JP2000176825A - 半導体ウエハ用研磨パッドおよび研磨装置 - Google Patents
半導体ウエハ用研磨パッドおよび研磨装置Info
- Publication number
- JP2000176825A JP2000176825A JP35822398A JP35822398A JP2000176825A JP 2000176825 A JP2000176825 A JP 2000176825A JP 35822398 A JP35822398 A JP 35822398A JP 35822398 A JP35822398 A JP 35822398A JP 2000176825 A JP2000176825 A JP 2000176825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- polishing
- surface layer
- polished
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的柔かいＣｕ層を含むような被研磨材を
研磨する場合でも、その表面のパーティクルによる傷を
防止し、かつ選択的な研磨による段差や、"dishing"と
呼ばれる凹凸の形成を防止することができるような研磨
パッドを提供する。 【解決手段】 研磨面を構成する表面層Ｌ１と、前記表
面層の裏面側に配置された第２層Ｌ２とを有する半導体
ウエハ用研磨パッドであって、前記表面層は前記第２層
より軟質である。
研磨する場合でも、その表面のパーティクルによる傷を
防止し、かつ選択的な研磨による段差や、"dishing"と
呼ばれる凹凸の形成を防止することができるような研磨
パッドを提供する。 【解決手段】 研磨面を構成する表面層Ｌ１と、前記表
面層の裏面側に配置された第２層Ｌ２とを有する半導体
ウエハ用研磨パッドであって、前記表面層は前記第２層
より軟質である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨装置に係り、
特に、半導体ウエハ等の被研磨材を平坦かつ鏡面状に研
磨する研磨装置に関するものである。
特に、半導体ウエハ等の被研磨材を平坦かつ鏡面状に研
磨する研磨装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板上に配線回路を形成す
るためには、例えば、基板面上にスパッタリング等を用
いてアルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウム合金の成膜
を行った後、レジスト等のパターンマスクを用いたケミ
カルドライエッチングにより膜の不要部分を除去してい
た。しかしながら、半導体回路の集積度が高くなるにつ
れて配線が細くなり、電流密度が増加するために熱応力
や温度上昇を生じ、断線のおそれが生じるので、Ｃｕ又
はその合金のようなより導電性の高い材料を配線形成に
採用することが要求されている。
るためには、例えば、基板面上にスパッタリング等を用
いてアルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウム合金の成膜
を行った後、レジスト等のパターンマスクを用いたケミ
カルドライエッチングにより膜の不要部分を除去してい
た。しかしながら、半導体回路の集積度が高くなるにつ
れて配線が細くなり、電流密度が増加するために熱応力
や温度上昇を生じ、断線のおそれが生じるので、Ｃｕ又
はその合金のようなより導電性の高い材料を配線形成に
採用することが要求されている。
【０００３】ところが、Ｃｕ又はその合金はドライエッ
チングが難しいので、全面を成膜してからパターン形成
する前記の方法の採用は困難である。そこで、予め所定
パターンの配線用の溝を形成しておき、その中にＣｕ又
はその合金を充填するダマシン工程の採用が考えられて
いる。これにより溝を充填した後に、化学機械研磨（Ｃ
ＭＰ）により表面の余分な金属の除去と平坦化を行な
う。
チングが難しいので、全面を成膜してからパターン形成
する前記の方法の採用は困難である。そこで、予め所定
パターンの配線用の溝を形成しておき、その中にＣｕ又
はその合金を充填するダマシン工程の採用が考えられて
いる。これにより溝を充填した後に、化学機械研磨（Ｃ
ＭＰ）により表面の余分な金属の除去と平坦化を行な
う。
【０００４】化学機械研磨は、半導体製造工程において
例えば絶縁膜であるＳｉＯ２膜を研磨するために用いら
れており、例えば、図３に示されるように、上面に研磨
パッド１０を貼り付けたターンテーブル１２と、半導体
ウエハＷを保持しつつターンテーブル１２に押しつける
トップリング１４とを具備している。
例えば絶縁膜であるＳｉＯ２膜を研磨するために用いら
れており、例えば、図３に示されるように、上面に研磨
パッド１０を貼り付けたターンテーブル１２と、半導体
ウエハＷを保持しつつターンテーブル１２に押しつける
トップリング１４とを具備している。
【０００５】このような構成の研磨装置において、トッ
プリング１４の下面に半導体ウエハＷを保持し、半導体
ウエハＷを回転しているターンテーブル１２の上面の研
磨布１０にエアシリンダにより押圧する。そして、研磨
砥液ノズル１６からは、ＳｉＯ２膜を研磨する場合には
コロイダルシリカを砥粒として含むアルカリ液のような
研磨砥液Ｑを流すことにより、研磨布１０に研磨砥液Ｑ
が保持され、半導体ウエハＷの研磨される面（下面）と
研磨布１０の間に研磨砥液Ｑが存在した状態で研磨が行
われる。
プリング１４の下面に半導体ウエハＷを保持し、半導体
ウエハＷを回転しているターンテーブル１２の上面の研
磨布１０にエアシリンダにより押圧する。そして、研磨
砥液ノズル１６からは、ＳｉＯ２膜を研磨する場合には
コロイダルシリカを砥粒として含むアルカリ液のような
研磨砥液Ｑを流すことにより、研磨布１０に研磨砥液Ｑ
が保持され、半導体ウエハＷの研磨される面（下面）と
研磨布１０の間に研磨砥液Ｑが存在した状態で研磨が行
われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、Ｃｕやその
合金はＳｉＯ２膜などに比べると軟質であるため、ＣＭ
Ｐにおいて従来用いられていたＩＣ１０００（商品名）
のような比較的硬質な研磨パッドを用いると傷（スクラ
ッチ）が入りやすい。このような硬いパッドでは、スラ
リ粒子がパッド内に潜り込みにくいため、砥粒の粒子の
大きさがそのまま傷として反映されるためと推察され
る。
合金はＳｉＯ２膜などに比べると軟質であるため、ＣＭ
Ｐにおいて従来用いられていたＩＣ１０００（商品名）
のような比較的硬質な研磨パッドを用いると傷（スクラ
ッチ）が入りやすい。このような硬いパッドでは、スラ
リ粒子がパッド内に潜り込みにくいため、砥粒の粒子の
大きさがそのまま傷として反映されるためと推察され
る。
【０００７】一方、より軟らかい研磨パッドとして、例
えばポリアクリロニトリルのような素材から作成された
不織布からなるものが有り、これを用いると傷がつきに
くい。しかしながら、Ｃｕ層を研磨するためにこれを用
いた場合、弾性変形しやすいために、半導体基板に埋め
込んで形成されたＣｕを選択的に研磨してしまう結果、
段差が形成されたり、いわゆるdishingと呼ばれる中央
が凹んだ研磨がなされ、配線回路形成工程に問題を生じ
る場合がある。
えばポリアクリロニトリルのような素材から作成された
不織布からなるものが有り、これを用いると傷がつきに
くい。しかしながら、Ｃｕ層を研磨するためにこれを用
いた場合、弾性変形しやすいために、半導体基板に埋め
込んで形成されたＣｕを選択的に研磨してしまう結果、
段差が形成されたり、いわゆるdishingと呼ばれる中央
が凹んだ研磨がなされ、配線回路形成工程に問題を生じ
る場合がある。
【０００８】以上のような課題に鑑みて、この発明は、
比較的柔かいＣｕ層を含むような被研磨材を研磨する場
合でも、その表面のパーティクルによる傷を防止し、か
つ選択的な研磨による段差や、"dishing"と呼ばれる凹
凸の形成を防止することができるような研磨パッドを提
供することを目的とする。
比較的柔かいＣｕ層を含むような被研磨材を研磨する場
合でも、その表面のパーティクルによる傷を防止し、か
つ選択的な研磨による段差や、"dishing"と呼ばれる凹
凸の形成を防止することができるような研磨パッドを提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、研磨面を構成する表面層と、前記表面層の裏面側に
配置された第２層とを有する半導体ウエハ用研磨パッド
であって、前記表面層は前記第２層より軟質であること
を特徴とする半導体ウエハ用研磨パッドである。これに
より、表面層の比較的軟らかい表面で研磨するために大
きな傷が付くのが防止され、それより硬い第２層が補強
層として存在するので表面層の過度の変形が抑制され、
比較的柔軟な被研磨材を研磨する場合でも"dishing"が
防止される。
は、研磨面を構成する表面層と、前記表面層の裏面側に
配置された第２層とを有する半導体ウエハ用研磨パッド
であって、前記表面層は前記第２層より軟質であること
を特徴とする半導体ウエハ用研磨パッドである。これに
より、表面層の比較的軟らかい表面で研磨するために大
きな傷が付くのが防止され、それより硬い第２層が補強
層として存在するので表面層の過度の変形が抑制され、
比較的柔軟な被研磨材を研磨する場合でも"dishing"が
防止される。
【００１０】請求項２に記載の発明は、研磨面を構成す
る表面層と、前記表面層の裏面側に配置された第２層と
を有し、前記表面層は弾性係数が５〜１５ｋｇｆ／ｃｍ
２であり、厚さが１００μｍ以下であることを特徴とす
る半導体ウエハ用研磨パッドである。
る表面層と、前記表面層の裏面側に配置された第２層と
を有し、前記表面層は弾性係数が５〜１５ｋｇｆ／ｃｍ
２であり、厚さが１００μｍ以下であることを特徴とす
る半導体ウエハ用研磨パッドである。
【００１１】これにより、表面層の軟らかい表面におい
て砥粒がパッド内に潜り込み、パッド表面に突き出た粒
子の一部のみがウエハ面に接触するために、大きな傷が
付くのが防止される。表面層の裏面側に第２層が補強層
として存在するので、表面層の厚さが１００μｍ以下で
あれば表面層の過度の変形が抑制され、比較的柔軟な被
研磨材を研磨する場合でも"dishing"が防止される。こ
の場合の第２層は請求項３の３層パッドの場合の第２層
よりも柔らかい方が好ましく、好適な弾性係数は５０〜
１５０ｋｇｆ／ｃｍ２であり、厚さは１．３〜２．０ｍ
ｍ程度である。第２層の素材としては、独立発泡型ポリ
ウレタンが挙げられる。
て砥粒がパッド内に潜り込み、パッド表面に突き出た粒
子の一部のみがウエハ面に接触するために、大きな傷が
付くのが防止される。表面層の裏面側に第２層が補強層
として存在するので、表面層の厚さが１００μｍ以下で
あれば表面層の過度の変形が抑制され、比較的柔軟な被
研磨材を研磨する場合でも"dishing"が防止される。こ
の場合の第２層は請求項３の３層パッドの場合の第２層
よりも柔らかい方が好ましく、好適な弾性係数は５０〜
１５０ｋｇｆ／ｃｍ２であり、厚さは１．３〜２．０ｍ
ｍ程度である。第２層の素材としては、独立発泡型ポリ
ウレタンが挙げられる。
【００１２】請求項３に記載の発明は、研磨面を構成す
る表面層と、前記表面層の裏面側に配置された第２層
と、前記第２層の裏面側に配置された第３層とを有し、
前記表面層は弾性係数が５〜１５ｋｇｆ／ｃｍ２であ
り、厚さが１００μｍ以下であることを特徴とする半導
体ウエハ用研磨パッドである。
る表面層と、前記表面層の裏面側に配置された第２層
と、前記第２層の裏面側に配置された第３層とを有し、
前記表面層は弾性係数が５〜１５ｋｇｆ／ｃｍ２であ
り、厚さが１００μｍ以下であることを特徴とする半導
体ウエハ用研磨パッドである。
【００１３】これにより、表面層の軟らかい表面におい
て砥粒がパッド内に潜り込み、パッド表面に突き出た粒
子の一部のみがウエハ面に接触するために、大きな傷が
付くのが防止される。表面層の裏面側に第２層が補強層
として存在するので、表面層の厚さが１００μｍ以下で
あれば表面層の過度の変形が抑制され、比較的柔軟な被
研磨材を研磨する場合でも"dishing"と呼ばれる凹凸が
形成されることが防止される。さらに、第３層を形成す
ることにより、第２層の被研磨面に対する追随性を向上
させ、被研磨面の全体的な面内均一性を向上させること
ができる。
て砥粒がパッド内に潜り込み、パッド表面に突き出た粒
子の一部のみがウエハ面に接触するために、大きな傷が
付くのが防止される。表面層の裏面側に第２層が補強層
として存在するので、表面層の厚さが１００μｍ以下で
あれば表面層の過度の変形が抑制され、比較的柔軟な被
研磨材を研磨する場合でも"dishing"と呼ばれる凹凸が
形成されることが防止される。さらに、第３層を形成す
ることにより、第２層の被研磨面に対する追随性を向上
させ、被研磨面の全体的な面内均一性を向上させること
ができる。
【００１４】表面層に用いて好適な素材としては不織布
が挙げられる。不織布は、例えば合成繊維を不規則に配
列した状態で粘着剤や加熱加圧によって布状に仕上げた
もので、素材の選択によって、多孔性を維持しつつ通常
の研磨パッド素材よりも高い柔軟性を得ることができ、
また、研磨液に用いられる薬液に対する耐性を具備させ
ることもできる。
が挙げられる。不織布は、例えば合成繊維を不規則に配
列した状態で粘着剤や加熱加圧によって布状に仕上げた
もので、素材の選択によって、多孔性を維持しつつ通常
の研磨パッド素材よりも高い柔軟性を得ることができ、
また、研磨液に用いられる薬液に対する耐性を具備させ
ることもできる。
【００１５】第２層としては、表面層の補強層として過
度の変形を抑制するために、弾性係数が１５０〜２５０
ｋｇｆ／ｃｍ２であり、厚さが１．３〜２．０ｍｍ程度
であることが望ましい。第２層に用いて好適な素材とし
ては、独立発泡型ポリウレタンが有る。これにより、弾
性等の機械的性質と、研磨液に用いられるｐＨ２〜１１
の範囲の薬液に対する耐性を具備させることができる。
また、第３層としては、弾性係数が１０〜５０ｋｇｆ／
ｃｍ２であり、厚さが１．３〜２．０ｍｍ程度であるこ
とが望ましい。
度の変形を抑制するために、弾性係数が１５０〜２５０
ｋｇｆ／ｃｍ２であり、厚さが１．３〜２．０ｍｍ程度
であることが望ましい。第２層に用いて好適な素材とし
ては、独立発泡型ポリウレタンが有る。これにより、弾
性等の機械的性質と、研磨液に用いられるｐＨ２〜１１
の範囲の薬液に対する耐性を具備させることができる。
また、第３層としては、弾性係数が１０〜５０ｋｇｆ／
ｃｍ２であり、厚さが１．３〜２．０ｍｍ程度であるこ
とが望ましい。
【００１６】請求項４に記載の発明は、前記表面層及び
第２層は、ｐＨ２〜１１の範囲の薬液に対する耐久性を
有する素材から構成されていることを特徴とする請求項
１ないし３のいずれかに記載の半導体ウエハ用研磨パッ
ドである。これにより、種々の研磨液に対して充分な研
磨性能と耐用寿命を得ることができる。
第２層は、ｐＨ２〜１１の範囲の薬液に対する耐久性を
有する素材から構成されていることを特徴とする請求項
１ないし３のいずれかに記載の半導体ウエハ用研磨パッ
ドである。これにより、種々の研磨液に対して充分な研
磨性能と耐用寿命を得ることができる。
【００１７】請求項５に記載の発明は、請求項１ないし
４のいずれかに記載の研磨パッドを貼付した研磨テーブ
ルと、被研磨材を把持し、前記研磨テーブルに押しつけ
る基板把持手段とを有することを特徴とする研磨装置で
ある。
４のいずれかに記載の研磨パッドを貼付した研磨テーブ
ルと、被研磨材を把持し、前記研磨テーブルに押しつけ
る基板把持手段とを有することを特徴とする研磨装置で
ある。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の第１の実施の
形態を示すもので、研磨面を構成する表面層Ｌ１と、表
面層Ｌ１の裏面側に配置された表面層Ｌ１より硬質の第
２層Ｌ２とを有しており、表面層Ｌ１の表面（図におい
て上側）を研磨面とし、第２層Ｌ２の裏面側（図におい
て下側）を研磨テーブルの取付面に貼付して用いる。
形態を示すもので、研磨面を構成する表面層Ｌ１と、表
面層Ｌ１の裏面側に配置された表面層Ｌ１より硬質の第
２層Ｌ２とを有しており、表面層Ｌ１の表面（図におい
て上側）を研磨面とし、第２層Ｌ２の裏面側（図におい
て下側）を研磨テーブルの取付面に貼付して用いる。
【００１９】表面層Ｌ１は、弾性係数が５〜１５ｋｇｆ
／ｃｍ２以下である不織布を素材として形成されてい
る。不織布の素材としては、例えば、２層の研磨パッド
（商品名：ＩＣ１０００、ロデールニッタ社製）の下地
層（第２層）として用いられているＳＵＢＡ４００（商
品名、厚さ１．２７ｍｍ）が有り（これの圧縮弾性係数
は、１１．０ｋｇｆ／ｃｍ２程度であった）、これと同
等素材を厚さが１００μｍ以下に加工して用いる。表面
層Ｌ１の素材としては、この他に、ロデールニッタ社の
ＳＵＢＡ６００、ＳＵＢＡ８００、及び米国ＭＯＲＲＩ
Ｓ社製のＰＡＮ−Ｗ（商品名）が挙げられる。
／ｃｍ２以下である不織布を素材として形成されてい
る。不織布の素材としては、例えば、２層の研磨パッド
（商品名：ＩＣ１０００、ロデールニッタ社製）の下地
層（第２層）として用いられているＳＵＢＡ４００（商
品名、厚さ１．２７ｍｍ）が有り（これの圧縮弾性係数
は、１１．０ｋｇｆ／ｃｍ２程度であった）、これと同
等素材を厚さが１００μｍ以下に加工して用いる。表面
層Ｌ１の素材としては、この他に、ロデールニッタ社の
ＳＵＢＡ６００、ＳＵＢＡ８００、及び米国ＭＯＲＲＩ
Ｓ社製のＰＡＮ−Ｗ（商品名）が挙げられる。
【００２０】第２層Ｌ２は、弾性係数が２１０ｋｇｆ／
ｃｍ２程度、厚さが１．３〜２．０ｍｍであるパッドが
用いられている。このような素材としては、例えば、Ｉ
Ｃ１０００（商品名）の表面層のような剛性のある独立
発泡型ポリウレタンパッドを厚さ１．３〜２．０ｍｍと
して用いる。この弾性係数は、２１０．２ｋｇｆ／ｃｍ
２であった。
ｃｍ２程度、厚さが１．３〜２．０ｍｍであるパッドが
用いられている。このような素材としては、例えば、Ｉ
Ｃ１０００（商品名）の表面層のような剛性のある独立
発泡型ポリウレタンパッドを厚さ１．３〜２．０ｍｍと
して用いる。この弾性係数は、２１０．２ｋｇｆ／ｃｍ
２であった。
【００２１】このように構成された研磨パッド１０にお
いて、砥粒を含む研磨液Ｑを用いて研磨を行なう場合、
砥粒やあるいは研磨屑等がパーティクルとしてウエハＷ
の被研磨面に存在したとしても、これらのパーティクル
は表面層Ｌ１の比較的柔らかいパッド内にある程度潜り
込んでしまう。従って、パッド表面に突き出た粒子の一
部のみがウエハ面に接触するために、大きな傷が付くの
が防止される。表面層Ｌ１の厚さが１００μｍ以下と薄
いので、比較的柔かいＣｕ層を含むような被研磨材を研
磨する場合でも、選択的な研磨による段差や、"dishin
g"と呼ばれる凹凸が形成されることが防止される。
いて、砥粒を含む研磨液Ｑを用いて研磨を行なう場合、
砥粒やあるいは研磨屑等がパーティクルとしてウエハＷ
の被研磨面に存在したとしても、これらのパーティクル
は表面層Ｌ１の比較的柔らかいパッド内にある程度潜り
込んでしまう。従って、パッド表面に突き出た粒子の一
部のみがウエハ面に接触するために、大きな傷が付くの
が防止される。表面層Ｌ１の厚さが１００μｍ以下と薄
いので、比較的柔かいＣｕ層を含むような被研磨材を研
磨する場合でも、選択的な研磨による段差や、"dishin
g"と呼ばれる凹凸が形成されることが防止される。
【００２２】図２は、この発明の他の実施の形態を示す
もので、図１の実施の形態の研磨パッドの第２層Ｌ２の
裏面側に、弾性係数が１０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２以下、
厚さが１．３〜２．０ｍｍであるような第３層Ｌ３を配
置している。第３層Ｌ３としては、先に掲げたＳＵＢＡ
４００、ＳＵＢＡ６００、ＳＵＢＡ８００、ＰＡＮ−Ｗ
（いずれも商品名）等、基本的に表面層Ｌ１と同一の素
材から形成することができる。
もので、図１の実施の形態の研磨パッドの第２層Ｌ２の
裏面側に、弾性係数が１０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２以下、
厚さが１．３〜２．０ｍｍであるような第３層Ｌ３を配
置している。第３層Ｌ３としては、先に掲げたＳＵＢＡ
４００、ＳＵＢＡ６００、ＳＵＢＡ８００、ＰＡＮ−Ｗ
（いずれも商品名）等、基本的に表面層Ｌ１と同一の素
材から形成することができる。
【００２３】この実施の形態の構造は、ＩＣ１０００を
表面層Ｌ１とし、ＳＵＢＡ４００を第２層Ｌ２とした従
来の２層パッド（ＩＣ１０００：１．３ｍｍ程度＋ＳＵ
ＢＡ４００：１ｍｍ程度）の表面に薄い表面層Ｌ１を重
ねた３層構造の研磨パッドと考えることができる。この
ような研磨パッド１０においては、表面層（不織布）Ｌ
１で、dishing を起こさずにＣｕ膜を研磨し、第２層
（ＩＣ１０００） Ｌ２でウエハ面内の局所的な平坦化
を、第３層Ｌ３（ＳＵＢＡ４００）でウエハＷの全体的
な平坦化をそれぞれ実現することができる。
表面層Ｌ１とし、ＳＵＢＡ４００を第２層Ｌ２とした従
来の２層パッド（ＩＣ１０００：１．３ｍｍ程度＋ＳＵ
ＢＡ４００：１ｍｍ程度）の表面に薄い表面層Ｌ１を重
ねた３層構造の研磨パッドと考えることができる。この
ような研磨パッド１０においては、表面層（不織布）Ｌ
１で、dishing を起こさずにＣｕ膜を研磨し、第２層
（ＩＣ１０００） Ｌ２でウエハ面内の局所的な平坦化
を、第３層Ｌ３（ＳＵＢＡ４００）でウエハＷの全体的
な平坦化をそれぞれ実現することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、比較的柔かいＣｕ層を含むような被研磨材を研磨す
る場合でも、その表面のパーティクルによる傷を防止
し、かつ選択的な研磨による段差や、"dishing"と呼ば
れる凹凸の形成を防止することができる。従って、Ｃｕ
配線等を効率的に形成するダマシン工程の採用を現実化
し、半導体回路の高集積化の実現に寄与することができ
る。
ば、比較的柔かいＣｕ層を含むような被研磨材を研磨す
る場合でも、その表面のパーティクルによる傷を防止
し、かつ選択的な研磨による段差や、"dishing"と呼ば
れる凹凸の形成を防止することができる。従って、Ｃｕ
配線等を効率的に形成するダマシン工程の採用を現実化
し、半導体回路の高集積化の実現に寄与することができ
る。
【図１】この発明の第１の実施の形態の研磨パッドの構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図２】この発明の第２の実施の形態の研磨パッドの構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図３】研磨装置の一般的な構造を示す正面図である。
１０ 研磨パッド １２ ターンテーブル Ｌ１ 表面層 Ｌ２ 第２層 Ｌ３ 第３層 Ｗ 半導体ウエハ Ｑ 砥液
フロントページの続き (72)発明者 木村 憲雄 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AA09 CB02 CB10 DA17
Claims (5)
- 【請求項１】 研磨面を構成する表面層と、前記表面層
の裏面側に配置された第２層とを有する半導体ウエハ用
研磨パッドであって、 前記表面層は前記第２層より軟質であることを特徴とす
る半導体ウエハ用研磨パッド。 - 【請求項２】 研磨面を構成する表面層と、前記表面層
の裏面側に配置された第２層とを有し、 前記表面層は弾性係数が５〜１５ｋｇｆ／ｃｍ２であ
り、厚さが１００μｍ以下であることを特徴とする半導
体ウエハ用研磨パッド。 - 【請求項３】 研磨面を構成する表面層と、前記表面層
の裏面側に配置された第２層と、前記第２層の裏面側に
配置された第３層とを有し、 前記表面層は弾性係数が５〜１５ｋｇｆ／ｃｍ２であ
り、厚さが１００μｍ以下であることを特徴とする半導
体ウエハ用研磨パッド。 - 【請求項４】 前記表面層及び第２層は、ｐＨ２〜１１
の範囲の薬液に対する耐久性を有する素材から構成され
ていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに
記載の半導体ウエハ用研磨パッド。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の研
磨パッドを貼付した研磨テーブルと、被研磨材を把持
し、前記研磨テーブルに押しつける基板把持手段とを有
することを特徴とする研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35822398A JP2000176825A (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | 半導体ウエハ用研磨パッドおよび研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35822398A JP2000176825A (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | 半導体ウエハ用研磨パッドおよび研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000176825A true JP2000176825A (ja) | 2000-06-27 |
Family
ID=18458183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35822398A Pending JP2000176825A (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | 半導体ウエハ用研磨パッドおよび研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000176825A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002090050A1 (fr) * | 2001-05-08 | 2002-11-14 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede et dispositif pour le polissage de plaquette |
| US8557376B2 (en) | 2007-09-28 | 2013-10-15 | Fujibo Holdings Inc. | Polishing pad |
-
1998
- 1998-12-16 JP JP35822398A patent/JP2000176825A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002090050A1 (fr) * | 2001-05-08 | 2002-11-14 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede et dispositif pour le polissage de plaquette |
| US8557376B2 (en) | 2007-09-28 | 2013-10-15 | Fujibo Holdings Inc. | Polishing pad |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0874390B1 (en) | Polishing method | |
| EP2266757B1 (en) | Polishing pads useful in chemical mechanical polishing of substrates in the presence of a slurry containing abrasive particles | |
| JP4575539B2 (ja) | 化学的機械研磨プロセス及びその構成要素 | |
| US6544373B2 (en) | Polishing pad for a chemical mechanical polishing process | |
| JP3229278B2 (ja) | ダマシン金属回路パターンの平坦化方法 | |
| JP2000301454A5 (ja) | ||
| KR19980064490A (ko) | 반도체 장치 기판 연마 방법 | |
| KR20000017512A (ko) | 웨이퍼 기판 재생방법 및 웨이퍼 기판 재생을 위한 연마액 조성물 | |
| JP2000049122A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6942549B2 (en) | Two-sided chemical mechanical polishing pad for semiconductor processing | |
| JPH11512978A (ja) | 電子装置の化学機械的平坦化のための方法および装置 | |
| JPH11156701A (ja) | 研磨パッド | |
| JP3668046B2 (ja) | 研磨布及びこの研磨布を用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2001135605A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6478977B1 (en) | Polishing method and apparatus | |
| JP3510036B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001001251A (ja) | エッジポリッシング装置及びエッジポリッシング方法 | |
| JP2000176825A (ja) | 半導体ウエハ用研磨パッドおよび研磨装置 | |
| US7189155B2 (en) | Polishing body, polishing apparatus, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method | |
| JP3348272B2 (ja) | ウェハ研磨方法 | |
| US6824452B1 (en) | Polishing pad and process of chemical mechanical use thereof | |
| JP2002059357A (ja) | 研磨パッドおよび研磨装置ならびに研磨方法 | |
| US6300248B1 (en) | On-chip pad conditioning for chemical mechanical polishing | |
| JPH10256201A (ja) | 半導体の製造方法 | |
| US6080671A (en) | Process of chemical-mechanical polishing and manufacturing an integrated circuit |