CN107799438B - 基板处理装置和喷嘴清洗方法 - Google Patents

基板处理装置和喷嘴清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107799438B
CN107799438B CN201710755442.0A CN201710755442A CN107799438B CN 107799438 B CN107799438 B CN 107799438B CN 201710755442 A CN201710755442 A CN 201710755442A CN 107799438 B CN107799438 B CN 107799438B
Authority
CN
China
Prior art keywords
nozzle
liquid
cleaning
surface nozzle
hanging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710755442.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107799438A (zh
Inventor
三浦淳靖
池田昌秀
辻川裕贵
藤田和宏
土桥裕也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN107799438A publication Critical patent/CN107799438A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107799438B publication Critical patent/CN107799438B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/02Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means designed to produce a jet, spray, or other discharge of particular shape or nature, e.g. in single drops, or having an outlet of particular shape
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/50Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
    • B05B15/55Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter using cleaning fluids
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/50Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
    • B05B15/55Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter using cleaning fluids
    • B05B15/555Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter using cleaning fluids discharged by cleaning nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

本发明涉及一种基板处理装置和喷嘴清洗方法,该基板处理装置的控制装置执行:液柱形成工序,在旋转夹具没有保持基板时,通过使下面喷嘴喷出清洗液,形成从下面喷嘴向上方延伸的液柱;以及,第一下垂部清洗工序,与液柱形成工序并行地执行,通过使上面喷嘴在上面喷嘴的下垂部没有接触液柱的第一位置和上面喷嘴的下垂部没有接触液柱的第二位置之间沿着水平方向往返,使上面喷嘴经过第一中间位置,所述第一中间位置指,在俯视时上面喷嘴的上喷出口与液柱重叠的位置。

Description

基板处理装置和喷嘴清洗方法
技术领域
本发明涉及用于处理基板的基板处理装置、用于清洗基板处理装置所具备的喷嘴的喷嘴清洗方法。
处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、场致发射显示器(FED:Field Emission Display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置、液晶显示装置等的制造工序中,使用用于处理半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板等基板的基板处理装置。日本特开2007-123559号公报公开了逐张地处理基板的单张式基板处理装置。在该基板处理装置中,为了清洗药液处理用喷嘴的内部,在使位于旋转夹具的上方的药液处理用喷嘴的喷出口与设置于旋转夹具的下部喷嘴的喷出口相向的状态下,从下部喷嘴向药液处理用喷嘴的顶端部喷出作为喷嘴清洗液的纯水。由此,清洗药液处理用喷嘴的内部等。
但是,日本特开2007-123559号公报的基板处理装置是用来清洗药液处理用喷嘴的内部的,而不是用来清扫药液处理用喷嘴的外周面的。作为该证据,在日本特开2007-123559号公报的图4中记载有,从下部喷嘴向上方喷出的纯水,仅向在药液处理用喷嘴的下面开口的喷出口供给。在日本特开2007-123559号公报的段落0093中虽然公开了使药液处理用喷嘴相对于下部喷嘴沿着水平方向摆动,但是并没有公开:在药液处理用喷嘴摆动时,从下部喷嘴喷出的纯水是否向药液处理用喷嘴的外周面供给。
发明内容
本发明的一实施方式提供一种基板处理装置,其中,具备:基板保持单元,一边将配置于基板保持位置的基板保持为水平,一边使该基板旋转,下面喷嘴,其作为第一清洗喷嘴,该下面喷嘴朝向所述基板保持位置向上方喷出液体,第一清洗液供给单元,通过向所述下面喷嘴供给清洗液,使所述下面喷嘴喷出清洗液,上面喷嘴,包括沿着水平方向延伸的水平部、从所述水平部的顶端向下方弯曲的拐角部、从所述拐角部向下方延伸的下垂部、在所述下垂部的下面开口的上喷出口,从所述上喷出口朝向所述基板保持位置向下方喷出液体,喷嘴移动单元,使所述上面喷嘴至少沿着水平方向移动,以及,控制装置,控制所述第一清洗液供给单元和喷嘴移动单元。
所述控制装置执行:液柱形成工序,在所述基板保持单元没有保持基板时,通过使所述下面喷嘴喷出清洗液,形成从所述下面喷嘴向上方延伸的液柱,以及,第一下垂部清洗工序,与所述液柱形成工序并行地执行,通过使所述上面喷嘴在所述上面喷嘴的下垂部没有接触所述液柱的第一位置和所述上面喷嘴的下垂部没有接触所述液柱的第二位置之间沿着水平方向往返,使所述上面喷嘴经过第一中间位置,所述第一中间位置指,在俯视时所述上面喷嘴的上喷出口与所述液柱重叠的位置。
根据该结构,在基板保持单元没有保持基板的状态下,一边使下面喷嘴向上方喷出清洗液,一边使上面喷嘴在第一位置和第二位置之间沿着水平方向往返。在第一位置和第二位置之间的第一中间位置,从下面喷嘴喷出的清洗液经由上面喷嘴的上喷出口进入上面喷嘴中。上面喷嘴内的药液及其结晶与清洗液一起从上喷出口向下方排出。由此,清洗上面喷嘴的内部。
在上面喷嘴从第一位置向第一中间位置移动时,上面喷嘴的下垂部的一个侧部接触从下面喷嘴向上方延伸的清洗液的液柱,从而向下垂部的一个侧部供给清洗液。同样地,在上面喷嘴从第二位置向第一中间位置移动时,上面喷嘴的下垂部的另一个侧部接触从下面喷嘴向上方延伸的清洗液的液柱,从而向下垂部的另一个侧部供给清洗液。而且,向下垂部供给的清洗液沿着下垂部向下方流动,并且沿着下垂部向与上面喷嘴的移动方向相反的方向流动。由此,下垂部中没有接触到液柱的部分也被供给清洗液。
这样,不仅向上面喷嘴的内部可靠地供给清洗液,还向下垂部的外周面也可靠地供给清洗液,从而能够可靠地清洗上面喷嘴的内部和外周面这两者。由此,能够减少附着于上面喷嘴的药液及其结晶的残留量,从而能够抑制或防止基板受到汚染。而且,将用于向基板的下表面喷出液体的下面喷嘴,用作用于清洗上面喷嘴的第一清洗喷嘴,因此能够防止部件数量增加。
在上述实施方式中,也可以将以下特征中的至少一个增加到所述基板处理装置中。
在所述液柱形成工序中,以使所述液柱的上端位于比所述上面喷嘴的水平部的下缘更靠上方的位置的方式,形成所述液柱。
根据该结构,在其他部件没有接触液柱的状态下,形成液柱的上端位于比上面喷嘴的水平部的下缘更靠上方的位置的高液柱。如果液柱变高,则下垂部接触液柱时,下垂部中被直接供给清洗液的部分的面积增加。随之,下垂部中被间接供给清洗液的部分,即,沿着下垂部流动的清洗液经过的部分的面积也增加。由此,能够清洗下垂部的更广的范围。
上面喷嘴的拐角部是从水平部的顶端向下垂部的上端延伸的部分,当从上方观察上面喷嘴时,拐角部的内侧部分被隐藏。拐角部的内侧部分的一部分位于比水平部的下缘更靠下方的位置,且位于比液柱的上端更靠下方的位置。从下面喷嘴喷出的清洗液,在上面喷嘴往返的期间,直接或间接地向拐角部的至少一部分供给。由此,也能够向从上方难以供给清洗液的拐角部的内侧部分供给清洗液,从而能够从该部分去除药液及其结晶。
所述基板处理装置还具备第二上面喷嘴,所述第二上面喷嘴包括沿着水平方向延伸的水平部、从所述水平部的顶端向下方弯曲的拐角部、从所述拐角部向下方延伸的下垂部、在所述下垂部的下面开口的上喷出口,从所述上喷出口朝向所述基板保持位置向下方喷出液体;所述喷嘴移动单元使所述第二上面喷嘴和所述上面喷嘴一起至少沿着水平方向移动;所述控制装置还执行第二下垂部清洗工序,所述第二下垂部清洗工序与所述液柱形成工序并行地执行,在所述第二下垂部清洗工序中,通过使所述第二上面喷嘴在所述第二上面喷嘴的下垂部没有接触所述液柱的所述第二位置和所述第二上面喷嘴的下垂部没有接触所述液柱的第三位置之间沿着水平方向往返,使所述第二上面喷嘴经过第二中间位置,所述第二中间位置指,在俯视时所述第二上面喷嘴的上喷出口与所述液柱重叠的位置。
根据该结构,在下面喷嘴向上方喷出清洗液时,喷嘴移动单元使第二上面喷嘴和上面喷嘴一起移动。此时,第二上面喷嘴在第二位置和第三位置之间往返。由此,不仅清洗上面喷嘴的下垂部,还清洗第二上面喷嘴的下垂部。因此,不使用其他喷嘴移动单元和下面喷嘴,也能够清洗两个上面喷嘴。
所述基板处理装置还具备第二处理液配管,所述第二处理液配管向所述第二上面喷嘴供给:与向所述上面喷嘴供给的液体不同的种类的液体;在所述第二下垂部清洗工序中,使所述第二上面喷嘴以比所述第一下垂部清洗工序中的所述上面喷嘴的往返次数更少的次数,在所述第二位置和所述第三位置之间沿着水平方向往返。
根据该结构,根据向基板喷出的液体的种类变更往返次数。由于第一位置和第二位置之间的往返次数比第二位置和第三位置之间的往返次数更多,因此能够更干净地清洗上面喷嘴的下垂部。而且,在第二上面喷嘴的下垂部比第一上面喷嘴的下垂部更难受到污染的情况下,即使第二位置和第三位置之间的往返次数少,也能够充分地清洗第二上面喷嘴的下垂部。由此,能够缩短清洗时间,并且有效地清洗两个上面喷嘴。
所述基板处理装置还具备第二清洗喷嘴,所述第二清洗喷嘴朝向位于待机位置的所述上面喷嘴的水平部喷出清洗液,所示待机位置指,在俯视时所述上面喷嘴配置于所述基板保持单元的周围的位置;所述控制装置还执行水平部清洗工序,在所述水平部清洗工序中,使所述第二清洗喷嘴朝向位于所述待机位置的所述上面喷嘴的水平部喷出清洗液。从第二清洗喷嘴喷出的清洗液,可以是与从作为第一清洗喷嘴的下面喷嘴喷出的清洗液相同种类的液体,也可以是不同种类的液体。待机位置可以是后述的待机上位置或待机下位置,也可以包括待机上位置和待机下位置。
根据该结构,从第二清洗喷嘴向位于待机位置的上面喷嘴的水平部喷出清洗液。由此,向水平部供给清洗液来清洗水平部。因此,能够进一步减少附着于上面喷嘴的药液及其结晶的残留量。而且,由于水平部在上面喷嘴位于待机位置时被清洗,因此包含药液及其结晶的清洗液很难下落到基板保持单元上。因此,能够防止基板保持单元受到汚染,并且能够清洗上面喷嘴的水平部。
所述第二清洗喷嘴包括第二清洗液喷出口,所述第二清洗液喷出口朝向位于所述待机位置的所述上面喷嘴的水平部,向相对于水平面倾斜的方向喷出清洗液;在所述水平部清洗工序中,一边使所述第二清洗喷嘴的第二清洗液喷出口朝向位于所述待机位置的所述上面喷嘴的水平部喷出清洗液,一边使所述上面喷嘴沿着水平方向或铅垂方向移动。
根据该结构,一边使第二清洗喷嘴倾斜地喷出清洗液,一边使上面喷嘴沿着水平方向或铅垂方向移动。从第二清洗喷嘴喷出的清洗液的至少一部分直接接触水平部。无论是水平方向和铅垂方向中的哪一个方向,只要上面喷嘴移动,则清洗液直接接触上面喷嘴的位置变化。因此,能够扩大清洗液直接接触的部分的面积。由此,能够有效地清洗水平部。
所述基板处理装置还具备第三清洗喷嘴,所述第三清洗喷嘴朝向位于所述第一中间位置的所述上面喷嘴的下垂部向下方喷出清洗液;在所述第一下垂部清洗工序中,一边使所述上面喷嘴在所述第一位置和所述第二位置之间沿着水平方向往返,一边使所述下面喷嘴和第三清洗喷嘴喷出清洗液。从第三清洗喷嘴喷出的清洗液,可以是与从作为第一清洗喷嘴的下面喷嘴喷出的清洗液相同种类的液体,也可以是不同种类的液体。
根据该结构,形成:从作为第一清洗喷嘴的下面喷嘴向上方延伸的清洗液的液柱;从第三清洗喷嘴向下方延伸的清洗液的液柱。在上面喷嘴在第一位置和第二位置之间往返的期间,上面喷嘴的下垂部经过这些液柱。由此,能够进一步减少附着于下垂部的外周面的药液及其结晶的残留量。而且,由于下面喷嘴和第三清洗喷嘴向互不不同的方向喷出清洗液,因此能够向上面喷嘴的更广的范围供给清洗液。由此,能够提高上面喷嘴的清洁度。
所述基板处理装置还具备:风扇单元,配置于比所述基板保持单元和上面喷嘴更靠上方的位置,向下方输送气体,以及,整流部件,配置于比所述基板保持单元和上面喷嘴更靠上方、且比所述风扇单元更靠下方的位置,设置有用于将所述风扇单元所输送的气体向下方引导的多个贯通孔;所述第三清洗喷嘴包括位于所述整流部件的上方的上方部、从所述上方部经由设置于所述整流部件的插入孔延伸到所述整流部件的下方的位置的顶端部、设置于所述顶端部并位于所述整流部件的下方的第三清洗液喷出口;从所述第三清洗液喷出口朝向位于所述第一中间位置的所述上面喷嘴的下垂部向下方喷出清洗液。
根据该结构,由风扇单元向下方输送的气体,向风扇单元和整流部件之间的空间扩散,从整流部件的多个贯通孔向下方流动。由此,形成气体的下降流,从而减轻雾和液滴向上方扩散。因此,能够减轻上面喷嘴因附着雾和液滴而受到汚染。而且,由于不是将第三清洗喷嘴的整体配置于整流部件的下方,而是仅将第三清洗喷嘴的一部分配置于整流部件的下方,因此能够有效地利用整流部件的下方的空间。
所述下面喷嘴包括:下喷出口,朝向位于所述第一中间位置的所述上面喷嘴的上喷出口向上方喷出液体,以及,至少一个副喷出口,朝向位于所述第一中间位置的所述上面喷嘴的水平部向上方喷出液体;在所述第一下垂部清洗工序中,一边使所述上面喷嘴在所述第一位置和所述第二位置之间沿着水平方向往返,一边使所述下喷出口和所述至少一个副喷出口喷出清洗液。
根据该结构,形成:从下面喷嘴的下喷出口向上方延伸的清洗液的液柱;从下面喷嘴的副喷出口向上方延伸的清洗液的液柱。在上面喷嘴在第一位置和第二位置之间往返的期间,上面喷嘴的下垂部沿着水平方向经过从下面喷嘴的下喷出口向上方延伸的液柱。而且,在上面喷嘴在第一位置和第二位置之间往返的期间,上面喷嘴的水平部沿着水平方向经过从下面喷嘴的副喷出口向上方延伸的液柱。由此,也能够清洗上面喷嘴的除了下垂部以外的部分。
在所述基板处理装置中,所述下面喷嘴还包括主流路,所述主流路向包括所述下喷出口和所述至少一个副喷出口的多个喷出口分别供给清洗液。
根据该结构,当向下面喷嘴的主流路供给清洗液时,在主流路内流动的清洗液向下面喷嘴的下喷出口和副喷出口供给。由此,使下喷出口和副喷出口向上方喷出清洗液。因此,仅向主流路供给清洗液,就能够使包括下喷出口和副喷出口的全部的喷出口喷出清洗液。
本发明的其他实施方式提供一种喷嘴清洗方法,用于清洗上面喷嘴,所述上面喷嘴包括沿着水平方向延伸的水平部、从所述水平部的顶端向下方弯曲的拐角部、从所述拐角部向下方延伸的下垂部、在所述下垂部的下面开口的上喷出口;从所述上喷出口朝向被基板保持单元保持的基板的上表面向下方喷出液体,其中,所述基板保持单元将配置于基板保持位置的基板保持为水平,并使该基板旋转。
所述喷嘴清洗方法包括:液柱形成工序,通过使用于朝向所述基板保持位置向上方喷出液体的下面喷嘴喷出清洗液,在所述基板保持单元没有保持基板时,形成从所述下面喷嘴向上方延伸的液柱;以及,第一下垂部清洗工序,与所述液柱形成工序并行地执行,通过使所述上面喷嘴在所述上面喷嘴的下垂部没有接触所述液柱的第一位置和所述上面喷嘴的下垂部没有接触所述液柱的第二位置之间沿着水平方向往返,使所述上面喷嘴经过第一中间位置,所述第一中间位置指,在俯视时所述上面喷嘴的上喷出口与所述液柱重叠的位置。
在上述实施方式中,也可以将以下特征中的至少一个增加到所述喷嘴清洗方法中。
在所述液柱形成工序中,以使所述液柱的上端位于比所述上面喷嘴的水平部的下缘更靠上方的位置的方式,形成所述液柱。根据该方法,能够带来与上述的效果相同的效果。
所述喷嘴清洗方法还包括第二下垂部清洗工序,所述第二下垂部清洗工序与所述液柱形成工序并行地执行,在所述第二下垂部清洗工序中,通过利用用于使所述上面喷嘴移动的喷嘴移动单元,使第二上面喷嘴在所述第二上面喷嘴的下垂部没有接触所述液柱的所述第二位置和所述第二上面喷嘴的下垂部没有接触所述液柱的第三位置之间沿着水平方向往返,使所述第二上面喷嘴经过第二中间位置,所述第二中间位置指,在俯视时所述第二上面喷嘴的上喷出口与所述液柱重叠的位置。根据该方法,能够带来与上述的效果相同的效果。
在所述第二下垂部清洗工序中,使所述第二上面喷嘴以比所述第一下垂部清洗工序中的所述上面喷嘴的往返次数更少的次数,在所述第二位置和所述第三位置之间沿着水平方向往返。根据该方法,能够带来与上述的效果相同的效果。
所述喷嘴清洗方法还包括用于使第二清洗喷嘴喷出清洗液的水平部清洗工序,所述第二清洗喷嘴朝向位于待机位置的所述上面喷嘴的水平部喷出清洗液,所示待机位置指,在俯视时所述上面喷嘴配置于所述基板保持单元的周围的位置。根据该方法,能够带来与上述的效果相同的效果。
所述第二清洗喷嘴包括第二清洗液喷出口,所述第二清洗液喷出口朝向位于所述待机位置的所述上面喷嘴的水平部,向相对于水平面倾斜的方向喷出清洗液;在所述水平部清洗工序中,一边使所述第二清洗喷嘴的第二清洗液喷出口朝向位于所述待机位置的所述上面喷嘴的水平部喷出清洗液,一边使所述上面喷嘴沿着水平方向或铅垂方向移动。根据该方法,能够带来与上述的效果相同的效果。
在所述第一下垂部清洗工序中,一边使所述上面喷嘴在所述第一位置和所述第二位置之间沿着水平方向往返,一边使所述下面喷嘴和第三清洗喷嘴喷出清洗液,所述第三清洗喷嘴朝向位于所述第一中间位置的所述上面喷嘴的下垂部向下方喷出清洗液。根据该方法,能够带来与上述的效果相同的效果。
所述下面喷嘴包括:下喷出口,朝向位于所述第一中间位置的所述上面喷嘴的上喷出口向上方喷出液体,以及,至少一个副喷出口,朝向位于所述第一中间位置的所述上面喷嘴的水平部向上方喷出液体;在所述第一下垂部清洗工序中,一边使所述上面喷嘴在所述第一位置和所述第二位置之间沿着水平方向往返,一边使所述下喷出口和所述至少一个副喷出口喷出清洗液。根据该方法,能够带来与上述的效果相同的效果。
本发明中上述的或者其他的目的、特征和效果可参考附图并通过下述的实施方式更加清楚。
附图说明
图1是沿着水平方向观察本发明的第一实施方式的基板处理装置所具备的处理单元的内部的示意图。
图2是示意性表示处理单元的内部的俯视图。
图3是从侧方观察多个上面喷嘴的示意图。
图4是用于说明利用基板处理装置执行的基板的处理的一例的工序图。
图5A表示执行药液供给工序时的处理单元的状态。
图5B表示执行冲洗液供给工序时的处理单元的状态。
图5C表示执行干燥工序时的处理单元的状态。
图6是示意性表示多个上面喷嘴、第二清洗喷嘴、第一干燥喷嘴和第二干燥喷嘴的俯视图。图6表示位于待机上位置的多个上面喷嘴。
图7是沿着水平方向观察多个上面喷嘴、第二清洗喷嘴、第一干燥喷嘴和第二干燥喷嘴的示意图。在图7中,用实线表示位于待机上位置的多个上面喷嘴,用双点划线表示位于待机下位置的多个上面喷嘴。
图8是用于说明利用基板处理装置执行的多个上面喷嘴的清洗和干燥的一例的工序图。
图9是表示从下面喷嘴向上方延伸的液柱的示意图。
图10A表示多个上面喷嘴位于第一位置的状态。
图10B表示多个上面喷嘴位于第二位置的状态。
图10C表示多个上面喷嘴位于第三位置的状态。
图11A表示第一上面喷嘴的下垂部经过液柱前的状态。
图11B表示第一上面喷嘴的下垂部刚刚接触液柱之后的状态。
图11C是表示第一上面喷嘴的下垂部接触了液柱的状态。
图11D表示第一上面喷嘴的下垂部经过了液柱后的状态。
图12A是表示向第一上面喷嘴的内部供给纯水的状态的示意图。
图12B是表示向第二上面喷嘴的内部供给纯水的状态的示意图。
图12C是表示向第三上面喷嘴的内部供给纯水的状态的示意图。
图13是表示将从第二清洗喷嘴喷出的纯水向多个上面喷嘴的水平部供给的状态的示意图。在图13中,用双点划线表示位于待机上位置的多个上面喷嘴,用实线表示位于待机下位置的多个上面喷嘴。
图14是表示将从第一干燥喷嘴喷出的氮气向多个上面喷嘴的下垂部供给的状态的示意图。
图15是示意性表示将从第二干燥喷嘴喷出的氮气向多个上面喷嘴的水平部供给的状态的俯视图。在图15中,用实线表示位于相当于第一折返位置的待机上位置的多个上面喷嘴,用双点划线表示位于第二折返位置的多个上面喷嘴。
图16是沿着水平方向观察本发明的第二实施方式的第三清洗喷嘴的示意性的局部剖视图。
图17是表示本发明的第三实施方式的第一上面喷嘴的示意图。
图18A是下面喷嘴的示意性俯视图。
图18B表示下面喷嘴的铅垂截面。
图19A是下面喷嘴的示意性俯视图。
图19B表示下面喷嘴的铅垂截面。
具体实施方式
图1是沿着水平方向观察本发明的第一实施方式的基板处理装置1所具备的处理单元2的内部的示意图。图2是示意性表示处理单元2的内部的俯视图。图3是从侧方观察多个上面喷嘴34的示意图。
基板处理装置1是一张一张地处理半导体晶片等圆板状的基板W的单张式装置。基板处理装置1包括:处理单元2,其用处理液、处理气体等处理流体处理基板W;搬运机械手(未图示),其向处理单元2搬运基板W;以及控制装置3,其控制基板处理装置1。控制装置3是包括存储器3b和处理器3a的计算机,其中,所述存储器3b存储程序等信息,所述处理器3a根据存储于存储器3b的信息控制基板处理装置1。
处理单元2包括:箱形的室9,其具有内部空间;旋转夹具4,其一边在室9内将一张基板W保持为水平,一边使该基板W以通过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A1为中心旋转;多个喷嘴,其向由旋转夹具4保持的基板W喷出流体;以及,筒状的处理罩14,其挡住从旋转夹具4向外侧排出的处理液。
旋转夹具4是基板保持单元的一例。旋转夹具4包括:圆板状的旋转基座5,其被保持为水平;多个夹具销6,其在从旋转基座5向上方离开的基板保持位置(图1和图2中配置基板W的位置),将基板W保持为水平;以及,夹具开闭机构(未图示),其使多个夹具销6开闭。旋转夹具4还包括:旋转轴7,其从旋转基座5的中央部沿着旋转轴线A1向下方延伸;以及,旋转马达8,其通过使旋转轴7旋转,使得被多个夹具销6保持的基板W以旋转轴线A1为中心旋转。
室9包括:箱型的隔壁10,其设置有用于使基板W经过的搬入搬出口10a;以及,闸门11,其开闭搬入搬出口10a。室9还包括:FFU12(风扇过滤单元),其从隔壁10的上方朝向隔壁10内的下方输送清洁空气(利用过滤器过滤后的空气);以及,整流板13,其对利用FFU12输送到隔壁10内的清洁空气进行整流。
FFU12配置于在隔壁10的顶面开口的送风口10b的上方。整流板13配置于送风口10b的下方。FFU12经由送风口10b向隔壁10的内部朝向下方输送清洁空气。整流板13是在整个区域形成有厚度方向上贯通的多个贯通孔13a的多孔板。多个贯通孔13a在相当于室9的顶面的整流板13的下表面开口。整流板13以水平的姿势配置于隔壁10内。
整流板13将隔壁10的内部分隔为整流板13的上方的上方空间和整流板13的下方的下方空间。隔壁10的顶面和整流板13的上表面之间的上方空间,是清洁空气扩散的扩散空间。整流板13的下表面和隔壁10的底面之间的下方空间,是对基板W进行处理的处理空间。旋转夹具4、处理罩14配置于下方空间。
FFU12从送风口10b向上方空间供给清洁空气。向上方空间供给的清洁空气接触整流板13而向上方空间扩散。上方空间内的清洁空气,经过在厚度方向上贯通整流板13的多个贯通孔13a,从整流板13的整个区域向下方流动。向下方空间供给的清洁空气从室9的底部排出。由此,从整流板13的整个区域向下方流动的均匀的清洁空气的流动(下降流)会形成于下方空间。无论室9内是否存在基板W,下降气流也总是形成。
处理罩14包括:多个挡板15(第一挡板15A、第二挡板15B、第三挡板15C和第四挡板15D),其挡住从基板W向外侧排出的液体;以及,多个罩16,其挡住由挡板15向下方引导的液体。
挡板15包括:圆筒状的筒状部15b,其包围旋转夹具4;以及,圆环状的顶部15a,其从筒状部15b的上端部朝向旋转轴线A1向斜上方延伸。顶部15a包括俯视时包围基板W和旋转基座5的圆环状的上端。多个顶部15a在上下方向上重叠,多个筒状部15b配置成同心圆状。多个罩16分别配置于多个筒状部15b的下方。罩16形成有向上开放的环状的受液槽。
多个挡板15与用于使多个挡板15独立地升降的挡板升降单元17连接。挡板升降单元17使挡板15在上位置和下位置之间沿着铅垂方向进行升降。上位置是,相当于挡板15的上端的顶部15a的上端比基板保持位置位于上方的位置,下位置是,顶部15a的上端比基板保持位置位于下方的位置。
多个喷嘴包括朝向基板保持位置向上方喷出液体的下面喷嘴21。下面喷嘴21与用于引导冲洗液的第二冲洗液配管25连接。对向下面喷嘴21供给冲洗液和停止供给冲洗液进行切换的第二冲洗液阀26,安装于第二冲洗液配管25。用于变更向下面喷嘴21供给的冲洗液的流量的第二流量调整阀27,安装于第二冲洗液配管25。
下面喷嘴21包括:喷嘴部23,其配置于旋转基座5的上表面和基板保持位置之间的高度;以及,基座部24,其沿着旋转轴线A1从喷嘴部23向下方延伸。基座部24例如呈沿着旋转轴线A1在上下方向上延伸的圆柱状。喷嘴部23例如呈具有大于基座部24的外径的圆板状。喷嘴部23和基座部24是同轴的。下面喷嘴21的下喷出口22在与基板W的下表面平行的喷嘴部23的上面开口。基座部24插入到在旋转基座5的上表面中央部开口的中央孔。下面喷嘴21相对于室9固定。即使旋转基座5旋转,下面喷嘴21也不旋转。
当打开第二冲洗液阀26时,冲洗液以与第二流量调整阀27的开度相对应的流量,从下面喷嘴21的下喷出口22向上方连续地喷出。从下面喷嘴21喷出的冲洗液例如是纯水(去离子水:Deionized water)。冲洗液并不限定于纯水,也可以是IPA(异丙醇)、电解离子水、含氢水、臭氧水、稀释浓度(例如,10~100ppm左右)的盐酸水中的一个。
虽未图示,但第二冲洗液阀26包括形成流路的阀主体、配置于流路内的阀体、使阀体移动的致动器(actuator)。后述的阀也是相同的。致动器可以是空压致动器或电动致动器,也可以是除此以外的致动器。控制装置3通过控制致动器,来使第二冲洗液阀26开闭。此外,控制装置3通过控制致动器,来使第二流量调整阀27的开度变更。
多个喷嘴包括朝向基板保持位置向下方喷出液体的多个上面喷嘴34(第一上面喷嘴34A、第二上面喷嘴34B和第三上面喷嘴34C)。第一上面喷嘴34A与安装有第一药液阀29的第一药液配管28连接。第三上面喷嘴34C与安装有第二药液阀31的第二药液配管30连接。第二上面喷嘴34B与安装有第一冲洗液阀33的第一冲洗液配管32连接。
向第一上面喷嘴34A和第三上面喷嘴34C供给种类互不相同的药液。向第二上面喷嘴34B供给作为冲洗液的一例的纯水。向第一上面喷嘴34A供给的药液,例如是BHF(含有氟化氢、氟化铵和水的混合液)、SPM(含有硫酸、过氧化氢的混合液)和SC1(含有氢氧化铵和过氧化氢的混合液)中的一个。也可以向第一上面喷嘴34A供给除了BHF、SPM和SC1以外的药液。例如,也可以向第一上面喷嘴34A供给含有硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、磷酸、醋酸、氨水、过氧化氢、有机酸(例如,柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如,TMAH:TetramethylammoniumHydroxide、四甲基氢氧化铵等)、表面活性剂及防腐蚀剂中的至少一个的液体。
如图2所示,各个上面喷嘴34被保持件42保持。如图3所示,上面喷嘴34包括:圆柱状的水平部36,其从保持件42沿着水平的延伸方向X1延伸;圆柱状的拐角部37,其从水平部36的顶端向下方弯曲;圆柱状的下垂部38,其从拐角部37向下方延伸;以及,上喷出口35,其在下垂部38的下面开口。构成上面喷嘴34的部件包括:树脂管39,其引导液体;截面为筒状的芯棒40,其包围树脂管39;以及,截面为筒状的树脂涂层41,其包围芯棒40。
如图3所示,水平部36比下垂部38长。水平部36的中心线在任何位置都是水平的。下垂部38的中心线在任何位置都是铅垂的。拐角部37的中心线相对于水平面倾斜。在沿着与延伸方向X1正交的水平的排列方向Y1观察时,拐角部37呈向斜上方凸出的圆弧状。拐角部37可以呈L状,也可以呈弯折两次以上的折线状。
上面喷嘴34的下垂部38的外周面包括:圆筒状的大径部38a,其从拐角部37向铅垂下方延伸;圆环状的阶梯部38b,其从大径部38a的下端向内侧延伸;以及,圆筒状的小径部38c,其从阶梯部38b的内周缘向铅垂下方延伸。大径部38a、阶梯部38b和小径部38c互为同轴。小径部38c的直径小于大径部38a的直径。大径部38a和阶梯部38b是树脂涂层41的外周面的一部分,小径部38c是树脂管39的外周面的一部分。
多个水平部36彼此平行,多个下垂部38彼此平行。多个水平部36按照第一上面喷嘴34A~第三上面喷嘴34C的顺序,沿着排列方向Y1以等间隔排列。同样地,多个下垂部38按照第一上面喷嘴34A~第三上面喷嘴34C的顺序,沿着排列方向Y1以等间隔排列。多个上喷出口35配置于相同高度,俯视时沿着排列方向Y1以直线状排列。
树脂管39形成沿着上面喷嘴34延伸的一个流路。树脂管39的顶端部39a从芯棒40和树脂涂层41向下方突出。上喷出口35在树脂管39的顶端部39a的下面开口。树脂管39和树脂涂层41例如由PTFE(polytetrafluoro ethylene:聚四氟乙烯)等氟树脂形成。PTFE是疏水性材料(水的接触角超过30度的材料)的一例。树脂管39和树脂涂层41形成上面喷嘴34的表面。上面喷嘴34的表面是疏水性的。树脂管39和树脂涂层41中的至少一个也可以由亲水性材料形成。
如图3所示,处理单元2包括喷嘴移动单元43,所述喷嘴移动单元43通过使保持件42移动,来使多个上面喷嘴34移动。喷嘴移动单元43包括:水平驱动单元43a,其通过使保持件42水平移动,来使多个上面喷嘴34水平移动;以及,铅垂驱动单元43b,其通过使保持件42铅垂移动,来使多个上面喷嘴34铅垂移动。
如图2所示,水平驱动单元43a使多个上面喷嘴34在处理位置(图2中用双点划线表示的位置)和待机上位置(图2中用实线表示的位置)之间水平移动。铅垂驱动单元43b使多个上面喷嘴34在待机上位置和待机下位置之间铅垂移动。处理单元2包括有底筒状的待机容器44,所述有底筒状的待机容器44用于插入位于待机下位置的多个上面喷嘴34。在俯视时,待机容器44配置于处理罩14的周围。
水平驱动单元43a是使多个上面喷嘴34以在处理罩14的周围铅垂延伸的喷嘴转动轴线A2为中心水平移动的回旋单元。水平驱动单元43a也可以是使多个上面喷嘴34沿着水平方向平行移动的滑动单元。水平驱动单元43a借助铅垂驱动单元43b支撑保持件42。水平驱动单元43a通过使铅垂驱动单元43b以喷嘴转动轴线A2为中心转动,来使保持件42水平移动。由此,使多个上面喷嘴34在处理位置和待机上位置之间水平移动。
“处理位置”为,在俯视时多个上面喷嘴34和基板W重叠、且从多个上面喷嘴34喷出的处理液落到基板W的上表面的位置。“待机上位置”为,以在俯视时多个上面喷嘴34和基板W不重叠的方式,多个上面喷嘴34退避的位置。“待机下位置”为待机上位置的正下方的位置。在待机上位置,多个上面喷嘴34的下垂部38位于待机容器44的上方。在待机下位置,多个上面喷嘴34的下垂部38插入待机容器44内(参照图7)。
接着,说明利用基板处理装置1执行基板W的处理的一例。
图4是用于说明利用基板处理装置1执行基板W的处理的一例的工序图。图5A~图5C是表示执行图4所示的各个工序时的处理单元2的状态的示意图。控制装置3被设计为执行以下的各个工序。
在利用基板处理装置1处理基板W时,进行向室9内搬入基板W的搬入工序(图4中的步骤S1)。
具体来讲,在使多个上面喷嘴34从基板W的上方退避、第一挡板15A~第四挡板15D位于下位置的状态下,搬运机械手(未图示)用手部支撑基板W,并且使手部进入室9内。然后,搬运机械手在基板W的表面朝上的状态下,将手部上的基板W放置在旋转夹具4上。在由夹具销6把持基板W后,旋转马达8使基板W开始旋转。在将基板W放置在旋转夹具4上后,搬运机械手使手部从室9的内部退避。
接着,如图5A所示,进行向基板W的上表面供给药液的药液供给工序(图4中的步骤S2)。
具体来讲,控制装置3在使位于待机上位置或待机下位置的第一上面喷嘴34A执行用于向待机容器44喷出药液的预分配(pre-dispense)工序后,使多个上面喷嘴34移动到处理位置。而且,挡板升降单元17在使第一挡板15A位于下位置的情况下,使第二挡板15B~第四挡板15D上升到上位置。然后,打开第一药液阀29。由此,从第一上面喷嘴34A向旋转的基板W的上表面喷出药液。
从第一上面喷嘴34A喷出药液时,喷嘴移动单元43可以使多个上面喷嘴34在中央处理位置和外周处理位置之间移动,其中,所述中央处理位置是从第一上面喷嘴34A喷出的药液着落到基板W的上表面中央部的位置,所述外周处理位置是从第一上面喷嘴34A喷出的药液着落到基板W的上表面外周部的位置,另外,喷嘴移动单元43也可以使多个上面喷嘴34静止,以使药液的落液位置位于基板W的上表面中央部。在从打开第一药液阀29起经过规定时间时,关闭第一药液阀29。
从第一上面喷嘴34A喷出的药液在着落到基板W的上表面后,沿着旋转的基板W的上表面向外侧流动。由此,形成覆盖基板W的上表面整个区域的药液的液膜,从而向基板W的上表面整个区域供给药液。尤其,在喷嘴移动单元43使第一上面喷嘴34A在中央处理位置和外周处理位置之间移动的情况下,利用药液的着液位置对基板W的上表面整个区域进行扫描,因此,向基板W的上表面整个区域均匀地供给药液。由此,均匀地处理基板W的上表面。
接着,如图5B所示,进行将纯水作为冲洗液的一例向基板W的上表面和下表面这两者供给的冲洗液供给工序(图4中的步骤S3)。
具体来讲,在多个上面喷嘴34位于处理位置的状态下,挡板升降单元17使第二挡板15B~第四挡板15D保持位于上位置的状态下,使第一挡板15A上升到上位置。然后,打开第一冲洗液阀33。由此,第二上面喷嘴34B作为第一冲洗液喷嘴开始喷出纯水。第二上面喷嘴34B喷出纯水时,喷嘴移动单元43可以使多个上面喷嘴34在中央处理位置和外周处理位置之间移动,也可以使多个上面喷嘴34静止,以使冲洗液的着落位置位于基板W的上表面中央部。
着落到基板W的上表面的纯水,沿着旋转的基板W的上表面向外侧流动。基板W上的药液被从第二上面喷嘴34B喷出的纯水冲掉。由此,形成覆盖基板W的上表面整个区域的纯水的液膜。到达基板W的上表面外周部的纯水从基板W向其周围飞散,被位于上位置的第一挡板15A接收。然后,纯水被引导到与第一挡板15A对应的罩16。当从打开第一冲洗液阀33起经过规定时间后,关闭第一冲洗液阀33,停止喷出纯水。然后,喷嘴移动单元43使多个上面喷嘴34移动到待机上位置。
另一方面,打开第二冲洗液阀26,下面喷嘴21作为第二冲洗液喷嘴开始喷出纯水。由此,纯水从下面喷嘴21向旋转的基板W的下表面中央部喷出。第二冲洗液阀26可以与第一冲洗液阀33同时打开,也可以在第一冲洗液阀33的打开前或打开后打开。着落到基板W的下表面的纯水,沿着旋转的基板W的下表面向外侧流动,从基板W的外周部向其周围飞散。附着于基板W的下表面的药液的雾等被从下面喷嘴21喷出的纯水冲掉。当从打开第二冲洗液阀26起经过规定时间后,关闭第二冲洗液阀26,从而停止喷出纯水。
接着,如图5C所示,进行通过使基板W高速旋转来使基板W干燥的干燥工序(图4中的步骤S4)。
具体来讲,挡板升降单元17在使第四挡板15D保持位于上位置的状态下,使第一挡板15A~第三挡板15C下降到下位置。然后,旋转马达8使基板W向旋转方向加速,使其以高于药液供给工序和冲洗液供给工序的基板W的旋转速度的高旋转速度(例如,几千rpm)旋转。由此,从基板W去除液体,以使基板W干燥。当从基板W开始高速旋转起经过规定时间后,旋转马达8停止旋转。由此,使基板W停止旋转。
接着,进行将基板W从室9搬出的搬出工序(图4中的步骤S5)。
具体来讲,挡板升降单元17在使第一挡板15A~第三挡板15C保持位于下位置的状态下,使第四挡板15D下降到下位置。然后,搬运机械手(未图示)使手部进入室9内。在解除多个夹具销6进行的对基板W的保持后,搬运机械手用手部支撑旋转夹具4上的基板W。然后,搬运机械手用手部支撑基板W,并且使手部从室9的内部退避。由此,从室9搬出结束处理的基板W。
接着,说明用于清洗多个上面喷嘴34的第二清洗喷嘴51。
图6是示意性表示多个上面喷嘴34、第二清洗喷嘴51、第一干燥喷嘴56和第二干燥喷嘴61的俯视图。图7是沿着水平方向观察多个上面喷嘴34、第二清洗喷嘴51、第一干燥喷嘴56和第二干燥喷嘴61的示意图。图6表示位于待机上位置的多个上面喷嘴34。在图7中,用实线表示位于待机上位置的多个上面喷嘴34,用双点划线表示位于待机下位置的多个上面喷嘴34。
如图7所示,处理单元2包括用于朝向多个上面喷嘴34喷出作为清洗液的一例的纯水的第二清洗喷嘴51。第二清洗喷嘴51与安装有第二清洗液阀55的第二清洗液配管54连接。第二清洗喷嘴51包括:多个第二清洗液喷出口52,其向多个上面喷嘴34喷出纯水;以及,第二清洗液供给路53,其向多个第二清洗液喷出口52供给纯水。
第二清洗喷嘴51配置于位于待机上位置的多个上面喷嘴34的上方。多个上面喷嘴34通过第二清洗喷嘴51的下方。如图6所示,在俯视时,第二清洗喷嘴51配置于位于待机上位置的多个上面喷嘴34的侧方。第二清洗喷嘴51沿着与位于待机上位置的多个上面喷嘴34的延伸方向X1平行的轴向延伸。在俯视时,第二清洗喷嘴51相对于位于待机上位置的多个上面喷嘴34配置于处理罩14侧(参照图2)。
第二清洗喷嘴51是从多个第二清洗液喷出口52向斜下方喷出纯水的喷淋喷嘴。多个第二清洗液喷出口52沿着第二清洗喷嘴51的轴向以等间隔呈直线状排列。通过从第二清洗喷嘴51喷出纯水,形成从第二清洗喷嘴51向斜下方流动的片状的液流。第二清洗喷嘴51可以以使液流的厚度恒定的方式,喷出纯水,也可以以随着离开第二清洗喷嘴51而液流的厚度增加的方式,喷出纯水。
即使在多个上面喷嘴34位于从待机上位置到待机下位置的任意位置时,在从第二清洗喷嘴51观察时,也可以看到第一上面喷嘴34A的水平部36、拐角部37和下垂部38。另一方面,在从第二清洗喷嘴51观察时,第二上面喷嘴34B的水平部36、拐角部37和下垂部38、第三上面喷嘴34C的水平部36、拐角部37和下垂部38被第一上面喷嘴34A的水平部36、拐角部37和下垂部38隐藏。
在用从第二清洗喷嘴51喷出的纯水清洗多个上面喷嘴34时,控制装置3利用喷嘴移动单元43使多个上面喷嘴34在待机上位置和待机下位置之间升降。在待机上位置,从第二清洗喷嘴51喷出的纯水主要接触第一上面喷嘴34A的水平部36(参照图13中用双点划线表示的第一上面喷嘴34A)。在待机下位置,从第二清洗喷嘴51喷出的纯水主要接触第三上面喷嘴34C的水平部36(参照图13中用实线表示的第三上面喷嘴34C)。在多个上面喷嘴34在待机上位置和待机下位置之间移动时,多个上面喷嘴34依次通过片状的液流。由此,从第二清洗喷嘴51喷出的纯水向全部的上面喷嘴34的水平部36供给。
接着,说明用于使多个上面喷嘴34的下垂部38干燥的第一干燥喷嘴56。
如图6所示,第一干燥喷嘴56包括:多个第一气体喷出口57,其在待机容器44内喷出作为干燥气体的一例的氮气;以及,第一气体供给路58,其向多个第一气体喷出口57供给氮气。第一气体供给路58与安装有第一气体阀60的第一气体配管59连接。
如图7所示,待机容器44包括:筒状的周壁45,其包围位于待机下位置(图7中用双点划线表示的位置)的多个上面喷嘴34的下垂部38;以及底壁46,其关闭周壁45的下端。待机容器44的底面朝向在待机容器44的底面开口的排出口47(参照图6)向斜下方延伸。待机容器44内的液体从排出口47排出。
第一气体喷出口57在待机容器44的内周面开口。多个第一气体喷出口57沿着待机容器44的周向排列。在俯视时,多个第一气体喷出口57向互不相同的两个以上的方向喷出氮气。第一气体供给路58设置于待机容器44的周壁45的内部。如图6所示,第一气体供给路58包括:第一气体流路58a,其引导向多个第一气体喷出口57供给的氮气;两个第二气体流路58b,其从第一气体流路58a分支;以及多个第三气体流路58c,其从两个第二气体流路58b分支。
当打开第一气体阀60时,在待机容器44内形成:从多个第一气体喷出口57向内侧流动的多个气流。通过使第一气体喷出口57喷出从第一气体供给路58供给的氮气,形成从第一气体喷出口57向内侧流动的线状的气流。第一气体供给路58的第三气体流路58c朝向第一气体喷出口57向斜下方延伸。第一气体喷出口57向斜下方喷出氮气。第一气体喷出口57可以水平地喷出氮气,也可以向斜上方喷出氮气。
接着,说明用于使多个上面喷嘴34的水平部36干燥的第二干燥喷嘴61。
如图7所示,处理单元2包括用于朝向多个上面喷嘴34喷出作为干燥气体的一例的氮气的第二干燥喷嘴61。第二干燥喷嘴61与安装有第二气体阀65的第二气体配管64连接。第二干燥喷嘴61包括:多个(例如,两个)第二气体喷出口62,其向多个上面喷嘴34喷出氮气;以及,第二气体供给路63,其向多个第二气体喷出口62供给氮气。
如图6所示,第二气体喷出口62与位于待机上位置的第一上面喷嘴34A的下垂部38水平地相向。第二气体喷出口62配置于下垂部38的与水平部36一侧相反的一侧。如图7所示,当多个上面喷嘴34位于待机上位置时,上侧的第二气体喷出口62配置于与水平部36相等的高度,下侧的第二气体喷出口62配置于与拐角部37相等的高度。第二气体喷出口62配置于比待机容器44更靠上方的位置。在俯视时,第二干燥喷嘴61位于处理罩14的周围(参照图2)。
第二干燥喷嘴61可以是用于形成线状的气流的喷嘴,也可以是用于形成随着从第二干燥喷嘴61离开而直径增加的圆锥状的气流的喷嘴。当多个上面喷嘴34位于待机上位置时,从上侧的第二气体喷出口62喷出的氮气,接触第一上面喷嘴34A的拐角部37,沿着第一上面喷嘴34A的水平部36的上缘向水平部36的根部侧流动。从下侧的第二气体喷出口62喷出的氮气,接触第一上面喷嘴34A的拐角部37,沿着第一上面喷嘴34A的水平部36的下缘向水平部36的根部侧流动。
在用从第二干燥喷嘴61喷出的氮气对多个上面喷嘴34进行干燥时,控制装置3利用喷嘴移动单元43使多个上面喷嘴34在两个折返位置(参照图15)之间以喷嘴转动轴线A2为中心水平移动。两个折返位置都是与处理位置和待机上位置高度相等的位置。第一折返位置(图15中用实线表示的位置)例如是待机上位置,第二折返位置(图15中用双点划线表示的位置)例如是处理位置和待机上位置之间的位置。
在第一折返位置,从第二干燥喷嘴61喷出的氮气主要接触第一上面喷嘴34A的水平部36和拐角部37。在第二折返位置,从第二干燥喷嘴61喷出的氮气主要接触第三上面喷嘴34C的水平部36和拐角部37。当多个上面喷嘴34在第一折返位置和第二折返位置之间移动时,氮气接触多个上面喷嘴34的位置水平移动。由此,从第二干燥喷嘴61喷出的氮气,向全部的上面喷嘴34的水平部36和拐角部37供给。
接着,说明上面喷嘴34的清洗和干燥。
以下,参照图8~图14。图8是用于说明利用基板处理装置1执行多个上面喷嘴34的清洗和干燥的一例的工序图。控制装置3被设计为执行以下的各个工序。就上面喷嘴34的清洗和干燥而言,可以在每次完成一张基板W的处理时执行,也可以在每次完成多个基板W的处理时执行,也可以每隔规定时间执行。
在清洗多个上面喷嘴34时,执行用从作为第一清洗喷嘴的下面喷嘴21喷出的纯水清洗多个上面喷嘴34的下垂部38的下垂部清洗工序(图8中的步骤S11)。
具体来讲,在基板W未被旋转夹具4保持的状态下,喷嘴移动单元43使多个上面喷嘴34位于处理位置,挡板升降单元17使第一挡板15A~第四挡板15D位于上位置。然后,旋转马达8使旋转基座5旋转。在该状态下,打开第二冲洗液阀26,从下面喷嘴21的下喷出口22向上方喷出纯水。
图9是表示从下面喷嘴21向上方延伸的液柱的示意图。从下喷出口22喷出的纯水,从下喷出口22沿着铅垂方向向上方飞散,然后,从最上位置下落。由此,形成从下喷出口22向最上位置延伸的液柱。如图9所示,从下面喷嘴21喷出的纯水的流量设定成,使液柱的上端位于比多个上面喷嘴34的水平部36的下缘更靠上方、且比整流板13的下表面更靠下方的位置。纯水的流量例如是1000~2000ml/min。除了液柱的上端部之外,液柱的直径与下面喷嘴21的下喷出口22的直径大致相等。在液柱的上端部,因受到重力和下降流的风压的影响而使液柱的直径增加。液柱的上端部中的液柱的直径也可以大于上面喷嘴34的外径。
从下面喷嘴21向上方喷出的纯水,在下落到下面喷嘴21的上面后,在旋转基座5的上表面扩散。纯水沿着旋转的旋转基座5的上表面向外侧流动。由此,旋转基座5的上表面被纯水清洗。而且,沿着旋转基座5的上表面流动的纯水的一部分与夹具销6接触后,从旋转基座5的外周部向外侧飞散。剩余的纯水主要通过多个夹具销6之间从旋转基座5的外周部向外侧飞散。从旋转基座5排出的纯水被第一挡板15A挡住,引导到与第一挡板15A对应的罩16。由此,第一挡板15A和罩16被纯水清洗。
图10A~图10C是示意性表示清洗多个上面喷嘴34的下垂部38时的多个上面喷嘴34的位置的俯视图。图10A、图10B和图10C分别表示多个上面喷嘴34位于第一位置、第二位置和第三位置的状态。在下面喷嘴21喷出纯水的状态下,喷嘴移动单元43使多个上面喷嘴34在第一位置和第二位置之间水平往返(第一下垂部清洗工序)。然后,在下面喷嘴21喷出纯水的状态下,喷嘴移动单元43使多个上面喷嘴34在第二位置和第三位置之间水平往返(第二下垂部清洗工序)。
第一位置~第三位置均为,在俯视时全部的上面喷嘴34的上喷出口35和旋转夹具4重叠、且在俯视时全部的上面喷嘴34的上喷出口35和下面喷嘴21的下喷出口22不重叠的位置。“第一位置”为,在俯视时全部的上面喷嘴34的上喷出口35相对于下面喷嘴21的下喷出口22配置于待机上位置侧的位置。“第二位置”为,在俯视时下面喷嘴21的下喷出口22配置于第一上面喷嘴34A的上喷出口35和第二上面喷嘴34B的上喷出口35之间的位置。“第三位置”为,在俯视时全部的上面喷嘴34的上喷出口35相对于下面喷嘴21的下喷出口22配置于与待机上位置侧相反的一侧的位置。
图11A~图11D是表示第一上面喷嘴34A的下垂部38经过从下面喷嘴21向上方延伸的液柱前后的状态的示意图。图11A表示第一上面喷嘴34A的下垂部38经过液柱前的状态。图11B表示第一上面喷嘴34A的下垂部38刚接触液柱之后的状态。图11C表示第一上面喷嘴34A的下垂部38与液柱接触的状态。图11D表示第一上面喷嘴34A的下垂部38经过了液柱后的状态。
如图11A所示,在第一位置,多个上面喷嘴34与液柱分开。如图11B和图11C所示,当多个上面喷嘴34从第一位置移动到第二位置时,第一上面喷嘴34A的下垂部38的一个侧部接触液柱。然后,如图11D所示,第一上面喷嘴34A的下垂部38水平地经过液柱,与液柱分离。与此相反,当多个上面喷嘴34从第二位置向第一位置移动时,第一上面喷嘴34A的下垂部38的另一个侧部接触液柱,第一上面喷嘴34A的下垂部38水平地经过液柱。
当多个上面喷嘴34在第一位置和第二位置之间往返时,第一上面喷嘴34A的下垂部38的两个侧部交替地接触液柱。由此,从下面喷嘴21喷出的纯水,向第一上面喷嘴34A的下垂部38的两个侧部供给。而且,向第一上面喷嘴34A的下垂部38供给的纯水,沿着第一上面喷嘴34A的下垂部38向下方流动,并且沿着第一上面喷嘴34A的下垂部38向与第一上面喷嘴34A的移动方向相反的方向流动。由此,第一上面喷嘴34A的下垂部38中没有接触液柱的部分也被供给纯水。
此外,当多个上面喷嘴34在第二位置和第三位置之间往返时,第二上面喷嘴34B的下垂部38的一个侧部接触液柱,然后,第三上面喷嘴34C的下垂部38的一个侧部接触液柱。接着,第三上面喷嘴34C的下垂部38的另一个侧部接触液柱,然后,第二上面喷嘴34B的下垂部38的另一个侧部接触液柱。由此,清洗第二上面喷嘴34B的下垂部38的外周面和第三上面喷嘴34C的下垂部38的外周面。
图12A~图12C是表示从下面喷嘴21喷出的纯水向多个上面喷嘴34中的一个上面喷嘴34的内部供给的状态的示意图。图12A表示多个上面喷嘴34位于从下面喷嘴21喷出的纯水向第一上面喷嘴34A的内部供给的第一中间位置的状态。图12B表示多个上面喷嘴34位于从下面喷嘴21喷出的纯水向第二上面喷嘴34B的内部供给的第二中间位置的状态。图12C表示多个上面喷嘴34位于从下面喷嘴21喷出的纯水向第三上面喷嘴34C的内部供给的第三中间位置的状态。
当多个上面喷嘴34在第一位置和第二位置之间往返时,多个上面喷嘴34经过第一位置和第二位置之间的第一中间位置。第一中间位置为,在俯视时第一上面喷嘴34A的上喷出口35和下面喷嘴21的下喷出口22重叠的位置。此外,当多个上面喷嘴34在第二位置和第三位置之间往返时,多个上面喷嘴34经过第二位置和第三位置之间的第二中间位置、以及第二中间位置和第三位置之间的第三中间位置。第二中间位置为,在俯视时第二上面喷嘴34B的上喷出口35和下面喷嘴21的下喷出口22重叠的位置,第三中间位置为,在俯视时第三上面喷嘴34C的上喷出口35和下面喷嘴21的下喷出口22重叠的位置。
如图12A所示,当第一上面喷嘴34A配置于第一中间位置时,从下面喷嘴21喷出的纯水会接触:用于形成第一上面喷嘴34A的上喷出口35的下垂部38的下面。而且,从下面喷嘴21喷出的纯水,经由第一上面喷嘴34A的上喷出口35进入第一上面喷嘴34A中。第一上面喷嘴34A内的药液及其结晶,与进入到第一上面喷嘴34A内的纯水一起从上喷出口35向下方排出。由此,第一上面喷嘴34A的下垂部38的下面和第一上面喷嘴34A的内部被清洗。
同样地,如图12B所示,当第二上面喷嘴34B配置于第二中间位置时,从下面喷嘴21喷出的纯水向第二上面喷嘴34B的下垂部38的下面和第二上面喷嘴34B的上喷出口35供给。如图12C所示,当第三上面喷嘴34C配置于第三中间位置时,从下面喷嘴21喷出的纯水向第三上面喷嘴34C的下垂部38的下面和第三上面喷嘴34C的上喷出口35供给。由此,第二上面喷嘴34B的下垂部38的下面和第二上面喷嘴34B的内部被清洗,第三上面喷嘴34C的下垂部38的下面和第三上面喷嘴34C的内部被清洗。
这样,由于不仅向多个上面喷嘴34的内部可靠地供给纯水,还向下垂部38的外周面也可靠地供给纯水,因此能够可靠地清洗多个上面喷嘴34的内部和外周面。而且,由于使用朝向基板W的下表面喷出液体的下面喷嘴21清洗多个上面喷嘴34,因此也可以不设置用于向多个上面喷嘴34供给清洗液的其他喷嘴。而且,能够通过使多个上面喷嘴34在第二位置和第三位置之间往返来清洗两个喷嘴(第二上面喷嘴34B和第三上面喷嘴34C),与一个一个地清洗喷嘴的情况相比,能够缩清洗时间。
多个上面喷嘴34在第一位置和第二位置之间的往返次数(第一次数),可以与多个上面喷嘴34在第二位置和第三位置之间的往返次数(第二次数)相等,也可以更多或更少。在第一上面喷嘴34A比第二上面喷嘴34B和第三上面喷嘴34C更容易受到污染的情况下,如果将第一次数设置成多于第二次数,则能够可靠地清洗第一上面喷嘴34A。另一方面,如果第二上面喷嘴34B和第三上面喷嘴34C比第一上面喷嘴34A更难受到污染,则即使往返次数少也能够可靠地清洗第二上面喷嘴34B和第三上面喷嘴34C。
当从打开第二冲洗液阀26起经过规定时间时,关闭第二冲洗液阀26,从而停止从下面喷嘴21喷出纯水。然后,旋转马达8停止旋转,使第一挡板15A~第四挡板15D配置于下位置。由此,结束包括第一下垂部清洗工序和第二下垂部清洗工序的下垂部清洗工序。然后,执行用从第二清洗喷嘴51喷出的纯水清洗多个上面喷嘴34的水平部36的水平部清洗工序(图8中的步骤S12)。
具体来讲,喷嘴移动单元43使多个上面喷嘴34移动到待机上位置。然后,打开第二清洗液阀55。图13是表示从第二清洗喷嘴51喷出的纯水向多个上面喷嘴34的水平部36供给的状态的示意图。如图13所示,当打开第二清洗液阀55时,第二清洗喷嘴51开始喷出纯水。因此,形成从第二清洗喷嘴51向斜下方流动的片状的液流。该状态下,喷嘴移动单元43使多个上面喷嘴34在待机上位置和待机下位置之间升降。
如图13所示,当第二清洗喷嘴51喷出纯水时,多个上面喷嘴34在待机上位置(用双点划线表示的位置)和待机下位置(用实线表示的位置)之间移动时,多个上面喷嘴34沿着铅垂方向依次经过片状的液流。由此,从第二清洗喷嘴51喷出的纯水,向全部的上面喷嘴34的水平部36和拐角部37供给。而且,向水平部36供给的纯水,沿着水平部36向下方流动,从水平部36的下缘下落。向拐角部37供给的纯水,从拐角部37向下垂部38流动,从下垂部38的下端部下落。因此,也向水平部36和拐角部37中没有与片状的液流直接接触的部分供给纯水。由此,能够清洗多个上面喷嘴34的更广的范围。
这样,用从第二清洗喷嘴51喷出的纯水清洗多个上面喷嘴34的水平部36和拐角部37。当从打开第二清洗液阀55起经过规定时间时,喷嘴移动单元43停止升降多个上面喷嘴34,使多个上面喷嘴34位于待机上位置。然后,关闭第二清洗液阀55,停止从第二清洗喷嘴51喷出纯水。由此,结束水平部清洗工序。
接着,执行用从第一干燥喷嘴56喷出的氮气使多个上面喷嘴34的下垂部38干燥的下垂部干燥工序(图8中的步骤S13)。
具体来讲,打开第一气体阀60。图14是表示从第一干燥喷嘴56喷出的氮气向多个上面喷嘴34的下垂部38供给的状态的示意图。如图14所示,当打开第一气体阀60时,从在待机容器44的内表面开口的多个第一气体喷出口57开始喷出氮气。因此,在待机容器44内形成:从第一气体喷出口57向内侧流动的线状的气流。在该状态下,喷嘴移动单元43使多个上面喷嘴34在待机上位置和待机下位置之间升降。
多个上面喷嘴34进入待机容器44时和从待机容器44出来时,多个上面喷嘴34的下垂部38沿着铅垂方向经过多个气流。从第一气体喷出口57喷出的氮气,与在待机上位置和待机下位置之间升降的多个上面喷嘴34的下垂部38直接接触。就氮气与下垂部38接触的位置而言,随着多个上面喷嘴34的升降沿着铅垂方向移动。由此,将氮气直接吹送至多个上面喷嘴34的下垂部38。特别地,由于在俯视时多个第一气体喷出口57向互不相同的两个以上的方向喷出氮气,因此能够使氮气直接接触多个上面喷嘴34的更广的范围。
这样,从第一气体喷出口57喷出的氮气吹送至多个上面喷嘴34,从多个上面喷嘴34去除纯水等液体。然后,当从打开第一气体阀60起经过规定时间时,喷嘴移动单元43停止升降多个上面喷嘴34,使多个上面喷嘴3位于待机上位置。然后,关闭第一气体阀60,从而停止从第一气体喷出口57喷出氮气。由此,结束下垂部干燥工序。
接着,执行用从第二干燥喷嘴61喷出的氮气使多个上面喷嘴34的水平部36和拐角部37干燥的水平部干燥工序(图8中的步骤S14)。
具体来讲,打开第二气体阀65。图15是示意性表示从第二干燥喷嘴61喷出的氮气向多个上面喷嘴34的水平部36供给的状态的俯视图。如图15所示,当打开第二气体阀65时,第二干燥喷嘴61开始喷出氮气。因此,形成从第二气体喷出口62朝向多个上面喷嘴34流动的线状的气流。
在图15中,用实线表示位于相当于第一折返位置的待机上位置的多个上面喷嘴34,用双点划线表示位于第二折返位置的多个上面喷嘴34。在第二干燥喷嘴61喷出氮气的状态下,喷嘴移动单元43使多个上面喷嘴34在第一折返位置和第二折返位置之间以喷嘴转动轴线A2为中心沿着水平方向往返。由此,从第二干燥喷嘴61喷出的氮气,向全部的上面喷嘴34的水平部36和拐角部37供给,从而从水平部36和拐角部37去除纯水等液体。
这样,从第二干燥喷嘴61喷出的氮气吹送至多个上面喷嘴34,从而从多个上面喷嘴34去除纯水等液体。然后,当从打开第二气体阀65起经过规定时间时,喷嘴移动单元43停止转动多个上面喷嘴34,使多个上面喷嘴34位于待机上位置。然后,关闭第二气体阀65,从而停止从第二干燥喷嘴61喷出氮气。由此,结束水平部干燥工序。
在如上所述的第一实施方式中,在旋转夹具4没有保持基板W的状态下,一边使下面喷嘴21向上方喷出清洗液,一边使第一上面喷嘴34A在第一位置和第二位置之间沿着水平方向往返。在第一位置和第二位置之间的第一中间位置,从下面喷嘴21喷出的清洗液经由第一上面喷嘴34A的上喷出口35进入第一上面喷嘴34A中。第一上面喷嘴34A内的药液及其结晶,与清洗液一起从上喷出口35向下方排出。由此,清洗第一上面喷嘴34A的内部。
在第一上面喷嘴34A从第一位置向第一中间位置移动时,第一上面喷嘴34A的下垂部38的一个侧部与从下面喷嘴21向上方延伸的清洗液的柱接触,向下垂部38的一个侧部供给清洗液。同样地,在第一上面喷嘴34A从第二位置向第一中间位置移动时,第一上面喷嘴34A的下垂部38的另一个侧部与从下面喷嘴21向上方延伸的清洗液的柱接触,向下垂部38的另一个侧部供给清洗液。而且,向下垂部38供给的清洗液,一边沿着下垂部38向下方流动,一边沿着下垂部38向与第一上面喷嘴34A的移动方向相反的方向流动。由此,也能够向下垂部38中的没有与液柱接触的部分供给清洗液。
这样,不仅向第一上面喷嘴34A的内部可靠地供给清洗液,还向下垂部38的外周面也可靠地供给清洗液,从而能够可靠地清洗第一上面喷嘴34A的内部和外周面。由此,能够减少附着于第一上面喷嘴34A的药液及其结晶的残留量,从而抑制或防止基板W受到汚染。而且,将用于向基板W的下表面喷出液体的下面喷嘴21用作:用于清洗第一上面喷嘴34A的第一清洗喷嘴,因此能够防止部件数量增加。
在第一实施方式中,形成高液柱,使得液柱的上端比第一上面喷嘴34A的水平部36的下缘位于上方。如果液柱变高,则在下垂部38接触液柱时,下垂部38中直接被供给清洗液的部分的面积增加。由此,下垂部38中被间接供给清洗液的部分,即,沿着下垂部38流动的清洗液经过的部分的面积也增加。由此,能够清洗下垂部38的更广的范围。
第一上面喷嘴34A的拐角部37是从水平部36的顶端向下垂部38的上端延伸的部分,当从上方观察第一上面喷嘴34A时,拐角部37的内侧部分被隐藏。拐角部37的内侧部分的一部分位于比水平部36的下缘更靠下方的位置,位于比液柱的上端更靠下方的位置。就从下面喷嘴21喷出的清洗液而言,在第一上面喷嘴34A往返的期间,直接或间接地向拐角部37的至少一部分供给。由此,也能够向从上方难以供给清洗液的拐角部37的内侧部分供给清洗液,从而能够从该部分去除药液及其结晶。
在第一实施方式中,在下面喷嘴21向上方喷出清洗液时,喷嘴移动单元43使第二上面喷嘴34B和第三上面喷嘴34C与第一上面喷嘴34A一起移动。此时,第二上面喷嘴34B和第三上面喷嘴34C在第二位置和第三位置之间往返。由此,不仅清洗第一上面喷嘴34A的下垂部38,还清洗第二上面喷嘴34B和第三上面喷嘴34C的下垂部38。因此,不使用其他喷嘴移动单元和第一清洗喷嘴,也能够清洗全部的上面喷嘴34。
在第一实施方式中,根据向基板W喷出的液体的种类来变更往返次数。在第一位置和第二位置之间的往返次数比第二位置和第三位置之间的往返次数更多的情况下,能够干净地清洗第一上面喷嘴34A的下垂部38。而且,在第二上面喷嘴34B的下垂部38比第一上面喷嘴34A的下垂部38更难受到污染的情况下,即使第二位置和第三位置之间的往返次数少,也能够充分地清洗第二上面喷嘴34B和第三上面喷嘴34C的下垂部38。由此,能够缩短清洗时间,并且能够有效地清洗全部的上面喷嘴34。
在第一实施方式中,从第二清洗喷嘴51向位于待机位置的第一上面喷嘴34A的水平部36喷出清洗液。由此,向水平部36供给清洗液来清洗水平部36。因此,能够进一步减少附着与第一上面喷嘴34A的药液及其结晶的残留量。而且,由于水平部36在第一上面喷嘴34A位于待机位置时被清洗,因此包含药液及其结晶的清洗液很难下落到旋转夹具4上。因此,能够一边防止旋转夹具4受到汚染,一边清洗第一上面喷嘴34A的水平部36。
在第一实施方式中,一边使第二清洗喷嘴51倾斜地喷出清洗液,一边使第一上面喷嘴34A沿着铅垂方向移动。从第二清洗喷嘴51喷出的清洗液的至少一部分直接接触水平部36。当第一上面喷嘴34A沿着铅垂方向移动时,清洗液直接接触第一上面喷嘴34A的位置变化。因此,能够扩大清洗液直接接触的部分的面积。由此,能够有效地清洗水平部36。
在第一实施方式中,在上面喷嘴34接近下面喷嘴21的状态下进行下垂部清洗工序。具体来讲,如图9所示,从下面喷嘴21的下喷出口22到上面喷嘴34的上喷出口35为止的铅垂方向的距离,比从上面喷嘴34的上端到整流板13的下表面为止的铅垂方向的距离短。从上面喷嘴34的上端到整流板13的下表面为止的铅垂方向的距离,比从上喷出口35到上面喷嘴34的上端为止的铅垂方向的距离短。这样,由于上面喷嘴34接近下面喷嘴21,因此能够使强劲的液流接触上面喷嘴34,从而能够有效地清洗上面喷嘴34的下垂部38。
其他实施方式
本发明并不限定于前述的实施方式的内容,可以进行各种变更。
例如,如图16所示,在前述的下垂部清洗工序中,在从下面喷嘴21喷出的纯水的基础上,还可以将从配置于多个上面喷嘴34的上方的第三清洗喷嘴71喷出的纯水,向多个上面喷嘴34的拐角部37和下垂部38供给。
第三清洗喷嘴71包括:上方部71a,其配置于整流板13的上表面上;顶端部71b,其从上方部71a向下方延伸;以及,第三清洗液喷出口72,其设置于顶端部71b。顶端部71b插入到在上下方向上贯通整流板13的整流板13的插入孔13b。第三清洗液喷出口72位于比整流板13更靠下方的位置。第三清洗液喷出口72配置于,在俯视时与下面喷嘴21的上面重叠的位置。
第三清洗喷嘴71与安装有第三清洗液阀74的第三清洗液配管73连接。当打开第三清洗液阀74时,作为清洗液的一例的纯水从第三清洗喷嘴71的第三清洗液喷出口72向下方喷出。由此,形成从第三清洗喷嘴71朝向下面喷嘴21向下方延伸的纯水柱。
在第三清洗喷嘴71喷出纯水的状态下,使多个上面喷嘴34在第一位置和第二位置之间移动时,第一上面喷嘴34A的下垂部38水平地经过:从第三清洗喷嘴71向下方延伸的液柱。同样地,在第三清洗喷嘴71喷出纯水的状态下,使多个上面喷嘴34在第二位置和第三位置之间移动时,第二上面喷嘴34B和第三上面喷嘴34C的下垂部38水平地经过:从第三清洗喷嘴71向下方延伸的液柱。
在第一位置和第二位置之间的第一中间位置,从第三清洗喷嘴71喷出的纯水接触第一上面喷嘴34A的拐角部37的外侧部分,然后,沿着第一上面喷嘴34A的拐角部37和下垂部38的外侧部分向下方流动。同样地,在第二位置和第三位置之间的第二中间位置,从第三清洗喷嘴71喷出的纯水沿着第二上面喷嘴34B的拐角部37和下垂部38的外侧部分向下方流动。在第二中间位置和第三位置之间的第三中间位置,从第三清洗喷嘴71喷出的纯水沿着第三上面喷嘴34C的拐角部37和下垂部38的外侧部分向下方流动。
这样,在上述的下垂部清洗工序中使第三清洗喷嘴71喷出纯水时,从第三清洗喷嘴71喷出的纯水向全部的上面喷嘴34的拐角部37和下垂部38供给。由此,能够进一步减少附着于多个上面喷嘴34的外周面的药液及其结晶的残留量。
如图17所示,上面喷嘴34的下垂部38的中心线也可以具有相对于水平面倾斜的倾斜部75。图17表示当沿着排列方向Y1观察上面喷嘴34时,上面喷嘴34的下垂部38呈向上面喷嘴34的延伸方向X1,即,从水平部36的根部朝向水平部36的顶端的方向突出的圆弧状的例子。
从下面喷嘴21向上方喷出的纯水直接向下垂部38供给。此外,从下面喷嘴21向上方喷出的纯水的一部分,沿着弯曲的下垂部38向下方流动。下垂部38的中心线具有倾斜部75的情况,与下垂部38的中心线在任何位置都铅垂的情况相比,使从下面喷嘴21喷出的纯水直接接触下垂部38的部分的面积增加。由此,能够有效地清洗下垂部38。
如图18A~图18B所示,下面喷嘴21在喷出口22的基础上,还可以具备向上方喷出液体的副喷出口76。
副喷出口76在下面喷嘴21的上面开口。图18A~图18B表示副喷出口76的开口面积小于下喷出口22的开口面积,且副喷出口76朝向位于第一中间位置的第一上面喷嘴34A的水平部36的下部向斜上方喷出纯水的例子。副喷出口76的开口面积可以与下喷出口22的开口面积相等,也可以大于下喷出口22的开口面积。副喷出口76也可以向铅垂上方喷出纯水。
副喷出口76经由分支流路78与主流路77连接,其中,所述分支流路78从沿着旋转轴线A延伸的主流路77分支。副喷出口76向上方喷出:从主流路77经由分支流路78供给的液体。当打开第二冲洗液阀26时,下喷出口22和副喷出口76这两者都向上方喷出纯水。由此,形成从下喷出口22向上方延伸的液柱和从副喷出口76向上方延伸的液柱。下垂部清洗工序是在下喷出口22和副喷出口76都喷出纯水的状态下进行的。因此,不仅向下垂部38直接供给纯水,还能向水平部36的下部直接供给纯水。由此,还能够清洗多个上面喷嘴34的除了下垂部38以外的部分。
如图19A~图19B所示,下面喷嘴21在喷出口22的基础上,还可以具备向上方喷出液体的多个副喷出口79。
下面喷嘴21的喷嘴部23配置于旋转基座5的上表面和基板保持位置之间的高度。喷嘴部23形成为,在俯视时沿着基板W的径向延伸的带状。喷嘴部23从下面喷嘴21的基座部24仅向基座部24的一侧突出。下喷出口22和多个副喷出口79在与基板W的下表面平行的喷嘴部23的上面开口。下喷出口22配置在旋转轴线A1上,多个副喷出口79配置于从旋转轴线A1的水平方向的距离分别不同的多个位置。下喷出口22和多个副喷出口79配置在沿着基板W的径向延伸的直线上。
图19A~图19B表示副喷出口79的开口面积小于下喷出口22的开口面积,且副喷出口79朝向位于第一中间位置的第一上面喷嘴34A的水平部36的下部向铅垂上方喷出纯水的例子。副喷出口79的开口面积可以与下喷出口22的开口面积相等,也可以大于下喷出口22的开口面积。副喷出口79也可向斜上方喷出纯水。
多个副喷出口79经由从主流路77分支的分支流路80与主流路77连接。分支流路80沿着喷嘴部23水平延伸。当打开第二冲洗液阀26时,不仅从下喷出口22向上方喷出纯水,还从全部的副喷出口79向上方喷出纯水。由此,形成从下喷出口22向上方延伸的液柱和从多个副喷出口79向上方延伸的液柱。下垂部清洗工序是在下喷出口22和副喷出口79喷出纯水的状态下进行的。因此,不仅向下垂部38直接供给纯水,还向水平部36的下部直接供给纯水。
用于清洗多个上面喷嘴34的清洗液也可以是除了纯水以外的液体。例如,清洗液也可以是IPA(异丙醇)、电解离子水、含氢水、臭氧水和稀释浓度(例如,10~100ppm左右)的盐酸水中的一种液体。在药液的结晶是水溶性的情况下,清洗液优选为将水作为主成分的含水液体(例如水的含有率是80%以上的液体)。纯水和碳酸水是含水液体的一例。此外,药液的结晶具有疏水性的情况下,清洗液优选为IPA等有机溶剂的液体。
用于使上面喷嘴34干燥的干燥气体,可以除了是氮气以外的非活性气体,也可以是除了非活性气体以外的气体。
从下面喷嘴21向上方喷出的纯水,只要能够向上面喷嘴34的下垂部38供给即可,在下垂部清洗工序形成的液柱的上端,在侧视时也可以位于水平部36的下缘的下方。
多个上面喷嘴34也可以在形状和结构中的至少一个与其他上面喷嘴34不同。
上面喷嘴34的数量并不限于三个,可以是一个或两个,也可以是四个以上。
也可以通过使多个上面喷嘴34在第一位置和第二位置之间沿着水平方向往返,来清洗两个以上的上面喷嘴34的下垂部38。例如,第三位置也可以是第二位置。该情况下,能够通过使多个上面喷嘴34在第一位置和第二位置之间水平往返,清洗全部的上面喷嘴34的下垂部38,因此可不使多个上面喷嘴34在第二位置和第三位置之间水平往返。
也可以向全部的上面喷嘴34供给相同种类的处理液。在该情况下,在向基板W供给处理液时,也可以使全部的上面喷嘴34喷出处理液。
也可以在进行水平部清洗工序后,进行下垂部清洗工序。同样地,也可以在进行水平部干燥工序后,进行下垂部干燥工序。
在水平部清洗工序中,也可以一边使第二清洗喷嘴51喷出纯水,一边使多个上面喷嘴34沿着水平方向移动。例如,也可以使多个上面喷嘴34沿着水平方向往返。在该情况下,多个上面喷嘴34水平地依次通过:从第二清洗喷嘴51向斜下方流动的片状的液流。由此,从第二清洗喷嘴51喷出的纯水向全部的多个上面喷嘴34供给。
在图18A~图18B中,副喷出口76也可以不经由分支流路78与主流路77连接。同样地,在图19A~图19B中,副喷出口79也可以不经由分支流路80与主流路77连接。即,也可以将与主流路独立的、即、不与主流路相交的流路设置于下面喷嘴21,该流路与至少一个副喷出口连接。
旋转夹具4并不限定于使多个夹具销6与基板W的外周面接触的夹持式夹具,可以是真空式夹具,通过使非器件形成面即基板W的背面(下表面)吸附于旋转基座5的上表面,来将基板W保持为水平,也可以是其他形式的夹具。
基板处理装置1并不限定于处理圆板状的基板W的装置,也可以是处理多边形的基板W的装置。
也可以组合上述的全部结构中的两个以上结构。也可以组合上述的全部工序中的两个以上工序。
本申请与2016年8月29日向日本特许厅提出的特愿2016-166951号对应,该申请的全部公开内容通过引用而包含于本申请。
详细说明了本发明的实施方式,但这些实施方式只不过是为了使本发明的技术内容明确的具体实施例而已,不可解释为本发明被这些具体实施例限定,本发明的宗旨和范围仅由权利要求书来确定。

Claims (8)

1.一种基板处理装置,其中,
具备:
基板保持单元,一边将配置于基板保持位置的基板保持为水平,一边使该基板旋转,
下面喷嘴,其作为第一清洗喷嘴,该下面喷嘴朝向所述基板保持位置并向上方喷出液体,
第一清洗液供给单元,通过向所述下面喷嘴供给清洗液,使所述下面喷嘴喷出清洗液,
上面喷嘴,包括沿着水平方向延伸的水平部、从所述水平部的顶端向下方弯曲的拐角部、从所述拐角部向下方延伸的下垂部、在所述下垂部的下面开口的上喷出口,从所述上喷出口朝向所述基板保持位置并向下方喷出液体,
喷嘴移动单元,使所述上面喷嘴至少沿着水平方向移动,
控制装置,控制所述第一清洗液供给单元和喷嘴移动单元、
第三清洗喷嘴,朝向位于第一中间位置的所述上面喷嘴的下垂部向下方喷出清洗液,
风扇单元,配置于比所述基板保持单元和上面喷嘴更靠上方的位置,向下方输送气体,以及,
整流部件,配置于比所述基板保持单元和上面喷嘴更靠上方、且比所述风扇单元更靠下方的位置,设置有用于将所述风扇单元所输送的气体向下方引导的多个贯通孔;
所述控制装置执行:
液柱形成工序,在所述基板保持单元没有保持基板时,通过使所述下面喷嘴喷出清洗液,形成从所述下面喷嘴向上方延伸的液柱,以及,
第一下垂部清洗工序,与所述液柱形成工序并行地执行,通过使所述上面喷嘴在所述上面喷嘴的下垂部没有接触所述液柱的第一位置和所述上面喷嘴的下垂部没有接触所述液柱的第二位置之间水平地往返,使所述上面喷嘴经过所述第一中间位置,并且,一边使所述上面喷嘴在所述第一位置和所述第二位置之间水平地往返,一边使所述下面喷嘴和第三清洗喷嘴喷出清洗液,所述第一中间位置指,在俯视时所述上面喷嘴的上喷出口与所述液柱重叠的位置,
所述第三清洗喷嘴包括位于所述整流部件的上方的上方部、从所述上方部经由设置于所述整流部件的插入孔延伸到所述整流部件的下方的位置的顶端部、设置于所述顶端部并位于所述整流部件的下方的第三清洗液喷出口;从所述第三清洗液喷出口朝向位于所述第一中间位置的所述上面喷嘴的下垂部向下方喷出清洗液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
在所述液柱形成工序中,以使所述液柱的上端位于比所述上面喷嘴的水平部的下缘更靠上方的位置的方式,形成所述液柱。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具备第二上面喷嘴,所述第二上面喷嘴包括沿着水平方向延伸的水平部、从所述水平部的顶端向下方弯曲的拐角部、从所述拐角部向下方延伸的下垂部、在所述下垂部的下面开口的上喷出口,从所述上喷出口朝向所述基板保持位置并向下方喷出液体;
所述喷嘴移动单元使所述第二上面喷嘴和所述上面喷嘴一起至少沿着水平方向移动;
所述控制装置还执行第二下垂部清洗工序,所述第二下垂部清洗工序与所述液柱形成工序并行地执行,在所述第二下垂部清洗工序中,通过使所述第二上面喷嘴在所述第二上面喷嘴的下垂部没有接触所述液柱的所述第二位置和所述第二上面喷嘴的下垂部没有接触所述液柱的第三位置之间水平地往返,使所述第二上面喷嘴经过第二中间位置,所述第二中间位置指,在俯视时所述第二上面喷嘴的上喷出口与所述液柱重叠的位置。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具备第二处理液配管,所述第二处理液配管向所述第二上面喷嘴供给与向所述上面喷嘴供给的液体不同的种类的液体;
在所述第二下垂部清洗工序中,使所述第二上面喷嘴以比所述第一下垂部清洗工序中的所述上面喷嘴的往返次数更少的次数,在所述第二位置和所述第三位置之间水平地往返。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具备第二清洗喷嘴,所述第二清洗喷嘴朝向位于待机位置的所述上面喷嘴的水平部喷出清洗液,所示待机位置指,在俯视时所述上面喷嘴配置于所述基板保持单元的周围的位置,
所述控制装置还执行水平部清洗工序,在所述水平部清洗工序中,使所述第二清洗喷嘴朝向位于所述待机位置的所述上面喷嘴的水平部喷出清洗液。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中,
所述第二清洗喷嘴包括第二清洗液喷出口,所述第二清洗液喷出口朝向位于所述待机位置的所述上面喷嘴的水平部,向相对于水平面倾斜的方向喷出清洗液,
在所述水平部清洗工序中,一边使所述第二清洗喷嘴的第二清洗液喷出口朝向位于所述待机位置的所述上面喷嘴的水平部喷出清洗液,一边使所述上面喷嘴沿着水平方向或铅垂方向移动。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述下面喷嘴包括:下喷出口,朝向位于所述第一中间位置的所述上面喷嘴的上喷出口向上方喷出液体,以及,至少一个副喷出口,朝向位于所述第一中间位置的所述上面喷嘴的水平部向上方喷出液体;
在所述第一下垂部清洗工序中,一边使所述上面喷嘴在所述第一位置和所述第二位置之间水平地往返,一边使所述下喷出口和所述至少一个副喷出口喷出清洗液。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,
所述下面喷嘴还包括主流路,所述主流路向包括所述下喷出口和所述至少一个副喷出口的多个喷出口分别供给清洗液。
CN201710755442.0A 2016-08-29 2017-08-29 基板处理装置和喷嘴清洗方法 Active CN107799438B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-166951 2016-08-29
JP2016166951A JP6789038B2 (ja) 2016-08-29 2016-08-29 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107799438A CN107799438A (zh) 2018-03-13
CN107799438B true CN107799438B (zh) 2021-06-11

Family

ID=61243356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710755442.0A Active CN107799438B (zh) 2016-08-29 2017-08-29 基板处理装置和喷嘴清洗方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10622225B2 (zh)
JP (1) JP6789038B2 (zh)
KR (1) KR101989230B1 (zh)
CN (1) CN107799438B (zh)
TW (1) TWI652115B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7412340B2 (ja) * 2017-10-23 2024-01-12 ラム・リサーチ・アーゲー 高アスペクト比構造のスティクションを防ぐためのシステムおよび方法、および/または、高アスペクト比の構造を修復するためのシステムおよび方法
CN112654433A (zh) * 2018-04-19 2021-04-13 赫斯科配件有限责任公司 用于清洁喷涂设备的装置或方法及针对其改装的系统
JP7308048B2 (ja) * 2019-02-15 2023-07-13 株式会社Screenホールディングス 液処理装置および液処理方法
US20200294827A1 (en) * 2019-03-15 2020-09-17 Intel Corporation Needle dispenser for dispensing and collecting an underfill encapsulant
JP7236318B2 (ja) * 2019-04-26 2023-03-09 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、及び液処理方法
CN115052712B (zh) * 2020-02-17 2024-09-10 东京毅力科创株式会社 加工装置
JP7471171B2 (ja) 2020-08-17 2024-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102677969B1 (ko) * 2020-12-30 2024-06-26 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
KR102635382B1 (ko) * 2020-12-31 2024-02-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
TWI829100B (zh) * 2021-02-26 2024-01-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置
TW202347550A (zh) * 2022-03-29 2023-12-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、其檢查方法及基板處理系統
JP2024091022A (ja) * 2022-12-23 2024-07-04 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004113934A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd スリットノズル洗浄装置及び洗浄方法
JP2007123559A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN102891096A (zh) * 2011-07-20 2013-01-23 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
CN104205305A (zh) * 2012-03-23 2014-12-10 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置以及加热器清洗方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11297652A (ja) 1998-04-14 1999-10-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000133626A (ja) * 1998-10-26 2000-05-12 Hitachi Ltd 基板洗浄装置
JP3559228B2 (ja) * 2000-08-07 2004-08-25 住友精密工業株式会社 回転式基板処理装置
JP2002158202A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Super Silicon Kenkyusho:Kk ウエハ洗浄装置
KR100445259B1 (ko) * 2001-11-27 2004-08-21 삼성전자주식회사 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치
US7022193B2 (en) * 2002-10-29 2006-04-04 In Kwon Jeong Apparatus and method for treating surfaces of semiconductor wafers using ozone
KR100935281B1 (ko) * 2003-03-06 2010-01-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리액 공급노즐 및 처리액 공급장치
JP4451175B2 (ja) 2004-03-19 2010-04-14 大日本スクリーン製造株式会社 ノズル洗浄装置および基板処理装置
KR100648165B1 (ko) * 2004-04-06 2006-11-28 동경 엘렉트론 주식회사 기판 세정 장치, 기판 세정 방법 및 그 방법에 사용되는프로그램을 기록한 매체
JP2005327807A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Sony Corp 枚葉式洗浄装置及びその洗浄方法
US7635417B2 (en) * 2006-05-05 2009-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Semiconductor apparatus and cleaning unit thereof
JP4521056B2 (ja) * 2006-05-15 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
JP4582654B2 (ja) * 2006-05-23 2010-11-17 東京エレクトロン株式会社 ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法、ノズル洗浄プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR100897547B1 (ko) * 2007-11-05 2009-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP5036664B2 (ja) * 2008-09-04 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置
KR101067608B1 (ko) * 2009-03-30 2011-09-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20120015662A (ko) 2010-08-12 2012-02-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP2013026381A (ja) 2011-07-20 2013-02-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP6014312B2 (ja) * 2011-07-20 2016-10-25 株式会社Screenホールディングス 洗浄処理方法
JP5999625B2 (ja) * 2012-03-23 2016-09-28 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法
US9460944B2 (en) 2014-07-02 2016-10-04 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method of treating substrate
US10037902B2 (en) 2015-03-27 2018-07-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing device and substrate processing method
JP6475123B2 (ja) 2015-09-01 2019-02-27 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102161798B1 (ko) 2016-02-29 2020-10-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004113934A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd スリットノズル洗浄装置及び洗浄方法
JP2007123559A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN102891096A (zh) * 2011-07-20 2013-01-23 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
CN104205305A (zh) * 2012-03-23 2014-12-10 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置以及加热器清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10622225B2 (en) 2020-04-14
TW201819047A (zh) 2018-06-01
JP6789038B2 (ja) 2020-11-25
KR20180025213A (ko) 2018-03-08
JP2018037448A (ja) 2018-03-08
KR101989230B1 (ko) 2019-06-13
US20180061678A1 (en) 2018-03-01
TWI652115B (zh) 2019-03-01
CN107799438A (zh) 2018-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107799438B (zh) 基板处理装置和喷嘴清洗方法
KR101562139B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP6057334B2 (ja) 基板処理装置
KR102027725B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN107634015B (zh) 基板处理装置和处理杯清洗方法
JP5694118B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP2017005230A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20200089609A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20180132021A (ko) 기판 처리 장치
JP6512554B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20150134279A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20200041990A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN110692122A (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
CN108475630B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
KR101939905B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6443806B2 (ja) 基板処理装置
JP2016042518A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2007266553A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN108511365B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
JP5865093B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2024135031A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5824225B2 (ja) 基板処理装置
KR20230089149A (ko) 척킹 핀 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2023122439A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2013157353A (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant