相違のほとん
どは、異なる手法が応用される工程、および方法や材料
が用いられる工程の点にある。
で、ウェットエッチング、ドライあるいはプラズマエッ
チング、電子的研磨およびイオンミリングなどを含む。
このほか、平面化の手法として、より一般的ではない
が、レーザー光の存在のもとガス状の相から材料を濃縮
することによって材料を溝に直接沈積させる方法もあ
る。最近の各種の平面化に関する手法間の相違のほとん
どは、異なる手法が応用される工程、および方法や材料
が用いられる工程の点にある。
【０００９】本発明は、化学機械的研磨工程をめざすも
ので、この工程においては、研磨剤および化学薬品をと
もに含むスラリー（ｓｌｕｒｒｙ）内において研磨用パ
ッドを用いてウェハをこする処理を一般的に含む。
ので、この工程においては、研磨剤および化学薬品をと
もに含むスラリー（ｓｌｕｒｒｙ）内において研磨用パ
ッドを用いてウェハをこする処理を一般的に含む。
【００１０】典型的なスラリー用化学薬品は、ｐＨが約
１１の水酸化カリウム（ＫＯＨ）である。研磨用スラリ
ーは一般的に高価であり、回収して再利用することもで
きないものである。スラリーの一般的な使用率（供給
率）としては毎分１７５ミリリットルのオーダーであ
る。一般的なシリカベースのスラリーは、Ｃａｂｏｔ
Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社から入手可能な「ＳＣ−１」で
ある。シリカおよびセリウム（酸化物）をベースとした
より高価なスラリーは、Ｒｏｄｅｌ 「ＷＳ−２００
０」である。
１１の水酸化カリウム（ＫＯＨ）である。研磨用スラリ
ーは一般的に高価であり、回収して再利用することもで
きないものである。スラリーの一般的な使用率（供給
率）としては毎分１７５ミリリットルのオーダーであ
る。一般的なシリカベースのスラリーは、Ｃａｂｏｔ
Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社から入手可能な「ＳＣ−１」で
ある。シリカおよびセリウム（酸化物）をベースとした
より高価なスラリーは、Ｒｏｄｅｌ 「ＷＳ−２００
０」である。
【００１１】化学機械的研磨については、米国特許第
４，６７１，８５１号、同第４，９１０，１５５号、お
よび同第４，９４４，８３６号などがある。化学機械的
研磨について以後言及するときには、ＣａｂｏｔのＳＣ
−１のような適切なスラリーを用いて実行するものとす
る。
４，６７１，８５１号、同第４，９１０，１５５号、お
よび同第４，９４４，８３６号などがある。化学機械的
研磨について以後言及するときには、ＣａｂｏｔのＳＣ
−１のような適切なスラリーを用いて実行するものとす
る。
【００１２】さて、シリコンウェハの絶縁体フィルムに
よる研磨に関する現在の技術は、一枚以上の研磨用パッ
ドを用いることが強く要請されている。たとえば、二枚
のパッドを組み合わせて、「研磨用複合パッド」と呼ば
れる「積層物」とする。
よる研磨に関する現在の技術は、一枚以上の研磨用パッ
ドを用いることが強く要請されている。たとえば、二枚
のパッドを組み合わせて、「研磨用複合パッド」と呼ば
れる「積層物」とする。
【００１３】このうち、上方のパッドが実際の研磨を行
う、つまりウェハに接触するものである。回転するプラ
テンに取り付けてあるとともに、よりしなやかな下方の
パッドより、この上方のパッドは一般的には硬いもので
ある。それぞれのパッドの裏面にパッド製造者により塗
布された感圧性接着剤（ＰＳＡ）を一般的には用いて、
このパッドを一体化するとともにプラテンに固定する。
う、つまりウェハに接触するものである。回転するプラ
テンに取り付けてあるとともに、よりしなやかな下方の
パッドより、この上方のパッドは一般的には硬いもので
ある。それぞれのパッドの裏面にパッド製造者により塗
布された感圧性接着剤（ＰＳＡ）を一般的には用いて、
このパッドを一体化するとともにプラテンに固定する。
【００１４】このプラテン（およびパッド）を回転さ
せ、保持部材に取り付けた半導体ウェハを、上方の研磨
用パッドの露出した表面に対して軽く押し付ける。なお
ウェハ自体を回転してもよく、上方のパッドの表面に対
して弧状の軌跡を描くように移動することにより、複雑
な研磨動作を実現することもできる。
せ、保持部材に取り付けた半導体ウェハを、上方の研磨
用パッドの露出した表面に対して軽く押し付ける。なお
ウェハ自体を回転してもよく、上方のパッドの表面に対
して弧状の軌跡を描くように移動することにより、複雑
な研磨動作を実現することもできる。
【００１５】ウェハは一般に、パッドの外方端部および
その中心から離れた領域においてパッドに接触する。換
言すれば、一般的には、パッドの半径「ｒ」の３分の２
に相当する中間部付近の領域において接触する。すなわ
ち、ｒ＝０からｒ／６までおよび５ｒ／６からｒまでに
それぞれ対応する内方部および外方部を避けて接触す
る。
その中心から離れた領域においてパッドに接触する。換
言すれば、一般的には、パッドの半径「ｒ」の３分の２
に相当する中間部付近の領域において接触する。すなわ
ち、ｒ＝０からｒ／６までおよび５ｒ／６からｒまでに
それぞれ対応する内方部および外方部を避けて接触す
る。
【００１６】図１は、従来の化学機械的研磨の典型的な
手法における化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用
パッドの取付け構造１００を示している。第一に、その
裏面に感圧性接着剤層１０４を有するディスク型の下方
パッド１０２（ＰＡＤ Ａ）を、回転するプラテン１０
６（ＰＬＡＴＥＮ）の表面に接着する（図では分離して
描いてある）。第二に、その裏面に感圧性接着剤層１１
０を有するディスク型の上方パッド１０８（ＰＡＤ
Ｂ）を下方パッド１０２の表面に接着する（図では分離
して描いてある）。
手法における化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用
パッドの取付け構造１００を示している。第一に、その
裏面に感圧性接着剤層１０４を有するディスク型の下方
パッド１０２（ＰＡＤ Ａ）を、回転するプラテン１０
６（ＰＬＡＴＥＮ）の表面に接着する（図では分離して
描いてある）。第二に、その裏面に感圧性接着剤層１１
０を有するディスク型の上方パッド１０８（ＰＡＤ
Ｂ）を下方パッド１０２の表面に接着する（図では分離
して描いてある）。
【００１７】下方パッド１０２および上方パッド１０８
により複合パッド「積層物」を形成する。プラテン１０
６を回転し、ドットにより示したスラリー１１２の計量
した流れをスラリー供給部１１４からスラリー供給部材
１１６を介して上方パッド１０８の表面に供給する。
により複合パッド「積層物」を形成する。プラテン１０
６を回転し、ドットにより示したスラリー１１２の計量
した流れをスラリー供給部１１４からスラリー供給部材
１１６を介して上方パッド１０８の表面に供給する。
【００１８】明らかなように、遠心力および重力によっ
て、スラリー１１２が上方パッド１０８上を洗って周辺
に流れ去って行く。ウェハを平面化するように研磨する
ために、上方パッド１０８の表面を非常な平坦面に形成
するように意図されているので、このスラリー１１２の
挙動はとくに明白である。しかしながら、上方パッド１
０８の平面性によってスラリー１１２が上方パッド１０
８の表面を容易に流れ去ってしまうため、スラリー１１
２が上方パッド１０８の表面における「滞留時間」が短
縮されてしまう。通常、スラリー１１２は研磨用として
十分に使用される前に、つまり十分に用い尽くされる前
に、上方パッド１０８の表面を流れ洗って行き、しかも
一般的には回収および再利用が不可能である。
て、スラリー１１２が上方パッド１０８上を洗って周辺
に流れ去って行く。ウェハを平面化するように研磨する
ために、上方パッド１０８の表面を非常な平坦面に形成
するように意図されているので、このスラリー１１２の
挙動はとくに明白である。しかしながら、上方パッド１
０８の平面性によってスラリー１１２が上方パッド１０
８の表面を容易に流れ去ってしまうため、スラリー１１
２が上方パッド１０８の表面における「滞留時間」が短
縮されてしまう。通常、スラリー１１２は研磨用として
十分に使用される前に、つまり十分に用い尽くされる前
に、上方パッド１０８の表面を流れ洗って行き、しかも
一般的には回収および再利用が不可能である。
【００１９】シリコンウェハ１２０を保持部材１２２に
取り付け、上方パッド１０８の表面に対して軽く、平坦
かつ同一平面的に押し付けることによって、上方パッド
１０８と相対向するシリコンウェハ１２０の面の研磨部
分が上方パッド１０８およびスラリー１１２に当接する
ようにする。
取り付け、上方パッド１０８の表面に対して軽く、平坦
かつ同一平面的に押し付けることによって、上方パッド
１０８と相対向するシリコンウェハ１２０の面の研磨部
分が上方パッド１０８およびスラリー１１２に当接する
ようにする。
【００２０】一般的には、下方パッド１０２、上方パッ
ド１０８およびプラテン１０６は直径が２０〜３３イン
チのオーダーであるが、３６インチの場合もあり、シリ
コンウェハ１２０が４〜６インチのオーダーであること
から、既述のように、上記研磨は上方パッド１０８の半
径の３分の２に相当する半径の中心部分において行われ
る。
ド１０８およびプラテン１０６は直径が２０〜３３イン
チのオーダーであるが、３６インチの場合もあり、シリ
コンウェハ１２０が４〜６インチのオーダーであること
から、既述のように、上記研磨は上方パッド１０８の半
径の３分の２に相当する半径の中心部分において行われ
る。
【００２１】なお、収容器１３０がプラテン１０６、下
方パッド１０２、上方パッド１０８、保持部材１２２お
よびスラリー１１２を収容している。
方パッド１０２、上方パッド１０８、保持部材１２２お
よびスラリー１１２を収容している。
【００２２】スラリー１１２が用いられているときこれ
は上方パッド１０８の表面上にあるが、既述のように、
回収はされない。明らかなように、スラリー１１２は、
上方パッド１０８上に存在するような率で上方パッド１
０８上にこれを供給する必要がある。好ましくはこの率
は、スラリー１１２が用い尽くされない部分がないよう
に、つまり完全に用いられるように最適化することが望
ましい。しかしながら、実際にはこうした供給率の最適
化は実現困難であり、スラリー１１２の供給率は、これ
を消費するより高い率となるようにしている。
は上方パッド１０８の表面上にあるが、既述のように、
回収はされない。明らかなように、スラリー１１２は、
上方パッド１０８上に存在するような率で上方パッド１
０８上にこれを供給する必要がある。好ましくはこの率
は、スラリー１１２が用い尽くされない部分がないよう
に、つまり完全に用いられるように最適化することが望
ましい。しかしながら、実際にはこうした供給率の最適
化は実現困難であり、スラリー１１２の供給率は、これ
を消費するより高い率となるようにしている。
【００２３】図１に示したスラリー１１２は、上方パッ
ド１０８の表面にあるドットの単一層としてあるが、こ
れは上方パッド１０８の表面上にスラリー１１２を維持
することが困難であることを示している。
ド１０８の表面にあるドットの単一層としてあるが、こ
れは上方パッド１０８の表面上にスラリー１１２を維持
することが困難であることを示している。
【００２４】パッドの一般的な材料は、（１）下方パッ
ド１０２用としては、泡状のポリウレタンであり、およ
び（２）上方パッド１０８用としては、ポリウレタン樹
脂（ｍａｔｒｉｘ）をもって硬化させたポリエステルの
フェルトである。
ド１０２用としては、泡状のポリウレタンであり、およ
び（２）上方パッド１０８用としては、ポリウレタン樹
脂（ｍａｔｒｉｘ）をもって硬化させたポリエステルの
フェルトである。
【００２５】これらパッドの裏打ち材料としての感圧性
接着剤層１０４および１１０は、一般的にポリウレタン
ベースの感圧性接着剤（ＰＳＡ）である。
接着剤層１０４および１１０は、一般的にポリウレタン
ベースの感圧性接着剤（ＰＳＡ）である。
【００２６】一般的に、上方パッド１０８が下方パッド
１０２より硬いことが望ましい。これらパッドをともに
ポリウレタン樹脂に浸責する場合には、上方パッド１０
８を下方パッド１０２より多いポリウレタンを用いて浸
責することによって上記硬さの相違を達成可能である。
なおパッドの一般的な厚さは、０．０５０インチのオー
ダーである。
１０２より硬いことが望ましい。これらパッドをともに
ポリウレタン樹脂に浸責する場合には、上方パッド１０
８を下方パッド１０２より多いポリウレタンを用いて浸
責することによって上記硬さの相違を達成可能である。
なおパッドの一般的な厚さは、０．０５０インチのオー
ダーである。
【００２７】パッドに関する欠陥モードの二例について
とくに述べる。一方のモードでは、スラリー１１２が次
第にパッドの中に「浸透」（ｗｉｃｋｅｄ）をして、次
第に感圧性接着剤層１１０を攻撃し、感圧性接着剤層１
１０における不具合が約３０日間の使用で発生する。こ
れは一般的には許容範囲である。この浸透状態を符号１
２４によって示してあり、スラリー１１２が上方パッド
１０８を浸透して、上方パッド１０８および下方パッド
１０２の間の接合部における感圧性接着剤層１１０を侵
食する。
とくに述べる。一方のモードでは、スラリー１１２が次
第にパッドの中に「浸透」（ｗｉｃｋｅｄ）をして、次
第に感圧性接着剤層１１０を攻撃し、感圧性接着剤層１
１０における不具合が約３０日間の使用で発生する。こ
れは一般的には許容範囲である。この浸透状態を符号１
２４によって示してあり、スラリー１１２が上方パッド
１０８を浸透して、上方パッド１０８および下方パッド
１０２の間の接合部における感圧性接着剤層１１０を侵
食する。
【００２８】他方のモードにおいては、より突然の変化
モードであるが、スラリー１１２が上方パッド１０８と
下方パッド１０２との間の、すなわち、パッド間の接着
剤境界部における端部方向部分において接合部を直接侵
食することである。これはわずか３０分の間に発生し、
許容することができない現象である。この侵入状態を符
号１２６によって示してあり、スラリー１１２がパッド
間の端部方向部分の感圧性接着剤層１１０を侵食してい
る。
モードであるが、スラリー１１２が上方パッド１０８と
下方パッド１０２との間の、すなわち、パッド間の接着
剤境界部における端部方向部分において接合部を直接侵
食することである。これはわずか３０分の間に発生し、
許容することができない現象である。この侵入状態を符
号１２６によって示してあり、スラリー１１２がパッド
間の端部方向部分の感圧性接着剤層１１０を侵食してい
る。
【００２９】明らかに、そして通常は突然に、パッドの
互いの間の接着剤がはがれ、層剥離を起こす。したがっ
て、研磨処理中のウェハを破損する可能性があるために
研磨処理を停止せざるを得ないとともに、研磨設備を再
準備しなければならず、こうした事態は望ましいもので
はない。
互いの間の接着剤がはがれ、層剥離を起こす。したがっ
て、研磨処理中のウェハを破損する可能性があるために
研磨処理を停止せざるを得ないとともに、研磨設備を再
準備しなければならず、こうした事態は望ましいもので
はない。
【００３０】公知の技術として、パッドおよびプラテン
の周辺のまわりにプラスチック製あるいはゴム製のリン
グ（ダム）を設けることがある。このリングは上方パッ
ド１０８の表面の上方に延びることにより上方パッドの
表面上にスラリーの溜め部を形成し、この溜め部によっ
て上方パッドの表面上にスラリーがより長く滞留するよ
うにするものである。
の周辺のまわりにプラスチック製あるいはゴム製のリン
グ（ダム）を設けることがある。このリングは上方パッ
ド１０８の表面の上方に延びることにより上方パッドの
表面上にスラリーの溜め部を形成し、この溜め部によっ
て上方パッドの表面上にスラリーがより長く滞留するよ
うにするものである。
【００３１】図２は、滞留機構を有する化学機械的研磨
装置のプラテンへの研磨用パッドの取付け構造２００を
示すもので、この取付け構造においては、ゴム製のリン
グ（ダム）２０２が上方パッド２０４、下方パッド２０
６およびプラテン２０８を取り囲むとともに、上方パッ
ド２０４の表面上方に延びている。
装置のプラテンへの研磨用パッドの取付け構造２００を
示すもので、この取付け構造においては、ゴム製のリン
グ（ダム）２０２が上方パッド２０４、下方パッド２０
６およびプラテン２０８を取り囲むとともに、上方パッ
ド２０４の表面上方に延びている。
【００３２】こうした構成とすることにより、スラリー
の「プール」２１０（ドットの列として図示してある）
を上方パッド２０４の表面上に形成し、ダム２０２の上
端縁をこえてスラリーが洗い流されるまでその所期の機
能を達成するように、このプール２１０によって滞留時
間をより長くすることができる。
の「プール」２１０（ドットの列として図示してある）
を上方パッド２０４の表面上に形成し、ダム２０２の上
端縁をこえてスラリーが洗い流されるまでその所期の機
能を達成するように、このプール２１０によって滞留時
間をより長くすることができる。
【００３３】このダム（リング）の採用は、スラリーが
ダムをオーバーフローし、研磨装置の再準備が必要とな
る前にウェハとスラリーとの相互作用を最適な状態にす
ることを目的としたものである。なおこのダムリングの
採用により、より少ない程度ではあるが、スラリーがパ
ッド間の接着剤２１２を直接侵食することをわずかなが
ら防止する可能性もある。
ダムをオーバーフローし、研磨装置の再準備が必要とな
る前にウェハとスラリーとの相互作用を最適な状態にす
ることを目的としたものである。なおこのダムリングの
採用により、より少ない程度ではあるが、スラリーがパ
ッド間の接着剤２１２を直接侵食することをわずかなが
ら防止する可能性もある。
【００３４】したがって、パッド間の接着剤をスラリー
が侵食することによる研磨用パッドの突然の層剥離とい
う問題に対して効果的に対処する必要性が依然として残
るのである。
が侵食することによる研磨用パッドの突然の層剥離とい
う問題に対して効果的に対処する必要性が依然として残
るのである。
【００３５】上述したように、一定期間内にパッドを交
換する必要がある。研磨設備の製造者としては、Ｗｅｓ
ｔｅｃｈ（Ｐｈｏｅｎｉｘ， ＡＺ）があり、パッドの
製造者としては、Ｒｏｄｅｌ（Ｓｃｏｔｔｓｄａｌｅ，
ＡＺ）がある。Ｗｅｓｔｅｃｈ Ｐｏｌｉｓｈｅｒの
マニュアルの第１３頁および第１４頁に、パッドの通常
の交換工程について記述がある。すなわち、「研磨用パ
ッドは、１５〜２０時間の使用ののちこれを交換する必
要がある。ただし、スラリーが過剰に溜められている場
合には、より頻繁に交換しなければならない。」とされ
ている。
換する必要がある。研磨設備の製造者としては、Ｗｅｓ
ｔｅｃｈ（Ｐｈｏｅｎｉｘ， ＡＺ）があり、パッドの
製造者としては、Ｒｏｄｅｌ（Ｓｃｏｔｔｓｄａｌｅ，
ＡＺ）がある。Ｗｅｓｔｅｃｈ Ｐｏｌｉｓｈｅｒの
マニュアルの第１３頁および第１４頁に、パッドの通常
の交換工程について記述がある。すなわち、「研磨用パ
ッドは、１５〜２０時間の使用ののちこれを交換する必
要がある。ただし、スラリーが過剰に溜められている場
合には、より頻繁に交換しなければならない。」とされ
ている。
【００３６】実験によれば、スラリー溶液がパッド間の
接合部に侵入することによるパッドの層剥離のために、
わずか数時間の使用ののちにパッドを交換をする必要が
あることがわかっている。スラリー溶液がパッドの間の
ＰＳＡフィルム（接着剤）（図１の感圧性接着剤層１１
０を参照）の解除剤として作用すると推測されている。
接合部に侵入することによるパッドの層剥離のために、
わずか数時間の使用ののちにパッドを交換をする必要が
あることがわかっている。スラリー溶液がパッドの間の
ＰＳＡフィルム（接着剤）（図１の感圧性接着剤層１１
０を参照）の解除剤として作用すると推測されている。
【００３７】理解することができるように、交換用のパ
ッドはこれが取り付けられるプラテンより大きく形成さ
れて出荷され、接着によってプラテンに取り付けられた
のち必要なサイズにトリムされる。説明の便のため、プ
ラテンが直径３０インチとすれば、パッドは直径３３イ
ンチの大きさで出荷される。もしパッドがプラテンと同
一サイズで出荷されると、プラテンにパッドを接着する
ときのわずかな位置ずれによりプラテンの表面が露出し
てしまうことになる。この露出は多くの理由のため望ま
しくなく、とくにスラリーがプラテンの表面をエッチン
グしてしまう可能性がある。
ッドはこれが取り付けられるプラテンより大きく形成さ
れて出荷され、接着によってプラテンに取り付けられた
のち必要なサイズにトリムされる。説明の便のため、プ
ラテンが直径３０インチとすれば、パッドは直径３３イ
ンチの大きさで出荷される。もしパッドがプラテンと同
一サイズで出荷されると、プラテンにパッドを接着する
ときのわずかな位置ずれによりプラテンの表面が露出し
てしまうことになる。この露出は多くの理由のため望ま
しくなく、とくにスラリーがプラテンの表面をエッチン
グしてしまう可能性がある。
【００３８】類推すると、加熱硬化性樹脂、Ｆｏｒｍｉ
ｃａ（商標）の取付けに慣れた者は、この加熱硬化性樹
脂、Ｆｏｒｍｉｃａの大きめのシートをその下の基板
（たとえばカウンターの上部）に固定し、カウンターの
上部の周縁部境界に合うようにこれをトリムすることを
好むであろう。
ｃａ（商標）の取付けに慣れた者は、この加熱硬化性樹
脂、Ｆｏｒｍｉｃａの大きめのシートをその下の基板
（たとえばカウンターの上部）に固定し、カウンターの
上部の周縁部境界に合うようにこれをトリムすることを
好むであろう。
【００３９】図１は二枚のパッドを用いたシステムを示
しているが、一枚あるいは二枚のパッドを使用する場合
に、パッドをトリムするために簡単な推薦する手法とし
ては、プラテンの周縁端部のまわりにおいて端と端とを
そろえて単純にトリムすることである（Ｗｅｓｔｅｃｈ
のマニュアル、第１４頁、第７節を参照）。このトリム
法は、鋭利なかみそり刃あるいは万能ナイフを用いて手
動で適宜これを行うことができる。
しているが、一枚あるいは二枚のパッドを使用する場合
に、パッドをトリムするために簡単な推薦する手法とし
ては、プラテンの周縁端部のまわりにおいて端と端とを
そろえて単純にトリムすることである（Ｗｅｓｔｅｃｈ
のマニュアル、第１４頁、第７節を参照）。このトリム
法は、鋭利なかみそり刃あるいは万能ナイフを用いて手
動で適宜これを行うことができる。
【００４０】図３および図４は、化学機械的研磨装置の
プラテンへの研磨用パッドの取付け構造３００を示す。
二枚のパッドすなわち、上方パッド３０２および下方パ
ッド３０４をプラテン３０６に取り付ける。なお、プラ
テン３０６は図３においては見えず、説明を明確にする
ために接着剤はこれを省略してある。
プラテンへの研磨用パッドの取付け構造３００を示す。
二枚のパッドすなわち、上方パッド３０２および下方パ
ッド３０４をプラテン３０６に取り付ける。なお、プラ
テン３０６は図３においては見えず、説明を明確にする
ために接着剤はこれを省略してある。
【００４１】パッドはそのいずれもこれをトリムしな
い。すなわち図示のように、上方パッド３０２は、下方
パッド３０４の上でわずかにずれている。したがって、
下方パッド３０４が突出領域３０８において上方パッド
３０２の端部をこえて突出し、上方パッド３０２の周縁
部に部分的に拡張している。
い。すなわち図示のように、上方パッド３０２は、下方
パッド３０４の上でわずかにずれている。したがって、
下方パッド３０４が突出領域３０８において上方パッド
３０２の端部をこえて突出し、上方パッド３０２の周縁
部に部分的に拡張している。
【００４２】明らかなように、下方パッド３０４の突出
している部分は、「棚」状の領域３１０を形成し、スラ
リーがこの棚状の領域３１０に容易に集められ、さらに
二枚のパッドの間に移動することによりその間の接着剤
（図示せず）を侵食することができる。図示のため誇張
はしてあるが、こうしたパッドの構成は一般的なもので
ある。
している部分は、「棚」状の領域３１０を形成し、スラ
リーがこの棚状の領域３１０に容易に集められ、さらに
二枚のパッドの間に移動することによりその間の接着剤
（図示せず）を侵食することができる。図示のため誇張
はしてあるが、こうしたパッドの構成は一般的なもので
ある。
【００４３】互いにずれたパッドを用いて研磨を実行可
能ではあるが、たびたびパッドを交換する必要があるこ
とが考えられる。
能ではあるが、たびたびパッドを交換する必要があるこ
とが考えられる。
【００４４】図５および図６は、化学機械的研磨装置の
プラテンへの研磨用パッドの推薦される取付け構造４０
０を示す。二枚のパッドすなわち、上方パッド４０２お
よび下方パッド４０４をプラテン４０６に取り付ける。
なお、下方パッド４０４およびプラテン４０６は図５に
おいては見えず、説明を明確にするために接着剤はこれ
を省略してある。
プラテンへの研磨用パッドの推薦される取付け構造４０
０を示す。二枚のパッドすなわち、上方パッド４０２お
よび下方パッド４０４をプラテン４０６に取り付ける。
なお、下方パッド４０４およびプラテン４０６は図５に
おいては見えず、説明を明確にするために接着剤はこれ
を省略してある。
【００４５】この機構においては、二枚のパッドをとも
に標準的な手順にしたがって、すなわち、プラテンの端
部に合うようにトリムする。この例では、液状のスラリ
ーがパッドによる積層物の端部の上を流れ、二枚のパッ
ド間の接合部の端部に単に接触するだけである（図１を
参照）。
に標準的な手順にしたがって、すなわち、プラテンの端
部に合うようにトリムする。この例では、液状のスラリ
ーがパッドによる積層物の端部の上を流れ、二枚のパッ
ド間の接合部の端部に単に接触するだけである（図１を
参照）。
【００４６】それにもかかわらず、スラリーは、上方パ
ッド４０２および下方パッド４０４の間にまだ移動可能
であって、その間の接着剤を侵食し、パッドによる積層
物が早期に層剥離を起こしてしまう原因となる。
ッド４０２および下方パッド４０４の間にまだ移動可能
であって、その間の接着剤を侵食し、パッドによる積層
物が早期に層剥離を起こしてしまう原因となる。
【００４７】さらに繰り返せば、図示のきちんとトリム
したパッドを用いて研磨処理を実行可能ではあるが、図
３および図４に示したずれてしまったパッドを用いる場
合よりも頻度は少ないながら、たびたびパッドを交換す
る必要があることが考えられる。
したパッドを用いて研磨処理を実行可能ではあるが、図
３および図４に示したずれてしまったパッドを用いる場
合よりも頻度は少ないながら、たびたびパッドを交換す
る必要があることが考えられる。
【００４８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
諸問題にかんがみなされたもので、半導体ウェハの化学
機械的研磨のための改良した手法を提供することを課題
とする。
諸問題にかんがみなされたもので、半導体ウェハの化学
機械的研磨のための改良した手法を提供することを課題
とする。
【００４９】また本発明は、化学機械的研磨装置におけ
る二枚の研磨用パッドの間での突然の層剥離という欠陥
を減少させる手法を提供すること課題とする。
る二枚の研磨用パッドの間での突然の層剥離という欠陥
を減少させる手法を提供すること課題とする。
【００５０】また本発明は、別個のリング（ダム）構造
を用いることなく、パッド間の接着剤フィルムから研磨
用スラリー溶液をそらすような手法を提供すること課題
とする。
を用いることなく、パッド間の接着剤フィルムから研磨
用スラリー溶液をそらすような手法を提供すること課題
とする。
【００５１】また本発明は、研磨用パッドの表面上にこ
のパッドと一体の「スラリーのプール」を形成すること
により、ダム（リング）構造のような追加的機械要素を
必要とせずに、所期の化学機械的研磨工程を達成するた
めに必要なスラリーの量を減少可能な手法を課題とす
る。
のパッドと一体の「スラリーのプール」を形成すること
により、ダム（リング）構造のような追加的機械要素を
必要とせずに、所期の化学機械的研磨工程を達成するた
めに必要なスラリーの量を減少可能な手法を課題とす
る。
【００５２】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体ウェ
ハの研磨用パッドの取付け方法および半導体ウェハの化
学機械的研磨装置においては、半導体ウェハの化学機械
的研磨装置においてプラテンに研磨用パッドを取り付け
る手法を開示している。下方パッドをプラテンに取り付
けるとともに、このプラテンのサイズにトリムする。こ
の下方パッドに上方パッドを取り付け、この上方パッド
は先端の外方の端部領域が下方パッドのトリムされた外
方端部をこえて拡張するようなサイズとしてある。上方
パッドの外方の端部領域を下方パッドに向かって下方に
変形する。かくして研磨用スラリーがパッド間の接合部
からそれるようにする。さらに、上方パッドと一体の環
状のリップ状領域を上方パッドの表面に形成可能で、か
くして、この上方パッドの表面上に研磨用スラリーが滞
留するための溜め部を形成することにより、上方パッド
の表面上をスラリーが洗い流れて行く前に、このスラリ
ーの滞留時間を延長することができる。
ハの研磨用パッドの取付け方法および半導体ウェハの化
学機械的研磨装置においては、半導体ウェハの化学機械
的研磨装置においてプラテンに研磨用パッドを取り付け
る手法を開示している。下方パッドをプラテンに取り付
けるとともに、このプラテンのサイズにトリムする。こ
の下方パッドに上方パッドを取り付け、この上方パッド
は先端の外方の端部領域が下方パッドのトリムされた外
方端部をこえて拡張するようなサイズとしてある。上方
パッドの外方の端部領域を下方パッドに向かって下方に
変形する。かくして研磨用スラリーがパッド間の接合部
からそれるようにする。さらに、上方パッドと一体の環
状のリップ状領域を上方パッドの表面に形成可能で、か
くして、この上方パッドの表面上に研磨用スラリーが滞
留するための溜め部を形成することにより、上方パッド
の表面上をスラリーが洗い流れて行く前に、このスラリ
ーの滞留時間を延長することができる。
【００５３】すなわち本発明においては、通常は直径
「Ｄ」の上方パッドおよび下方パッドという二枚の研磨
用パッドを、より小さな直径「ｄ」（ｄ＜Ｄ）を有する
回転するプラテンに取り付けるものである。
「Ｄ」の上方パッドおよび下方パッドという二枚の研磨
用パッドを、より小さな直径「ｄ」（ｄ＜Ｄ）を有する
回転するプラテンに取り付けるものである。
【００５４】下方（底部側の）パッドは、それ自体がプ
ラテンにまず取付けられ、プラテンの周縁部に合わせて
トリムされる。この下方パッドはまた、プラテンより若
干小さくこれをトリムすることもできる。この下方パッ
ドは当初はプラテンより大きく、プラテンの中心部に載
置し、プラテンの周縁部のまわりに垂れ下がるようにす
る。ついで、この下方パッドをたとえば手動により、か
みそり刃、万能ナイフなどを用いてトリムする。
ラテンにまず取付けられ、プラテンの周縁部に合わせて
トリムされる。この下方パッドはまた、プラテンより若
干小さくこれをトリムすることもできる。この下方パッ
ドは当初はプラテンより大きく、プラテンの中心部に載
置し、プラテンの周縁部のまわりに垂れ下がるようにす
る。ついで、この下方パッドをたとえば手動により、か
みそり刃、万能ナイフなどを用いてトリムする。
【００５５】つぎに上方（頂部側の）パッドを、下方パ
ッドに取り付ける。下方パッドと同様に上方パッドは当
初はプラテンより大きく、プラテンの直径「ｄ」より大
きな直径「Ｄ」を有する。
ッドに取り付ける。下方パッドと同様に上方パッドは当
初はプラテンより大きく、プラテンの直径「ｄ」より大
きな直径「Ｄ」を有する。
【００５６】しかしながら、下方パッドとは異なり、上
方パッドはプラテンのサイズに合わせてこれをトリムし
ない。それよりもむしろ、上方パッドはプラテンに合わ
せてその中心にこれを載置し、上方パッドの端部領域が
下方パッド（すなわちプラテン）の周縁部をこえて、プ
ラテン（すなわち下方パッド）の周縁部のまわりにおい
て拡張するようにする。
方パッドはプラテンのサイズに合わせてこれをトリムし
ない。それよりもむしろ、上方パッドはプラテンに合わ
せてその中心にこれを載置し、上方パッドの端部領域が
下方パッド（すなわちプラテン）の周縁部をこえて、プ
ラテン（すなわち下方パッド）の周縁部のまわりにおい
て拡張するようにする。
【００５７】かくして、上方パッドの表面上を流れて行
く研磨用スラリーは、二枚のパッド間の接合部から積極
的にそらされ（直径方向外方に）、ダム（リング）など
の追加的な機械要素を必要としない。
く研磨用スラリーは、二枚のパッド間の接合部から積極
的にそらされ（直径方向外方に）、ダム（リング）など
の追加的な機械要素を必要としない。
【００５８】プラテンをこえて拡張する上方パッドの端
部領域は、プラテンに対して当初より大きなサイズの部
分をトリムしないことにより簡単にこれを得ることがで
きる。あるいは、拡張する端部領域はこれをわずかにト
リムすることにより、プラテンをこえてとくに下方パッ
ドの端部をこえて拡張するとともにプラテンと同心的に
することができる。
部領域は、プラテンに対して当初より大きなサイズの部
分をトリムしないことにより簡単にこれを得ることがで
きる。あるいは、拡張する端部領域はこれをわずかにト
リムすることにより、プラテンをこえてとくに下方パッ
ドの端部をこえて拡張するとともにプラテンと同心的に
することができる。
【００５９】しかしながら、表面張力などによって、ス
ラリーが上方パッドの端部領域の下方まで移動して、上
方パッドおよび下方パッドの間の接合部に移動し、ここ
でパッドによる積層物を一体に保持している接着剤によ
る結合を侵食することも可能である。それにもかかわら
ず、拡張した端部領域によるスラリーの迂回によりこの
可能性を低減することとなる。
ラリーが上方パッドの端部領域の下方まで移動して、上
方パッドおよび下方パッドの間の接合部に移動し、ここ
でパッドによる積層物を一体に保持している接着剤によ
る結合を侵食することも可能である。それにもかかわら
ず、拡張した端部領域によるスラリーの迂回によりこの
可能性を低減することとなる。
【００６０】本発明の特徴によれば、上方パッドの張り
出している端部領域を下方に曲げる工程において、たと
えば手により、プラテンつまり下方パッドの端部の部分
ではなくわずかにその内方に向かって１インチのオーダ
ーの位置において、上方パッドに軽く圧力をかけてこれ
を保持することにより、上方パッドの張り出している端
部領域が下方に曲がるときに、上方パッドの周縁領域つ
まり張り出している端部領域の内方であってただし上記
力を保持している領域の外方が上方パッドの表面上にお
いて上方に変形するようにする。
出している端部領域を下方に曲げる工程において、たと
えば手により、プラテンつまり下方パッドの端部の部分
ではなくわずかにその内方に向かって１インチのオーダ
ーの位置において、上方パッドに軽く圧力をかけてこれ
を保持することにより、上方パッドの張り出している端
部領域が下方に曲がるときに、上方パッドの周縁領域つ
まり張り出している端部領域の内方であってただし上記
力を保持している領域の外方が上方パッドの表面上にお
いて上方に変形するようにする。
【００６１】こうした上方への変形によって、上方パッ
ドと一体かつその平面とは異なる、そしてパッドの平面
上に十分に延びた環状の（リング状の）リップ状領域あ
るいは丘状領域（ヒルロック）を形成することにより、
パッドの表面にスラリー用の小さなプールを形成する。
かくして、パッド上のスラリーの滞留時間を増加させる
ことができ、スラリーの使用量を減少することが可能で
ある。
ドと一体かつその平面とは異なる、そしてパッドの平面
上に十分に延びた環状の（リング状の）リップ状領域あ
るいは丘状領域（ヒルロック）を形成することにより、
パッドの表面にスラリー用の小さなプールを形成する。
かくして、パッド上のスラリーの滞留時間を増加させる
ことができ、スラリーの使用量を減少することが可能で
ある。
【００６２】本発明はまた、化学機械的に半導体ウェハ
を研磨するために、単一のパッドをプラテン状に取り付
ける場合にも有用である。単一のパッドのみを用いて
も、上述のような理由により、このパッドをプラテンの
端部をこえて拡張させるとともに下方に曲げることがで
き、かつまたパッドの表面上に延びる環状のヒルロック
を形成することができる。
を研磨するために、単一のパッドをプラテン状に取り付
ける場合にも有用である。単一のパッドのみを用いて
も、上述のような理由により、このパッドをプラテンの
端部をこえて拡張させるとともに下方に曲げることがで
き、かつまたパッドの表面上に延びる環状のヒルロック
を形成することができる。
【００６３】しかしながら、上述のように、相対的には
非多孔質のプラテンからパッドが剥離することは、パッ
ド間の層剥離に比較して大した問題ではない。
非多孔質のプラテンからパッドが剥離することは、パッ
ド間の層剥離に比較して大した問題ではない。
【００６４】本発明の目的、特徴、および効果は、以下
の説明によってこれをより明確にする。
の説明によってこれをより明確にする。
【００６５】
【作用】本発明の特徴によれば、上方パッドの拡張した
端部領域は、たとえば手により、好ましくはパッド間の
接合部のレベルをこえて、これを追加的に下方に折り曲
げ、下方パッドから張り出すようにし、上方パッドの表
面上を流れ洗って行くスラリーが、拡張して張り出して
いる端部領域を、重力に逆らってまわりこみ、パッド間
の接合部に移動することをより困難とする。
端部領域は、たとえば手により、好ましくはパッド間の
接合部のレベルをこえて、これを追加的に下方に折り曲
げ、下方パッドから張り出すようにし、上方パッドの表
面上を流れ洗って行くスラリーが、拡張して張り出して
いる端部領域を、重力に逆らってまわりこみ、パッド間
の接合部に移動することをより困難とする。
【００６６】本発明の特徴によれば、上方パッドの拡張
している端部領域を下方に曲げる工程において、たとえ
ば手により、プラテンつまり下方パッドの端部の部分で
かつその内方に向かって、上方パッドに軽く圧力をかけ
てこれを保持する。このように上方パッドを上から保持
することにより、上方パッドにかけられた折り曲げモー
メントにより下方パッドとの間で、機械的に（スラリー
の作用による化学的に対して機械的に）層剥離を起こし
始めないようにする。この層剥離が生じてしまうと、パ
ッド間の接合部に空隙が形成され、この空隙が接合部へ
のスラリーの侵入を促進する傾向にあるものである。
している端部領域を下方に曲げる工程において、たとえ
ば手により、プラテンつまり下方パッドの端部の部分で
かつその内方に向かって、上方パッドに軽く圧力をかけ
てこれを保持する。このように上方パッドを上から保持
することにより、上方パッドにかけられた折り曲げモー
メントにより下方パッドとの間で、機械的に（スラリー
の作用による化学的に対して機械的に）層剥離を起こし
始めないようにする。この層剥離が生じてしまうと、パ
ッド間の接合部に空隙が形成され、この空隙が接合部へ
のスラリーの侵入を促進する傾向にあるものである。
【００６７】
【実施例】図１は、従来の化学機械的研磨装置のプラテ
ンへの研磨用パッドの取付け構造１００を示すもので、
すでに説明済みである。図２は、従来の化学機械的研磨
装置のプラテンへの研磨用パッドの取付け構造２００を
示すもので、すでに説明済みである。図３および図４
は、従来の化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用パ
ッドの取付け構造３００を示すもので、すでに説明済み
である。図５および図６は、従来の化学機械的研磨装置
のプラテンへの研磨用パッドの取付け構造４００を示す
もので、すでに説明済みである。
ンへの研磨用パッドの取付け構造１００を示すもので、
すでに説明済みである。図２は、従来の化学機械的研磨
装置のプラテンへの研磨用パッドの取付け構造２００を
示すもので、すでに説明済みである。図３および図４
は、従来の化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用パ
ッドの取付け構造３００を示すもので、すでに説明済み
である。図５および図６は、従来の化学機械的研磨装置
のプラテンへの研磨用パッドの取付け構造４００を示す
もので、すでに説明済みである。
【００６８】二枚の研磨用パッドの積層物を用いてシリ
コンウェハを化学機械的に研磨する際の大きな問題は、
パッドによる積層物における二枚のパッド間の接合部に
研磨用スラリーが侵入することによる突然のパッドの層
剥離である。
コンウェハを化学機械的に研磨する際の大きな問題は、
パッドによる積層物における二枚のパッド間の接合部に
研磨用スラリーが侵入することによる突然のパッドの層
剥離である。
【００６９】既述のように、化学機械的研磨における望
ましい目的は、ダムなどを設けることにより、スラリー
がパッドの表面を流れて回収不可能に失われる前に、一
枚あるいは二枚のパッドにいずれを用いるかに関係な
く、研磨用パッドの表面上にスラリーが滞留する時間を
増加することである。
ましい目的は、ダムなどを設けることにより、スラリー
がパッドの表面を流れて回収不可能に失われる前に、一
枚あるいは二枚のパッドにいずれを用いるかに関係な
く、研磨用パッドの表面上にスラリーが滞留する時間を
増加することである。
【００７０】図７ないし図９は、本発明による化学機械
的研磨装置のプラテンへの研磨用パッドの取付け構造５
００を示す。
的研磨装置のプラテンへの研磨用パッドの取付け構造５
００を示す。
【００７１】図７に示すように、その裏面に自己接着性
の接着剤の薄い層５０４を有する第１の研磨用パッド５
０２を回転するプラテン５０６の表面に接着する。第１
の研磨用パッド５０２の直径「Ｄ」は一般的には３３イ
ンチであって、プラテン５０６の一般的な直径「ｄ」３
０インチより大きい。第１の研磨用パッド５０２の厚さ
「ｔ」は０．０５インチのオーダーである。
の接着剤の薄い層５０４を有する第１の研磨用パッド５
０２を回転するプラテン５０６の表面に接着する。第１
の研磨用パッド５０２の直径「Ｄ」は一般的には３３イ
ンチであって、プラテン５０６の一般的な直径「ｄ」３
０インチより大きい。第１の研磨用パッド５０２の厚さ
「ｔ」は０．０５インチのオーダーである。
【００７２】プラテン５０６は、たとえば手によりこれ
を回転して、第１の研磨用パッド５０２をかみそり刃５
０８（あるいは万能ナイフなど）によってトリムし、点
線５１０により示すように、その外方端部がプラテン５
０６の外方端部と一致するようにする。
を回転して、第１の研磨用パッド５０２をかみそり刃５
０８（あるいは万能ナイフなど）によってトリムし、点
線５１０により示すように、その外方端部がプラテン５
０６の外方端部と一致するようにする。
【００７３】図８は、第１の研磨用パッド５０２がプラ
テン５０６のサイズにトリムされた状態を示す。第１の
研磨用パッド５０２を、プラテンよりたとえば何分の１
インチかわずかに小さくトリムすることができるが、い
ずれにしてもプラテンのサイズに合わせてトリムするこ
とが望ましい。
テン５０６のサイズにトリムされた状態を示す。第１の
研磨用パッド５０２を、プラテンよりたとえば何分の１
インチかわずかに小さくトリムすることができるが、い
ずれにしてもプラテンのサイズに合わせてトリムするこ
とが望ましい。
【００７４】第１の研磨用パッド５０２は、研磨用パッ
ドによる二層の積層物の下層を形成することになる。
ドによる二層の積層物の下層を形成することになる。
【００７５】その裏面に自己接着性の接着剤による薄い
層５１４を有する第２の研磨用パッド５１２を第１の研
磨用パッド５０２（第１のパッド）の表面に接着する。
第２の研磨用パッド５１２の直径「Ｄ」は一般的には３
３インチであって、プラテン５０６および第１の研磨用
パッド５０２の一般的な直径「ｄ」３０インチより大き
い。
層５１４を有する第２の研磨用パッド５１２を第１の研
磨用パッド５０２（第１のパッド）の表面に接着する。
第２の研磨用パッド５１２の直径「Ｄ」は一般的には３
３インチであって、プラテン５０６および第１の研磨用
パッド５０２の一般的な直径「ｄ」３０インチより大き
い。
【００７６】第２の研磨用パッド５１２は、研磨用パッ
ドによる二層の積層物の上層を形成することになる。
ドによる二層の積層物の上層を形成することになる。
【００７７】上方パッド５１２は、プラテン５０６およ
び第１の研磨用パッド５０２に対して大きなサイズのま
まにしておくことにより、第２の研磨用パッド５１２の
端部領域５１６がプラテン５０６の端部およびトリムさ
れた下方パッド５０２の端部をこえて拡張するようにす
る。
び第１の研磨用パッド５０２に対して大きなサイズのま
まにしておくことにより、第２の研磨用パッド５１２の
端部領域５１６がプラテン５０６の端部およびトリムさ
れた下方パッド５０２の端部をこえて拡張するようにす
る。
【００７８】ある場合には、第２の研磨用パッド５１２
を単純にトリムせずにそのままにしておく。しかしなが
ら、第２の研磨用パッド５１２をプラテン５０６に対し
てわずかに中心からはずしたような場合には、プラテン
５０６の端部をこえて拡張するような端部領域５１６を
まだ残しつつ、プラテン５０６と同心となるようにトリ
ムする（図示せず）。
を単純にトリムせずにそのままにしておく。しかしなが
ら、第２の研磨用パッド５１２をプラテン５０６に対し
てわずかに中心からはずしたような場合には、プラテン
５０６の端部をこえて拡張するような端部領域５１６を
まだ残しつつ、プラテン５０６と同心となるようにトリ
ムする（図示せず）。
【００７９】第２の研磨用パッド５１２の端部領域５１
６の適正な大きさとしては、少なくとも、約０．０７５
インチあるいは第１の研磨用パッド５０２の厚さを
「ｔ」とすれば２πｔ／４である。
６の適正な大きさとしては、少なくとも、約０．０７５
インチあるいは第１の研磨用パッド５０２の厚さを
「ｔ」とすれば２πｔ／４である。
【００８０】最終的に、既述のように、ウェハ（図示せ
ず）を第２の研磨用パッド５１２の中心部分の表面に軽
く押し付け、プラテン５０６を回転し、研磨されるべき
ウェハ上の不規則な分布形状を、第２の研磨用パッド５
１２の表面上の研磨用スラリー５２０の化学機械的な作
用により研磨する。
ず）を第２の研磨用パッド５１２の中心部分の表面に軽
く押し付け、プラテン５０６を回転し、研磨されるべき
ウェハ上の不規則な分布形状を、第２の研磨用パッド５
１２の表面上の研磨用スラリー５２０の化学機械的な作
用により研磨する。
【００８１】図９に示すように、研磨用スラリー５２０
が第２の研磨用パッド５１２の端部をこえて洗い流れて
行く間に、明らかに、第１の研磨用パッド５０２の端部
をこえて拡張している第２の研磨用パッド５１２の端部
領域５１６により、端部における突然の欠陥モードが軽
減される。
が第２の研磨用パッド５１２の端部をこえて洗い流れて
行く間に、明らかに、第１の研磨用パッド５０２の端部
をこえて拡張している第２の研磨用パッド５１２の端部
領域５１６により、端部における突然の欠陥モードが軽
減される。
【００８２】しかしながら、第２の研磨用パッド５１２
の表面上を流れて行く研磨用スラリーの少量が端部領域
５１６の下方を伝わって、二枚のパッド間の接合部に移
動し、この間の接着剤結合部を侵食する。それにもかか
わらず、たとえば図１、図２、図３、図４、図５、図６
におけるような公知技術に対する改良は重要である。
の表面上を流れて行く研磨用スラリーの少量が端部領域
５１６の下方を伝わって、二枚のパッド間の接合部に移
動し、この間の接着剤結合部を侵食する。それにもかか
わらず、たとえば図１、図２、図３、図４、図５、図６
におけるような公知技術に対する改良は重要である。
【００８３】上述のように、スラリーの浸透作用、ある
いは第２の研磨用パッド５１２を直接通してのスラリー
の移動はまだ生ずるが、従来技術に比較して許容可能な
率であって、まだ突然の層剥離の度合いは少ない。
いは第２の研磨用パッド５１２を直接通してのスラリー
の移動はまだ生ずるが、従来技術に比較して許容可能な
率であって、まだ突然の層剥離の度合いは少ない。
【００８４】一般的なパッドの材料としては、（１）第
１の研磨用パッド５０２については、泡状のポリウレタ
ン、および（２）第２の研磨用パッド５１２について
は、ポリウレタン樹脂により硬化したポリエステルのフ
ェルト、である。パッド用の自己接着性の接着剤による
薄い層５０４および５１４は、一般的にはポリウレタン
をベースとしている。
１の研磨用パッド５０２については、泡状のポリウレタ
ン、および（２）第２の研磨用パッド５１２について
は、ポリウレタン樹脂により硬化したポリエステルのフ
ェルト、である。パッド用の自己接着性の接着剤による
薄い層５０４および５１４は、一般的にはポリウレタン
をベースとしている。
【００８５】一般的には、第２の研磨用パッド５１２
は、第１の研磨用パッド５０２より硬いことが望まし
い。第１の研磨用パッド５０２もまたこれをポリウレタ
ン樹脂に浸責する場合には、第２の研磨用パッド５１２
を第１の研磨用パッド５０２より多いポリウレタン樹脂
を用いて浸責することにより単純に上記硬さの相違を達
成可能である。
は、第１の研磨用パッド５０２より硬いことが望まし
い。第１の研磨用パッド５０２もまたこれをポリウレタ
ン樹脂に浸責する場合には、第２の研磨用パッド５１２
を第１の研磨用パッド５０２より多いポリウレタン樹脂
を用いて浸責することにより単純に上記硬さの相違を達
成可能である。
【００８６】第２の研磨用パッド５１２の表面の平面性
を維持しつつ、第２の研磨用パッド５１２の端部領域５
１６が第１の研磨用パッド５０２の端部をこえて拡張す
るようにすることは容易に達成可能である。
を維持しつつ、第２の研磨用パッド５１２の端部領域５
１６が第１の研磨用パッド５０２の端部をこえて拡張す
るようにすることは容易に達成可能である。
【００８７】ただし、プラテン５０６および第１の研磨
用パッド５０２により支持されていない端部領域５１６
の部分においてウェハを研磨することは無謀である。い
ずれにしても、既述のように、プラテン５０６の半径の
約３分の２に相当する中心部上において研磨を行うもの
とする。
用パッド５０２により支持されていない端部領域５１６
の部分においてウェハを研磨することは無謀である。い
ずれにしても、既述のように、プラテン５０６の半径の
約３分の２に相当する中心部上において研磨を行うもの
とする。
【００８８】図１０は、本発明による化学機械的研磨装
置のプラテンへの研磨用パッドの他の取付け構造６００
を示す。
置のプラテンへの研磨用パッドの他の取付け構造６００
を示す。
【００８９】図７ないし図９に示した手法の結果とし
て、第１の研磨用パッド５０２の端部をこえて拡張して
いる第２の研磨用パッド５１２の端部領域５１６を第１
の研磨用パッド５０２から張り出すように下方に曲げて
ある。
て、第１の研磨用パッド５０２の端部をこえて拡張して
いる第２の研磨用パッド５１２の端部領域５１６を第１
の研磨用パッド５０２から張り出すように下方に曲げて
ある。
【００９０】第２の研磨用パッド５１２の端部領域５１
６に下方への曲げ力「Ｆ」を加えることにより、この下
方への曲げを実現することができる。この曲げ力「Ｆ」
はプラテン５０６を回転している間に手によって容易に
加えることができる。
６に下方への曲げ力「Ｆ」を加えることにより、この下
方への曲げを実現することができる。この曲げ力「Ｆ」
はプラテン５０６を回転している間に手によって容易に
加えることができる。
【００９１】明らかに、折り曲げのモーメントは曲げ力
「Ｆ」を加えるときに発生し、この曲げ力により端部領
域５１６がプラテン５０６の端部のちょうど内方の領域
において上方に曲がることとなる。
「Ｆ」を加えるときに発生し、この曲げ力により端部領
域５１６がプラテン５０６の端部のちょうど内方の領域
において上方に曲がることとなる。
【００９２】したがって、第２の研磨用パッド５１２の
表面に対して、プラテン５０６の端部の内方におけるこ
の臨界的な領域において保持力「Ｈ」を下方に加えるこ
とにより、第２の研磨用パッド５１２の平面性を保証す
る。
表面に対して、プラテン５０６の端部の内方におけるこ
の臨界的な領域において保持力「Ｈ」を下方に加えるこ
とにより、第２の研磨用パッド５１２の平面性を保証す
る。
【００９３】また、第２の研磨用パッド５１２の拡張し
ている端部領域５１６を容易に下方に変形させることが
可能であり、スラリーが第２の研磨用パッド５１２の下
方においてその端部を回って移動し、パッド間の接合部
の中に侵入してパッドの早期の層剥離を起こす傾向をさ
らに低減する。
ている端部領域５１６を容易に下方に変形させることが
可能であり、スラリーが第２の研磨用パッド５１２の下
方においてその端部を回って移動し、パッド間の接合部
の中に侵入してパッドの早期の層剥離を起こす傾向をさ
らに低減する。
【００９４】望ましくは、第２の研磨用パッド５１２の
端部領域５１６を第１の研磨用パッド５０２から完全に
張り出すように十分に変形するものとし、換言すれば、
その端部が最終的に第１の研磨用パッド５０２の底部よ
り下方に位置するようにする。
端部領域５１６を第１の研磨用パッド５０２から完全に
張り出すように十分に変形するものとし、換言すれば、
その端部が最終的に第１の研磨用パッド５０２の底部よ
り下方に位置するようにする。
【００９５】第２の研磨用パッド５１２の端部領域５１
６が、第１の研磨用パッド５０２の厚さ「ｔ」と同一の
一定の半径「ｒ」で曲げられた場合、この端部領域５１
６は第１の研磨用パッド５０２の端部をこえて少なくと
も２πｔ／４だけ拡張していることが要請される。
６が、第１の研磨用パッド５０２の厚さ「ｔ」と同一の
一定の半径「ｒ」で曲げられた場合、この端部領域５１
６は第１の研磨用パッド５０２の端部をこえて少なくと
も２πｔ／４だけ拡張していることが要請される。
【００９６】図７ないし図９の研磨用パッドの取付け構
造５００において、第２の研磨用パッド５１２が単純に
トリムされず、あるいはわずかにトリムされて、第１の
研磨用パッド５０２の端部をこえて拡張する端部領域を
有するようにすることによりスラリーがパッド間の接合
部に侵入する傾向を低減するようにした。一方この例で
は、第２の研磨用パッド５１２の端部領域５１６をパッ
ド間の接合部より好ましくは完全に下方に位置するよう
に注意深く変形してある。
造５００において、第２の研磨用パッド５１２が単純に
トリムされず、あるいはわずかにトリムされて、第１の
研磨用パッド５０２の端部をこえて拡張する端部領域を
有するようにすることによりスラリーがパッド間の接合
部に侵入する傾向を低減するようにした。一方この例で
は、第２の研磨用パッド５１２の端部領域５１６をパッ
ド間の接合部より好ましくは完全に下方に位置するよう
に注意深く変形してある。
【００９７】研磨用スラリーが第２の研磨用パッド５１
２の端部を洗い流して行く一方で、明らかなように、か
さのように下方に曲げられた端部領域５１６が、スラリ
ーがパッド間の接合部に侵入しないように事実上保証す
る。
２の端部を洗い流して行く一方で、明らかなように、か
さのように下方に曲げられた端部領域５１６が、スラリ
ーがパッド間の接合部に侵入しないように事実上保証す
る。
【００９８】繰り返すが、スラリーの浸透作用はまだ起
こるが、このスラリーがパッド間の接合部を直接侵食す
ることと比較すると、より問題は低減されている。
こるが、このスラリーがパッド間の接合部を直接侵食す
ることと比較すると、より問題は低減されている。
【００９９】上述のように、第２の研磨用パッド５１２
の表面の平面性を維持しつつ、張り出している端部領域
５１６を容易に形成可能である。
の表面の平面性を維持しつつ、張り出している端部領域
５１６を容易に形成可能である。
【０１００】図１１は、本発明による化学機械的研磨装
置のプラテンへの研磨用パッドのさらに他の取付け構造
７００を示す。
置のプラテンへの研磨用パッドのさらに他の取付け構造
７００を示す。
【０１０１】図１０に示したと同様の方法で、第１の研
磨用パッド５０２の端部をこえて拡張している第２の研
磨用パッド５１２の端部領域５１６を第１の研磨用パッ
ド５０２から張り出すように下方に曲げる。
磨用パッド５０２の端部をこえて拡張している第２の研
磨用パッド５１２の端部領域５１６を第１の研磨用パッ
ド５０２から張り出すように下方に曲げる。
【０１０２】同様に、第２の研磨用パッド５１２の端部
領域５１６に曲げ力「Ｆ」を下方にかけることによっ
て、この下方への曲げを実現することができる。この曲
げ力「Ｆ」はプラテン５０６を回転している間に手によ
って容易に加えることができる。
領域５１６に曲げ力「Ｆ」を下方にかけることによっ
て、この下方への曲げを実現することができる。この曲
げ力「Ｆ」はプラテン５０６を回転している間に手によ
って容易に加えることができる。
【０１０３】明らかに、折り曲げのモーメントは曲げ力
「Ｆ」を加えるときに発生し、この曲げ力により端部領
域５１６がプラテン５０６の端部のちょうど内方の領域
において上方に曲がることとなる。
「Ｆ」を加えるときに発生し、この曲げ力により端部領
域５１６がプラテン５０６の端部のちょうど内方の領域
において上方に曲がることとなる。
【０１０４】図１０における研磨用パッドの取付け構造
６００では、保持力「Ｈ」を第２の研磨用パッド５１２
の表面に下方に加えることにより、端部領域５１６のこ
うした上方への曲げを防止している。
６００では、保持力「Ｈ」を第２の研磨用パッド５１２
の表面に下方に加えることにより、端部領域５１６のこ
うした上方への曲げを防止している。
【０１０５】しかしながら、図１１における研磨用パッ
ドの取付け構造７００では、第２の研磨用パッド５１２
の外方領域５１８を積極的に上方に曲げるようにする。
ドの取付け構造７００では、第２の研磨用パッド５１２
の外方領域５１８を積極的に上方に曲げるようにする。
【０１０６】この外方領域５１８は、図１０では保持力
Ｈが加えられる領域であるが、端部領域５１６のちょう
ど内方から、あるいは第１の研磨用パッド５０２の端部
から、プラテン５０６の中心に向かった方向に位置して
いるもので、１／２あるいは３／４インチのオーダーだ
け内方に向かった位置にあるものである。
Ｈが加えられる領域であるが、端部領域５１６のちょう
ど内方から、あるいは第１の研磨用パッド５０２の端部
から、プラテン５０６の中心に向かった方向に位置して
いるもので、１／２あるいは３／４インチのオーダーだ
け内方に向かった位置にあるものである。
【０１０７】すなわち、好ましくは保持力「Ｈ’」を、
この上方に曲がる外方領域５１８のちょうど内方の第２
の研磨用パッド５１２の表面に加える。
この上方に曲がる外方領域５１８のちょうど内方の第２
の研磨用パッド５１２の表面に加える。
【０１０８】非常に誇張はしているが、図１１に示すよ
うに、最端部の端部領域５１６を下方に曲げて外方領域
５１８を上方に曲げることにより、外方領域５１８内の
第２の研磨用パッド５１２の位置に、環状のリップ状領
域あるいは丘状領域（ヒルロック）５２０を形成してい
る。
うに、最端部の端部領域５１６を下方に曲げて外方領域
５１８を上方に曲げることにより、外方領域５１８内の
第２の研磨用パッド５１２の位置に、環状のリップ状領
域あるいは丘状領域（ヒルロック）５２０を形成してい
る。
【０１０９】図１１に示しているように、環状のリップ
状領域５２０は、ドットの数列によって示したスラリー
用のプール５２２を形成し、このプール５２２が第２の
研磨用パッド５１２の表面上にスラリーがより長い時間
だけ滞留することを可能とする。
状領域５２０は、ドットの数列によって示したスラリー
用のプール５２２を形成し、このプール５２２が第２の
研磨用パッド５１２の表面上にスラリーがより長い時間
だけ滞留することを可能とする。
【０１１０】明らかに、環状のリップ状領域５２０は、
第２の研磨用パッド５１２の表面における非平面形状で
ある。しかしながら、パッドがこのリップ状領域５２０
より内方の中心領域で平面である限り、この中心領域に
おいて研磨は実行可能である。
第２の研磨用パッド５１２の表面における非平面形状で
ある。しかしながら、パッドがこのリップ状領域５２０
より内方の中心領域で平面である限り、この中心領域に
おいて研磨は実行可能である。
【０１１１】図１１に示すように、リップ状領域（丘状
領域）５２０の直下部のパッド間の接合部にボイド空間
５２４を形成する。しかしながら、第２の研磨用パッド
５１２の拡張している張り出す端部領域５１６によって
スラリーが積極的にそらされているので、このボイド空
間５２４の形成はそれほど重要ではない。
領域）５２０の直下部のパッド間の接合部にボイド空間
５２４を形成する。しかしながら、第２の研磨用パッド
５１２の拡張している張り出す端部領域５１６によって
スラリーが積極的にそらされているので、このボイド空
間５２４の形成はそれほど重要ではない。
【０１１２】ただし、こうしたボイド空間５２４が必要
であれば、第２の研磨用パッド５１２を組み付け曲げる
前に、薄いビーズなどシリコン製のコーキング（充填
材）（ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｕｌｋ）をこの領域におい
て第１の研磨用パッド５０２の外方領域５１８に詰める
ことにより、ボイド空間５２４を容易に補修可能であ
る。
であれば、第２の研磨用パッド５１２を組み付け曲げる
前に、薄いビーズなどシリコン製のコーキング（充填
材）（ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｕｌｋ）をこの領域におい
て第１の研磨用パッド５０２の外方領域５１８に詰める
ことにより、ボイド空間５２４を容易に補修可能であ
る。
【０１１３】上述の実施例のうちのいずれを実施するに
あたっても、プラテン５０６を回転し、第２の研磨用パ
ッド（上方パッド）５１２の表面にスラリーを計量した
量だけ流す。
あたっても、プラテン５０６を回転し、第２の研磨用パ
ッド（上方パッド）５１２の表面にスラリーを計量した
量だけ流す。
【０１１４】図７ないし図９における実施例では、第２
の研磨用パッド５１２の拡張している張り出した端部領
域によって、スラリーが第２の研磨用パッド５１２の表
面をこえて洗い流れ、パッド間の接合部を侵食する機会
を減少させる。
の研磨用パッド５１２の拡張している張り出した端部領
域によって、スラリーが第２の研磨用パッド５１２の表
面をこえて洗い流れ、パッド間の接合部を侵食する機会
を減少させる。
【０１１５】図１０の実施例では、第２の研磨用パッド
５１２の拡張している張り出した端部領域によって、ス
ラリーが第２の研磨用パッド５１２の表面をこえて洗い
流れ、パッド間の接合部を侵食する機会をさらに、減少
させる。
５１２の拡張している張り出した端部領域によって、ス
ラリーが第２の研磨用パッド５１２の表面をこえて洗い
流れ、パッド間の接合部を侵食する機会をさらに、減少
させる。
【０１１６】図７ないし図９、および図１０の実施例に
ついては、研磨用パッドの突然の層剥離が、スラリーの
浸透作用による欠陥モードのために通常必要とされる時
間（すなわち、約３０日）を適合させあるいはこれをこ
えるオーダーで、かなり遅らせることが示された。
ついては、研磨用パッドの突然の層剥離が、スラリーの
浸透作用による欠陥モードのために通常必要とされる時
間（すなわち、約３０日）を適合させあるいはこれをこ
えるオーダーで、かなり遅らせることが示された。
【０１１７】図１１の実施例では、その表面のまわりに
環状のリップ状領域を形成した第２の研磨用パッド５１
２の拡張している張り出し端部領域が、第２の研磨用パ
ッド５１２の表面上のスラリーの滞留時間を増加させる
とともに、スラリーのより有効な活用を可能とする。
環状のリップ状領域を形成した第２の研磨用パッド５１
２の拡張している張り出し端部領域が、第２の研磨用パ
ッド５１２の表面上のスラリーの滞留時間を増加させる
とともに、スラリーのより有効な活用を可能とする。
【０１１８】本発明の手法を用いれば、スラリーの供給
率を目立って減少させることができる。研磨用スラリー
のコストが比較的高いことにかんがみると、（１）より
少ないスラリーを使用する、あるいは（２）より高価な
スラリーを実質的なコストの上昇なしに使用可能であ
る、ということが容易に判明する。
率を目立って減少させることができる。研磨用スラリー
のコストが比較的高いことにかんがみると、（１）より
少ないスラリーを使用する、あるいは（２）より高価な
スラリーを実質的なコストの上昇なしに使用可能であ
る、ということが容易に判明する。
【０１１９】なお、プラテンからの下方パッド（たとえ
ば第１の研磨用パッド５０２）の突然の層剥離につい
て、なぜ、いままで考慮されなかったのかの疑問があ
る。簡単に言えば、プラテンが平坦で、滑らかで、非多
孔質表面である限り、二枚のしなやかなパッドの間より
も下方パッドとプラテンとの間に、より「密着した」結
合が形成されるからである。
ば第１の研磨用パッド５０２）の突然の層剥離につい
て、なぜ、いままで考慮されなかったのかの疑問があ
る。簡単に言えば、プラテンが平坦で、滑らかで、非多
孔質表面である限り、二枚のしなやかなパッドの間より
も下方パッドとプラテンとの間に、より「密着した」結
合が形成されるからである。
【０１２０】単一のパッドのみによる化学機械的研磨の
場合には、単一のパッドをプラテンの端部をこえて拡張
するような大きさおよび形状とすることにより、パッド
をプラテンに保持している接着剤からパッドの表面をこ
えてスラリーが洗い流れるようにスラリーを誘導する、
ということが予想される。
場合には、単一のパッドをプラテンの端部をこえて拡張
するような大きさおよび形状とすることにより、パッド
をプラテンに保持している接着剤からパッドの表面をこ
えてスラリーが洗い流れるようにスラリーを誘導する、
ということが予想される。
【０１２１】さらに、既述のように、サイズをより大き
くした上方パッドの端部をプラテンの端部をこえて下方
に曲げるときに形成される環状の丘状領域がスラリーの
有効な「溜め部」をパッドの表面に形成可能である。
くした上方パッドの端部をプラテンの端部をこえて下方
に曲げるときに形成される環状の丘状領域がスラリーの
有効な「溜め部」をパッドの表面に形成可能である。
【０１２２】なお既述のように、本発明を応用するにあ
たっては、二枚の研磨用パッドを用いることが望まし
い。
たっては、二枚の研磨用パッドを用いることが望まし
い。
【０１２３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、研磨用パ
ッドの端部領域が少なくともプラテンの端部をこえて拡
張するように形成することにより、研磨用スラリーがパ
ッド間の接合部からそれるようしたので、このスラリー
がパッドの接着剤層を侵食する可能性を低減し、研磨用
パッドの層剥離の問題を解消して、安定した性能の研磨
装置とすることができる。
ッドの端部領域が少なくともプラテンの端部をこえて拡
張するように形成することにより、研磨用スラリーがパ
ッド間の接合部からそれるようしたので、このスラリー
がパッドの接着剤層を侵食する可能性を低減し、研磨用
パッドの層剥離の問題を解消して、安定した性能の研磨
装置とすることができる。
【図１】従来の化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨
用パッドの取付け構造１００の分解した断面図である。
用パッドの取付け構造１００の分解した断面図である。
【図２】同、パッドおよびプラテンのまわりにリング
（ダム）を用いた化学機械的研磨装置のプラテンへの研
磨用パッドの取付け構造２００の断面図である。
（ダム）を用いた化学機械的研磨装置のプラテンへの研
磨用パッドの取付け構造２００の断面図である。
【図３】同、化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用
パッドの取付け構造３００の平面図である。
パッドの取付け構造３００の平面図である。
【図４】同、図３の断面図である。
【図５】同、化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用
パッドの取付け構造４００の平面図である。
パッドの取付け構造４００の平面図である。
【図６】同、図５の断面図である。
【図７】本発明による化学機械的研磨装置のプラテンへ
の研磨用パッドの取付け構造５００の平面図である。
の研磨用パッドの取付け構造５００の平面図である。
【図８】同、図７の手法におけるつぎの工程の断面図で
ある。
ある。
【図９】同、図７の手法における図８のつぎの工程の断
面図である。
面図である。
【図１０】本発明による化学機械的研磨装置のプラテン
への研磨用パッドの他の取付け構造６００の平面図であ
る。
への研磨用パッドの他の取付け構造６００の平面図であ
る。
【図１１】本発明による化学機械的研磨装置のプラテン
への研磨用パッドのさらに他の取付け構造７００の平面
図である。
への研磨用パッドのさらに他の取付け構造７００の平面
図である。
１００ 化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用パッ
ドの取付け構造 １０２ ディスク型の下方パッド（ＰＡＤ Ａ） １０４ 感圧性接着剤層 １０６ プラテン（ＰＬＡＴＥＮ） １０８ ディスク型の上方パッド（ＰＡＤ Ｂ） １１０ 感圧性接着剤層 １１２ スラリー １１４ スラリー供給部 １１６ スラリー供給部材 １２０ シリコンウェハ １２２ 保持部材 １２４ 侵入状態 １２６ 直接侵入状態 １３０ 収容器 ２００ 滞留機構を有する化学機械的研磨装置のプラテ
ンへの研磨用パッドの取付け構造 ２０２ リング（ダム） ２０４ 上方パッド ２０６ 下方パッド ２０８ プラテン ２１０ スラリーのプール ２１２ 接着剤 ３００ 化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用パッ
ドの取付け構造 ３０２ 上方パッド ３０４ 下方パッド ３０６ プラテン ３０８ 突出領域 ３１０ 棚状の領域 ４００ 化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用パッ
ドの取付け構造 ４０２ 上方パッド ４０４ 下方パッド ４０６ プラテン ５００ 化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用パッ
ドの取付け構造 ５０２ 第１の研磨用パッド ５０４ 自己接着性の接着剤による薄い層 ５０６ プラテン ５０８ かみそり刃 ５１０ 第１の研磨用パッド５０２の切断位置を示す点
線 ５１２ 第２の研磨用パッド ５１４ 自己接着性の接着剤による薄い層 ５１６ 端部領域 ５１８ 外方領域 ５２０ 環状のリップ状領域（丘状領域） ５２２ スラリー用のプール ５２４ ボイド空間 ６００ 化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用パッ
ドの取付け構造 ７００ 化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用パッ
ドの取付け構造 Ｆ 曲げ力 Ｈ、Ｈ’ 保持力
ドの取付け構造 １０２ ディスク型の下方パッド（ＰＡＤ Ａ） １０４ 感圧性接着剤層 １０６ プラテン（ＰＬＡＴＥＮ） １０８ ディスク型の上方パッド（ＰＡＤ Ｂ） １１０ 感圧性接着剤層 １１２ スラリー １１４ スラリー供給部 １１６ スラリー供給部材 １２０ シリコンウェハ １２２ 保持部材 １２４ 侵入状態 １２６ 直接侵入状態 １３０ 収容器 ２００ 滞留機構を有する化学機械的研磨装置のプラテ
ンへの研磨用パッドの取付け構造 ２０２ リング（ダム） ２０４ 上方パッド ２０６ 下方パッド ２０８ プラテン ２１０ スラリーのプール ２１２ 接着剤 ３００ 化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用パッ
ドの取付け構造 ３０２ 上方パッド ３０４ 下方パッド ３０６ プラテン ３０８ 突出領域 ３１０ 棚状の領域 ４００ 化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用パッ
ドの取付け構造 ４０２ 上方パッド ４０４ 下方パッド ４０６ プラテン ５００ 化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用パッ
ドの取付け構造 ５０２ 第１の研磨用パッド ５０４ 自己接着性の接着剤による薄い層 ５０６ プラテン ５０８ かみそり刃 ５１０ 第１の研磨用パッド５０２の切断位置を示す点
線 ５１２ 第２の研磨用パッド ５１４ 自己接着性の接着剤による薄い層 ５１６ 端部領域 ５１８ 外方領域 ５２０ 環状のリップ状領域（丘状領域） ５２２ スラリー用のプール ５２４ ボイド空間 ６００ 化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用パッ
ドの取付け構造 ７００ 化学機械的研磨装置のプラテンへの研磨用パッ
ドの取付け構造 Ｆ 曲げ力 Ｈ、Ｈ’ 保持力
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス ジー マロン アメリカ合衆国、カリフォルニア州 95051−4510、サンタ クララ、ウッド ダック アベニュー 963 (72)発明者 マーク エイ フランクリン アメリカ合衆国、カリフォルニア州 95066、スコッツ バレー、＃307、ビーン クリーク ロード 311
Claims (15)
- 【請求項１】 半導体ウェハを化学機械的に研磨する装
置の研磨用パッドを該装置のプラテンに取り付ける方法
であって、 化学機械的研磨装置に取り付けるとともに外方端部およ
び直径「ｄ」を有するプラテンに第１の研磨用パッドを
取り付け、 この第１の研磨用パッドをトリムすることにより、前記
プラテンの外方端部と事実上一致させ、 前記プラテンの直径「ｄ」より大きな直径「Ｄ」を有す
るとともに前記ウェハを研磨するための表面を有する第
２の研磨用パッドを前記第１の研磨用パッドに取り付け
ることにより、この第２の研磨用パッドの端部領域が、
前記第１の研磨用パッドの全周にわたって該第１の研磨
用パッドの周縁部をこえて拡張するようにしたことを特
徴とする半導体ウェハの研磨用パッドの取付け方法。 - 【請求項２】 前記第１の研磨用パッドが、前記トリム
を行う前に、前記プラテンの直径「ｄ」より大きな直径
「Ｄ」を有するとともに、 この第１の研磨用パッドをトリムすることにより、この
第１の研磨用パッドが前記プラテンの端部と一致するよ
うにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハ
の研磨用パッドの取付け方法。 - 【請求項３】 前記第２の研磨用パッドの拡張している
端部領域を、前記第１の研磨用パッドの方向に向かって
下方に曲げることを特徴とする請求項１記載の半導体ウ
ェハの研磨用パッドの取付け方法。 - 【請求項４】 前記第２の研磨用パッドの拡張している
端部領域を、下方に曲げている間に、この第２の研磨用
パッドの表面に持続力を作用することを特徴とする請求
項３記載の半導体ウェハの研磨用パッドの取付け方法。 - 【請求項５】 前記第２の研磨用パッドの拡張している
端部領域を十分に下方に曲げることにより、この端部領
域が前記第１の研磨用パッドから完全に張り出すように
したことを特徴とする請求項３記載の半導体ウェハの研
磨用パッドの取付け方法。 - 【請求項６】 前記第１の研磨用パッドが厚さ「ｔ」を
有するとともに、 前記第２の研磨用パッドの拡張している端部領域が、前
記第１の研磨用パッドの端部をこえて、長さ２πｔ／４
だけ拡張していることを特徴とする請求項５記載の半導
体ウェハの研磨用パッドの取付け方法。 - 【請求項７】 前記第２の研磨用パッドの拡張している
端部領域を下方に曲げるとともに、この第２の研磨用パ
ッドと一体に環状のリップ状領域を形成するようにする
ことを特徴とする請求項３記載の半導体ウェハの研磨用
パッドの取付け方法。 - 【請求項８】 前記第２の研磨用パッドの拡張している
端部領域を下方に曲げている間に、この第２の研磨用パ
ッドの表面に持続力を加えることを特徴とする請求項７
記載の半導体ウェハの研磨用パッドの取付け方法。 - 【請求項９】 前記環状のリップ状領域の下にボイドを
形成するとともに、 このボイドにシリコン製のコーキングを充填することを
特徴とする請求項７記載の半導体ウェハの研磨用パッド
の取付け方法。 - 【請求項１０】 前記第１の研磨用パッドは、これを前
記プラテンよりわずかに大きくトリムすることを特徴と
する請求項１記載の半導体ウェハの研磨用パッドの取付
け方法。 - 【請求項１１】 前記第１の研磨用パッドは、これを前
記プラテンよりわずかに小さくトリムすることを特徴と
する請求項１記載の半導体ウェハの研磨用パッドの取付
け方法。 - 【請求項１２】 表面、端部、および直径「ｄ」を有す
るとともに、回転するプラテンと、 上方パッドおよび下方パッドからなる二枚の研磨用パッ
ドの積層物であって、それぞれのパッドは、表面および
裏面を有し、前記上方パッドの裏面を下方パッドの表面
に取り付けるとともに、前記下方パッドの裏面を前記プ
ラテンの表面に取り付け、前記上方パッドの表面をウェ
ハ研磨用に露出させ、さらに、前記上方パッドは下方パ
ッドの直径より大きな直径を有することにより、該上方
パッドの外方の端部領域が該下方パッドの外方端部をこ
えて拡張し、かつ該上方パッドの外方の端部領域を該下
方パッドの方向に向かって下方に曲げてある当該積層物
と、 を有する半導体ウェハの化学機械的研磨装置。 - 【請求項１３】 前記上方パッドの外方の端部領域が、
前記プラテンの端部をこえてこれと同心的に拡張してい
ることを特徴とする請求項１２記載の半導体ウェハの化
学機械的研磨装置。 - 【請求項１４】 前記下方パッドは、これを前記プラテ
ンのサイズに事実上合わせてトリムしたことを特徴とす
る請求項１２記載の半導体ウェハの化学機械的研磨装
置。 - 【請求項１５】 前記上方パッドの外方の端部領域の近
傍かつ内方に位置する環状部分を、前記下方パッドから
離れるように変形するように形成することにより、該上
方パッドの表面に研磨用スラリーの溜め部を形成したこ
とを特徴とする請求項１２記載の半導体ウェハの化学機
械的研磨装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/911,814 | 1992-07-10 | ||
| US07/911,814 US5310455A (en) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | Techniques for assembling polishing pads for chemi-mechanical polishing of silicon wafers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677189A true JPH0677189A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=25430897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5192735A Withdrawn JPH0677189A (ja) | 1992-07-10 | 1993-07-07 | 半導体ウェハの研磨用パッドの取付け方法および半導体ウェハの化学機械的研磨装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5310455A (ja) |
| JP (1) | JPH0677189A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5702291A (en) * | 1995-10-19 | 1997-12-30 | Nec Corporation | Wafer polishing method and wafer polishing apparatus |
| JP2005262424A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | ２枚一体型研磨パッド |
| KR100785604B1 (ko) * | 2006-12-11 | 2007-12-14 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 방수 수지코팅 처리한 폴리싱 패드 |
| JP2017013183A (ja) * | 2015-07-01 | 2017-01-19 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨装置 |
Families Citing this family (109)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5310455A (en) * | 1992-07-10 | 1994-05-10 | Lsi Logic Corporation | Techniques for assembling polishing pads for chemi-mechanical polishing of silicon wafers |
| JP2622069B2 (ja) * | 1993-06-30 | 1997-06-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 研磨布のドレッシング装置 |
| US5534106A (en) * | 1994-07-26 | 1996-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for processing semiconductor wafers |
| JP3264589B2 (ja) * | 1994-09-07 | 2002-03-11 | 東芝機械株式会社 | 研磨装置 |
| JP3418467B2 (ja) * | 1994-10-19 | 2003-06-23 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
| JPH08187656A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-23 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
| TW348279B (en) * | 1995-04-10 | 1998-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Substrate grinding method |
| US5945347A (en) | 1995-06-02 | 1999-08-31 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for polishing a semiconductor wafer in an overhanging position |
| JPH0985631A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-03-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 研磨体 |
| US5967030A (en) | 1995-11-17 | 1999-10-19 | Micron Technology, Inc. | Global planarization method and apparatus |
| US5658190A (en) * | 1995-12-15 | 1997-08-19 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for separating wafers from polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
| US5823854A (en) * | 1996-05-28 | 1998-10-20 | Industrial Technology Research Institute | Chemical-mechanical polish (CMP) pad conditioner |
| US6115233A (en) * | 1996-06-28 | 2000-09-05 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit device having a capacitor with the dielectric peripheral region being greater than the dielectric central region |
| JPH10217149A (ja) * | 1997-02-05 | 1998-08-18 | Ebara Corp | ターンテーブル用クロスの剥離治具 |
| US6149506A (en) * | 1998-10-07 | 2000-11-21 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen |
| US6048254A (en) * | 1997-03-06 | 2000-04-11 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and process with annular abrasive area |
| US6120352A (en) * | 1997-03-06 | 2000-09-19 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and lapping method using abrasive sheets |
| US5910041A (en) * | 1997-03-06 | 1999-06-08 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and process with raised edge on platen |
| US5967882A (en) * | 1997-03-06 | 1999-10-19 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and process with two opposed lapping platens |
| KR20010005993A (ko) * | 1997-04-04 | 2001-01-15 | 오브시디안 인코포레이티드 | 향상된 폴리싱을 위한 폴리싱 미디어 매거진 |
| US6316363B1 (en) | 1999-09-02 | 2001-11-13 | Micron Technology, Inc. | Deadhesion method and mechanism for wafer processing |
| US6331488B1 (en) | 1997-05-23 | 2001-12-18 | Micron Technology, Inc. | Planarization process for semiconductor substrates |
| US6108093A (en) * | 1997-06-04 | 2000-08-22 | Lsi Logic Corporation | Automated inspection system for residual metal after chemical-mechanical polishing |
| US5975994A (en) * | 1997-06-11 | 1999-11-02 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for selectively conditioning a polished pad used in planarizng substrates |
| US6069085A (en) | 1997-07-23 | 2000-05-30 | Lsi Logic Corporation | Slurry filling a recess formed during semiconductor fabrication |
| US5913713A (en) * | 1997-07-31 | 1999-06-22 | International Business Machines Corporation | CMP polishing pad backside modifications for advantageous polishing results |
| JP2001513452A (ja) * | 1997-08-06 | 2001-09-04 | ローデル ホールディングス インコーポレイテッド | 連続的に変化し得る平坦化及び研磨パッドシステム |
| US6093280A (en) * | 1997-08-18 | 2000-07-25 | Lsi Logic Corporation | Chemical-mechanical polishing pad conditioning systems |
| US5919082A (en) * | 1997-08-22 | 1999-07-06 | Micron Technology, Inc. | Fixed abrasive polishing pad |
| JP2842865B1 (ja) * | 1997-08-22 | 1999-01-06 | 九州日本電気株式会社 | 研磨装置 |
| US6168508B1 (en) | 1997-08-25 | 2001-01-02 | Lsi Logic Corporation | Polishing pad surface for improved process control |
| JPH1187286A (ja) | 1997-09-05 | 1999-03-30 | Lsi Logic Corp | 半導体ウエハの二段階式化学的機械的研磨方法及び装置 |
| US5863825A (en) * | 1997-09-29 | 1999-01-26 | Lsi Logic Corporation | Alignment mark contrast enhancement |
| US6234883B1 (en) | 1997-10-01 | 2001-05-22 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for concurrent pad conditioning and wafer buff in chemical mechanical polishing |
| US6106371A (en) * | 1997-10-30 | 2000-08-22 | Lsi Logic Corporation | Effective pad conditioning |
| JPH11156699A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-15 | Speedfam Co Ltd | 平面研磨用パッド |
| US6531397B1 (en) | 1998-01-09 | 2003-03-11 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for using across wafer back pressure differentials to influence the performance of chemical mechanical polishing |
| US6102777A (en) * | 1998-03-06 | 2000-08-15 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen |
| US6060370A (en) | 1998-06-16 | 2000-05-09 | Lsi Logic Corporation | Method for shallow trench isolations with chemical-mechanical polishing |
| US6071818A (en) | 1998-06-30 | 2000-06-06 | Lsi Logic Corporation | Endpoint detection method and apparatus which utilize an endpoint polishing layer of catalyst material |
| US6077783A (en) * | 1998-06-30 | 2000-06-20 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for detecting a polishing endpoint based upon heat conducted through a semiconductor wafer |
| US6268224B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-07-31 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for detecting an ion-implanted polishing endpoint layer within a semiconductor wafer |
| US6241847B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-06-05 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for detecting a polishing endpoint based upon infrared signals |
| US6285035B1 (en) | 1998-07-08 | 2001-09-04 | Lsi Logic Corporation | Apparatus for detecting an endpoint polishing layer of a semiconductor wafer having a wafer carrier with independent concentric sub-carriers and associated method |
| US6066266A (en) * | 1998-07-08 | 2000-05-23 | Lsi Logic Corporation | In-situ chemical-mechanical polishing slurry formulation for compensation of polish pad degradation |
| US6074517A (en) * | 1998-07-08 | 2000-06-13 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for detecting an endpoint polishing layer by transmitting infrared light signals through a semiconductor wafer |
| US6036586A (en) * | 1998-07-29 | 2000-03-14 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for reducing removal forces for CMP pads |
| US6080670A (en) * | 1998-08-10 | 2000-06-27 | Lsi Logic Corporation | Method of detecting a polishing endpoint layer of a semiconductor wafer which includes a non-reactive reporting specie |
| JP2000071170A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-07 | Nitta Ind Corp | 研磨用ウエハ保持部材及びそのウエハ保持部材の研磨機定盤への脱着方法 |
| US6218316B1 (en) | 1998-10-22 | 2001-04-17 | Micron Technology, Inc. | Planarization of non-planar surfaces in device fabrication |
| US6201253B1 (en) | 1998-10-22 | 2001-03-13 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for detecting a planarized outer layer of a semiconductor wafer with a confocal optical system |
| US6290589B1 (en) * | 1998-12-09 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with a partial adhesive coating |
| US6121147A (en) * | 1998-12-11 | 2000-09-19 | Lsi Logic Corporation | Apparatus and method of detecting a polishing endpoint layer of a semiconductor wafer which includes a metallic reporting substance |
| US6117779A (en) | 1998-12-15 | 2000-09-12 | Lsi Logic Corporation | Endpoint detection method and apparatus which utilize a chelating agent to detect a polishing endpoint |
| US6528389B1 (en) | 1998-12-17 | 2003-03-04 | Lsi Logic Corporation | Substrate planarization with a chemical mechanical polishing stop layer |
| US6491570B1 (en) * | 1999-02-25 | 2002-12-10 | Applied Materials, Inc. | Polishing media stabilizer |
| US20040053566A1 (en) * | 2001-01-12 | 2004-03-18 | Applied Materials, Inc. | CMP platen with patterned surface |
| US6217426B1 (en) | 1999-04-06 | 2001-04-17 | Applied Materials, Inc. | CMP polishing pad |
| US6220942B1 (en) | 1999-04-02 | 2001-04-24 | Applied Materials, Inc. | CMP platen with patterned surface |
| US20040072518A1 (en) * | 1999-04-02 | 2004-04-15 | Applied Materials, Inc. | Platen with patterned surface for chemical mechanical polishing |
| US6656018B1 (en) * | 1999-04-13 | 2003-12-02 | Freudenberg Nonwovens Limited Partnership | Polishing pads useful in chemical mechanical polishing of substrates in the presence of a slurry containing abrasive particles |
| US6439968B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-08-27 | Agere Systems Guardian Corp. | Polishing pad having a water-repellant film theron and a method of manufacture therefor |
| US6451699B1 (en) | 1999-07-30 | 2002-09-17 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for planarizing a wafer surface of a semiconductor wafer having an elevated portion extending therefrom |
| TW402550B (en) * | 1999-08-21 | 2000-08-21 | Winbond Electronics Corp | Combinational polishing cloth structure |
| US6290883B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-09-18 | Lucent Technologies Inc. | Method for making porous CMP article |
| US6152814A (en) * | 1999-09-16 | 2000-11-28 | Rp Abrasives & Machine Co. Inc. | Expandable abrasive belt for use with inflatable tool |
| US6248006B1 (en) | 2000-01-24 | 2001-06-19 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | CMP uniformity |
| US6340326B1 (en) | 2000-01-28 | 2002-01-22 | Lam Research Corporation | System and method for controlled polishing and planarization of semiconductor wafers |
| US6705930B2 (en) * | 2000-01-28 | 2004-03-16 | Lam Research Corporation | System and method for polishing and planarizing semiconductor wafers using reduced surface area polishing pads and variable partial pad-wafer overlapping techniques |
| US6517414B1 (en) | 2000-03-10 | 2003-02-11 | Appied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus |
| US6616513B1 (en) | 2000-04-07 | 2003-09-09 | Applied Materials, Inc. | Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile |
| US7751609B1 (en) | 2000-04-20 | 2010-07-06 | Lsi Logic Corporation | Determination of film thickness during chemical mechanical polishing |
| US6375550B1 (en) | 2000-06-05 | 2002-04-23 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for enhancing uniformity during polishing of a semiconductor wafer |
| US6464566B1 (en) | 2000-06-29 | 2002-10-15 | Lsi Logic Corporation | Apparatus and method for linearly planarizing a surface of a semiconductor wafer |
| US6541383B1 (en) | 2000-06-29 | 2003-04-01 | Lsi Logic Corporation | Apparatus and method for planarizing the surface of a semiconductor wafer |
| US6518172B1 (en) * | 2000-08-29 | 2003-02-11 | Micron Technology, Inc. | Method for applying uniform pressurized film across wafer |
| US6561884B1 (en) | 2000-08-29 | 2003-05-13 | Applied Materials, Inc. | Web lift system for chemical mechanical planarization |
| US6592439B1 (en) | 2000-11-10 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Platen for retaining polishing material |
| US6846225B2 (en) * | 2000-11-29 | 2005-01-25 | Psiloquest, Inc. | Selective chemical-mechanical polishing properties of a cross-linked polymer and specific applications therefor |
| US7059946B1 (en) * | 2000-11-29 | 2006-06-13 | Psiloquest Inc. | Compacted polishing pads for improved chemical mechanical polishing longevity |
| US20050266226A1 (en) * | 2000-11-29 | 2005-12-01 | Psiloquest | Chemical mechanical polishing pad and method for selective metal and barrier polishing |
| KR100857504B1 (ko) * | 2000-12-01 | 2008-09-08 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드용 쿠션층 |
| US6372524B1 (en) | 2001-03-06 | 2002-04-16 | Lsi Logic Corporation | Method for CMP endpoint detection |
| US6818301B2 (en) * | 2001-06-01 | 2004-11-16 | Psiloquest Inc. | Thermal management with filled polymeric polishing pads and applications therefor |
| US6503828B1 (en) | 2001-06-14 | 2003-01-07 | Lsi Logic Corporation | Process for selective polishing of metal-filled trenches of integrated circuit structures |
| US6503131B1 (en) | 2001-08-16 | 2003-01-07 | Applied Materials, Inc. | Integrated platen assembly for a chemical mechanical planarization system |
| US6964924B1 (en) | 2001-09-11 | 2005-11-15 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit process monitoring and metrology system |
| FR2830783B1 (fr) * | 2001-10-16 | 2004-01-16 | Sarl Capital Innovation | Dispositif pour le poncage ou le polissage comportant un support presentant une surface a adherence renouvelable |
| WO2003103959A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-18 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Controlled penetration subpad |
| US6864181B2 (en) * | 2003-03-27 | 2005-03-08 | Lam Research Corporation | Method and apparatus to form a planarized Cu interconnect layer using electroless membrane deposition |
| US6783437B1 (en) * | 2003-05-08 | 2004-08-31 | Texas Instruments Incorporated | Edge-sealed pad for CMP process |
| US7086932B2 (en) * | 2004-05-11 | 2006-08-08 | Freudenberg Nonwovens | Polishing pad |
| KR100546355B1 (ko) * | 2003-07-28 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 국부 단차 형성용 삽입 패드를 구비하는 ｃｍｐ 장치 |
| US6869348B1 (en) * | 2003-10-07 | 2005-03-22 | Strasbaugh | Retaining ring for wafer carriers |
| US20050148289A1 (en) * | 2004-01-06 | 2005-07-07 | Cabot Microelectronics Corp. | Micromachining by chemical mechanical polishing |
| US7063604B2 (en) * | 2004-03-05 | 2006-06-20 | Strasbaugh | Independent edge control for CMP carriers |
| JP2006026844A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Fujitsu Ltd | ポリッシングパッド、それを備えた研磨装置及び貼り付け装置 |
| US20060154579A1 (en) * | 2005-01-12 | 2006-07-13 | Psiloquest | Thermoplastic chemical mechanical polishing pad and method of manufacture |
| US7226345B1 (en) | 2005-12-09 | 2007-06-05 | The Regents Of The University Of California | CMP pad with designed surface features |
| FR2918911B1 (fr) * | 2007-07-16 | 2009-10-16 | Essilor Int | Outil de surfacage a qualite optique |
| US8092279B2 (en) * | 2009-02-12 | 2012-01-10 | Charles Ryan Parrish | Sharpening system for scissors with complex curved blades |
| TWM367052U (en) * | 2009-04-24 | 2009-10-21 | Bestac Advanced Material Co Ltd | Polishing pad and polishing device |
| DE102009047926A1 (de) * | 2009-10-01 | 2011-04-14 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben |
| KR20140144959A (ko) * | 2013-06-12 | 2014-12-22 | 삼성전자주식회사 | 연마 패드 제조 장치 및 이를 제조하는 방법 |
| CN105579194B (zh) | 2013-09-25 | 2019-04-26 | 3M创新有限公司 | 多层抛光垫 |
| US20160013085A1 (en) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | Applied Materials, Inc. | In-Situ Acoustic Monitoring of Chemical Mechanical Polishing |
| US10105812B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-10-23 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad configuration and polishing pad support |
| US9873179B2 (en) * | 2016-01-20 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | Carrier for small pad for chemical mechanical polishing |
| US10589399B2 (en) * | 2016-03-24 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Textured small pad for chemical mechanical polishing |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2768483A (en) * | 1953-01-19 | 1956-10-30 | Rexall Drug Company | Abrasive article and method of making |
| US2763483A (en) * | 1954-02-12 | 1956-09-18 | Henis J Slayton | Exercise toys |
| US2958166A (en) * | 1958-07-30 | 1960-11-01 | Claude J Foland | Attachment for a rotary tool |
| US3653857A (en) * | 1970-03-20 | 1972-04-04 | Albert Field | Abrading implement |
| US3866361A (en) * | 1973-08-22 | 1975-02-18 | Standard Abrasives Inc | Replaceable pad assembly |
| US4541207A (en) * | 1984-02-06 | 1985-09-17 | Flo-Pac Corporation | Pull-apart mounting hub |
| US4607464A (en) * | 1984-11-13 | 1986-08-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Coated abrasive back up pad |
| US4617767A (en) * | 1985-01-14 | 1986-10-21 | Ali Frank F | Sanding, buffing and polishing tool and parts thereof |
| US4671851A (en) * | 1985-10-28 | 1987-06-09 | International Business Machines Corporation | Method for removing protuberances at the surface of a semiconductor wafer using a chem-mech polishing technique |
| US4944836A (en) * | 1985-10-28 | 1990-07-31 | International Business Machines Corporation | Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate |
| US4826563A (en) * | 1988-04-14 | 1989-05-02 | Honeywell Inc. | Chemical polishing process and apparatus |
| US5078754A (en) * | 1988-08-01 | 1992-01-07 | Dentsply Research & Development Corp. | Finishing/polishing system |
| US4879258A (en) * | 1988-08-31 | 1989-11-07 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit planarization by mechanical polishing |
| US5000761A (en) * | 1988-10-26 | 1991-03-19 | Ferro Corporation | Gel producing pad and improved method for surfacing and polishing lenses |
| US4910155A (en) * | 1988-10-28 | 1990-03-20 | International Business Machines Corporation | Wafer flood polishing |
| US4965905A (en) * | 1989-03-20 | 1990-10-30 | The Chamberlain Group | Apparatus for waxing and polishing |
| US4940507A (en) * | 1989-10-05 | 1990-07-10 | Motorola Inc. | Lapping means and method |
| US5094972A (en) * | 1990-06-14 | 1992-03-10 | National Semiconductor Corp. | Means of planarizing integrated circuits with fully recessed isolation dielectric |
| US5245790A (en) * | 1992-02-14 | 1993-09-21 | Lsi Logic Corporation | Ultrasonic energy enhanced chemi-mechanical polishing of silicon wafers |
| US5310455A (en) * | 1992-07-10 | 1994-05-10 | Lsi Logic Corporation | Techniques for assembling polishing pads for chemi-mechanical polishing of silicon wafers |
| JPH0697132A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-04-08 | Lsi Logic Corp | 半導体ウェハの化学機械的研磨装置、同装置のプラテンへの半導体ウェハ研磨用パッドの取付け方法、および同装置の研磨用複合パッド |
-
1992
- 1992-07-10 US US07/911,814 patent/US5310455A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-07-07 JP JP5192735A patent/JPH0677189A/ja not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-05-09 US US08/239,493 patent/US5516400A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-23 US US08/294,570 patent/US5624304A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5702291A (en) * | 1995-10-19 | 1997-12-30 | Nec Corporation | Wafer polishing method and wafer polishing apparatus |
| JP2005262424A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | ２枚一体型研磨パッド |
| KR100785604B1 (ko) * | 2006-12-11 | 2007-12-14 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 방수 수지코팅 처리한 폴리싱 패드 |
| JP2017013183A (ja) * | 2015-07-01 | 2017-01-19 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5310455A (en) | 1994-05-10 |
| US5624304A (en) | 1997-04-29 |
| US5516400A (en) | 1996-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0677189A (ja) | 半導体ウェハの研磨用パッドの取付け方法および半導体ウェハの化学機械的研磨装置 | |
| US5403228A (en) | Techniques for assembling polishing pads for silicon wafer polishing | |
| JP3072962B2 (ja) | 研磨のための被加工物の保持具及びその製法 | |
| KR101367010B1 (ko) | 흡착 장치, 연마 장치, 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스 제조 방법 | |
| US8308528B2 (en) | Apparatus and method for reducing removal forces for CMP pads | |
| JP3145010B2 (ja) | 半導体ウェハ処理装置及び半導体ウェハ処理方法 | |
| KR0154610B1 (ko) | 반도체기판의 연마방법 및 연마장치 | |
| JP5455282B2 (ja) | シリコン・オン・インシュレータ搬送ウエハのエッジ除去 | |
| US7101275B2 (en) | Resilient polishing pad for chemical mechanical polishing | |
| KR20080075470A (ko) | 창 스트라이프를 갖는 폴리싱 부재 | |
| JP2000301454A (ja) | 化学的機械研磨プロセス及びその構成要素 | |
| JPH10249711A (ja) | Ｃｍｐ用複合研磨パッド | |
| KR100394572B1 (ko) | 복합특성을 가지는 씨엠피 패드구조와 그 제조방법 | |
| JP2009283885A (ja) | リテーナーリング | |
| JP2002537642A (ja) | 研磨パッドおよびその製造方法 | |
| JPH10230455A (ja) | 研磨装置 | |
| KR100307276B1 (ko) | 폴리싱 방법 | |
| JP2008153248A (ja) | ＧａＡｓウエハへのワックス塗布方法 | |
| JP2006255809A (ja) | 研磨装置 | |
| JP2000176825A (ja) | 半導体ウエハ用研磨パッドおよび研磨装置 | |
| KR980012155A (ko) | 패드 컨디셔너 | |
| KR20100073095A (ko) | 화학기계적 연마용 연마 패드 | |
| JP2023133815A (ja) | 研磨体 | |
| JPH0476916A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001189294A (ja) | 半導体ウェーハの平坦化方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |