JPH06275506A - 回転塗布装置及びその方法 - Google Patents
回転塗布装置及びその方法Info
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- JPH06275506A JPH06275506A JP8524393A JP8524393A JPH06275506A JP H06275506 A JPH06275506 A JP H06275506A JP 8524393 A JP8524393 A JP 8524393A JP 8524393 A JP8524393 A JP 8524393A JP H06275506 A JPH06275506 A JP H06275506A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハの表面に異物のない良好な塗布膜を形
成することによって半導体製品の歩留りの向上を図る。 【構成】 底面に排気口１４ａを配置したスピンカップ
１４の内部に、処理を行うウェハＷを吸着固定するスピ
ンチャック１２と、スピンチャク１２に吸着固定された
ウェハＷの表面に対して平行にガスを噴出しかつウェハ
Ｗの全表面を覆う状態にガスを噴出するガス供給パイプ
１５のガス噴出口１５ａと、ガス噴出口１５ａから噴出
したガスを排気する吸気ダクト１６の吸気口１６ａとを
配置する。ガス噴出口１５ａは、スピンチャック１２に
吸着固定されたウェハＷの周縁より外側で、かつ、ウェ
ハＷの表面に対して所定の高さΔｔに配置される。ま
た、吸気口１６ａは、スピンチャック１２に吸着固定さ
れるウェハＷの周縁より外側で、かつガス噴出口１５ａ
とでウェハＷを挟んで対向する状態に配置される。
成することによって半導体製品の歩留りの向上を図る。 【構成】 底面に排気口１４ａを配置したスピンカップ
１４の内部に、処理を行うウェハＷを吸着固定するスピ
ンチャック１２と、スピンチャク１２に吸着固定された
ウェハＷの表面に対して平行にガスを噴出しかつウェハ
Ｗの全表面を覆う状態にガスを噴出するガス供給パイプ
１５のガス噴出口１５ａと、ガス噴出口１５ａから噴出
したガスを排気する吸気ダクト１６の吸気口１６ａとを
配置する。ガス噴出口１５ａは、スピンチャック１２に
吸着固定されたウェハＷの周縁より外側で、かつ、ウェ
ハＷの表面に対して所定の高さΔｔに配置される。ま
た、吸気口１６ａは、スピンチャック１２に吸着固定さ
れるウェハＷの周縁より外側で、かつガス噴出口１５ａ
とでウェハＷを挟んで対向する状態に配置される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程でレジ
スト等の塗布液をウェハの表面に塗布する場合に用いる
回転塗布装置に関するものである。
スト等の塗布液をウェハの表面に塗布する場合に用いる
回転塗布装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程に用いられる回転塗布装
置は、レジスト等の塗布液をウェハの表面に均一に塗布
するための装置である。この回転塗布装置は、塗布液が
滴下されたウェハを高速回転させ、遠心力で当該塗布液
をウェハ上に塗布すると共に、余剰の塗布液を当該ウェ
ハの表面から飛散させることによって、上記ウェハの表
面に塗布される塗布液に所定の膜厚を得ている。
置は、レジスト等の塗布液をウェハの表面に均一に塗布
するための装置である。この回転塗布装置は、塗布液が
滴下されたウェハを高速回転させ、遠心力で当該塗布液
をウェハ上に塗布すると共に、余剰の塗布液を当該ウェ
ハの表面から飛散させることによって、上記ウェハの表
面に塗布される塗布液に所定の膜厚を得ている。
【０００３】図４に上記回転塗布装置の構成図を示し
た。図に示すように、処理を行うウェハＷは、スピンモ
ータの回転軸４１の上端に配置されたスピンチャック４
２に吸着固定される。そして、上記回転軸４１を延長し
た上部には、塗布液をウェハＷの表面に滴下する滴下ノ
ズル４３の先端部が配置されている。上記構成の処理部
分は、遠心力でウェハＷの表面から飛散する塗布液を受
け止めるためのスピンカップ４４で囲まれている。
た。図に示すように、処理を行うウェハＷは、スピンモ
ータの回転軸４１の上端に配置されたスピンチャック４
２に吸着固定される。そして、上記回転軸４１を延長し
た上部には、塗布液をウェハＷの表面に滴下する滴下ノ
ズル４３の先端部が配置されている。上記構成の処理部
分は、遠心力でウェハＷの表面から飛散する塗布液を受
け止めるためのスピンカップ４４で囲まれている。
【０００４】しかし、上記のようにウェハＷの表面から
遠心力で飛散した塗布液は、上記スピンカップ４４から
跳ね返ってウェハＷに再付着する場合がある。ウェハＷ
に塗布液が再付着すると、ウェハＷの表面で塗布液の塗
布膜厚に不均一が生じる。このため、上記スピンカップ
４４を塗布液が跳ね返り難い形状に設計したり、あるい
は上記スピンカップ４４の底面に複数の排気口４５を設
けている。上記排気口４５は、上記スピンカップ４４の
内側にダウンフロー状態で流されるクリーンエア４６を
排気するか、または、スピンカップ４４の内側の雰囲気
を強制的に吸引排気するものである。そして、ウェハＷ
の回転による遠心力で飛散した塗布液を、この排気口４
５から排出し再びウェハＷに付着するのを防止してい
る。
遠心力で飛散した塗布液は、上記スピンカップ４４から
跳ね返ってウェハＷに再付着する場合がある。ウェハＷ
に塗布液が再付着すると、ウェハＷの表面で塗布液の塗
布膜厚に不均一が生じる。このため、上記スピンカップ
４４を塗布液が跳ね返り難い形状に設計したり、あるい
は上記スピンカップ４４の底面に複数の排気口４５を設
けている。上記排気口４５は、上記スピンカップ４４の
内側にダウンフロー状態で流されるクリーンエア４６を
排気するか、または、スピンカップ４４の内側の雰囲気
を強制的に吸引排気するものである。そして、ウェハＷ
の回転による遠心力で飛散した塗布液を、この排気口４
５から排出し再びウェハＷに付着するのを防止してい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の回転塗
布装置には、以下のような課題があった。すなわち、図
５に示すように、高速回転するウェハＷの表面の塗布液
Ｌは、遠心力によってミスト状態で飛散する。この飛散
するミスト状態の塗布液Ｌのうち質量の大きいものはウ
ェハＷの表面に対して水平方向に飛散し、クリーンエア
４６によって下方へ落とされて図４に示した排気口４５
から排出される。しかし、質量の小さいものは、ウェハ
Ｗの表面から上方向に向かって舞い上がる。この質量の
小さい、いわゆる霧状の塗布液Ｌ1 は、上記スピンカッ
プ４４の底面に配置された排気口４５から排出されるこ
となく、そのままウェハＷの表面に降下するか、あるい
はクリーンエア４６に上部から吹きつけられることによ
って、ウェハＷの表面に再付着してしまう。そして、ウ
ェハＷの表面に再付着した霧状の塗布液Ｌ1 は、ウェハ
Ｗの表面で固まってパーティクルとなり、半導体装置の
パターン欠陥等を引き起こす原因になる。
布装置には、以下のような課題があった。すなわち、図
５に示すように、高速回転するウェハＷの表面の塗布液
Ｌは、遠心力によってミスト状態で飛散する。この飛散
するミスト状態の塗布液Ｌのうち質量の大きいものはウ
ェハＷの表面に対して水平方向に飛散し、クリーンエア
４６によって下方へ落とされて図４に示した排気口４５
から排出される。しかし、質量の小さいものは、ウェハ
Ｗの表面から上方向に向かって舞い上がる。この質量の
小さい、いわゆる霧状の塗布液Ｌ1 は、上記スピンカッ
プ４４の底面に配置された排気口４５から排出されるこ
となく、そのままウェハＷの表面に降下するか、あるい
はクリーンエア４６に上部から吹きつけられることによ
って、ウェハＷの表面に再付着してしまう。そして、ウ
ェハＷの表面に再付着した霧状の塗布液Ｌ1 は、ウェハ
Ｗの表面で固まってパーティクルとなり、半導体装置の
パターン欠陥等を引き起こす原因になる。
【０００６】本発明は、上記の課題を解決する回転塗布
装置を提供し、ウェハの表面に異物のない良好な塗布膜
を形成することによって半導体製品の歩留りの向上を図
ることを目的とする。
装置を提供し、ウェハの表面に異物のない良好な塗布膜
を形成することによって半導体製品の歩留りの向上を図
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の回転塗布装置は周壁と底面とで形成され
当該底面に排気口を配置したスピンカップと、当該スピ
ンカップの内部に配置され処理を行うウェハを吸着固定
するスピンチャックと、上記スピンカップの内部に配置
され上記スピンチャクに吸着固定されたウェハの表面に
対して平行にガスを噴出しかつ同ウェハの全表面を覆う
状態にガスを噴出するように形成されたガス供給パイプ
のガス噴出口と、上記スピンカップの内部に配置され上
記ガス噴出口から噴出したガスを排気する吸気ダクトの
吸気口とを備えている。そして、上記ガス噴出口は、上
記スピンチャックに吸着固定されたウェハの周縁より外
側で、かつ、同ウェハの表面に対して所定の高さに配置
されている。また、上記吸気口は、上記スピンチャック
に吸着固定されるウェハの周縁より外側で、かつ、上記
ガス噴出口とで同ウェハを挟んで対向する状態に配置さ
れることを特徴としている。
めに、本発明の回転塗布装置は周壁と底面とで形成され
当該底面に排気口を配置したスピンカップと、当該スピ
ンカップの内部に配置され処理を行うウェハを吸着固定
するスピンチャックと、上記スピンカップの内部に配置
され上記スピンチャクに吸着固定されたウェハの表面に
対して平行にガスを噴出しかつ同ウェハの全表面を覆う
状態にガスを噴出するように形成されたガス供給パイプ
のガス噴出口と、上記スピンカップの内部に配置され上
記ガス噴出口から噴出したガスを排気する吸気ダクトの
吸気口とを備えている。そして、上記ガス噴出口は、上
記スピンチャックに吸着固定されたウェハの周縁より外
側で、かつ、同ウェハの表面に対して所定の高さに配置
されている。また、上記吸気口は、上記スピンチャック
に吸着固定されるウェハの周縁より外側で、かつ、上記
ガス噴出口とで同ウェハを挟んで対向する状態に配置さ
れることを特徴としている。
【０００８】また、本発明の回転塗布方法は、次の第１
から第３の工程に従って行われるものである。第１の工
程では、回転させたウェハの表面に塗布液を滴下する
か、あるいは、ウェハの表面に塗布液を滴下して当該ウ
ェハを回転させ、上記ウェハの表面に上記塗布液を回転
塗布する。上記第１の工程と平行して行われる第２の工
程は、上記ウェハの下方の雰囲気を排気して下方向に向
かう気流を形成し、上記ウェハの表面から遠心力によっ
て水平方向に飛散する上記塗布液を、上記下方向に向か
う気流と共に排気除去する。そして、第３の工程では、
上記第１の工程でウェハの表面に塗布液を滴下した直後
に、上記ウェハの表面に対して平行且つ所定間隔を保つ
気流を不活性な気体またはドライエアで形成し、上記ウ
ェハの上方向に飛散する上記塗布液を上記気流と共に排
気除去する。
から第３の工程に従って行われるものである。第１の工
程では、回転させたウェハの表面に塗布液を滴下する
か、あるいは、ウェハの表面に塗布液を滴下して当該ウ
ェハを回転させ、上記ウェハの表面に上記塗布液を回転
塗布する。上記第１の工程と平行して行われる第２の工
程は、上記ウェハの下方の雰囲気を排気して下方向に向
かう気流を形成し、上記ウェハの表面から遠心力によっ
て水平方向に飛散する上記塗布液を、上記下方向に向か
う気流と共に排気除去する。そして、第３の工程では、
上記第１の工程でウェハの表面に塗布液を滴下した直後
に、上記ウェハの表面に対して平行且つ所定間隔を保つ
気流を不活性な気体またはドライエアで形成し、上記ウ
ェハの上方向に飛散する上記塗布液を上記気流と共に排
気除去する。
【０００９】
【作用】上記のように構成された回転塗布装置は、上記
ガス供給パイプのガス噴出口からガスを噴出させること
によって、上記スピンチャックに吸着固定されたウェハ
の上方に気流が形成される。この気流は、ウェハの表面
に対して所定間隔を保って平行に形成され、かつ、上記
ウェハの全表面の上方に形成される。また、上記ガス噴
出口から噴出したガスは、上記吸気口から排気される。
さらに、上記スピンカップの底面に配置される排気口か
ら排気を行うことによって、上記ウェハの下方では、下
方向に向かう気流が形成される。
ガス供給パイプのガス噴出口からガスを噴出させること
によって、上記スピンチャックに吸着固定されたウェハ
の上方に気流が形成される。この気流は、ウェハの表面
に対して所定間隔を保って平行に形成され、かつ、上記
ウェハの全表面の上方に形成される。また、上記ガス噴
出口から噴出したガスは、上記吸気口から排気される。
さらに、上記スピンカップの底面に配置される排気口か
ら排気を行うことによって、上記ウェハの下方では、下
方向に向かう気流が形成される。
【００１０】そして、上記回転塗布方法では、ウェハの
表面に塗布液を回転塗布する際に、当該ウェハの表面か
ら遠心力によって水平方向に飛散する塗布液と、当該ウ
ェハの表面から上方向に飛散する塗布液とが除去され
る。また、ウェハの表面に対して平行且つ所定間隔を保
つ気流を、不活性な気体またはドライエアで形成してい
るので、当該気流がウェハの表面に塗布される塗布液に
影響を及ぼすことはない。
表面に塗布液を回転塗布する際に、当該ウェハの表面か
ら遠心力によって水平方向に飛散する塗布液と、当該ウ
ェハの表面から上方向に飛散する塗布液とが除去され
る。また、ウェハの表面に対して平行且つ所定間隔を保
つ気流を、不活性な気体またはドライエアで形成してい
るので、当該気流がウェハの表面に塗布される塗布液に
影響を及ぼすことはない。
【００１１】
【実施例】以下に、本発明の第１の実施例を図面に基づ
いて説明する。図１は、本発明の回転塗布装置の一部切
欠き斜視図であり、図２は図１におけるＡ−Ａ’断面構
成図である。図１及び図２に示すように、処理を行うウ
ェハＷは、垂直に立設する回転軸１１の先端に位置する
スピンチャック１２に載置される。上記回転軸１１は、
図示しないスピンモータの回転軸１１であり、上記スピ
ンチャック１２は、上記ウェハＷを吸着固定するもので
ある。上記スピンチャックの上方で回転軸１１の延長上
には、上記ウェハＷに塗布液を滴下するノズル１３の先
端部分が配置されている。
いて説明する。図１は、本発明の回転塗布装置の一部切
欠き斜視図であり、図２は図１におけるＡ−Ａ’断面構
成図である。図１及び図２に示すように、処理を行うウ
ェハＷは、垂直に立設する回転軸１１の先端に位置する
スピンチャック１２に載置される。上記回転軸１１は、
図示しないスピンモータの回転軸１１であり、上記スピ
ンチャック１２は、上記ウェハＷを吸着固定するもので
ある。上記スピンチャックの上方で回転軸１１の延長上
には、上記ウェハＷに塗布液を滴下するノズル１３の先
端部分が配置されている。
【００１２】上記の各構成部分は、スピンカップ１４の
内部に配置されている。このスピンカップ１４は、周壁
と底面とで形成され上部は広く開口している。そして、
上記スピンカップ１４の底面には複数の排気口１４ａが
配置され、上記回転軸１１はこのスピンカップ１４の底
面から回転自在に貫入されている。また、このスピンカ
ップ１４の周壁の上記スピンチャック１２を挟んでそれ
ぞれ対向する位置からは、ガス供給パイプ１５と吸気ダ
クト１６が挿入されている。
内部に配置されている。このスピンカップ１４は、周壁
と底面とで形成され上部は広く開口している。そして、
上記スピンカップ１４の底面には複数の排気口１４ａが
配置され、上記回転軸１１はこのスピンカップ１４の底
面から回転自在に貫入されている。また、このスピンカ
ップ１４の周壁の上記スピンチャック１２を挟んでそれ
ぞれ対向する位置からは、ガス供給パイプ１５と吸気ダ
クト１６が挿入されている。
【００１３】上記ガス供給パイプ１５の先端のガス噴出
口１５ａは、ガス供給パイプ１５の垂直方向の径をガス
噴出口１５ａに向かうにつれて徐々に細く絞り込み、水
平方向に細長い矩形状に形成されいる。また、このガス
噴出口１５ａに例えば極小さな噴出孔１５ｂを水平方向
の直線上に複数配列させても良い。上記ガス噴出口１５
ａの水平方向の長さは、少なくとも上記ウェハＷの直径
より長く設定する。そして、ガス供給パイプ１５の内部
のガス圧力を調整することによって、ガス噴出口１５ａ
またはガス噴出孔１５ｂから噴出したガスが噴出方向で
上下及び左右に広がり難くする。また、上記吸気ダクト
１６の吸気口１６ａの形状は、上記ガス噴出口１５ａか
ら噴出したガスを全て吸気できるように充分な大きさを
もって開口させる。
口１５ａは、ガス供給パイプ１５の垂直方向の径をガス
噴出口１５ａに向かうにつれて徐々に細く絞り込み、水
平方向に細長い矩形状に形成されいる。また、このガス
噴出口１５ａに例えば極小さな噴出孔１５ｂを水平方向
の直線上に複数配列させても良い。上記ガス噴出口１５
ａの水平方向の長さは、少なくとも上記ウェハＷの直径
より長く設定する。そして、ガス供給パイプ１５の内部
のガス圧力を調整することによって、ガス噴出口１５ａ
またはガス噴出孔１５ｂから噴出したガスが噴出方向で
上下及び左右に広がり難くする。また、上記吸気ダクト
１６の吸気口１６ａの形状は、上記ガス噴出口１５ａか
ら噴出したガスを全て吸気できるように充分な大きさを
もって開口させる。
【００１４】上記ガス供給パイプ１５のガス噴出口１５
ａと上記吸気ダクト１６の吸気口１６ａの配置状態は、
図２に示すようである。すなわち、上記ガス供給パイプ
１５のガス噴出口１５ａは、上記スピンチャック１２に
載置されるウェハＷの表面より高い位置で、かつ、上記
ウェハＷの周縁より外側に配置される。また、上記吸気
口１６ａは、上記ガス供給パイプ１５のガス噴出口１５
ａと対向する高さで、かつ上記ウェハＷの周縁より外側
に配置される。
ａと上記吸気ダクト１６の吸気口１６ａの配置状態は、
図２に示すようである。すなわち、上記ガス供給パイプ
１５のガス噴出口１５ａは、上記スピンチャック１２に
載置されるウェハＷの表面より高い位置で、かつ、上記
ウェハＷの周縁より外側に配置される。また、上記吸気
口１６ａは、上記ガス供給パイプ１５のガス噴出口１５
ａと対向する高さで、かつ上記ウェハＷの周縁より外側
に配置される。
【００１５】図３は、本発明の回転塗布装置による塗布
液の塗布を説明する図である。上記ガス供給パイプ１５
のガス噴出口１５ａの配置高さは、図３の破線で示した
ガス噴出口１５ａから噴出させたガスによって形成され
る気流２０の下面と、ウェハＷの表面との間に所定の間
隔Δｔを保つ高さに配置する。この間隔Δｔは、ウェハ
Ｗの回転による遠心力で当該ウェハＷの表面から水平方
向に飛散する塗布液Ｌの飛散を妨げない間隔とする。ま
た、上記ガス供給パイプ１５のガス噴出口１５ａの設置
角度θは、上記ガス噴出口１５ａから噴出させたガスの
下面が、ウェハＷの表面と平行を保てるように設定す
る。上記ガス噴出口１５ａから噴出したガスは、末端に
行くほど上下及び左右に広がる。したがって、上記ガス
噴出口１５ａの設置角度θは、ガスの噴出圧力及び、上
記ガス噴出口１５ａと上記吸気口１６ａとの距離によっ
て決められる。
液の塗布を説明する図である。上記ガス供給パイプ１５
のガス噴出口１５ａの配置高さは、図３の破線で示した
ガス噴出口１５ａから噴出させたガスによって形成され
る気流２０の下面と、ウェハＷの表面との間に所定の間
隔Δｔを保つ高さに配置する。この間隔Δｔは、ウェハ
Ｗの回転による遠心力で当該ウェハＷの表面から水平方
向に飛散する塗布液Ｌの飛散を妨げない間隔とする。ま
た、上記ガス供給パイプ１５のガス噴出口１５ａの設置
角度θは、上記ガス噴出口１５ａから噴出させたガスの
下面が、ウェハＷの表面と平行を保てるように設定す
る。上記ガス噴出口１５ａから噴出したガスは、末端に
行くほど上下及び左右に広がる。したがって、上記ガス
噴出口１５ａの設置角度θは、ガスの噴出圧力及び、上
記ガス噴出口１５ａと上記吸気口１６ａとの距離によっ
て決められる。
【００１６】上記構造の回転塗布装置は、上記ガス供給
パイプ１５のガス噴出口１５ａからガスを噴出させるこ
とによって、上記スピンチャック１２に吸着固定された
ウェハＷの上方に気流２０が形成される。この気流２０
の下面は、ウェハＷの表面に対して所定間隔Δｔを保っ
て平行に形成され、かつ、上記ウェハＷの全表面の上方
に形成される。また、上記スピンカップ１４の底面に配
置される上記排気口１４ａから排気を行うことによっ
て、上記ウェハＷの下方には、図２に示すように下方向
に向かう気流２１が形成される。
パイプ１５のガス噴出口１５ａからガスを噴出させるこ
とによって、上記スピンチャック１２に吸着固定された
ウェハＷの上方に気流２０が形成される。この気流２０
の下面は、ウェハＷの表面に対して所定間隔Δｔを保っ
て平行に形成され、かつ、上記ウェハＷの全表面の上方
に形成される。また、上記スピンカップ１４の底面に配
置される上記排気口１４ａから排気を行うことによっ
て、上記ウェハＷの下方には、図２に示すように下方向
に向かう気流２１が形成される。
【００１７】上記構造の回転塗布装置を用いて、ウェハ
Ｗの表面に塗布液Ｌを回転塗布する手順を図１及び図２
を用いて説明する。先ず、上記スピンチャック１２にウ
ェハＷを吸着固定させる。そして、上記ノズル１３から
上記ウェハＷの表面に塗布液Ｌを滴下し、上記回転軸１
１の回転によって上記ウェハＷを高速で回転させ、当該
ウェハＷの表面に塗布液Ｌを塗布する。この工程は、ウ
ェハＷを高速で回転させてから塗布液ＬをウェハＷの表
面に滴下しても良い。
Ｗの表面に塗布液Ｌを回転塗布する手順を図１及び図２
を用いて説明する。先ず、上記スピンチャック１２にウ
ェハＷを吸着固定させる。そして、上記ノズル１３から
上記ウェハＷの表面に塗布液Ｌを滴下し、上記回転軸１
１の回転によって上記ウェハＷを高速で回転させ、当該
ウェハＷの表面に塗布液Ｌを塗布する。この工程は、ウ
ェハＷを高速で回転させてから塗布液ＬをウェハＷの表
面に滴下しても良い。
【００１８】上記の工程は、上記スピンカップ１４の底
面に配置された排気口１４ａからスピンカップ１４の内
部の雰囲気を排気しながら行う。これによって上記ウェ
ハＷの下方に下方向に向かう気流２１が形成される。
面に配置された排気口１４ａからスピンカップ１４の内
部の雰囲気を排気しながら行う。これによって上記ウェ
ハＷの下方に下方向に向かう気流２１が形成される。
【００１９】次いで、上記塗布液Ｌを滴下した直後に上
記ガス供給パイプ１５のガス噴出口１５ａからガスを噴
出させ、同時に、上記吸気ダクト１６の吸気口１６ａか
ら吸気を行う。上記ガス供給パイプ１５から供給するガ
スは、例えばチッソガス（Ｎ2 ）等の不活性な気体やド
ライエアを用いる。これによって、上記ウェハＷの表面
に対して平行且つ所定間隔を保つ気流２０が形成され
る。
記ガス供給パイプ１５のガス噴出口１５ａからガスを噴
出させ、同時に、上記吸気ダクト１６の吸気口１６ａか
ら吸気を行う。上記ガス供給パイプ１５から供給するガ
スは、例えばチッソガス（Ｎ2 ）等の不活性な気体やド
ライエアを用いる。これによって、上記ウェハＷの表面
に対して平行且つ所定間隔を保つ気流２０が形成され
る。
【００２０】上記の方法に従ってウェハＷの表面に塗布
液を塗布することによって、図３に示すように上記ウェ
ハＷの表面から遠心力によって水平方向に飛散する塗布
液Ｌは、上記下方向に向かう気流によって吸引され、上
記排気口１４ａから排気除去される。そして、上記ウェ
ハＷの表面から上方向に飛散する霧状の塗布液Ｌ1 は、
上記ウェハＷの表面と平行に噴出したガスによって形成
された気流２０によって上記吸気口１６ａから排気除去
される。また、上記気流２０を不活性な気体またはドラ
イエアで形成しているので、当該気流２０がウェハＷの
表面に塗布された塗布液に影響を及ぼすことはない。
液を塗布することによって、図３に示すように上記ウェ
ハＷの表面から遠心力によって水平方向に飛散する塗布
液Ｌは、上記下方向に向かう気流によって吸引され、上
記排気口１４ａから排気除去される。そして、上記ウェ
ハＷの表面から上方向に飛散する霧状の塗布液Ｌ1 は、
上記ウェハＷの表面と平行に噴出したガスによって形成
された気流２０によって上記吸気口１６ａから排気除去
される。また、上記気流２０を不活性な気体またはドラ
イエアで形成しているので、当該気流２０がウェハＷの
表面に塗布された塗布液に影響を及ぼすことはない。
【００２１】上記工程においては、上記ウェハＷの表面
から上方向に飛散する霧状の塗布液Ｌ1 は、当該ウェハ
Ｗの高速回転を開始してから３〜４分後には発生しなく
なる。このため、上記ガス噴出口１５ａからのガスの噴
出をストップし、気流２０の形成を上記時間経過後に停
止しても良い。
から上方向に飛散する霧状の塗布液Ｌ1 は、当該ウェハ
Ｗの高速回転を開始してから３〜４分後には発生しなく
なる。このため、上記ガス噴出口１５ａからのガスの噴
出をストップし、気流２０の形成を上記時間経過後に停
止しても良い。
【００２２】次に、第２の実施例を図１，図２及び図３
に基づいて説明する。第２の実施例の回転塗布装置は、
上記第１の実施例で示した回転塗布装置のスッピンカッ
プ１４の上部に、ここでは図示しない送風ダクトを配置
したものである。上記送風ダクトは、上記スピンカップ
１４の上部開口の上方に配置され、当該スピンカップ１
４の内部に上方向からクリーンエアを送風するものであ
る。この送風ダクトから送風されるクリーンエアの圧力
は、上記ガス供給パイプ１５のガス噴出口１５ａから噴
出されるガスで形成される気流２０を妨げない程度の強
さとする。また、上記送風ダクトとしては、クリーンル
ームのダウンフローエアを利用しても良い。
に基づいて説明する。第２の実施例の回転塗布装置は、
上記第１の実施例で示した回転塗布装置のスッピンカッ
プ１４の上部に、ここでは図示しない送風ダクトを配置
したものである。上記送風ダクトは、上記スピンカップ
１４の上部開口の上方に配置され、当該スピンカップ１
４の内部に上方向からクリーンエアを送風するものであ
る。この送風ダクトから送風されるクリーンエアの圧力
は、上記ガス供給パイプ１５のガス噴出口１５ａから噴
出されるガスで形成される気流２０を妨げない程度の強
さとする。また、上記送風ダクトとしては、クリーンル
ームのダウンフローエアを利用しても良い。
【００２３】また、上記送風ダクトから送風されるクリ
ーンエアは、上記スピンカップ１４の底面の排気口１４
ａから排気される。してがって、上記スピンカップ１４
の内部には、ガス噴出口１５ａから噴出されるガスで形
成される気流２０によって、上下方向に流れる気流が妨
げられないスペースを確保する。
ーンエアは、上記スピンカップ１４の底面の排気口１４
ａから排気される。してがって、上記スピンカップ１４
の内部には、ガス噴出口１５ａから噴出されるガスで形
成される気流２０によって、上下方向に流れる気流が妨
げられないスペースを確保する。
【００２４】上記構造の回転塗布装置は、上記第１の実
施例で示した回転塗布装置と同様に、ウェハＷの表面に
対して所定間隔Δｔを保ち、かつ、ウェハＷの表面に対
して平行な気流２０が、上記ウェハＷの全表面の上方に
形成される。また、上記スピンカップ１４の上方に配置
した送風ダクトからクリーンエア等のガスを送風するこ
とによって、スピンカップ１４の内部には、上から下に
向かって流れる気流が形成される。
施例で示した回転塗布装置と同様に、ウェハＷの表面に
対して所定間隔Δｔを保ち、かつ、ウェハＷの表面に対
して平行な気流２０が、上記ウェハＷの全表面の上方に
形成される。また、上記スピンカップ１４の上方に配置
した送風ダクトからクリーンエア等のガスを送風するこ
とによって、スピンカップ１４の内部には、上から下に
向かって流れる気流が形成される。
【００２５】上記構造の回転塗布装置を用いてウェハＷ
の表面に塗布液Ｌを塗布する手順をを説明する。先ず、
上記第１の実施例と同様に、上記スピンチャック１２に
吸着固定されたウェハＷの表面に上記ノズル１３から塗
布液Ｌを滴下し、上記回転軸１１の回転によって上記ウ
ェハＷを高速で回転させ、当該ウェハＷの表面に塗布液
Ｌを塗布する。この工程は、ウェハＷを高速で回転させ
てから塗布液ＬをウェハＷの表面に滴下しても良い。上
記の工程は、上記送風ダクトからクリーンエアを送風
し、スピンカップ１４の底面に配置された排気口１４ａ
から排気しながら行う。
の表面に塗布液Ｌを塗布する手順をを説明する。先ず、
上記第１の実施例と同様に、上記スピンチャック１２に
吸着固定されたウェハＷの表面に上記ノズル１３から塗
布液Ｌを滴下し、上記回転軸１１の回転によって上記ウ
ェハＷを高速で回転させ、当該ウェハＷの表面に塗布液
Ｌを塗布する。この工程は、ウェハＷを高速で回転させ
てから塗布液ＬをウェハＷの表面に滴下しても良い。上
記の工程は、上記送風ダクトからクリーンエアを送風
し、スピンカップ１４の底面に配置された排気口１４ａ
から排気しながら行う。
【００２６】次いで、上記塗布液Ｌを滴下した直後に上
記ガス供給パイプ１５のガス噴出口１５ａからガスを噴
出させ、同時に、上記吸気ダクト１６の吸気口１６ａか
ら吸気を行う。
記ガス供給パイプ１５のガス噴出口１５ａからガスを噴
出させ、同時に、上記吸気ダクト１６の吸気口１６ａか
ら吸気を行う。
【００２７】上記の回転塗布方法では、上記送風ダクト
から上記スピンカップ１４の内部にクリーンエアを送り
込むことによて、上記第１の実施例よりさらに、ウェハ
Ｗの表面から遠心力によって水平方向に飛散する上記塗
布液Ｌが、上記排気口１４ａから排出除去され易くな
る。また、上記ウェハＷの表面から上方向に飛散する霧
状の塗布液Ｌ1 は、上記ウェハＷの表面に対して平行且
つ所定間隔を保つ気流２０よって、上記吸気ダクト１６
の吸気口１６ａから排気除去される。
から上記スピンカップ１４の内部にクリーンエアを送り
込むことによて、上記第１の実施例よりさらに、ウェハ
Ｗの表面から遠心力によって水平方向に飛散する上記塗
布液Ｌが、上記排気口１４ａから排出除去され易くな
る。また、上記ウェハＷの表面から上方向に飛散する霧
状の塗布液Ｌ1 は、上記ウェハＷの表面に対して平行且
つ所定間隔を保つ気流２０よって、上記吸気ダクト１６
の吸気口１６ａから排気除去される。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の回転塗布
装置によれば、ウェハの表面から水平方向及び上方向に
飛散した塗布液を除去することができるので、ウェハの
表面に異物のない良好な塗布膜が形成される。したがっ
て、半導体製品の歩留りの向上が期待される。また、本
発明の回転塗布方法によれば、遠心力によってウェハの
表面から水平方向及び上方向に飛散した塗布液を除去し
ながら塗布液をウェハの表面に回転塗布するので、異物
のない良好な塗布膜が形成される。したがって、半導体
製品の歩留りの向上が期待される。
装置によれば、ウェハの表面から水平方向及び上方向に
飛散した塗布液を除去することができるので、ウェハの
表面に異物のない良好な塗布膜が形成される。したがっ
て、半導体製品の歩留りの向上が期待される。また、本
発明の回転塗布方法によれば、遠心力によってウェハの
表面から水平方向及び上方向に飛散した塗布液を除去し
ながら塗布液をウェハの表面に回転塗布するので、異物
のない良好な塗布膜が形成される。したがって、半導体
製品の歩留りの向上が期待される。
【図１】第１の実施例の回転塗布装置の一部切欠き斜視
図である。
図である。
【図２】第１の実施例の回転塗布装置のＡ−Ａ’断面構
成図である。
成図である。
【図３】本発明の回転塗布装置による塗布液の塗布を説
明する図である。
明する図である。
【図４】従来の回転塗布装置の断面構成図である。
【図５】従来の回転塗布装置による塗布液の塗布を説明
する図である。
する図である。
１２ スピンチャック １４ スピンカップ １４ａ 排気口 １５ ガス供給パイプ １５ａ ガス噴出口 １６ 吸気ダクト １６ａ 吸気口 ２０ 気流
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２
Claims (2)
- 【請求項１】 周壁と底面とで形成され当該底面に排気
口を配置したスピンカップと、 前記スピンカップの内部に配置され処理を行うウェハを
吸着固定するスピンチャックと、 前記スピンカップの内部に配置され上記スピンチャクに
吸着固定されたウェハの表面に対して平行にガスを噴出
しかつ同ウェハの全表面を覆う状態にガスを噴出するよ
うに形成されたガス供給パイプのガス噴出口と、 前記スピンカップの内部に配置され前記ガス噴出口から
噴出したガスを排気する吸気ダクトの吸気口とを備え、
前記ウェハの表面に前記塗布液を回転塗布する装置であ
って、 前記ガス噴出口は、前記スピンチャックに吸着固定され
たウェハの周縁より外側で、かつ同ウェハの表面に対し
て所定の高さに配置され、 前記吸気口は、前記スピンチャックに吸着固定されるウ
ェハの周縁より外側で、かつ前記ガス噴出口とで同ウェ
ハを挟んで対向する状態に配置されることを特徴とする
回転塗布装置。 - 【請求項２】 ウェハの表面に塗布液を回転塗布する方
法において、 回転させたウェハの表面に塗布液を滴下するか、あるい
は、ウェハの表面に塗布液を滴下して当該ウェハを回転
させ、前記ウェハの表面に前記塗布液を回転塗布する第
１の工程と、 前記第１の工程と平行して、前記ウェハの下方の雰囲気
を排気して下方向に向かう気流を形成し、前記ウェハの
表面から遠心力によって水平方向に飛散する前記塗布液
を前記下方向に向かう気流と共に排気除去する第２の工
程と、 前記第１の工程で前記ウェハの表面に塗布液を滴下した
直後に、前記ウェハの表面に対して平行かつ所定間隔を
保つ気流を不活性な気体またはドライエアで形成し、前
記ウェハの上方向に飛散する前記塗布液を前記気流と共
に排気除去する第３の工程とからなることを特徴とする
回転塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8524393A JPH06275506A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 回転塗布装置及びその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8524393A JPH06275506A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 回転塗布装置及びその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275506A true JPH06275506A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13853130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8524393A Pending JPH06275506A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 回転塗布装置及びその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275506A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006159145A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Renesas Technology Corp | 流体吐出ノズルおよびこれを用いた基板処理装置 |
| US8153194B2 (en) | 2006-03-01 | 2012-04-10 | Tokuyama Corporation | Method for producing laminate |
| JP2013046021A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| KR20160076351A (ko) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 공정이 행해진 웨이퍼의 처리 장치 |
| CN107768270A (zh) * | 2016-08-16 | 2018-03-06 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种防止反溅液体污染晶片的装置 |
-
1993
- 1993-03-19 JP JP8524393A patent/JPH06275506A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006159145A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Renesas Technology Corp | 流体吐出ノズルおよびこれを用いた基板処理装置 |
| JP4652040B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2011-03-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 流体吐出ノズルおよびこれを用いた基板処理装置 |
| US8153194B2 (en) | 2006-03-01 | 2012-04-10 | Tokuyama Corporation | Method for producing laminate |
| JP2013046021A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| KR20160076351A (ko) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 공정이 행해진 웨이퍼의 처리 장치 |
| CN107768270A (zh) * | 2016-08-16 | 2018-03-06 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种防止反溅液体污染晶片的装置 |
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