JP4575539B2 - 化学的機械研磨プロセス及びその構成要素 - Google Patents
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Description
本発明は、一般的には基板の化学的機械研磨に、より厳密には化学的機械研磨のプロセス及びその構成要素の改善に関する。
【0001】
集積回路は通常、シリコンウェーハ上に導体層、半導体層又は絶縁層を順次蒸着することにより基板上に形成される。1つの製作ステップにはパターン付けされたストップ層上にフィラー層を蒸着する段階と、ストップ層が露出するまでフィラー層を平坦化する段階とが含まれる。例えば、導体フィラー層を、パターン付けされた絶縁ストップ層上にストップ層内のトレンチ又は穴が埋まるまで蒸着する。平坦化の後、隆起した絶縁層のパターンの間に残る導体層の部分が、基板上の薄膜回路間の導電経路となるビア、プラグ、ラインを形成する。
【0002】
化学的機械研磨(CMP)は1つの認められた平坦化の方法である。この平坦化法では通常、基板をキャリア即ち研磨ヘッド上に取りつけておく必要がある。基板の露出した表面が回転する研磨パッドに向けて配置される。研磨パッドは、「標準パッド」又は固定研磨パッドの何れでもよい。標準パッドは耐久性のあるざらざらの表面を備えており、一方固定研磨パッドは研磨粒子を保持媒体内に有している。キャリアヘッドは制御可能な荷重、即ち圧力を基板上に加え、研磨パッドに押し付ける。少なくとも1つの化学反応剤と、それに標準パッドを使用する際には研磨粒子とを含む研磨スラリーが研磨パッドの表面に供給される。
【0003】
効率的CMPプロセスでは、研磨速度が速いばかりでなく、基板表面も仕上げられ(小さな粗さが無い)平面になる(大きな凹凸が無い)。研磨速度、仕上げ、平面度は、パッドとスラリーの組み合わせ、基板とパッドとの間の相対速度、基板をパッドに押し付ける荷重によって決まる。研磨速度で層を研磨するのに必要な時間が決まる。平面度及び仕上げが不適切であれば欠陥のある基板を作り出すことになり兼ねないので、研磨パッドとスラリーの組み合わせの選択は、要求される仕上げと平面度によって決められることになる。これらの拘束条件が与えられると、要求される仕上げ及び平面度を達成するのに必要な研磨時間がCMP装置の最大処理量を決めることになる。
【0004】
CMPで繰り返し生じる問題は、基板表面のいわゆる「ディッシング(わん状変形)」である。特に、ストップ層が露出すると、パターン化されたストップ層の隆起区域の間にあるフィラー層の部分が過剰研磨され、基板表面に凹状のくぼみを作ることがある。ディッシングが生じると基盤は集積回路の製作には不適切なものとなり、処理生産量が低下することになる。
【0005】
発明の要約
ある態様では、本発明はストップ層の上に配置されたフィラー層を有する基板に化学的機械研磨を施す方法に向けられている。本方法では、基板には単層の硬質研磨パッドと第1スラリーとを用いてストップ層が少なくとも部分的に露出するまで化学的機械研磨が施される。基板には次に、軟質研磨パッドと第1スラリーより低い選択性を有する第2スラリーとを用いてストップ層が十分に露出するまで化学的機械研磨が施される。
【0006】
本発明の実行には以下の特徴の1つ又はその幾つかが含まれる。約5psi以下、例えば2.9psi未満の圧力が研磨の間に前記基板に掛けられる。第1スラリーは約20:1より大きな選択性を有し、第2スラリーは約6:1より小さな選択性を有する。システムは、ストップ層が少なくとも部分的に露出したときと、十分に露出したときとを終点検出器で検出する。単層の硬質研磨パッドはポリウレタンか又はマトリクス内に埋め込まれた研磨粒子を含む。フィルター層は金属であり、ストップ層は誘電性材料である。替わりに、フィラー層が第1誘電性材料で、ストップ層が第2誘電性材料であってもよい。
【0007】
別の態様では、本発明はストップ層の上に配置されたフィラー層を有する基板に化学的機械研磨を施す方法に向けられている。基板には単層の硬質研磨パッドと第1スラリーとを用いてストップ層が十分完全に露出するまで化学的機械研磨が施される。基板には次に、軟質研磨パッドと第1スラリーより低い選択性を有する第2スラリーとを用いて化学的機械研磨が施される。
【0008】
又別の態様では、本発明は下部層を覆って配置された上部層を有する基板に化学的機械研磨を施す方法に向けられている。本方法では、基板には、少なくとも第2層よりも硬い第1層が第2層上に配置されている積層研磨パッドを用いて化学的機械研磨が施される。基板には次に、第3研磨パッドを用いて化学的機械研磨が施される。第3研磨パッドは前記単層硬質パッドよりも軟らかである。
【0009】
本発明の実行には以下の特徴の1つ又はその幾つかが含まれる。積層研磨パッドを用いた研磨は下部層が部分的に露出したときに停止される。単層硬質研磨パッドを用いた研磨は下部層が十分完全に露出したときに停止される。替わりに、積層研磨パッドを用いた研磨が十分完全に下部層が露出したときに停止されるようにしてもよい。積層研磨パッドによる研磨は第1スラリーを用いて行い、単層硬質研磨パッドによる研磨は第2スラリーを用いて行うが、その場合、第1スラリーの選択性は第2スラリーよりも高い。積層研磨パッド及び単層研磨パッドによる研磨を第1スラリーを用いて行い、軟質研磨パッドによる研磨を第2スラリーを用いて行ってもよく、その場合にも、第1スラリーの選択性は第2スラリーよりも高い。単層研磨パッドは研磨粒子を含んでいる。
【0010】
本発明を実行する際の潜在的利点には、以下のうち何も含まれないこともあれば、幾つかが含まれることもある。基板表面のディッシングが低減又は取り除かれ、これにより生産量が増加する。一貫してウェーハ内の非均一性が低くなる。ストップ層のエロージョンが低減する。より薄いフィラー層を使用できるようになるので研磨時間を低減しCMP装置の処理量を増やすことができる。より長い時間、基板にバフ掛けできるようになり、基板の仕上げが改良される。これらのアプローチは全て、マイクロプロセッサからメモリー、異なるパターン密度を有するアナログデバイスまでの範囲の異なるデバイス(0.25μm以上)のためのIC生産組立におけるSTI CMPにも適用できる。
【0011】
本発明の他の特徴及び利点は図、請求の範囲を含め、以下の説明から明らかになるであろう。
【0012】
実施例の詳細な説明
図1に、1つ又は複数の基板10を化学的機械研磨(CMP)装置20により研磨するところを示す。同様の研磨装置20は米国特許第5,738,574号に記載されており、その開示の全てをここに参考文献として援用する。研磨装置20は、第1研磨ステーション25a、第2研磨ステーション25b、最終研磨ステーション25c、中継ステーション27を含む一連の研磨ステーションを備えている。中継ステーション27は様々な機能を果たしており、その中には個々の基板10を装填装置(図示せず)から受け取ること、基板を洗浄すること、基板をキャリアヘッドに装填すること、基板をキャリアヘッドから受け取ること、基板を再洗浄すること、そして最後に、基板を装填装置に送り返すことが含まれる。
【0013】
各研磨ステーションには回転テーブル30が備えつけられており、その上に研磨パッドが配置されている。第1及び第2ステーション25a、25bには比較的硬い研磨パッド100が取りつけられており、最終研磨ステーションには比較的軟らかな研磨パッド110が取りつけられている。基板10が直径「6インチ」(150mm)又は「8インチ」(200mm)のディスクである場合、テーブル及び研磨パッドの直径は約20インチである。基板10が直径「12インチ」(300mm)のディスクである場合、テーブル及び研磨パッドの直径は約30インチとなる。各テーブル30は回転式のアルミニウム又はステンレス鋼製の板であり、テーブル駆動モーター(図示せず)に接続されている。大部分の研磨プロセスでは、テーブル駆動モーターはテーブル30を毎分3000乃至200回転で駆動するが、もっと回転数を下げて又は上げて使うこともできる。
【0014】
各研磨ステーション25a、25b、25cには又、組み合わせ型スラリー/リンスアーム52a、52b、52cが各々備え付けられており、関係する研磨パッド表面上に突き出ている。各スラリー/リンスアーム52a−52cには、スラリー配送システムに接続された2本又はそれ以上のスラリー供給管54a、54bが備えられており、2つ又はそれ以上のスラリーを研磨パッドの表面上に供給するようになっている。作動時には、組み合わせ型スラリー/リンスアーム52a、52bは第1研磨スラリー50aを研磨ステーション25a及び25bに供給し、一方、組み合わせ型スラリー/リンスアーム52cは第2研磨スラリー50bを最終研磨ステーション25cに供給する。通常、研磨パッド全面を覆い、湿らせるのに十分なスラリーが供給される。各スラリー/リンスアーム52a−52cには更に、研磨及び調整サイクルが終わる度に高圧の研磨パッドのリンス剤を供給する数本のスプレーノズル(図示せず)も備えられている。各研磨ステーション25a−25cには更に、それぞれパッド調整装置40が備えられている。
【0015】
回転式のマルチヘッド回転ラック60は中心柱62により研磨ステーション上に支持されており、回転ラックモーターアッセンブリー(図示せず)により回転ラック軸64周りに中心柱62上を回転する。回転ラック60には、回転ラック軸64周りに均等な角度をあけて4個のキャリアヘッドシステム70a、70b、70c、70dが回転ラック支持板66上に取りつけられている。キャリアヘッドシステムの内3個は基板を受け取って保持し、基板を研磨ステーション25a−25cのテーブル上の研磨パッドに対して押し付け、研磨する。キャリアヘッドシステムの内1つは基板を中継ステーション27から受け取り、そして中継ステーションに渡す。
【0016】
各キャリアヘッドシステム70a−70dはそれぞれ、キャリア即ちキャリアヘッド80を有している。キャリア駆動シャフト78は、各キャリアヘッド80が自身の軸周りに独立して回転できるように、キャリアヘッド回転モーター76(回転ラックカバー68の四分の一を取り除いて示されている)をキャリアヘッド80に接続している。加えて、各キャリアヘッド80は、回転ラック支持板66内に形成された半径方向スロット72内を独立して横方向に往復する。
【0017】
キャリアヘッド80は幾つかの機能を果たす。概括的には、キャリアヘッドは基板を研磨パッドに対して保持し、基板の背面を通して下向き荷重を均等に配分し、駆動軸からのトルクを基板に伝達し、研磨処理の間に基板がキャリアヘッドの下から滑り出さないようにする。
【0018】
キャリアヘッド80は基板収容面を形成する可撓性膜(図示せず)を有している。適切なキャリアヘッド80については、本発明の譲受人に譲渡された、スティーブンMツゥニガ他による1997年5月21日出願の「化学的機械研磨システムのための可撓性膜を備えたキャリアヘッド」と題する米国特許出願番号第08/861,260号に述べられており、ここにその開示全てを参考文献として援用する。
【0019】
図2(A)では、開口即ち穴34が各テーブル30に形成され、透明な窓36がその穴を覆って研磨パッド100の一部に形成されている。透明な窓36は、本発明の譲受人に譲渡された、マヌーチャバイラング他による1996年8月26日出願の「化学的機械研磨装置のための研磨パッドに透明な窓を形成する方法」と題する米国特許出願番号第08/689,930号に述べられているように構築され、ここにその開示全てを参考文献として援用する。穴34及び透明な窓36は、研磨ヘッドの並進運動位置に関わり無くテーブルが回転している間に基板10を「観察」できるように配置されている。テーブル30の下にはレーザー干渉計90が配置されている。レーザー干渉計はレーザー94と検出器96とを含んでいる。レーザーは、透明な窓36を通して伝播し基板10の露出した表面に衝突する平行レーザービーム92を生成する。
【0020】
作動時には、CMP装置20はレーザー干渉計90を用いて、基板の表面から除去された材料の量により定義される研磨段階に関する終点を決めるか、又はいつ表面が平坦となったかを決める。汎用のプログラム可能ディジタルコンピューター98は、レーザー94と検出器96とに接続されている。コンピューター98は、基板が窓上に在るときにレーザーを作動させ、検出器からの計測値を記憶し、計測値を出力装置93上に表示し、研磨終点を検出するようにプログラムされている。
【0021】
図2(A)では又、第1研磨ステーション25aにおいて、粗い表面102と、上部層104と、下部層106とを有する研磨積層パッド100をテーブルが支持している。下部層106は感圧接着層108によりテーブル30に取りつけられている。上部層104は下部層106よりも硬い。例えば、上部層104は微細多孔質ポリウレタン又は充填材と混合されたポリウレタンから構成され、下部層106は圧縮されたウレタン濾過フェルト繊維で構成されている。IC−1000又はIC−1400から構成された上部層とSUBA−4から構成された下部層とを有する二層研磨パッドはデラウェア州ニューアークのローデル社から入手可能である(IC−1000、IC−1400、SUBA−4はローデル社の商品名である)。
【0022】
他の実施例では、研磨ステーション25bは単一の硬質剛体層で作られた研磨パッドを有している。
【0023】
図2(B)では、第2研磨ステーション25bにおいて、単一の硬質剛体層114で作られ粗い表面112を有する研磨パッド110をテーブルが支持している。層114は感圧接着層118によりテーブル30に取りつけられている。層114はデラウェア州ニューアークのローデル社から入手可能なIC−1000又はIC−1400から構成することができる。替わりに、研磨パッド110は、3M社から入手可能なレジンマトリクス内に埋め込まれた研磨粒子を有する固定研磨パッドでもよい。又更に、研磨パッド110は、ステーション25aにおける研磨パッドの上部層よりも遥かに剛い上部層か、又は研磨ステーション25aにおける研磨パッド100の下部層より遥かに薄い(例えば50%以上)下部層を有する二層パッドであってもよい。研磨パッド110には、基板の表面に亘るスラリーの配布を改良するため、あるパターンでエンボス加工又はスタンピング加工を施してもよい。他の点では、研磨ステーション25bは研磨ステーション25aと同じである。
【0024】
又別の実施例では、研磨ステーション25bは、研磨ステーション25aにおける研磨パッド100とほぼ同じ積層二層パッドを支持している。
【0025】
最終研磨ステーション25cにおいて、単一の軟質層124から作られほぼ平滑な表面122を有する研磨パッド120をテーブルが支持している。層124は感圧接着層128によりテーブル30に取りつけられている。層124は、起毛多孔質合成材から構成されている。適切な軟質研磨パッドはローデル社からポリテクスという商品名で入手できる。研磨パッド120には、基板の表面に亘るスラリーの配布を改良するため、あるパターンでエンボス加工又はスタンピング加工を施してもよい。他の点では、研磨ステーション25cは研磨ステーション25a及び25bと同じである。
【0026】
又他の実施例では、研磨ステーション25cは、第1研磨ステーションにおける研磨パッド100と同様な積層二層パッドを支持している。
【0027】
三段階化学的機械研磨プロセスでは、基板は先ずブレークスルー即ち主要研磨150のために積層二層パッドを使って研磨される。次に基板は、単層硬質パッドを使って低圧、例えば5psi未満で終点研磨160のために研磨される。終点研磨段階160の後には再研磨又はバフ掛け180が行われ、このときには先に述べたように単層軟質パッド又は積層二層パッドの何れかが用いられる。第1研磨段階は下のストップ層が部分的に露出したときに停止され、第2研磨段階は下のストップ層が完全に露出したときに停止される。ブレークスルー研磨段階150では材料の75%までが取り除かれる。残りの材料は終点研磨段階160で取り除かれる。各研磨段階は、先に述べたレーザー干渉計90又は振動終点システムのような終点検出器によって検出されるように、ストップ層に到達190したときに終了となる。
【0028】
二段階化学的機械研磨プロセスでは、先ず単層硬質研磨パッドを用いてストップ層が完全に露出するまで基板表面を研磨170し、次に単層軟質パッド又は積層パッドを用いて基板を再研磨又はバフ掛け180する。
【0029】
硬くて大きな研磨粒子(例えば、不規則な形状をしたCeO2)を使えば、ブレークスルー即ち主要研磨段階において終点までの除去速度及び平坦化速度を速くすることもできる。軟らかく小さな研磨粒子(例えばコロイドシリカ)を使えば、良好な表面品質が得られ、欠陥数が減り、ブレークスルー即ち主要研磨段階及び終点段階において除去速度が制御しやすくなる。ある実施例では、全3つのプレート上での非均一性を改善するため、冷却したスラリー又はパッド及び脱イオン水が使用される。
【0030】
深く幅の広い溝を設けたパッド(例えば、デラウェア州ニューアークのローデル社から入手可能なIC1010)を、欠陥を減らすために、単独のパッド又は積層パッドの最上層パッドとして用いることもできる。
【0031】
図3(A)−(E)は、フィラー層とストップ層とを有する基板に化学的機械研磨を施すプロセスを示す。図3(A)に示すように、基板10はシリコンウェーハ12上に配置された研磨ストップ層14を含んでいる。研磨ストップ層14はパターン付けされた下の単一又は複数の層の上にパターン付けされているか又は配置されているかの何れかなので、非平坦外表面を有している。フィラー層18はストップ層14を覆って配置されている。フィラー層18の外表面は下のストップ層14の形状を殆どそのまま複製しており、一連の山と谷ができているので基板の露出表面は平坦ではない。
【0032】
先に論じたように、平坦化の目的の1つはフィラー層18をストップ層14の上面が完全に露出するまで研磨することである。結果として生じる基板表面は、ストップ層内の溝及び穴がフィラー層により埋められ、余分なフィラー層が研磨除去されているので、実質的に平坦である。フィラー層18が導電性でありストップ層14が絶縁性であれば、この研磨により絶縁性の島14同士の間に導電性のビア16が残され、絶縁層内の穴には全て導電性プラグが残されることになる(図3(E)参照)。
【0033】
先に論じたように、効率的CMPプロセスは、高くて予測可能な研磨速度を提供するばかりでなく、ウェーハ内非均一性(WIWNU)の低い基板表面を提供し、欠陥と「ディッシング」を低減し、そして予測可能である。研磨速度とWIWNUはパッドのタイプ、基板をパッドに対して押し付ける力、基板とパッドとの間の相対速度、スラリー、及びこれらの要素の組み合わせによって決まる。
【0034】
何らの特定の理論に限られること無く、ディッシング効果の1つの可能性のある原因は、再研磨の間の高選択性スラリーの使用である。特に、研磨プロセス内の非均一性のために、フィラー層18が基板10に亘って均一に除去されないことがある。その結果、ストップ層14の上面が基板の全面に亘って確実に露出するようにするため、高選択性スラリーを使って基板を「再研磨」する必要が生じる。高選択性スラリーを使って再研磨すれば余剰フィラー層が除去されストップ層の非均一な研磨が避けられるので、グローバルフラットネスが改善される。しかしながら、高選択性スラリーは、フィラー層は研磨するがストップ層は研磨しないので、この再研磨は溝又は穴の中のフィラー層の一部を研磨除去し、それによりディッシングを生じる傾向にある。
【0035】
図3(B)では、基板10は最初に研磨ステーション25a及び25bで「高選択性」スラリーと硬質研磨パッド110、又は積層研磨パッド100及び硬質研磨パッド110の両方とを使って研磨される。スラリーの選択性とはフィラー層の研磨速度のストップ層の研磨速度に対する比をいう。高選択性スラリーは20:1から300:1のオーダーの選択性を有する。高選択性スラリーは約20:1以上、例えば約100:1の選択性を有しているのが好ましい。基板は高選択性スラリーによって、例えばレーザー干渉計90のような終点検出器がストップ層14が露出していることを検出するまで研磨される。この時点では、図3(C)に示すように、ストップ層が少なくとも部分的には露出していなければならない。即ち、基板全面に亘って研磨速度が均一ではないことにより、フィラー層の薄膜19がストップ層の幾らかの部分を覆って残り、ストップ層の他の部分は露出していることになる。
【0036】
終点検出器が、少なくとも部分的にはストップ層が露出したと判定した後、基板は、ストップ層の実質的に全ての上面が実際、確実に露出するようにするため「再研磨段階」に供される。基板が再研磨段階に供されるときには、ストップ層の約半分が露出している。図3(D)では、再研磨段階のため、基板は最終研磨ステーション25cで「非選択性」又は「低選択性」研磨スラリーを使って研磨パッド120上で研磨されている。低選択性スラリーは1:1乃至6:1のオーダーの選択性を有していなければならない。第2スラリーは約6:1以下、例えば約1:1の選択性を有しているのが好ましい。基板は、ストップ層14が十分完全に露出し、薄膜層19実質的に取り除かれ図3(E)のようになるまで、研磨パッド120を使って研磨される。
【0037】
低選択性スラリーを再研磨段階で用いれば、フィラー層及びストップ層の両方を確実に研磨できるようになるので、ディッシングを低減又は無くすることができる。加えて、フィラー層の大部分が高選択性スラリーと硬質研磨パッドとを使って迅速に平坦化できるので、処理量を上げ、グローバル領域の平坦度を確保することができる。更に、ディッシングが低減されるのでより薄いフィラー層を使用できるようになり、その結果研磨時間が短くなり、CMP装置の処理量が増加する。
【0038】
これらのプロセスは様々に変更することができる。例えば、基板は、ストップ層が露出するまで研磨ステーション25aで研磨することもできる。再研磨段階を、例えば第2研磨ステーション25bで、軟質研磨パッドではなく硬質研磨パッドを使って行ってもよい。最初の研磨段階と再研磨段階の両方を単一の研磨ステーション、例えば研磨ステーション25aで行ってもよい。再研磨段階の後には、同じ研磨ステーション(特に、再研磨段階で軟質研磨パッドが使用される場合)又は異なる研磨ステーション(特に、再研磨段階で硬質研磨パッドが使用される場合)で、低選択性スラリーを用いるバフ掛け段階を行ってもよい。
【0039】
替わりに、高選択性スラリーを用いる研磨を、例えば第2研磨ステーション25bで終点が検出された後も、継続して再研磨を行い、次に基板にバフ掛けし、そして/又は、例えば研磨ステーション25cで低選択性スラリーを用いる追加の研磨段階に供してもよい。この場合、低選択性スラリーを用いるバフ掛け又は追加の研磨段階はフィラー層及びストップ層の両方を研磨し、再研磨段階で生じたディッシングを低減するか又は取り除く。
【0040】
研磨プロセスは各種フィラー層及びストップ層に関して使うことができ、CMPを用いてストップ層を平坦化及び露出させる各種製作段階に適合させることができる。
【0041】
例えば、研磨プロセスはシリコン研磨に使用することができる。この場合、通常ストップ層は酸化シリコンのような絶縁性酸化物であり、フィラー層は多結晶シリコン(ポリシリコン)、無定形シリコン、単結晶シリコンのようなシリコン層である。シリコン研磨が行われる場合には、初期自然酸化物除去段階が行われるが、これについては本発明の譲受人に譲渡された、シジャン・リ他による1998年6月13日出願の「シリコンの化学的機械研磨のための技法」と題する米国特許出願番号第09/097,004号に論じられており、ここにその開示全てを参考文献として援用する。
【0042】
フィラー層がポリシリコンであり、ストップ層が酸化シリコンであると仮定すれば、高選択性スラリーはポリシリコンスラリー、低選択性スラリーは酸化物研磨スラリーでなければならない。ポリシリコン研磨スラリーは、脱イオン水と、フュームドシリカ研磨粒子と、スラリーのpH調節も行うアミンベースの化学反応剤とを含む。適切なポリシリコン研磨スラリーとしては、キャボット社から入手可能なEPP−1000、EPP−1060、EPP−1000LRP、オレゴン州ウィルソンビルのフジミから入手可能なプラナライト−6101、プラナライト−6102、プラナライト−6203、ローデル社から入手可能なSDE−3000がある。キャボット、フジミ、ローデルからの上記ポリシリコン研磨スラリーは約1:100乃至1:1000の選択性を有しており、絶縁層の組成によって変わる。低選択性スラリーは、脱イオン水と、フュームドシリカ研磨粒子と、水酸化カリウム(KOH)又は水酸化アンモニウムのような反応性pH調整剤とを含む。適切な低選択性シリコン/ポリシリコン研磨スラリーとしては、ローデル社から入手可能なアドバンシル2000がある。
【0043】
研磨プロセスは導電層の研磨にも使用できる。この場合、通常、ストップ層は酸化シリコン等の酸化物のような絶縁層14であり、フィラー層18はアルミニウム、銅、タングステン等の金属のような導電層である。金属研磨に関しては、高選択性スラリーはキャボットから入手可能なSSW−2000、低選択性スラリーはキャボットから入手可能なSS−12が挙げられる。
【0044】
更に、研磨プロセスはトレンチ分離(STI)にも使用できる。STI研磨では、ストップ層14は窒化シリコン等の窒化物のような第1誘電材であり、フィラー層18は酸化シリコン等の酸化物のような第2誘電材である。STI研磨に関しては、高選択性スラリーはローデルから入手可能なコランダム、低選択性スラリーはこれもローデルから入手可能なSS−12が挙げられる。
【0045】
高選択性スラリーは窒化物ストップ層のエロージョンを最小化するためにSTI CMPで用いられる。高選択性スラリーの選択性はアクティブエリアパターン密度によって変わる。図4では、選択性、即ち酸化物フィラー層の研磨速度の窒化物ストップ層の研磨速度に対する比が、高選択性スラリー及び低選択性スラリーに対するパーセントアクティブエリア(パターン密度)の関数としてプロットされている(各々曲線290及び292)。高選択性スラリーの場合、選択性は90%アクティブエリアパターン密度での85から10%アクティブエリアパターン密度での25へと低下する。低選択性スラリーは、このアクティブエリアパターン密度への依存性を示さない。
【0046】
加えて、1000ミクロン幅アクティブエリア上の残存窒化物厚さをアクティブエリア端からの距離の関数として表した図5(A)に示すように、窒化物ストップ層エロージョンパターンの造形は、窒化物が再研磨の間に露出してしまったアクティブエリアでは丸みがついている。ウェーハ内非均一性(WIWNU)が悪い場合、アクティブエリア内の酸化物を完全に除去するため再研磨時間を延長しなければならない。高選択性スラリーを使用する追加研磨時間を延長すると、1000ミクロン幅フィールドエリア上の残存酸化物厚さをフィールドエリア端からの距離の関数として表した図5(B)に示すように、ひどいフィールド酸化物ディッシングが生じる。
【0047】
図6(A)及び(B)では、低選択性スラリー及び高選択性スラリー各々に対するディッシングが1000μm幅スペース及び400μm幅スペース上での残存窒化物厚さの関数としてプロットされている。図から分かるように、ディッシングは、高選択性スラリーを用いた場合の方が低選択性スラリーの場合に比べて顕著になる。ある実施例では、アクティブエリアの酸化物除去の後、ディッシングは高選択性スラリーを使用した場合には1000μm幅スペース上で深さ1400Åにも達する(図6(B))。これに比べ、低選択性スラリーを使用した場合には1000μm幅スペース上で600Å未満(<200Å窒化物エロージョンに対応)に収まる(図6(A))。ひどいディッシング及びウェーハ内ディッシング変動はデバイス欠陥につながりかねない。ディッシングによりフィールド酸化物がポリシリコン蒸着前にシリコン表面の下に凹みを作る場合には、シリコンデバイス角部周りのポリシリコンラッピングは、高いサブスレッショルド漏洩電流を生じる結果となる。又他の潜在的デバイス欠陥は、アクティブエリアと、そして高いWIWNU又は大きなウェーハ内ディッシング変動によって作り出される隆起フィールド領域の脚部とに在るポリシリコン残留物及び/又はストリンガによって生じることもある。
【0048】
先に論じたように、CMPではWIWNUの低いことが望ましい。WIWNUを下げるのには3つの因子が貢献する。第1の因子は、ウェーハ背面に均一な圧力を掛けるための可撓性膜を備えたキャリアヘッドと、ウェーハの端部における移動速度を調整するための独立圧力制御機能を備えたリテイニングリングとを使用することである。第2の因子は、プロセスパラメータ、消耗品パラメータの最適化である。低膜圧(例えば5psi未満)及び低選択性スラリー(例えばコロイドSiO2スラリー)は、図7に示されるように、トレンチ酸化物研磨の間に低WIWNUを達成するのに使用され、この図は200mmの直径を有するウェーハを、端部3mmを除いて直径方向に亘り走査したものを示す。各曲線は別々のウェーハと研磨ヘッドとの組み合わせの結果を示す。第3の因子は、終点検出器を用いて窒化物上の一貫した終点検出を確実に行うことである。終点検出器は、例えばレーザー干渉計のような光学的なものでも、振動検出システムでもよい。上記3つの因子を使えば、図8の曲線287に示すように、360ウェーハ拡張ランにおいて3%未満のWIWNUを達成できる。加えて、CMP後フィールド酸化物厚さ(図8の曲線286)は拡張ランに亘って一貫している。図8のデータを得るために、膜/リテイニングリング/内部管の圧力を2.5/3/2.5psi、テーブル/ヘッドの速度を63/57rpmとし、積層IC1000/SubaIV研磨パッドを使用した。図9では、CMP後窒化物残存厚さ及び窒化物厚さ範囲(最大)により明確に示されているように、窒化物エロージョンが拡張ランにおけるウェーハ数の関数としてプロットされている。図9のデータを得るために、膜/リテイニングリング/内部管の圧力を4/4.6/4psi、テーブル/ヘッドの速度を93/87rpmとし、積層IC1000/SubaIV研磨パッドを使用した。曲線288に示されているように、100ウェーハ拡張ランに亘って1.43%の窒化物ウェーハ間非均一性(WTWNU)を達成するため、窒化物エロージョンが制御されている。残存窒化物厚さ範囲(最大−最小)曲線289は、特徴付けられた造形に亘って350Å未満、平均259Åに制御されている。
【0049】
図10では、CMP後窒化物厚さ(曲線284)、酸化物厚さ(曲線282)、終点における実際の研磨時間(曲線280)が拡張ランにおけるウェーハ数の関数としてプロットされている。図10のデータを得るために、膜/リテイニングリング/内部管の圧力を4/4.6/4psi、テーブル/ヘッドの速度を63/57rpmとし、積層IC1000/SubaIV研磨パッドを使用した。データの第1部は最適化されたプロセスランの間にとられ(領域A)、データの第2部は実験計画(DOE)ランの間にとられた(領域B)。CMP後窒化物厚さ及び酸化物厚さの両方共、最適化プロセスラン及びDOEランの間、制御されている。CMP後残存酸化物厚さは、蒸着された酸化物厚さと除去された厚さの差である。DOEの間、圧力とテーブル/ヘッド回転速度を変えることにより研磨速度は変えられた。
【0050】
図11(A)及び(B)に、SACVD及びHDP CVDそれぞれに関する、CMP前(350、360)及びCMP後(352、362)の走査型電子顕微鏡(SEM)顕微鏡写真を示す。HDP CVD酸化物充填は蒸着プロセスの間のスパッタリングによる自己平坦化効果を示している。自己平坦化効果によりトレンチ酸化物蒸着がより薄くできるようになり、最終的には蒸着ツールによる処理量を増やすことができる。それにも関わらず、酸化物ディッシングと窒化物エロージョンとはSACVD及びHDP CVD酸化物トレンチ充填の双方に対し一貫して最小限に制御できる。
【0051】
このプロセスは、ダミー造形、逆マスクエッチング、ブランケット窒化物フィルム、薄い窒化物サンドイッチフィルムのような代表的集積解決策に依ることなく、異なるパターン密度の異なるデバイス(0.25μm以上)に使用することができる。ダミー造形はフォトマスク制作費を上げるばかりでなく、デバイスに潜在的悪影響を及ぼし、これは特にポリシリコンキャパシタ設計が用いられる場合には当てはまる。他の集積解決策も余分なプロセス段階を導入することになり製造コストが上がる。これらの集積策の出費がないSTI CMPプロセスはIC製造業者には非常に魅力的である。
【0052】
先に論じたように、ウェーハ平坦度は圧力、速度及びパッドタイプによって変わる。圧力パラメータには膜とリテイニングリングと内部管の圧力が含まれる。速度パラメータにはテーブルとヘッドの速度が含まれる。IC1000硬質単独パッド及びIC1000/SubaIV積層パッドの2タイプの研磨パッドを比較した。10%から90%の範囲の異なるパーセンテージのアクティブエリアを有する8200Åの深いトレンチを充填するのに16000ÅのPETEOSを蒸着してパターン付けされたウェーハを準備した。ウェーハ表面の準備に関しては、各ステッパフィールドに10%から90%の範囲の異なるパーセンテージのアクティブエリアを持つ4x4mmのテスト構造を有するマスクレイアウトを使用した。各実験ランに対し、50%のアクティブエリアで9000+/−500ÅのPETEOSを除去するよう研磨時間を制御した。
【0053】
図12は、フィールドエリアに残存する酸化物の厚さを、硬質単独研磨パッド(曲線300、310)及び積層研磨パッド(曲線320、330)用に研磨時間を調節した後のアクティブエリアのパーセンテージの関数としてプロットしたものである。硬質単独パッドは硬質/軟質積層パッドに比べ高速(テーブル/ヘッド、153/147rpm)310、330及び低速(テーブル/ヘッド、93/87rpm)300、320の両方において異なる基板構造の研磨均一性を十分に改善した。硬質単独パッドを低圧(膜/リテイニングリング/内部管、2/2.9/2psi)で用いることにより(曲線300)、異なるパーセンテージのアクティブエリアを有するダイに亘る酸化物厚さ範囲(最大−最小)が1200Åに制御された。これは、同じ条件で硬質/軟質積層パッドを使用した場合(曲線320)に同じテストマスク上で観察される範囲の約1/3である。図12の曲線の不規則形状は、非常に異なるパーセンテージのアクティブエリアを有する近接する造形の影響によるものであろう。近接する造形による影響はマスクレイアウトにより抑制される。
【0054】
図13は、平坦化長を、単独硬質パッド302、312及び積層硬質パッド322、332に対する膜圧力の関数としてプロットしたものである。単独硬質パッドでは平坦化長15mmが達成されるが、積層パッドでは平坦化長が唯の6mmしか達成できていない。膜圧力が2psiから7psiに変えられている。2乃至7psiのテスト範囲では、高圧に比べて低膜圧が平坦度を改善している。この結果は又、平坦度が、20”テーブル上での93/87rpmから153/147rpmの範囲ではテーブル/ヘッド速度に対して、硬質/軟質積層パッド及び硬質単独パッド両方に関し各々曲線322、332及び302、312に示すように、鈍感であることを示している。
【0055】
要約すれば、ウェーハの平坦度は硬質単独研磨パッドを使って低膜圧力下で研磨することにより改善される。5mm端部除外及び3mm端部除外での5%未満のWIWNUが、圧力2/2.9/2psi及び速度153/147rpmでの単独IC1000硬質パッドを使った182秒の研磨の後、200mmウェーハ上で達成されている。7%未満のWIWNUが、圧力2/2.9/2psi及び速度93/87rpmでの単独IC1000硬質パッドを使った251秒の研磨の後、ウェーハ上で達成されている。硬質単独パッド研磨時間を60秒未満に低減すればWIWNUを更に低くできるものと期待される。
【0056】
パッド硬度は高平坦度を達成するのに支配的な要素である。調査した実験範囲では、剛体単層パッドを低膜圧力で使用すれば高い平坦度が得られた。又、平坦度は速度に対しては鈍感である。STI CMPプロセスで硬質単独パッドを低圧で用いれば、平坦度が線形研磨機の場合よりも50%良くなり、硬質単独パッドが使用されなかった場合よりも3倍良くなる。
【0057】
本発明は、図示し説明した実施例に限られるものではない。本発明の範囲は特許請求の範囲に定義されるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 化学的機械研磨(CMP)装置の概略拡大斜視図である。
【図2】 図2(A)は、図1のCMP装置の第1研磨ステーションの概略断面図である。図2(B)は、図1のCMP装置の第2研磨ステーションの概略断面図である。
【図3】 図3(A)は、本発明の方法を示す基板の概略断面図である。図3(B)は、本発明の方法を示す基板の概略断面図である。図3(C)は、本発明の方法を示す基板の概略断面図である。図3(D)は、本発明の方法を示す基板の概略断面図である。図3(E)は、本発明の方法を示す基板の概略断面図である。
【図4】 酸化物/窒化物選択性を低選択性スラリー及び高選択性スラリーに対するアクティブエリアのパーセンテージの関数として示すグラフである。
【図5】 図5(A)は、等しいライン及び等しいスペースの1000ミクロン造形サイズの50%アクティブエリア領域における窒化物エロージョンをアクティブエリア端からの距離の関数として表したグラフである。図5(B)は、等しいライン及び等しいスペースの1000ミクロン造形サイズの50%フィールドエリア領域における酸化物ディッシングをフィールドエリア端からの距離の関数として表したグラフである。
【図6】 図6(A)は、低選択性スラリーに関するディッシングを1000μm及び400μmスペースに対する残存窒化物厚さの関数として表したグラフである。図6(B)は、高選択性スラリーに関するディッシングを1000μm及び400μmスペースに対する残存窒化物厚さの関数として表したグラフである。
【図7】 端部3mmを除外して200mm直径のウェーハを走査した結果を示すグラフである。
【図8】 フィールド酸化物厚さ及びWIWNUを、拡張ランにおけるウェーハ数の関数として表したグラフである。
【図9】 残存窒化物厚さ及び窒化物厚さ範囲を、拡張ランにおけるウェーハ数の関数として表したグラフである。
【図10】 残存窒化物厚さ、フィールド酸化物厚さ、終点における実際の研磨時間を、拡張ランにおけるウェーハ数の関数として表したグラフである。
【図11】 図11(A)は、SACVD酸化物充填に関する、CMP前及びCMP後の断面の走査型電子顕微鏡(SEM)顕微鏡写真である。図11(B)は、HDPCVD酸化物充填に関する、CMP前及びCMP後の断面の走査型電子顕微鏡(SEM)顕微鏡写真である。
【図12】 フィールドエリアに残存する酸化物を、調節された時間で研磨した後のアクティブエリアのパーセンテージの関数として表したグラフである。各曲線は異なる研磨パッドタイプと速度の組み合わせを表す。
【図13】 平坦長を、異なる研磨パッドタイプと速度の組み合わせに関する膜圧力の関数として表したグラフである。
【符号の説明】
10…基板、14…ストップ層、16…ビア、18…フィラー層、19…薄膜層、20…研磨装置、CMP装置、25a…第一研磨ステーション、25b…第二研磨ステーション、25c…最終研磨ステーション、27…中継ステーション、30…回転テーブル、34…開口、穴、36…透明な窓、40…パッド調整装置、52a、52b、52c…組み合わせ型スラリー/リンスアーム、60…回転ラック、62…中心柱、64…回転ラック軸、66…回転ラック支持板、70a、70b、70c、70d…キャリアヘッドシステム、72…半径方向スロット、76…キャリアヘッドj回転モータ、78…キャリア駆動シャフト、80…キャリアヘッド、90…レーザー干渉計、92…平行レーザービーム、93…出力装置、94…レーザー、96…検出器、98…コンピュータ、100…研磨パッド、104…上部層、106…下部層、108…感圧接着層、110…研磨パッド、112…粗い表面、114…層、118…感圧接着層、120…研磨パッド、122…平滑な表面、124…層、128…感圧接着層、150…主要研磨、160…終点研磨段階、170…研磨、180…バフ掛け。
Claims (12)
- ストップ層の上に配置されたフィラー層を有する基板に化学的機械研磨を施す方法であって、
単層硬質研磨パッドと第1スラリーを用いてストップ層が少なくとも部分的に露出するまで基板に化学的機械研磨を施す段階と、
軟質研磨パッドと前記第1スラリーよりも低い選択性を有する第2スラリーを用いてストップ層が完全に露出するまで前記基板に化学的機械研磨を施す段階と、を備え、
前記選択性は、前記フィラー層の研磨速度の前記ストップ層の研磨速度に対する比である、
方法。 - 前記基板には研磨の間、34.5kPaに等しいかそれより低い圧力が加えられる、請求項1に記載の方法。
- 前記圧力が20.0kPaに等しいかそれより低い、請求項2に記載の方法。
- 前記第1スラリーが約20:1より大きな選択性を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第2スラリーが約6:1より小さな選択性を有する、請求項1に記載の方法。
- ストップ層が少なくとも部分的に露出したときと、ストップ層が完全に露出したときとを終点検出器により感知する段階を更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記単層硬質研磨パッドがポリウレタンを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記単層硬質研磨パッドがマトリクスに埋め込まれた研磨粒子を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記フィラー層が金属であり、前記ストップ層が誘電性材である、請求項1に記載の方法。
- 前記フィラー層が第1誘電性材であり、前記ストップ層が第2誘電性材である、請求項2に記載の方法。
- 前記単層硬質研磨パッドと前記第1スラリーを用いて前記基板に研磨を施す段階は、前記ストップ層全体ではなく、前記ストップ層が部分的に露出されるまで実施される、請求項1記載の方法。
- ストップ層の上に配置されたフィラー層を有する基板に化学的機械研磨を施す方法であって、
単層硬質研磨パッドと第1スラリーを用いてストップ層が十分完全に露出するまで基板に化学的機械研磨を施す段階と、
軟質研磨パッドと前記第1スラリーよりも低い選択性を有する第2スラリーを用いて前記基板に化学的機械研磨を施す段階と、を備え、
前記選択性は、前記フィラー層の研磨速度の前記ストップ層の研磨速度に対する比である、
方法。
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