TWI652115B - 基板處理裝置及噴嘴洗淨方法 - Google Patents

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藤田和宏
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Abstract

基板處理裝置的控制裝置係執行:液柱形成步驟,係在自轉夾具未保持基板時,使下表面噴嘴噴出洗淨液,藉此形成從下表面噴嘴朝上方延伸之液柱;以及第一垂下部洗淨步驟,係與液柱形成步驟並行,使上表面噴嘴在上表面噴嘴的垂下部未接觸至液柱之第一位置與上表面噴嘴的垂下部未接觸至液柱之第二位置之間水平地來回移動,藉此使上表面噴嘴通過俯視觀看時上表面噴嘴的上噴出口與液柱重疊之第一中間位置。

Description

基板處理裝置及噴嘴洗淨方法
本發明係有關於一種用以處理基板之基板處理裝置以及用以洗淨基板處理裝置所具備的噴嘴之噴嘴洗淨方法。
處理對象的基板係包括例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display;場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
在半導體裝置或液晶顯示裝置等製造步驟中,使用用以處理半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板之基板處理裝置。於日本特開2007-123559號公報揭示有一種用以逐片處理基板之葉片式的基板處理裝置。在該基板處理裝置中,為了洗淨藥液處理用噴嘴的內部,在位於自轉夾具(spin chuck)的上方之藥液處理用噴嘴的噴出口與設置於自轉夾具之下部噴嘴的噴出口相對向的狀態下,從下部 噴嘴朝藥液處理用噴嘴的前端部噴出作為噴嘴洗淨液的純水。記載了藉此來洗淨藥液處理用噴嘴的內部等。
然而,日本特開2007-123559號公報的基板處理裝置係用以洗淨藥液處理用噴嘴的內部,並非是用以洗淨藥液處理用噴嘴的外周面。證據為於日本特開2007-123559號公報的圖4描繪了從下部噴嘴朝上方噴出之純水僅被供給至在藥液處理用噴嘴的下表面呈開口之噴出口。雖然於日本特開2007-123559號公報的段落0093中揭示有使藥液處理用噴嘴相對於下部噴嘴於水平方向搖動,然而並未揭示有在藥液處理用噴嘴搖動時從下部噴嘴噴出的純水是否被供給至藥液處理用噴嘴的外周面。
本發明的實施形態之一提供一種基板處理裝置,係具備有:基板保持單元,係一邊水平地保持配置於基板保持位置之基板一邊使基板旋轉;作為第一洗淨噴嘴之下表面噴嘴,係朝前述基板保持位置向上方噴出液體;第一洗淨液供給單元,係將洗淨液供給至前述下表面噴嘴,藉此使前述下表面噴嘴噴出洗淨液;上表面噴嘴,係包含有水平地延伸之水平部、從前述水平部的前端朝下方彎曲之角落部、從前述角落部朝下方延伸之垂下部以及在前述垂下部的下表面呈開口之上噴出口,用以從前述上噴出口向下方朝前述基板保持位置噴出液體;噴嘴移動單元,係使前述上表面噴嘴至少朝水 平方向移動;以及控制裝置,係控制前述第一洗淨液供給單元及前述噴嘴移動單元。
前述控制裝置係執行:液柱形成步驟,係在前述基板保持單元未保持基板時,使前述下表面噴嘴噴出洗淨液,藉此形成從前述下表面噴嘴朝上方延伸之液柱;以及第一垂下部洗淨步驟,係與前述液柱形成步驟並行,使前述上表面噴嘴在前述上表面噴嘴的垂下部未接觸至前述液柱之第一位置與前述上表面噴嘴的垂下部未接觸至前述液柱之第二位置之間水平地來回移動,藉此使前述上表面噴嘴通過俯視觀看時前述上表面噴嘴的上噴出口與前述液柱重疊之第一中間位置。
依據此構成,在基板保持單元未保持基板之狀態下,一邊使下表面噴嘴朝上方噴出洗淨液,一邊使上表面噴嘴在第一位置與第二位置之間水平地來回移動。在第一位置及第二位置之間的第一中間位置中,從下表面噴嘴噴出之洗淨液係經由上表面噴嘴的上噴出口進入至上表面噴嘴中。上表面噴嘴內的藥液及其結晶係與洗淨液一起從上噴出口排出至下方。藉此,洗淨上表面噴嘴的內部。
上表面噴嘴從第一位置移動至第一中間位置時,上表面噴嘴的垂下部的一方的側部係接觸至從下表面噴嘴朝上方延伸之洗淨液的柱,且洗淨液係被供給至垂下部的一方的側 部。同樣地,在上表面噴嘴從第二位置移動至第一中間位置時,上表面噴嘴的垂下部的另一方的側部係接觸至從下表面噴嘴朝上方延伸之洗淨液的柱,且洗淨液係被供給至垂下部的另一方的側部。再者,供給至垂下部的洗淨液係一邊沿著垂下部朝下方流動,一邊沿著垂下部朝與上表面噴嘴的移動方向相反的方向流動。藉此,洗淨液亦被供給至垂下部中未接觸至液柱之部分。
如此,由於洗淨液不僅供給至上表面噴嘴的內部亦確實地供給至垂下部的外周面,因此能確實地洗淨上表面噴嘴的內部及外周面之雙方。藉此,能減少附著於上表面噴嘴之藥液及其結晶的殘留量,並能抑制或防止基板的污染。再者,由於將用以朝基板的下表面噴出液體之下表面噴嘴作為用以洗淨上表面噴嘴之第一洗淨噴嘴來利用,因此能防止構件數量的增加。
在前述實施形態中,以下特徵中的至少一個特徵亦可附加至前述基板處理裝置。
前述液柱形成步驟係以前述液柱的上端位於比前述上表面噴嘴的水平部的下緣還上方之方式形成前述液柱之步驟。
依據此構成,形成有在其他的構件未接觸至液柱之狀態下液柱的上端位於比上表面噴嘴的水平部的下緣還上方般之此種高的液柱。若液柱變高,在垂下部接觸至液柱時,垂下部中之直接供給有洗淨液之部分的面積係增加。伴隨於此,垂下部中之間接地供給洗淨液之部分的面積亦增加,亦即沿著垂下部流動之洗淨液所通過的部分的面積亦增加。藉此,能洗淨比垂下部還廣的範圍。
上表面噴嘴的角落部係從水平部的前端朝垂下部的上端延伸之部分,從上方觀看上表面噴嘴時,角落部的內側部分係被隱藏。角落部的內側部分的一部分係位於比水平部的下緣還下方,並位於比液柱的上端還下方。從下表面噴嘴噴出的洗淨液係在上表面噴嘴來回移動的期間直接或間接地供給至角落部的至少一部分。藉此,能將洗淨液亦供給至從上方不易供給洗淨液之角落部的內側部分,且能從該內側部分去除藥液及其結晶。
前述基板處理裝置係進一步具備有:第二上表面噴嘴,係包含有:水平部,係水平地延伸;角落部,係從前述水平部的前端朝下方彎曲;垂下部,係從前述角落部朝下方延伸;以及上噴出口,係在前述垂下部的下表面呈開口;第二上表面噴嘴係用以從前述上噴出口向下方朝前述基板保持位置噴出液體;前述噴嘴移動單元係使前述第二上表面噴嘴與前述上表面噴嘴一起朝至少水平方向移動;前述控制裝置係進一步執行:第二垂下部洗淨步驟,係與前述液柱形成步驟並 行,使前述第二上表面噴嘴在前述第二上表面噴嘴的垂下部未接觸至前述液柱之前述第二位置與前述第二上表面噴嘴的垂下部未接觸至前述液柱之第三位置之間水平地來回移動,藉此使前述第二上表面噴嘴通過俯視觀看時前述第二上表面噴嘴的上噴出口與前述液柱重疊之第二中間位置。
依據此構成,在下表面噴嘴朝上方噴出洗淨液時,噴嘴移動單元係使第二上表面噴嘴與上表面噴嘴一起移動。此時,第二上表面噴嘴係在第二位置與第三位置之間來回移動。藉此,不僅洗淨上表面噴嘴的垂下部,亦洗淨第二上表面噴嘴的垂下部。因此,能不使用其他噴嘴移動單元及下表面噴嘴而洗淨雙方的上表面噴嘴。
前述基板處理裝置係進一步具備有:第二處理液配管,係用以將與供給至前述上表面噴嘴之液體不同種類的液體供給至前述第二上表面噴嘴;前述第二垂下部洗淨步驟係以比前述第一垂下部洗淨步驟中的前述上表面噴嘴的來回移動次數還少的次數使前述第二上表面噴嘴在前述第二位置與前述第三位置之間水平地來回移動之步驟。
依據此構成,因應朝基板噴出的液體的種類來變更來回移動次數。由於在第一位置與第二位置之間的來回移動次數比在第二位置與第三位置之間的來回移動次數還多,因此能更乾淨地洗淨上表面噴嘴的垂下部。再者,在第二上表面噴 嘴的垂下部比上表面噴嘴的垂下部還不易髒污之情形中,即使在第二位置與第三位置之間來回移動次數少,亦能充分地洗淨第二上表面噴嘴的垂下部。藉此,能一邊縮短洗淨時間一邊有效地洗淨雙方的上表面噴嘴。
前述基板處理裝置係進一步具備有:第二洗淨噴嘴,係朝位於俯視觀看時前述上表面噴嘴配置於前述基板保持單元的周圍之待機位置的前述上表面噴嘴的水平部噴出洗淨液;前述控制裝置係進一步執行:水平部洗淨步驟,係使前述第二洗淨噴嘴朝位於前述待機位置的前述上表面噴嘴的水平部噴出洗淨液。從第二洗淨噴嘴噴出的洗淨液係可為與從作為第一洗淨噴嘴之下表面噴嘴噴出的洗淨液相同種類的液體,亦可為不同種類的液體。待機位置係可為後述之待機上位置或待機下位置,亦可為包含有待機上位置及待機下位置之雙方。
依據此構成,從第二洗淨噴嘴朝位於待機位置的上表面噴嘴的水平部噴出洗淨液。藉此,洗淨液係被供給至水平部並洗淨水平部。因此,能進一步減少附著於上表面噴嘴的藥液及其結晶的殘留量。再者,由於水平部係在上表面噴嘴位於待機位置時被洗淨,因此包含有藥液及其結晶的洗淨液不易落下至基板保持單元上。因此,能一邊防止污染基板保持單元一邊洗淨上表面噴嘴的水平部。
前述第二洗淨噴嘴係包含有:第二洗淨液噴出口,係向相對於水平面斜向傾斜的方向朝位於前述待機位置的前述上表面噴嘴的水平部噴出洗淨液;前述水平部洗淨步驟係一邊使前述第二洗淨噴嘴的第二洗淨液噴出口朝位於前述待機位置的前述上表面噴嘴的水平部噴出洗淨液一邊使前述上表面噴嘴朝水平方向或鉛直方向移動之步驟。
依據此構成,一邊使第二洗淨噴嘴斜向地噴出洗淨液,一邊使上表面噴嘴朝水平方向或鉛直方向移動。從第二洗淨噴嘴噴出的洗淨液的至少一部分係直接接觸至水平部。當上表面噴嘴移動至水平方向及鉛直方向中的任一方向時,洗淨液直接接觸至上表面噴嘴之位置係變化。因此,能將洗淨液直接接觸之部分的面積擴展。藉此,能有效地洗淨水平部。
前述基板處理裝置係進一步具備有:第三洗淨噴嘴,係向下方朝位於前述第一中間位置之前述上表面噴嘴的垂下部噴出洗淨液;前述第一垂下部洗淨步驟係一邊使前述上表面噴嘴於前述第一位置與前述第二位置之間水平地來回移動一邊使前述下表面噴嘴及前述第三洗淨噴嘴噴出洗淨液之步驟。從第三洗淨噴嘴噴出的洗淨液係可為與作為第一洗淨噴嘴之下表面噴嘴噴出的洗淨液相同種類的液體,亦可為不同種類的液體。
依據此構成,形成有從作為第一洗淨噴嘴之下表面噴嘴 朝上方延伸之洗淨液的柱以及從第三洗淨噴嘴朝下方延伸之洗淨液的柱。上表面噴嘴的垂下部係在上表面噴嘴於第一位置與第二位置之間來回移動的期間通過這些液柱。藉此,能進一步地減少附著於垂下部的外周面之藥液及其結晶的殘留量。再者,由於下表面噴嘴及第三洗淨噴嘴係朝彼此不同的方向噴出洗淨液,因此能將洗淨液供給至比上表面噴嘴更廣的範圍。藉此,能提高上表面噴嘴的潔淨度。
前述基板處理裝置係具備有:風扇單元,係配置於比前述基板保持單元及上表面噴嘴還上方,用以將氣體輸送至下方;以及整流構件,係配置於比前述基板保持單元及前述上表面噴嘴還上方且配置於比前述風扇單元還下方之位置,並設置有用以將藉由前述風扇單元所輸送的氣體導引至下方之複數個貫通孔;前述第三洗淨噴嘴係包含有:上方部,係位於前述整流構件的上方;前端部,係經由設置於前述整流構件之插入孔從前述上方部延伸達至前述整流構件的下方的位置;以及第三洗淨液噴出口,係設置於前述前端部,並位於前述整流構件的下方;從前述第三洗淨液噴出口往下方朝位於前述第一中間位置之前述上表面噴嘴的垂下部噴出洗淨液。
依據此構成,藉由風扇單元朝下方輸送的氣體係於風扇單元與整流構件之間的空間擴散,並從整流構件的複數個貫通孔朝下方流動。藉此,形成有氣體的下降流,減輕霧氣及 液滴朝上方擴散。因此,能減輕霧氣及液滴的附著造成上表面噴嘴的污染。再者,第三洗淨噴嘴全體並非配置於整流構件的下方,由於僅第三洗淨噴嘴的一部分配置於整流構件的下方,因此能有效率地利用整流構件下方的空間。
前述下表面噴嘴係包含有:下噴出口,係往上方朝位於前述第一中間位置之前述上表面噴嘴的上噴出口噴出液體;以及至少一個副噴出口,係往上方朝位於前述第一中間位置之前述上表面噴嘴的水平部噴出液體;前述第一垂下部洗淨步驟係一邊使前述上表面噴嘴於前述第一位置與前述第二位置之間水平地來回移動一邊使前述下噴出口與前述至少一個副噴出口噴出洗淨液之步驟。
依據此構成,形成有從下表面噴嘴的下噴出口朝上方延伸之洗淨液的柱以及從下表面噴嘴的副噴出口朝上方延伸之洗淨液的柱。在上表面噴嘴於第一位置與第二位置之間來回移動的期間,上表面噴嘴的垂下部係水平地通過從下表面噴嘴的下噴出口朝上方延伸的液柱。再者,在上表面噴嘴於第一位置與第二位置之間來回移動的期間,上表面噴嘴的水平部係水平地通過從下表面噴嘴的副噴出口朝上方延伸之液柱。藉此,亦能洗淨上表面噴嘴的垂下部以外的部分。
前述基板處理裝置係進一步包含有:主流路,係將洗淨液供給至包含有前述下噴出口與前述至少一個副噴出口之 複數個噴出口的各者。
依據此構成,當洗淨液供給至下表面噴嘴的主流路時,於主流路內流動之洗淨液係被供給至下表面噴嘴的下噴出口及副噴出口。藉此,下噴出口及副噴出口係將洗淨液朝上方噴出。因此,僅將洗淨液供給至主流路即能使包含有下噴出口及副噴出口之全部的噴出口噴出洗淨液。
本發明的其他實施形態提供一種噴嘴洗淨方法,係用以洗淨上表面噴嘴,該上表面噴嘴係包含有水平地延伸之水平部、從前述水平部的前端朝下方彎曲之角落部、從前述角落部朝下方延伸之垂下部以及在前述垂下部的下表面呈開口之上噴出口,用以一邊水平地保持並旋轉配置於基板保持位置之基板一邊從前述上噴出口向下方朝被基板保持單元所保持之基板的上表面噴出液體。
前述噴嘴洗淨方法係包含有:液柱形成步驟,係使用以往上方朝前述基板保持位置噴出液體之下表面噴嘴噴出洗淨液,藉此在前述基板保持單元未保持基板時,形成從前述下表面噴嘴朝上方延伸之液柱;以及第一垂下部洗淨步驟,係與前述液柱形成步驟並行,使前述上表面噴嘴在前述上表面噴嘴的垂下部未接觸至前述液柱之第一位置與前述上表面噴嘴的垂下部未接觸至前述液柱之第二位置之間水平地來回移動,藉此使前述上表面噴嘴通過俯視觀看時前述上表 面噴嘴的上噴出口與前述液柱重疊之第一中間位置。依據此方法,能達成與前述功效相同的功效。
在前述實施形態中,以下特徵中的至少一個特徵亦可附加至前述噴嘴洗淨方法。
前述液柱形成步驟係以前述液柱的上端位於比前述上表面噴嘴的水平部的下緣還上方之方式形成前述液柱之步驟。依據此方法,能達成與前述功效相同的功效。
前述噴嘴洗淨方法係進一步包含有:第二垂下部洗淨步驟,係與前述液柱形成步驟並行,使用以使前述上表面噴嘴移動之噴嘴移動單元使前述第二上表面噴嘴在第二上表面噴嘴的垂下部未接觸至前述液柱之前述第二位置與前述第二上表面噴嘴的垂下部未接觸至前述液柱之第三位置之間水平地來回移動,藉此使前述第二上表面噴嘴通過俯視觀看時前述第二上表面噴嘴的上噴出口與前述液柱重疊之第二中間位置。依據此方法,能達成與前述功效相同的功效。
前述第二垂下部洗淨步驟係以比前述第一垂下部洗淨步驟中的前述上表面噴嘴的來回移動次數還少的次數使前述第二上表面噴嘴在前述第二位置與前述第三位置之間水平地來回移動之步驟。依據此方法,能達成與前述功效相同的功效。
前述噴嘴洗淨方法係進一步包含有:水平部洗淨步驟,係使第二洗淨噴嘴噴出洗淨液,前述第二洗淨噴嘴係用以朝俯視觀看時前述上表面噴嘴配置於前述基板保持單元的周圍的待機位置之前述上表面噴嘴的水平部噴出洗淨液。依據此方法,能達成與前述功效相同的功效。
前述第二洗淨噴嘴係包含有:第二洗淨液噴出口,係向相對於水平面斜向傾斜的方向朝位於前述待機位置的前述上表面噴嘴的水平部噴出洗淨液;前述水平部洗淨步驟係一邊使前述第二洗淨噴嘴的第二洗淨液噴出口朝位於前述待機位置的前述上表面噴嘴的水平部噴出洗淨液一邊使前述上表面噴嘴朝水平方向或鉛直方向移動之步驟。依據此方法,能達成與前述功效相同的功效。
前述第一垂下部洗淨步驟係一邊使前述上表面噴嘴在前述第一位置與前述第二位置之間水平地來回移動一邊使前述下表面噴嘴以及用以往下方朝位於前述第一中間位置的前述上表面噴嘴的垂下部噴出洗淨液之第三洗淨噴嘴噴出洗淨液之步驟。依據此方法,能達成前述功效相同的功效。
前述下表面噴嘴係包含有:下噴出口,係往上方朝位於前述第一中間位置之前述上表面噴嘴的上噴出口噴出液體; 以及至少一個副噴出口,係往上方朝位於前述第一中間位置之前述上表面噴嘴的水平部噴出液體;前述第一垂下部洗淨步驟係一邊使前述上表面噴嘴於前述第一位置與前述第二位置之間水平地來回移動一邊使前述下噴出口與前述至少一個副噴出口噴出洗淨液之步驟。依據此方法,能達成與前述功效相同的功效。
本發明中的前述目的、特徵及功效與其他的目的、特徵及功效係藉由參照隨附的圖式及下述實施形態的說明而更加明暸。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
3a‧‧‧處理器
3b‧‧‧記憶體
4‧‧‧自轉夾具
5‧‧‧自轉基座
6‧‧‧夾具銷
7‧‧‧自轉軸
8‧‧‧自轉馬達
9‧‧‧腔室
10‧‧‧隔壁
10a‧‧‧搬入搬出口
10b‧‧‧送風口
11‧‧‧擋門
12‧‧‧FFU
13‧‧‧整流板
13a‧‧‧貫通孔
13b‧‧‧插入孔
14‧‧‧處理罩
15‧‧‧防濺護罩
15A‧‧‧第一防濺護罩
15B‧‧‧第二防濺護罩
15C‧‧‧第三防濺護罩
15D‧‧‧第四防濺護罩
15a‧‧‧頂板部
15b‧‧‧筒狀部
16‧‧‧罩
17‧‧‧護罩升降單元
21‧‧‧下表面噴嘴
22‧‧‧下噴出口
23‧‧‧噴嘴部
24‧‧‧基座部
25‧‧‧第二清洗液配管
26‧‧‧第二清洗液閥
27‧‧‧第二流量調整閥
28‧‧‧第一藥液配管
29‧‧‧第一藥液閥
30‧‧‧第二藥液配管
31‧‧‧第二藥液閥
32‧‧‧第一清洗液配管
33‧‧‧第一清洗液閥
34‧‧‧上表面噴嘴
34A‧‧‧第一上表面噴嘴
34B‧‧‧第二上表面噴嘴
34C‧‧‧第三上表面噴嘴
35‧‧‧上噴出口
36‧‧‧水平部
37‧‧‧角落部
38‧‧‧垂下部
38a‧‧‧大徑部
38b‧‧‧段差部
38c‧‧‧小徑部
39‧‧‧樹脂管
39a‧‧‧前端部
40‧‧‧芯具
41‧‧‧樹脂塗布部
42‧‧‧固持具
43‧‧‧噴嘴移動單元
43a‧‧‧水平驅動單元
43b‧‧‧鉛直驅動單元
44‧‧‧待機埠
45‧‧‧周壁
46‧‧‧底壁
47‧‧‧排出口
51‧‧‧第二洗淨噴嘴
52‧‧‧第二洗淨液噴出口
53‧‧‧第二洗淨液供給路徑
54‧‧‧第二洗淨液配管
55‧‧‧第二洗淨液閥
56‧‧‧第一乾燥噴嘴
57‧‧‧第一氣體噴出口
58‧‧‧第一氣體供給路徑
58a‧‧‧第一氣體流路
58b‧‧‧第二氣體流路
58c‧‧‧第三氣體流路
59‧‧‧第一氣體配管
60‧‧‧第一氣體閥
61‧‧‧第二乾燥噴嘴
62‧‧‧第二氣體噴出口
63‧‧‧第二氣體供給路徑
64‧‧‧第二氣體配管
65‧‧‧第二氣體閥
71‧‧‧第三洗淨噴嘴
71a‧‧‧上方部
71b‧‧‧前端部
72‧‧‧第三洗淨液噴出口
73‧‧‧第三洗淨液配管
74‧‧‧第三洗淨液閥
75‧‧‧傾斜部
76‧‧‧副噴出口
77‧‧‧主流路
78‧‧‧分歧流路
79‧‧‧副噴出口
80‧‧‧分歧流路
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧噴嘴轉動軸線
D1、D2、D3‧‧‧距離
X1‧‧‧伸長方向
Y1‧‧‧排列方向
W‧‧‧基板
圖1係水平地觀看本發明第一實施形態的基板處理裝置所具備的處理單元的內部之示意圖。
圖2係用以顯示處理單元的內部之示意性的俯視圖。
圖3係從側方觀看複數個上表面噴嘴之示意圖。
圖4係用以說明藉由基板處理裝置所執行之基板的處理的一例之步驟圖。
圖5A係顯示執行藥液供給步驟時之處理單元的狀態。
圖5B係顯示執行清洗(rinse)液供給步驟時之處理單元的狀態。
圖5C係顯示執行乾燥步驟時之處理單元的狀態。
圖6係用以示意性地顯示複數個上表面噴嘴、第二洗淨噴嘴、第一乾燥噴嘴以及第二乾燥噴嘴之示意性的俯視圖,且圖6係用以顯示位於待機上位置的複數個上表面噴嘴。
圖7係水平地觀看複數個上表面噴嘴、第二洗淨噴嘴、第一乾燥噴嘴以及第二乾燥噴嘴之示意圖,且圖7係以實線顯示位於待機上位置的複數個上表面噴嘴,並以二點鍊線顯示位於待機下位置的複數個上表面噴嘴。
圖8係用以說明藉由基板處理裝置所執行之複數個上表面噴嘴的洗淨及乾燥的一例之步驟圖。
圖9係用以顯示從下表面噴嘴朝上方延伸的液柱之示意圖。
圖10A係顯示複數個上表面噴嘴位於第一位置的狀態。
圖10B係顯示複數個上表面噴嘴位於第二位置的狀態。
圖10C係顯示複數個上表面噴嘴位於第三位置的狀態。
圖11A係顯示第一上表面噴嘴的垂下部通過液柱之前的狀態。
圖11B係顯示第一上表面噴嘴的垂下部剛接觸至液柱後的狀態。
圖11C係顯示第一上表面噴嘴的垂下部正在接觸液柱的狀態。
圖11D係顯示第一上表面噴嘴的垂下部通過液柱後的狀態。
圖12A係用以顯示純水被供給至第一上表面噴嘴的內部的狀態之示意圖。
圖12B係用以顯示純水被供給至第二上表面噴嘴的內部的狀態之示意圖。
圖12C係用以顯示純水被供給至第三上表面噴嘴的內 部的狀態之示意圖。
圖13係用以顯示從第二洗淨噴嘴所噴出的純水被供給至複數個上表面噴嘴的水平部的狀態之示意圖,且圖13係以二點鍊線顯示位於待機上位置的複數個上表面噴嘴,並以實線顯示位於待機下位置的複數個上表面噴嘴。
圖14係用以顯示從第一乾燥噴嘴所噴出的氮氣被供給至複數個上表面噴嘴的垂下部的狀態之示意圖。
圖15係用以顯示從第二乾燥噴嘴所噴出的氮氣被供給至複數個上表面噴嘴的水平部的狀態之示意性的俯視圖,且圖15係以實線顯示位於相當於第一折返位置的待機上位置之複數個上表面噴嘴,且以二點鍊線顯示位於第二折返位置的複數個上表面噴嘴。
圖16係用以水平地觀看本發明第二實施形態的第三洗淨噴嘴之示意性的局部剖視圖。
圖17係用以顯示本發明第三實施形態的第一上表面噴嘴之示意圖。
圖18A係下表面噴嘴的示意性的俯視圖。
圖18B係顯示下表面噴嘴的鉛直剖面。
圖19A係下表面噴嘴的示意性的俯視圖。
圖19B係顯示下表面噴嘴的鉛直剖面。
圖1係水平地觀看本發明第一實施形態的基板處理裝置1所具備的處理單元2的內部之示意圖。圖2係用以顯示處理單元2的內部之示意性的俯視圖。圖3係從側方觀看複數個上表面噴嘴34之示意圖。
基板處理裝置1係用以逐片處理半導體晶圓等圓板狀的基板W之葉片式的裝置。基板處理裝置1係包含有:處理單元2,係以處理液或處理氣體等處理流體處理基板W;搬運機器人(未圖示),係用以將基板W搬運至處理單元2;以及控制裝置3,係控制基板處理裝置1。控制裝置3為電腦,包含有用以儲存程式等資訊之記憶體3b以及用以依據儲存於記憶體3b的資訊來控制基板處理裝置1之處理器3a(processor)。
處理單元2係包含有:箱形的腔室9,係具有內部空間;自轉夾具4,係在腔室9內一邊水平地保持一片基板W一邊使基板W繞著通過基板W的中央部之鉛直的旋轉軸線A1旋 轉;複數個噴嘴,係朝被自轉夾具4保持的基板W噴出流體;以及筒狀的處理罩(processing cup)14,係用以接住從自轉夾具4排出至外側的處理液。
自轉夾具4係基板保持單元的一例。自轉夾具4係包含有:圓板狀的自轉基座(spin base)5,係水平地保持;複數個夾具銷(chuck pin)6,係在從自轉基座5朝上方離開的基板保持位置(圖1及圖2中配置有基板W之位置)水平地保持基板W;以及夾具開閉機構(未圖示),係用以使複數個夾具銷6開閉。自轉夾具4係進一步包含有:自轉軸7,係從自轉基座5的中央部沿著旋轉軸線A1朝下方延伸;以及自轉馬達(spin motor)8,係使自轉軸7旋轉,藉此使被複數個夾具銷6保持的基板W繞著旋轉軸線A1旋轉。
腔室9係包含有:箱形的隔壁10,係設置有使基板W通過之搬入搬出口10a;以及擋門(shutter)11,係用以將搬入搬出口10a予以開閉。腔室9係進一步包含有:FFU(Fan Filter Unit;風扇過濾器單元)12,係從隔壁10的上方往下方朝隔壁10內輸送潔淨氣體(經過過濾器過濾的空氣);以及整流板13,係整流藉由FFU12輸送至隔壁10內的潔淨氣體。
FFU12係配置於在隔壁10的頂板面呈開口之送風口10b的上方。流整板13係配置於送風口10b的下方。FFU12係通過送風口10b將潔淨氣體朝下方輸送至隔壁10的內部。整流 板13係多孔板,並於全域形成有於厚度方向貫通之複數個貫通孔13a。複數個貫通孔13a係在相當於腔室9的頂板面之整流板13的下表面呈開口。整流板13係以水平的姿勢配置於隔壁10內。
整流板13係將隔壁10的內部分隔成整流板13的上方的上方空間與整流板13的下方的下方空間。隔壁10的頂板面與整流板13的上表面之間的上方空間係潔淨氣體擴散之擴散空間。整流板13的下表面與隔壁10的底板面之間的下方空間係進行基板W的處理之處理空間。自轉夾具4和處理罩14係配置於下方空間。
FFU12係從送風口10b將潔淨氣體供給至上方空間。供給至上方空間之潔淨氣體係碰到整流板13並於上方空間擴散。上方空間內的潔淨氣體係通過將整流板13於厚度方向貫通之複數個貫通孔13a,並從整流板13的全域朝下方流動。供給至下方空間的潔淨氣體係從腔室9的底部被排出。藉此,於下方空間形成有從整流板13的全域朝下方流動之均勻的潔淨氣體的流動(降流(down flow))。不論基板W是否存在於腔室9內,降流皆恆常地形成。
處理罩14係包含有:複數個防濺護罩(splash guard)15(第一防濺護罩15A、第二防濺護罩15B、第三防濺護罩15C以及第四防濺護罩15D),係用以接住從基板W排出至外側的 液體;以及複數個罩(cup)16,係用以接住藉由防濺護罩15導引至下方的液體。
防濺護罩15係包含有:圓筒狀的筒狀部15b,係圍繞自轉夾具4;以及圓環狀的頂板部15a,係從筒狀部15b的上端部朝旋轉軸線A1於斜上方延伸。頂板部15a係包含有:圓環狀的上端,俯視觀看時圍繞基板W及自轉基座5。複數個頂板部15a係於上下方向重疊,複數個筒狀部15b係配置成同心圓狀。複數個罩16係分別配置於複數個筒狀部15b的下方。罩16係形成朝上開放之環狀的接液槽。
複數個防濺護罩15係連接至護罩(guard)升降單元17,該護罩升降單元17係用以使複數個防濺護罩15個別地升降。護罩升降單元17係使防濺護罩15在上位置與下位置之間鉛直地升降。上位置係相對於防濺護罩15的上端之頂板部15a的上端位於比基板保持位置還上方之位置,下位置係頂板部15a的上端位於比基板保持位置還下方之位置。
複數個噴嘴係包含有:下表面噴嘴21,係往上方朝基板保持位置噴出液體。下表面噴嘴21係連接至用以導引清洗液之第二清洗液配管25。用以切換針對下表面噴嘴21供給清洗液以及停止供給清洗液之第二清洗液閥26係夾設於第二清洗液配管25。用以變更供給至下表面噴嘴21的清洗液的流量之第二流量調整閥27亦夾設於第二清洗液配管25。
下表面噴嘴21係包含有:噴嘴部23,係配置於自轉基座5的上表面與基板保持位置之間的高度;以及基座部24,係沿著旋轉軸線A1從噴嘴部23朝下方延伸。基座部24係例如為沿著旋轉軸線A1朝上下方向延伸之圓柱狀。基座部23係例如為具有比基座部24還大的外徑之圓板狀。噴嘴部23及基座部24係同軸。下表面噴嘴21的下噴出口22係在與基板W的下表面平行的噴嘴部23的上表面呈開口。基座部24係插入至自轉基座5的上表面中央部呈開口之中央孔。下表面噴嘴21係相對於腔室9被固定。即使自轉基座5旋轉,下表面噴嘴21亦不會旋轉。
當第二清洗液閥26開啟時,清洗液係以與第二流量調整閥27的開度對應之流量從下表面噴嘴21的下噴出口22朝上方連續性地噴出。從下表面噴嘴21噴出的清洗液係例如為純水(去離子水(Deionized water))。清洗液並未限定於純水,亦可為IPA(isopropyl alcohol;異丙醇)、電解離子水、氫水、臭氧水以及稀釋濃度(例如10ppm左右至100ppm左右)的鹽酸水中的任一者。
雖未圖示,第二清洗液閥26係包含有:閥本體,係用以形成流路;閥體,係配置於流路內;以及制動器(actuator),係用以使閥體移動。後述的閥亦同樣。制動器係可為空壓制動器或電動制動器,亦可為這些制動器以外的制動器。控制 裝置3係控制制動器,藉此使第二清洗液閥26開閉。此外,控制裝置3係控制制動器,藉此變更第二流量調整閥27的開度。
複數個噴嘴係包含有:複數個上表面噴嘴34(第一上表面噴嘴34A、第二上表面噴嘴34B以及第三上表面噴嘴34C),係用以往下方朝基板保持位置噴出液體。第一上表面噴嘴34A係連接至夾設有第一藥液閥29之第一藥液配管28。第三上表面噴嘴34C係連接至夾設有第二藥液閥31之第二藥液配管30。第二上表面噴嘴34B係連接至夾設有第一清洗液閥33之第一清洗液配管32。
於第一上表面噴嘴34A及第三上表面噴嘴34C供給有相互不同種類的藥液。於第二上表面噴嘴34B供給有作為清洗液的一例之純水。供給至第一上表面噴嘴34A之藥液係例如為BHF(Buffered Hydrogen Fluoride;緩衝氫氟酸(包含有硫酸及過氧化氫水之混合液體))、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture;過氧化氫硫酸混合液(包含有硫酸與過氧化氫水之混合液))以及SC1(Standard clean-1;第一標準清洗液(包含有氫氧化胺與過氧化氫水之混合液))中的任一者。BHF、SPM以及SC1以外的藥液亦可供給至第一上表面噴嘴34A。例如亦可對第一上表面噴嘴34A供給包含有下述至少一種的液體:硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氟酸、磷酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如 TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide;氫氧化四甲銨)等)、界面活性劑以及防腐蝕劑。
如圖2所示,各個上表面噴嘴34係保持於固持具(holder)42。如圖3所示,上表面噴嘴34係包含有:圓柱狀的水平部36,係從固持具42朝水平的伸長方向X1延伸;圓柱狀的角落部37,係從水平部36的前端朝下方彎曲;圓柱狀的垂下部38,係從角落部37朝下方延伸;以及上噴出口35,係在垂下部38的下表面呈開口。於構成上表面噴嘴34之構件包含有:樹脂管39,係用以導引液體;剖面筒狀的芯具40,係圍繞樹脂管39;以及剖面筒狀的樹脂塗布部41,係圍繞芯具40。
如圖3所示,水平部36係比垂下部38還長。水平部36的中心線在任何位置皆為水平。垂下部38的中心線在任何位置皆為鉛直。角落部37的中心線係相對於水平面傾斜。觀看與伸長方向X1正交之水平的排列方向Y1時,角落部37係朝斜上方凸起的圓弧狀。角落部37亦可為L字狀,亦可為彎曲兩次以上的彎折線狀。
上表面噴嘴34的垂下部38的外周面係包含有:圓筒狀的大徑部38a,係從角落部37朝鉛直下方延伸;圓環狀的段差部38b,係從大徑部38a的下端朝內側延伸;以及圓筒狀的小徑部38c,係從段差部38b的內周緣朝鉛直下方延伸。 大徑部38a、段差部38b以及小徑部38c係彼此同軸。小徑部38c的直徑係比大徑部38a的直徑還小。大徑部38a及段差部38b係樹脂塗布部41的外周面的一部分,小徑部38c係樹脂管39的外周面的一部分。
複數個水平部36係彼此平行,複數個垂下部38係彼此平行。複數個水平部36係以第一上表面噴嘴34A、第二上表面噴嘴34B以及第三上表面噴嘴34C的順序等間隔地排列於排列方向Y1。同樣地,複數個垂下部38係以第一上表面噴嘴34A至第三上表面噴嘴34C的順序等間隔地排列於排列方向Y1。複數個上噴出口35係配置於相同的高度,且俯視觀看時直線狀地排列於排列方向Y1。
樹脂管39係形成沿著上表面噴嘴34延伸之一個流路。樹脂管39的前端部39a係從芯具40以及樹脂塗布部41朝下方突出。上噴出口35係在樹脂管39的前端部39a的下表面呈開口。樹脂管39及樹脂塗布部41係例如由PTFE(polytetrafluoroethylene;聚四氟乙烯)等氟樹脂所形成。PTFE係疏水性材料(水的接觸角度超過30度材料)的一例。樹脂管39及樹脂塗布部41係形成上表面噴嘴34的表面。上表面噴嘴34的表面為疏水性。樹脂管39及樹脂塗布部41的至少一者亦可為親水性材料所形成。
如圖3所示,處理單元2係包含有:噴嘴移動單元43, 係使固持具42移動,藉此使複數個上表面噴嘴34移動。噴嘴移動單元43係包含有:水平驅動單元43a,係使固持具42水平地移動,藉此使複數個上表面噴嘴34水平地移動;以及鉛直驅動單元43b,係使固持具42鉛直地移動,藉此使複數個上表面噴嘴34鉛直地移動。
如圖2所示,水平驅動單元43a係使複數個上表面噴嘴34在處理位置(圖2中以二點鍊線所示的位置)與待機上位置(圖2中以實線所示的位置)之間水平地移動。鉛直驅動單元43b係使複數個上表面噴嘴34在待機上位置與待機下位置之間鉛直地移動。處理單元2係包含有:有底筒狀的待機埠44,係被位於待機下位置之複數個上表面噴嘴34插入。待機埠44係俯視觀看時配置於處理罩14的周圍。
水平驅動單元43a為迴旋單元,用以使複數個上表面噴嘴34繞著在處理罩14的周圍鉛直地延伸之噴嘴轉動軸線A2的周圍水平地移動。水平驅動單元43a亦可為滑動單元,用以使複數個上表面噴嘴34水平地平行移動。水平驅動單元43a係經由鉛直驅動單元43b支撐固持具42。水平驅動單元43a係使鉛直驅動單元43b繞著噴嘴轉動軸線A2的周圍轉動,藉此使固持具42水平地移動。藉此,複數個上表面噴嘴34係在處理位置與待機上位置之間水平地移動。
「處理位置」係俯視觀看時複數個上表面噴嘴34與基板 W重疊且從複數個上表面噴嘴34噴出的處理液著液至基板W的上表面之位置。「待機上位置」係複數個上表面噴嘴34已以俯視觀看時複數個上表面噴嘴34與基板W不會重疊之方式退避之位置。「待機下位置」係待機上位置的正下方之位置。在待機上位置中,複數個上表面噴嘴34的垂下部38係位於待機埠44的上方。在待機下位置中,複數個上表面噴嘴34的垂下部38係插入至待機埠44內(參照圖7)。
接著,說明藉由基板處理裝置1所執行之基板W的處理的一例。
圖4係用以說明藉由基板處理裝置1所執行之基板W的處理的一例之步驟圖。圖5A至圖5C係用以顯示執行圖4所示的各個步驟時的處理單元2的狀態之示意圖。控制裝置3係以執行以下各個步驟之方式被編程。
藉由基板處理裝置1處理基板W時,進行用以將基板W搬入至腔室9內之搬入步驟(圖4的步驟S1)。
具體而言,複數個上表面噴嘴34係從基板W的上方退避,在第一防濺護罩15A至第四防濺護罩15D位於下位置的狀態,搬運機器人(未圖示)係一邊以手部支撐基板W一邊使手部進入至腔室9內。之後,搬運機器人係在基板W的表面朝向上方的狀態下將手部上的基板W放置在自轉夾具4上。 自轉馬達8係藉由夾具銷6把持基板W後,使基板W開始旋轉。搬運機器人係將基板W放置在自轉夾具4上後,使手部從腔室9的內部退避。
接著,如圖5A所示,進行用以將藥液供給至基板W的上表面之藥液供給步驟(圖4的步驟S2)。
具體而言,控制裝置3係在執行預分配(pre-dispense)步驟後,使複數個上表面噴嘴34移動至處理位置;該預分配步驟係用以使位於待機上位置或待機下位置之第一上表面噴嘴34A朝待機埠44噴出藥液。再者,護罩升降單元17係在使第一防濺護罩15A位於下位置的狀態下直接使第二防濺護罩15B至第四防濺護罩15D上升至上位置。之後,開啟第一藥液閥29。藉此,從第一上表面噴嘴34A朝旋轉中的基板W的上表面噴出藥液。
在第一上表面噴嘴34A噴出藥液時,噴嘴移動單元43係可使複數個上表面噴嘴34在從第一上表面噴嘴34A噴出的藥液著液至基板W的上表面中央部之中央處理位置與從第一上表面噴嘴34A噴出的藥液著液至基板W的上表面外周部之外周處理位置之間移動,亦可以藥液的著液位置位於基板W的上表面中央部之方式使複數個上表面噴嘴34靜止。當第一藥液閥29開啟後經過預定時間時,關閉第一藥液閥29。
從第一上表面噴嘴34A噴出的藥液係在著液至基板W的上表面後,沿著旋轉中的基板W的上表面朝外側流動。藉此,形成有用以覆蓋基板W的上表面全域之藥液的液膜,並對基板W的上表面全域供給有藥液。尤其是,在噴嘴移動單元43使第一上表面噴嘴34A在中央處理位置與外周處理位置之間移動之情形中,由於基板W的上表面全域在藥液的著液位置被掃瞄,因此均勻地將藥液供給至基板W的上表面全域。藉此,均勻地處理基板W的上表面。
接著,如圖5B所示,進行用以將屬於清洗液的一例之純水供給至基板W的上表面及下表面雙方之清洗液供給步驟(圖4的步驟S3)。
具體而言,在複數個上表面噴嘴34位於處理位置的狀態下,護罩升降單元17係在使第二防濺護罩15B至第四防濺護罩15D位於上位置的狀態下直接使第一防濺護罩15A上升至上位置。之後,開啟第一清洗液閥33。藉此,作為第一清洗液噴嘴的第二上表面噴嘴34B開始噴出純水。在第二上表面噴嘴34B噴出純水時,噴嘴移動單元43係可使複數個上表面噴嘴34在中央處理位置與外周處理位置之間移動,亦可以清洗液的著液位置位於基板W的上表面中央部之方式使複數個上表面噴嘴34靜止。
著液至基板W的上表面之純水係沿著旋轉中的基板W的上表面朝外側流動。基板W上的藥液係被從第二上表面噴嘴34B噴出的純水沖洗。藉此,形成有用以覆蓋基板W的上表面全域之純水的液膜。到達至基板W的上表面外周部之純水係從基板W飛散至基板W的周圍,並被位於上位置的第一防濺護罩15A接住。之後,純水係被導引至與第一防濺護罩15A對應之罩16。在第一清洗液閥33開啟後經過預定時間時,關閉第一清洗液閥33,停止噴出純水。之後,噴嘴移動單元43係使複數個上表面噴嘴34移動至待機上位置。
另一方面,開啟第二清洗液閥26,作為第二清洗液噴嘴的下表面噴嘴21開始噴出純水。藉此,從下表面噴嘴21朝旋轉中的基板W的下表面中央部噴出純水。第二清洗液閥26係可與第一清洗液閥33同時開啟,亦可在第一清洗液閥33開啟之前或之後開啟。著液至基板W的下表面之純水係沿著旋轉中的基板W的下表面朝外側流動,並從基板W的外周部飛散至基板W的周圍。附著至基板W的下表面之藥液的霧氣等係被從下表面噴嘴21噴出的純水沖洗。當第二清洗液閥26開啟後經過預定時間時,關閉第二清洗液閥26,停止噴出純水。
接著,如圖5C所示,進行乾燥步驟(圖4的步驟S4),該乾燥步驟係用以使基板W高速旋轉,藉此使基板W乾燥。
具體而言,護罩升降單元17係在使第四防濺護罩15D位於上位置的狀態下直接使第一防濺護罩15A至第三防濺護罩15C下降至下位置。之後,自轉馬達8係使基板W朝旋轉方向加速,藉此使基板W以比在藥液供給步驟及清洗液供給步驟中的基板W的旋轉速度還大之高旋轉速度(例如數千rpm)旋轉。藉此,從基板W去除液體,使基板W乾燥。當從基板W開始高速旋轉後經過預定時間時,自轉馬達8係停止旋轉。藉此,基板W停止旋轉。
接著,進行用以從腔室9搬出基板W之搬出步驟(圖4的步驟S5)。
具體而言,護罩升降單元17係在使第一防濺護罩15A至第三防濺護罩15C位於下位置的狀態下直接使第四防濺護罩15D下降至下位置。之後,搬運機器人(未圖示)係使手部進入至腔室9內。搬運機器人係在解除複數個夾具銷6對於基板W的保持後,以手部支撐自轉夾具4上的基板W。之後,搬運機器人係一邊以手部支撐基板W,一邊使手部從腔室9的內部退避。藉此,從腔室9搬出處理完畢的基板W。
接著,說明用以洗淨複數個上表面噴嘴34之第二洗淨噴嘴51。
圖6係用以顯示複數個上表面噴嘴34、第二洗淨噴嘴51、 第一乾燥噴嘴56以及第二乾燥噴嘴61之示意性的俯視圖。圖7係水平地觀看複數個上表面噴嘴34、第二洗淨噴嘴51、第一乾燥噴嘴56以及第二乾燥噴嘴61之示意圖。圖6係顯示位於待機上位置的複數個上表面噴嘴34。圖7係以實線顯示位於待機上位置的複數個上表面噴嘴34,並以二點鍊線顯示位於待機下位置的複數個上表面噴嘴34。
如圖7所示,處理單元2係包含有:第二洗淨噴嘴51,係朝複數個上表面噴嘴34噴出屬於洗淨液的一例之純水。第二洗淨噴嘴51係連接至夾設有第二洗淨液閥55之第二洗淨液配管54。第二洗淨噴嘴51係包含有:複數個第二洗淨液噴出口52,係朝複數個上表面噴嘴34噴出純水;以及第二洗淨液供給路徑53,係將純水供給至複數個第二洗淨液噴出口52。
第二洗淨噴嘴51係配置於比位於待機上位置的複數個上表面噴嘴34還上方。複數個上表面噴嘴34係通過第二洗淨噴嘴51的下方。如圖6所示,俯視觀看時,第二洗淨噴嘴51係配置於位於待機上位置的複數個上表面噴嘴34的側方。第二洗淨噴嘴51係朝與位於待機上位置的複數個上表面噴嘴34的伸長方向X1平行的軸方向延伸。俯視觀看時,第二洗淨噴嘴51係相對於位於待機上位置的複數個上表面噴嘴34配置於處理罩14側(參照圖2)。
第二洗淨噴嘴51為淋浴噴嘴,用以從複數個第二洗淨液噴出口52朝斜下方噴出純水。複數個第二洗淨液噴出口52係等間隔且直線狀地排列於第二洗淨噴嘴51的軸方向。第二洗淨噴嘴51係噴出純水,藉此形成從第二洗淨噴嘴51朝斜下方流動之片(sheet)狀的液流。第二洗淨噴嘴51係可以液流的厚度成為一定之方式噴出純水,亦可以愈遠離第二洗淨噴嘴51則液流的厚度愈增加之方式噴出純水。
即使在複數個上表面噴嘴34位於從待機上位置至待機下位置中的任一個位置時,從第二洗淨噴嘴51觀看時皆能看見第一上表面噴嘴34A的水平部36、角落部37以及垂下部38。另一方面,從第二洗淨噴嘴51觀看時,第二上表面噴嘴34B的水平部36、角落部37及垂下部38以及第三上表面噴嘴34C的水平部36、角落部37及垂下部38係被第一上表面噴嘴34A的水平部36、角落部37及垂下部38遮住。
在以從第二洗淨噴嘴51噴出的純水洗淨複數個上表面噴嘴34時,控制裝置3係藉由噴嘴移動單元43使複數個上上表面噴嘴34在待機上位置與待機下位置之間升降。在待機上位置中,從第二洗淨噴嘴51噴出的純水主要係接觸至第一上表面噴嘴34A的水平部36(參照圖13中以二點鍊線所示的第一上表面噴嘴34A)。在待機下位置中,從第二洗淨噴嘴51噴出的純水主要係接觸至第三上表面噴嘴34C的水平部36(參照圖13中以實線所示的第三上表面噴嘴34C)。當複數 個上表面噴嘴34在待機上位置與待機下位置之間移動時,複數個上表面噴嘴34係依序通過片狀的液流。藉此,從第二洗淨噴嘴51噴出的純水係被供給至全部的上表面噴嘴34的水平部36。
接著,說明用以使複數個上表面噴嘴34的垂下部38乾燥之第一乾燥噴嘴56。
如圖6所示,第一乾燥噴嘴56係包含有:複數個第一氣體噴出口57,係在待機埠44內噴出屬於乾燥氣體的一例之氮氣;以及第一氣體供給路徑58,係將氮氣供給至複數個第一氣體噴出口57。第一氣體供給路徑58係連接於夾設有第一氣體閥60之第一氣體配管59。
如圖7所示,待機埠44係包含有:筒狀的周壁45,係圍繞位於待機下位置(圖7中以二點鍊線所示的位置)的複數個上表面噴嘴34的垂下部38;以及底壁46,係封閉周壁45的下端。待機埠44的底面係朝在待機埠44的底面呈開口的排出口47(參照圖6)往斜下方延伸。待機埠44內的液體係從排出口47被排出。
第一氣體噴出口57係在待機埠44的內周面呈開口。複數個第一氣體噴出口57係排列於待機埠44的周方向。複數個第一氣體噴出口57係朝俯視觀看時彼此不同的兩個以上 的方向噴出氮氣。第一氣體供給路徑58係設置於待機埠44的周壁45的內部。如圖6所示,第一氣體供給路徑58係包含有:第一氣體流路58a,係用以導引供給至複數個第一氣體噴出口57的氮氣;兩個第二氣體流路58b,係從第一氣體流路58a分歧;以及複數個第三氣體流路58c,係從兩個第二氣體流路58b分歧。
當第一氣體閥60開啟時,於待機埠44內形成有從複數個第一氣體噴出口57朝內側流動的複數個氣流。第一氣體噴出口57係噴出從第一氣體供給路徑58供給的氮氣,藉此形成從第一氣體噴出口57朝內側流動之線狀的氣流。第一氣體供給路徑58的第三氣體流路58c係朝第一氣體噴出口57往斜下方延伸。第一氣體噴出口57係朝斜下方噴出氮氣。第一氣體噴出口57係可水平地噴出氮氣,亦可朝斜上方噴出氮氣。
接著,說明用以使複數個上表面噴嘴34的水平部36乾燥之第二乾燥噴嘴61。
如圖7所示,處理單元2係包含有:第二乾燥噴嘴61,係朝複數個上表面噴嘴34噴出屬於乾燥氣體的一例之氮氣。第二乾燥噴嘴61係連接至夾設有第二氣體閥65之第二氣體配管64。第二乾燥噴嘴61係包含有:複數個(例如兩個)第二氣體噴出口62,係用以朝複數個上表面噴嘴34噴出氮氣; 以及第二氣體供給路徑63,係用以將氮氣供給至複數個第二氣體噴出口62。
如圖6所示,第二氣體噴出口62係與位於待機上位置的第一上表面噴嘴34A的垂下部38水平地相對向。第二氣體噴出口62係相對於垂下部38配置於與水平部36的相對側。如圖7所示,在複數個上表面噴嘴34位於待機上位置時,上側的第二氣體噴出口62係配置於與水平部36相等的高度,下側的第二氣體噴出口62係配置於與角落部37相等的高度。第二氣體噴出口62係配置於比待機埠44還上方。俯視觀看時,第二乾燥噴嘴61係位於處理罩14的周圍(參照圖2)。
第二乾燥噴嘴61亦可為用以形成線狀的氣流之噴嘴,亦可為用以形成愈遠離第二乾燥噴嘴61則直徑愈增加的圓錐狀的氣流之噴嘴。在複數個上表面噴嘴34位於待機上位置時,從上側的第二氣體噴出口62噴出的氮氣係接觸至第一上表面噴嘴34A的角落部37,並沿著第一上表面噴嘴34A的水平部36的上緣朝水平部36的基部側流動。從下側的第二氣體噴出口62噴出的氮氣係接觸至第一上表面噴嘴34A的角落部37,並沿著第一上表面噴嘴34A的水平部36的下緣朝水平部36的基部側流動。
在以從第二乾燥噴嘴61噴出的氮氣使複數個上表面噴嘴34乾燥時,控制裝置3係藉由噴嘴移動單元43使複數個 上表面噴嘴34在兩個折返位置(參照圖15)之間繞著噴嘴轉動軸線A2水平地移動。兩個折返位置皆為高度與處理位置及待機上位置相等之位置。第一折返位置(如圖15中以實線所示的位置)係例如為待機上位置,第二折返位置(圖15中以二點鍊線所示的位置)係例如為處理位置與待機上位置之間的位置。
在第一折返位置中,從第二乾燥噴嘴61噴出的氮氣主要係接觸至第一上表面噴嘴34A的水平部36以及角落部37。在第二折返位置中,從第二乾燥噴嘴61噴出的氮氣主要係接觸至第三上表面噴嘴34C的水平部36以及角落部37。當複數個上表面噴嘴34在第一折返位置與第二折返位置之間移動時,氮氣所接觸的位置係相對於複數個上表面噴嘴34水平地移動。藉此,從第二乾燥噴嘴61噴出的氮氣係被供給至全部的上表面噴嘴34的水平部36以及角落部37。
接著,說明上表面噴嘴34的洗淨及乾燥。
以下參照圖8至圖14。圖8係用以說明藉由基板處理裝置1所執行之複數個上表面噴嘴34的洗淨及乾燥的一例之步驟圖。控制裝置3係以執行以下各個步驟之方式編程。上表面噴嘴34的洗淨及乾燥係可在每次結束一片基板W的處理時執行,亦可在每次結束複數片基板W的處理時執行,亦可在每個預定時間執行。
在洗淨複數個上表面噴嘴34時,執行以從作為第一洗淨噴嘴的下表面噴嘴21噴出的純水洗淨複數個上表面噴嘴34的垂下部38之垂下部洗淨步驟(圖8的步驟S11)。
具體而言,在基板W未被自轉夾具4保持的狀態下,噴嘴移動單元43係使複數個上表面噴嘴34位於處理位置,且護罩升降單元17係使第一防濺護罩15A至第四防濺護罩15D位於上位置。再者,自轉馬達8係使自轉基座5旋轉。在此狀態下,開啟第二清洗液閥26,從下表面噴嘴21的下噴出口22朝上方噴出純水。
圖9係用以顯示從下表面噴嘴21朝上方延伸的液柱之示意圖。從下噴出口22噴出的純水係從下噴出口22朝鉛直方向往上方飛散後,從最上方位置落下。藉此,形成有從下噴出口22朝最上方位置延伸的液柱。如圖9所示,從下表面噴嘴21噴出的純水的流量係設定成液柱的上端位於比複數個上表面噴嘴34的水平部36的下緣還上方且位於比整流板13的下表面還下方。純水的流量係例如為1000ml/min至2000ml/min。除了液柱的上端部之外,液柱的直徑係與下表面噴嘴21的下噴出口22的直徑大略相等。在液柱的上端部中,液柱的直徑係因為重力及降流的風壓的影響而增加。液柱在上端部中之液柱的直徑亦可比上表面噴嘴34的外徑還大。
從下表面噴嘴21朝上方噴出的純水係落下至下表面噴嘴21的上表面後,在自轉基座5的上表面擴散。純水係沿著旋轉中的自轉基座5的上表面朝外側流動。藉此,自轉基座5的上表面係被純水洗淨。再者,沿著自轉基座5的上表面流動之純水的一部分係接觸至夾具銷6後,從自轉基座5的外周部朝外側飛散。殘餘的純水主要係通過複數個夾具銷6之間從自轉基座5的外周部朝外側飛散。從自轉基座5排出的純水係被第一防濺護罩15A接住,並被導引至與第一防濺護罩15A對應之罩16。藉此,第一防濺護罩15A及罩16係被純水洗淨。
圖10A至圖10C係用以顯示洗淨複數個上表面噴嘴34的垂下部38時的複數個上表面噴嘴34的位置之示意性的俯視圖。圖10A、圖10B及圖10C係分別顯示複數個上表面噴嘴34位於第一位置、第二位置以及第三位置的狀態。噴嘴移動單元43係在下表面噴嘴21正在噴出純水的狀態下使複數個上表面噴嘴34在第一位置與第二位置之間水平地來回移動(第一垂下部洗淨步驟)。之後,噴嘴移動單元43係在下表面噴嘴21正在噴出純水的狀態下使複數個上表面噴嘴34在第二位置與第三位置之間水平地來回移動(第二垂下部洗淨步驟)。
第一位置至第三位置皆為俯視觀看時全部的上表面噴 嘴34的上噴出口35與自轉夾具4重疊且俯視觀看時全部的上表面噴嘴34的上噴出口35未與下表面噴嘴21的下噴出口22重疊的位置。「第一位置」係俯視觀看時全部的上表面噴嘴34的上噴出口35相對於下表面噴嘴21的下噴出口22配置於待機上位置側之位置。「第二位置」係俯視觀看時下表面噴嘴21的下噴出口22配置於第一上表面噴嘴34A的上噴出口35與第二上表面噴嘴34B的上噴出口35之間之位置。「第三位置」係俯視觀看時全部的上表面噴嘴34的上噴出口35相對於下表面噴嘴21的下噴出口22配置於與待機上位置的反對側之位置。
圖11A至圖11D係用以顯示第一上表面噴嘴34A的垂下部38通過從下表面噴嘴21朝上方延伸的液柱之前後的狀態之示意圖。圖11A係顯示第一上表面噴嘴34A的垂下部38通過液柱之前的狀態。圖11B係顯示第一上表面噴嘴34A的垂下部38剛接觸至液柱後的狀態。圖11C係顯示第一上表面噴嘴34A的垂下部38正在接觸液柱的狀態。圖11D係顯示第一上表面噴嘴34A的垂下部38通過液柱後的狀態。
如圖11A所示,在第一位置中,複數個上表面噴嘴34係從液柱離開。如圖11B及圖11C所示,當複數個上表面噴嘴34從第一位置移動至第二位置時,第一上表面噴嘴34A的垂下部38的一方的側部係接觸至液柱。如圖11D所示, 之後,第一上表面噴嘴34A的垂下部38係水平地通過液柱並從液柱離開。反之,當複數個上表面噴嘴34從第二位置移動至第一位置時,第一上表面噴嘴34A的垂下部38的另一方的側部係接觸至液柱,且第一上表面噴嘴34A的垂下部38係水平地通過液柱。
當複數個上表面噴嘴34在第一位置與第二位置之間來回移動時,第一上表面噴嘴34A的垂下部38的雙方的側部係交互地接觸至液柱。藉此,從下表面噴嘴21噴出的純水係被供給至第一上表面噴嘴34A的垂下部38的雙方的側部。再者,供給至第一上表面噴嘴34A的垂下部38之純水係一邊沿著第一上表面噴嘴34A的垂下部38朝下方流動,一邊沿著第一上表面噴嘴34A的垂下部38朝與第一上表面噴嘴34A的移動方向相反的方向流動。藉此,純水亦供給至第一上表面噴嘴34A的垂下部38中之未接觸至液柱的部分。
此外,當複數個上表面噴嘴34在第二位置與第三位置來回移動時,第二上表面噴嘴34B的垂下部38的一方的側部係接觸至液柱後,第三上表面噴嘴34C的垂下部38的一方的側部係接觸至液柱。接著,第三上表面噴嘴34C的垂下部38的另一方的側部係接觸至液柱後,第二上表面噴嘴34B的垂下部38的另一方的側部係接觸至液柱。藉此,洗淨第二上表面噴嘴34B的垂下部38的外周面與第三上表面噴嘴34C的垂下部38的外周面。
圖12A至圖12C係用以顯示從下表面噴嘴21噴出的純水被供給至複數個上表面噴嘴34的任一者的內部的狀態之示意圖。圖12A係用以顯示複數個上表面噴嘴34位於第一中間位置的狀態,該第一中間位置係從下表面噴嘴21噴出的純水被供給至第一上表面噴嘴34A的內部之位置。圖12B係用以顯示複數個上表面噴嘴34位於第二中間位置的狀態,該第二中間位置係從下表面噴嘴21噴出的純水被供給至第二上表面噴嘴34B的內部之位置。圖12C係用以顯示複數個上表面噴嘴34位於第三中間位置的狀態,該第三中間位置係從下表面噴嘴21噴出的純水被供給至第三上表面噴嘴34C的內部之位置。
當複數個上表面噴嘴34在第一位置與第二位置之間來回移動時,複數個上表面噴嘴34係通過第一位置與第二位置之間的第一中間位置。第一中間位置係俯視觀看時第一上表面噴嘴34A的上噴出口35與下表面噴嘴21的下噴出口22重疊之位置。此外,當複數個上表面噴嘴34在第二位置與第三位置之間來回移動時,複數個上表面噴嘴34係通過第二位置與第三位置之間的第二中間位置以及第二中間位置與第三位置之間的第三中間位置。第二中間位置係俯視觀看時第二上表面噴嘴34B的上噴出口35與下表面噴嘴21的下噴出口22重疊之位置,第三中間位置係俯視觀看時第三上表面噴嘴34C的上噴出口35與下表面噴嘴21的下噴出口22重疊之 位置。
如圖12A所示,當第一上表面噴嘴34A配置於第一中間位置時,從下表面噴嘴21噴出的純水係接觸至用以形成第一上表面噴嘴34A的上噴出口35之垂下部38的下表面。再者,從下表面噴嘴21噴出的純水係經由第一上表面噴嘴34A的上噴出口35進入至第一上表面噴嘴34A中。第一上表面噴嘴34A內的藥液及其結晶係與進入至第一上表面噴嘴34內的純水一起從上噴出口35朝下方排出。藉此,洗淨第一上表面噴嘴34A的垂下部38的下表面與第一上表面噴嘴34A的內部。
同樣地,如圖12B所示,當第二上表面噴嘴34B配置於第二中間位置時,從下表面噴嘴21噴出的純水係被供給至第二上表面噴嘴34B的垂下部38的下表面與第二上表面噴嘴34B的上噴出口35。如圖12C所示,當第三上表面噴嘴34C配置於第三中間位置時,從下表面噴嘴21噴出的純水係被供給至第三上表面噴嘴34C的垂下部38的下表面與第三上表面噴嘴34C的上噴出口35。藉此,洗淨第二上表面噴嘴34B的垂下部38的下表面與第二上表面噴嘴34B的內部,並洗淨第三上表面噴嘴34C的垂下部38的下表面與第三上表面噴嘴34C的內部。
如此,由於純水不僅確實地被供給至複數個上表面噴嘴 34的內部亦確實地被供給至垂下部38的外周面,因此能確實地洗淨複數個上表面噴嘴34的內部及外周面雙方。再者,由於使用用以朝基板W的下表面噴出液體之下表面噴嘴21洗淨複數個上表面噴嘴34,因此無須另外設置用以對複數個上表面噴嘴34供給洗淨液之噴嘴。而且,由於能藉由使複數個上表面噴嘴34在第二位置與第三位置之間來回移動而洗淨兩個噴嘴(第二上表面噴嘴34B及第三上表面噴嘴34C),因此與逐一洗淨噴嘴之情形相比能縮短洗淨時間。
複數個上表面噴嘴34在第一位置與第二位置之間的來回移動次數(第一次數)係可與複數個上表面噴嘴34在第二位置與第三位置之間的來回移動次數(第二次數)相等,亦可較多或較少。在第一上表面噴嘴34A比第二上表面噴嘴34B及第三上表面噴嘴34C還容易髒污之情形中,只要將第一次數設定成比第二次數還多,即能確實地洗淨第一上表面噴嘴34A。另一方面,只要第二上表面噴嘴34B及第三上表面噴嘴34C比第一上表面噴嘴34A還不易髒污,即使是較少的來回移動次數亦能確實地洗淨第二上表面噴嘴34B及第三上表面噴嘴34C。
當第二清洗液閥26開啟後經過預定時間時,關閉第二清洗液閥26,停止從下表面噴嘴21噴出純水。再者,自轉馬達8停止旋轉,第一防濺護罩15A至第四防濺護罩15D係配置於下位置。藉此,結束包含有第一垂下部洗淨步驟及第二 垂下部洗淨步驟之垂下部洗淨步驟。之後,執行水平部洗淨步驟(圖8的步驟S12),該水平部洗淨步驟係以從第二洗淨噴嘴51噴出的純水洗淨複數個上表面噴嘴34的水平部36。
具體而言,噴嘴移動單元43係使複數個上表面噴嘴34移動至待機上位置。之後,開啟第二洗淨液閥55。圖13係用以顯示從第二洗淨噴嘴51噴出的純水被供給至複數個上表面噴嘴34的水平部36的狀態之示意圖。如圖13所示,當第二洗淨液閥55開啟時,第二洗淨噴嘴51開始噴出純水。因此,形成有從第二洗淨噴嘴51朝斜下方流動之片狀的液流。在此狀態下,噴嘴移動單元43係使複數個上表面噴嘴34在待機上位置與待機下位置之間升降。
如圖13所示,在第二洗淨噴嘴51噴出純水時,若複數個上表面噴嘴34在待機上位置(以二點鍊線所示的位置)與待機下位置(以實線所示的位置)之間移動,則複數個上表面噴嘴34係鉛直地依序通過片狀的液流。藉此,從第二洗淨噴嘴51噴出的純水係被供給至全部的上表面噴嘴34的水平部36及角落部37。再者,供給至水平部36的純水係沿著水平部36朝下方流動,並從水平部36的下緣落下。供給至角落部37的純水係從角落部37流動至垂下部38,並從垂下部38的下端部落下。因此,純水亦被供給至水平部36及角落部37中之未直接接觸至片狀的液流之部分。藉此,能洗淨比複數個上表面噴嘴34還廣的範圍。
如此,以從第二洗淨噴嘴51噴出的純水洗淨複數個上表面噴嘴34的水平部36及角落部37。當第二洗淨液閥55開啟後經過預定時間時,噴嘴移動單元43係停止複數個上表面噴嘴34的升降,使複數個上表面噴嘴34位於待機上位置。之後,關閉第二洗淨液閥55,停止從第二洗淨噴嘴51噴出純水。藉此,結束水平部洗淨步驟。
接著,執行垂下部乾燥步驟(圖8的步驟S13),該垂下部乾燥步驟係以從第一乾燥噴嘴56噴出的氮氣使複數個上表面噴嘴34的垂下部38乾燥。
具體而言,開啟第一氣體閥60。圖14係用以顯示從第一乾燥噴嘴56噴出的氮氣被供給至複數個上表面噴嘴34的垂下部38的狀態之示意圖。如圖14所示,當第一氣體閥60開啟時,在待機埠44的內面呈開口之複數個第一氣體噴出口57係開始噴出氮氣。因此,於待機埠44內形成有從第一氣體噴出口57朝內側流動之線狀的氣流。在此狀態下,噴嘴移動單元43係使複數個上表面噴嘴34在待機上位置與待機下位置之間升降。
在複數個上表面噴嘴34進入至待機埠44時以及在複數個上表面噴嘴34從待機埠44出來時,複數個上表面噴嘴34的垂下部38係鉛直地通過複數個氣流。從第一氣體噴出口 57噴出的氮氣係直接接觸到在待機上位置與待機下位置之間升降的複數個上表面噴嘴34的垂下部38。氮氣接觸至垂下部38之位置係隨著複數個上表面噴嘴34的升降而鉛直地移動。藉此,氮氣係直接噴吹至複數個上表面噴嘴34的垂下部38。尤其是,由於複數個第一氣體噴出口57係朝俯視觀看時彼此不同的兩個以上的方向噴出氮氣,因此氮氣能直接接觸至比複數個上表面噴嘴34還廣的範圍。
如此,從第一氣體噴出口57噴出的氮氣係被噴吹至複數個上表面噴嘴34,純水等液體係從複數個上表面噴嘴34被去除。並且,當第一氣體閥60開啟後經過預定時間時,噴嘴移動單元43係停止複數個上表面噴嘴34的升降,使複數個上表面噴嘴34位於待機上位置。之後,關閉第一氣體閥60,停止從第一氣體噴出口57噴出氮氣。藉此,結束垂下部乾燥步驟。
接著,執行水平部乾燥步驟(圖8的步驟S14),該水平部乾燥步驟係以從第二乾燥噴嘴61噴出的氮氣使複數個上表面噴嘴34的水平部36及角落部37乾燥。
具體而言,開啟第二氣體閥65。圖15係用以顯示從第二乾燥噴嘴61噴出的氮氣被供給至複數個上表面噴嘴34的水平部36的狀態之示意性的俯視圖。如圖15所示,當第二氣體閥65開啟時,第二乾燥噴嘴61開始噴出氮氣。因此, 形成有從第二氣體噴出口62朝複數個上表面噴嘴34流動之線狀的氣流。
圖15係以實線顯示位於相當於第一折返位置之待機上位置的複數個上表面噴嘴34,並以二點鍊線顯示位於第二折返位置的複數個上表面噴嘴34。噴嘴移動單元43係在第二乾燥噴嘴61正在噴出氮氣的狀態下使複數個上表面噴嘴34在第一折返位置與第二折返位置之間繞著噴嘴轉動軸線A2水平地來回移動。藉此,從第二乾燥噴嘴61噴出的氮氣係被供給至全部的上表面噴嘴34的水平部36及角落部37,純水等液體係從水平部36及角落部37被去除。
如此,從第二乾燥噴嘴61噴出的氮氣係被噴吹至複數個上表面噴嘴34,純水等液體係從複數個上表面噴嘴34被去除。並且,當第二氣體閥65開啟後經過預定時間時,噴嘴移動單元43係停止複數個上表面噴嘴34的轉動,使複數個上表面噴嘴34位於待機上位置。之後,關閉第二氣體閥65,停止從第二乾燥噴嘴61噴出氮氣。藉此,結束水平部乾燥步驟。
如上所述,在第一實施形態中,在自轉夾具4未保持基板W的狀態下,一邊使下表面噴嘴21朝上方噴出洗淨液一邊使第一上表面噴嘴34A在第一位置與第二位置之間水平地來回移動。在第一位置與第二位置之間的第一中間位置中, 從下表面噴嘴21噴出的洗淨液係經由第一上表面噴嘴34A的上噴出口35進入至第一上表面噴嘴34A中。第一上表面噴嘴34A內的藥液及其結晶係與洗淨液一起從上噴出口35排出至下方。藉此,洗淨第一上表面噴嘴34A的內部。
在第一上表面噴嘴34A從第一位置移動至第一中間位置時,第一上表面噴嘴34A的垂下部38的一方的側部係接觸至從下表面噴嘴21朝上方延伸之洗淨液的柱,且洗淨液係被供給至垂下部38的一方的側部。同樣地,在第一上表面噴嘴34A從第二位置移動至第一中間位置時,第一上表面噴嘴34A的垂下部38的另一方的側部係接觸至從下表面噴嘴21朝上方延伸之洗淨液的柱,且洗淨液係被供給至垂下部38的另一方的側部。再者,供給至垂下部38的洗淨液係一邊沿著垂下部38朝下方流動一邊沿著垂下部38朝與第一上表面噴嘴34A的移動方向相反的方向流動。藉此,洗淨液亦被供給至垂下部38中之未接觸至液柱的部分。
如此,由於洗淨液不僅供給至第一上表面噴嘴34A的內部亦確實地供給至垂下部38的外周面,因此能確實地洗淨第一上表面噴嘴34A的內部及外周面之雙方。藉此,能減少附著於第一上表面噴嘴34A之藥液及其結晶的殘留量,並能抑制或防止基板W的污染。再者,由於將用以朝基板W的下表面噴出液體之下表面噴嘴21作為用以洗淨第一上表面噴嘴34A之第一洗淨噴嘴來利用,因此能防止構件數量的增 加。
在第一實施形態中,形成有液柱的上端位於比第一上表面噴嘴34A的水平部36的下緣還上方般之此種高的液柱。若液柱變高,在垂下部38接觸至液柱時,垂下部38中之直接供給有洗淨液之部分的面積係增加。伴隨於此,垂下部38中之間接地供給洗淨液之部分的面積亦增加,亦即沿著垂下部38流動之洗淨液所通過的部分的面積亦增加。藉此,能洗淨比垂下部38還廣的範圍。
第一上表面噴嘴34A的角落部37係從水平部36的前端朝垂下部38的上端延伸之部分,從上方觀看第一上表面噴嘴34A時,角落部37的內側部分係被隱藏。角落部37的內側部分的一部分係位於比水平部36的下緣還下方,並位於比液柱的上端還下方。從下表面噴嘴21噴出的洗淨液係在第一上表面噴嘴34A來回移動的期間直接或間接地供給至角落部37的至少一部分。藉此,能將洗淨液亦供給至從上方不易供給洗淨液之角落部37的內側部分,且能從該內側部分去除藥液及其結晶。
在第一實施形態中,在下表面噴嘴21朝上方噴出洗淨液時,噴嘴移動單元43係使第二上表面噴嘴34B及第三上表面噴嘴34C與第一上表面噴嘴34A一起移動。此時,第二上表面噴嘴34B及第三上表面噴嘴34C係在第二位置與第三位 置之間來回移動。藉此,不僅洗淨第一上表面噴嘴34A的垂下部38,亦洗淨第二上表面噴嘴34B及第三上表面噴嘴34C的垂下部38。因此,能不使用其他噴嘴移動單元及第一洗淨噴嘴而洗淨全部的上表面噴嘴34。
在第一實施形態中,因應朝基板W噴出之液體的種類變更來回移動次數。在第一位置與第二位置之間的來回移動次數比在第二位置與第三位置之間的來回移動次數還多之情形中,能更乾淨地洗淨第一上表面噴嘴34A的垂下部38。再者,在第二上表面噴嘴34B的垂下部38比第一上表面噴嘴34A的垂下部38還不易髒污之情形中,即使在第二位置與第三位置之間來回移動次數少,亦能充分地洗淨第二上表面噴嘴34B及第三上表面噴嘴34C的垂下部38。藉此,能一邊縮短洗淨時間一邊有效地洗淨全部的上表面噴嘴34。
在第一實施形態中,從第二洗淨噴嘴51朝位於待機位置的第一上表面噴嘴34A的水平部36噴出洗淨液。藉此,洗淨液係被供給至水平部36並洗淨水平部36。因此,能進一步減少附著於第一上表面噴嘴34A的藥液及其結晶的殘留量。再者,由於水平部36係在第一上表面噴嘴34A位於待機位置時被洗淨,因此包含有藥液及其結晶的洗淨液不易落下至自轉夾具4上。因此,能一邊防止污染自轉夾具4一邊洗淨第一上表面噴嘴34A的水平部36。
在第一實施形態中,一邊使第二洗淨噴嘴51斜向地噴出洗淨液,一邊使第一上表面噴嘴34A朝鉛直方向移動。從第二洗淨噴嘴51噴出的洗淨液的至少一部分係直接接觸至水平部36。當第一上表面噴嘴34A鉛直地移動時,洗淨液直接接觸至第一上表面噴嘴34A之位置係變化。因此,能將洗淨液直接接觸之部分的面積擴展。藉此,能有效地洗淨水平部36。
在第一實施形態中,在上表面噴嘴34已接近至下表面噴嘴21的狀態下進行垂下部洗淨步驟。具體而言,如圖9所示,從下表面噴嘴21的下噴出口22至上表面噴嘴34的上噴出口35之鉛直方向的距離D1係比從上表面噴嘴34的上端至整流板13的下表面之鉛直方向的距離D3還短。從上表面噴嘴34的上端至整流板13的下表面之鉛直方向的距離D3係比從上噴出口35至上表面噴嘴34的上端之鉛直方向的距離D2還短。如此,由於上表面噴嘴34接近至下表面噴嘴21,因此能使具有強流速的液流接觸至上表面噴嘴34,而能有效地洗淨上表面噴嘴34的垂下部38。
(其他實施形態)
本發明並未限定於前述實施形態的內容,可進行各種變更。
例如圖16所示,在前述垂下部洗淨步驟中,除了從下表 面噴嘴21噴出純水以外,亦可將從配置於比複數個上表面噴嘴34還上方的第三洗淨嘴71噴出的純水供給至複數個上表面噴嘴34的角落部37及垂下部38。
第三洗淨噴嘴71係包含有:上方部71a,係配置於整流板13的上表面上;前端部71b,係從上方部71a朝下方延伸;以及第三洗淨液噴出口72,係設置於前端部71b。前端部71b係插入至將整流板13於上下方向貫通之整流板13的插入孔13b。第三洗淨液噴出口72係位於比整流板13還下方。第三洗淨液噴出口72係配置於俯視觀看時與下表面噴嘴21的上表面重疊之位置。
第三洗淨噴嘴71係連接至夾設有第三洗淨液閥74之第三洗淨液配管73。當第三洗淨液閥74開啟時,從第三洗淨噴嘴71的第三洗淨液噴出口72朝下方噴出屬於洗淨液的一例之純水。藉此,形成有從第三洗淨噴嘴71朝下表面噴嘴21往下方延伸之純水的柱。
當在第三洗淨噴嘴71正在噴出純水的狀態下使複數個上表面噴嘴34在第一位置與第二位置之間移動時,第一上表面噴嘴34A的垂下部38係水平地通過從第三洗淨噴嘴71朝下方延伸的液柱。同樣地,在第三洗淨噴嘴71正在噴出純水的狀態下使複數個上表面噴嘴34在第二位置與第三位置之間移動時,第二上表面噴嘴34B及第三上表面噴嘴34C的垂 下部38係水平地通過從第三洗淨噴嘴71朝下方延伸的液柱。
在第一位置與第二位置之間的第一中間位置中,從第三洗淨噴嘴71噴出的純水係在接觸至第一上表面噴嘴34A的角落部37的外側部分後,沿著第一上表面噴嘴34A的角落部37及垂下部38的外側部分朝下方流動。同樣地,在第二位置與第三位置之間的第二中間位置中,從第三洗淨噴嘴71噴出的純水係沿著第二上表面噴嘴34B的角落部37及垂下部38的外側部分朝下方流動。在第二中間位置與第三位置之間的第三中間位置中,從第三洗淨噴嘴71噴出的純水係沿著第三上表面噴嘴34C的角落部37及垂下部38的外側部分朝下方流動。
如此,在前述垂下部洗淨步驟中,當使第三洗淨噴嘴71噴出純水時,從第三洗淨噴嘴71噴出的純水係供給至全部的上表面噴嘴34的角落部37及垂下部38。藉此,能進一步減少附著至複數個上表面噴嘴34的外周面之藥液及其結晶的殘留量。
如圖17所示,上表面噴嘴34的垂下部38的中心線亦可具有相對於水平面斜向地傾斜之傾斜部75。圖17係用以顯示於排列方向Y1觀看上表面噴嘴34時上表面噴嘴34的垂下部38於上表面噴嘴34的伸長方向X1突出的圓弧狀之例 子,亦即用以顯示於排列方向Y1觀看上表面噴嘴34時上表面噴嘴34的垂下部38於從水平部36的根部朝水平部36的前端之方向突出的圓弧狀之例子。
從下表面噴嘴21朝上方噴出的純水係直接供給至垂下部38。此外,從下表面噴嘴21朝上方噴出的純水的一部分係沿著彎曲的垂下部38朝下方流動。與垂下部38的中心線在任意位置中皆為鉛直的情形相比,在垂下部38的中心線具有傾斜部75之情形中係增加從下表面噴嘴21噴出的純水直接接觸至垂下部38之部分的面積。藉此,能有效率地洗淨垂下部38。
如圖18A與圖18B所示,下表面噴嘴21除了下噴出口22之外亦可具備有用以朝上方噴出液體之副噴出口76。
副噴出口76係在下表面噴嘴21的上表面呈開口。圖18A與圖18B係顯示副噴出口76的開口面積比下噴出口22的開口面積還小且副噴出口76朝位於第一中間位置之第一上表面噴嘴34A的水平部36的下部往斜上方噴出純水之例子。副噴出口76的開口面積係可與下噴出口22的開口面積相等,亦可比下噴出口22的開口面積還大。副噴出口76亦可朝鉛直上方噴出純水。
副噴出口76係經由從主流路77分歧的分歧流路78連接 至主流路77,該主流路77係沿著旋轉軸線A1延伸。副噴出口76係經由分歧流路78將從主流路77供給的液體朝上方噴出。當第二清洗液閥26開啟時,下噴出口22及副噴出口76雙方係朝上方噴出純水。藉此,形成有從下噴出口22朝上方延伸的液柱以及從副噴出口76朝上方延伸的液柱。垂下部洗淨步驟係在下噴出口22及副噴出口76雙方正在噴出純水的狀態下進行。因此,不僅是垂下部38,純水亦直接供給至水平部36的下部。藉此,亦能洗淨複數個上表面噴嘴34的垂下部38以外的部分。
如圖19A與圖19B所示,下表面噴嘴21除了下噴出口22之外亦可具備有用以朝上方噴出液體之複數個副噴出口79。
下表面噴嘴21的噴嘴部23係配置於自轉基座5的上表面與基板保持位置之間的高度。噴嘴部23係俯視觀看時於基板W的徑方向延伸之帶狀。噴嘴部23係從下表面噴嘴21的基座部24突出達至基座部24的單側。下噴出口22與複數個副噴出口79係在與基板W的下表面平行之噴嘴部23的上表面呈開口。下噴出口22係配置於旋轉軸線A1上,複數個副噴出口79係配置於相距旋轉軸線A1的水平方向的距離分別不同之複數個位置。下噴出口22與複數個副噴出口79係配置於朝基板W的徑方向延伸之直線上。
圖19A與圖19B係顯示副噴出口79的開口面積比下噴出口22的開口面積還小且副噴出口79朝位於第一中間位置之第一上表面噴嘴34A的水平部36的下部往鉛直上方噴出純水之例子。副噴出口79的開口面積係可與下噴出口22的開口面積相等,亦可比下噴出口22的開口面積還大。副噴出口79亦可朝斜上方噴出純水。
複數個副噴出口79係經由從主流路77分歧的分歧流路80連接至主流路77。分歧流路80係沿著噴嘴部23水平地延伸。當第二清洗液閥26開啟時,不僅是下噴出口22,全部的副噴出口79係朝上方噴出純水。藉此,形成有從下噴出口22朝上方延伸的液柱以及從複數個副噴出口79朝上方延伸的液柱。垂下部洗淨步驟係在下噴出口22及副噴出口79正在噴出純水的狀態下進行。因此,不僅是垂下部38,純水亦直接供給至水平部36的下部。
用以洗淨複數個上表面噴嘴34之洗淨液亦可為純水以外的液體。例如,洗淨液亦可為IPA(異丙醇)、電解離子水、氫水、臭氧水以及稀釋濃度(例如10ppm左右至100ppm左右)的鹽酸水中的任一者。在藥液的結晶為水溶性之情形中,洗淨液較佳為以水作為主成分之水含有液(水的含有率例如為80%以上的液體)。純水及碳酸水為水含有液之一例。此外,在藥液的結晶為撥水性之情形中,洗淨液較佳為IPA等有機溶劑的液體。
用以使上表面噴嘴34乾燥之乾燥氣體亦可為氮氣以外的惰性氣體,或亦可為惰性氣體以外的氣體。
只要從下表面噴嘴21朝上方噴出的純水被供給至上表面噴嘴34的垂下部38,則在垂下部洗淨步驟中所形成的液柱的上端亦可位於比側視時的水平部36的下緣還下方。
複數個上表面噴嘴34的形狀及構造中的至少一者亦可與其他的上表面噴嘴34不同。
上表面噴嘴34的數量並未限定於三個,亦可為一個或兩個,或亦可為四個以上。
亦可使複數個上表面噴嘴34在第一位置與第二位置之間水平地來回移動,藉此洗淨兩個以上的上表面噴嘴34的垂下部38。例如,第三位置亦可為第二位置。在此情形中,由於使複數個上表面噴嘴34在第一位置與第二位置之間水平地來回移動藉此洗淨全部的上表面噴嘴34的垂下部38,因此亦可使複數個上表面噴嘴34在第二位置與第三位置之間水平地來回移動。
亦可將同種類的處理液供給至全部的上表面噴嘴34。在此情形中,在將處理液供給至基板W時,亦可使全部的上表 面噴嘴34噴出處理液。
在進行水平部洗淨步驟後,亦可進行垂下部洗淨步驟。同樣地,在進行水平部乾燥步驟後,亦可進行垂下部乾燥步驟。
在水平部洗淨步驟中,亦可一邊使第二洗淨噴嘴51噴出純水一邊使複數個上表面噴嘴34水平地移動。例如,亦可使複數個上表面噴嘴34水平地來回移動。在此情形中,複數個上表面噴嘴34係水平地依序通過從第二洗淨噴嘴51朝斜下方流動之片狀的液流。藉此,從第二洗淨噴嘴51噴出的純水係被供給至全部的複數個上表面噴嘴34。
在圖18A與圖18B中,副噴出口76亦可不經由分歧流路78連接至主流路77。同樣地,在圖19A與圖19B中,副噴出口79亦可不經由分歧流路80連接至主流路77。亦即,亦可於下表面噴嘴21設置有與主流路獨立的流路,亦即亦可於下表面噴嘴21設置有不與主流路匯流的流路,該流路亦可連接於至少一個副噴出口。
自轉夾具4並未限定於用以使複數個夾具銷6接觸至基板W的外周面之夾持式的夾具,亦可為用以藉由使屬於非器件形成面之基板W的背面(下表面)吸附於自轉基座5的上表面而水平地保持基板W之真空式的夾具,或亦可為這些夾具 以外的形式的夾具。
基板處理裝置1並未限定於用以處理圓板狀的基板W之裝置,亦可為用以處理多角形的基板W之裝置。
亦可組合前述全部構成中的兩個以上的構成。亦可組合前述全部步驟中的兩個以上的步驟。
本案係與2016年8月29日在日本特許廳所提出的日本特願2016-166951號對應,且該日本特願2016-166951號的全部內容係被援用並記載於本案中。
說明已詳細地說明本發明的實施形態,但這些實施形態僅為用以明瞭本發明技術性內容之具體例,本發明並未被限定並侷限於這些具體例,本發明的精神及範圍僅被隨附的申請專利範圍所界定。

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置,係具備有:基板保持單元,係一邊水平地保持配置於基板保持位置之基板一邊使基板旋轉;作為第一洗淨噴嘴之下表面噴嘴,係朝前述基板保持位置向上方噴出液體;第一洗淨液供給單元,係將洗淨液供給至前述下表面噴嘴,藉此使前述下表面噴嘴噴出洗淨液;上表面噴嘴,係包含有水平地延伸之水平部、從前述水平部的前端朝下方彎曲之角落部、從前述角落部朝下方延伸之垂下部以及在前述垂下部的下表面呈開口之上噴出口,用以從前述上噴出口向下方朝前述基板保持位置噴出液體;噴嘴移動單元,係使前述上表面噴嘴至少朝水平方向移動;以及控制裝置,係控制前述第一洗淨液供給單元及前述噴嘴移動單元;前述控制裝置係執行:液柱形成步驟,係在前述基板保持單元未保持基板時,使前述下表面噴嘴噴出洗淨液,藉此形成從前述下表面噴嘴朝上方延伸之液柱;以及第一垂下部洗淨步驟,係與前述液柱形成步驟並行,使前述上表面噴嘴在前述上表面噴嘴的垂下部未接觸至前述液柱之第一位置與前述上表面噴嘴的垂下部未接觸至前述液柱之第二位置之間水平地來回移動,藉此使前述上表面噴嘴通過俯視觀看時前述上表面噴嘴的上噴出口與前述液柱重疊之第一中間位置。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置,其中前述液柱形成步驟係以前述液柱的上端位於比前述上表面噴嘴的水平部的下緣還上方之方式形成前述液柱之步驟。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置,其中前述基板處理裝置係進一步具備有第二上表面噴嘴;前述第二上表面噴嘴,係包含有:水平部,係水平地延伸;角落部,係從前述水平部的前端朝下方彎曲;垂下部,係從前述角落部朝下方延伸;以及上噴出口,係在前述垂下部的下表面呈開口;前述第二上表面噴嘴係用以從前述上噴出口向下方朝前述基板保持位置噴出液體;前述噴嘴移動單元係使前述第二上表面噴嘴與前述上表面噴嘴一起朝至少水平方向移動;前述控制裝置係進一步執行:第二垂下部洗淨步驟,係與前述液柱形成步驟並行,使前述第二上表面噴嘴在前述第二上表面噴嘴的垂下部未接觸至前述液柱之前述第二位置與前述第二上表面噴嘴的垂下部未接觸至前述液柱之第三位置之間水平地來回移動,藉此使前述第二上表面噴嘴通過俯視觀看時前述第二上表面噴嘴的上噴出口與前述液柱重疊之第二中間位置。
  4. 如請求項3所記載之基板處理裝置,其中前述基板處理裝置進一步具備有:第二處理液配管,係用以將與供給至前述上表面噴嘴之液體不同種類的液體供給至前述第二上表面噴嘴;前述第二垂下部洗淨步驟係以比前述第一垂下部洗淨步驟中的前述上表面噴嘴的來回移動次數還少的次數使前述第二上表面噴嘴在前述第二位置與前述第三位置之間水平地來回移動之步驟。
  5. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置,其中前述基板處理裝置進一步具備有:第二洗淨噴嘴,係朝位於俯視觀看時前述上表面噴嘴配置於前述基板保持單元的周圍之待機位置的前述上表面噴嘴的水平部噴出洗淨液;前述控制裝置係進一步執行:水平部洗淨步驟,係使前述第二洗淨噴嘴朝位於前述待機位置的前述上表面噴嘴的水平部噴出洗淨液。
  6. 如請求項5所記載之基板處理裝置,其中前述第二洗淨噴嘴係包含有:第二洗淨液噴出口,係向相對於水平面斜向傾斜的方向朝位於前述待機位置的前述上表面噴嘴的水平部噴出洗淨液;前述水平部洗淨步驟係一邊使前述第二洗淨噴嘴的第二洗淨液噴出口朝位於前述待機位置的前述上表面噴嘴的水平部噴出洗淨液一邊使前述上表面噴嘴朝水平方向或鉛直方向移動之步驟。
  7. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置,其中前述基板處理裝置進一步具備有:第三洗淨噴嘴,係向下方朝位於前述第一中間位置之前述上表面噴嘴的垂下部噴出洗淨液;前述第一垂下部洗淨步驟係一邊使前述上表面噴嘴於前述第一位置與前述第二位置之間水平地來回移動一邊使前述下表面噴嘴及前述第三洗淨噴嘴噴出洗淨液之步驟。
  8. 如請求項7所記載之基板處理裝置,其中前述基板處理裝置進一步具備有:風扇單元,係配置於比前述基板保持單元及前述上表面噴嘴還上方,用以將氣體輸送至下方;以及整流構件,係配置於比前述基板保持單元及前述上表面噴嘴還上方且配置於比前述風扇單元還下方之位置,並設置有用以將藉由前述風扇單元所輸送的氣體導引至下方之複數個貫通孔;前述第三洗淨噴嘴係包含有:上方部,係位於前述整流構件的上方;前端部,係經由設置於前述整流構件之插入孔從前述上方部延伸達至前述整流構件的下方的位置;以及第三洗淨液噴出口,係設置於前述前端部,並位於前述整流構件的下方;從前述第三洗淨液噴出口往下方朝位於前述第一中間位置之前述上表面噴嘴的垂下部噴出洗淨液。
  9. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置,其中前述下表面噴嘴係包含有:下噴出口,係往上方朝位於前述第一中間位置之前述上表面噴嘴的上噴出口噴出液體;以及至少一個副噴出口,係往上方朝位於前述第一中間位置之前述上表面噴嘴的水平部噴出液體;前述第一垂下部洗淨步驟係一邊使前述上表面噴嘴於前述第一位置與前述第二位置之間水平地來回移動一邊使前述下噴出口與前述至少一個副噴出口噴出洗淨液之步驟。
  10. 如請求項9所記載之基板處理裝置,其中前述下表面噴嘴係進一步包含有:主流路,係將洗淨液供給至包含有前述下噴出口與前述至少一個副噴出口之複數個噴出口的各者。
  11. 一種噴嘴洗淨方法,係用以洗淨上表面噴嘴,該上表面噴嘴係包含有水平地延伸之水平部、從前述水平部的前端朝下方彎曲之角落部、從前述角落部朝下方延伸之垂下部以及在前述垂下部的下表面呈開口之上噴出口,用以一邊水平地保持並旋轉配置於基板保持位置之基板一邊從前述上噴出口向下方朝被基板保持單元所保持之基板的上表面噴出液體;前述噴嘴洗淨方法係包含有:液柱形成步驟,係使用以往上方朝前述基板保持位置噴出液體之下表面噴嘴噴出洗淨液,藉此在前述基板保持單元未保持基板時,形成從前述下表面噴嘴朝上方延伸之液柱;以及第一垂下部洗淨步驟,係與前述液柱形成步驟並行,使前述上表面噴嘴在前述上表面噴嘴的垂下部未接觸至前述液柱之第一位置與前述上表面噴嘴的垂下部未接觸至前述液柱之第二位置之間水平地來回移動,藉此使前述上表面噴嘴通過俯視觀看時前述上表面噴嘴的上噴出口與前述液柱重疊之第一中間位置。
  12. 如請求項11所記載之噴嘴洗淨方法,其中前述液柱形成步驟係以前述液柱的上端位於比前述上表面噴嘴的水平部的下緣還上方之方式形成前述液柱之步驟。
  13. 如請求項11或12所記載之噴嘴洗淨方法,其中進一步包含有:第二垂下部洗淨步驟,係與前述液柱形成步驟並行,使用以使前述上表面噴嘴移動之噴嘴移動單元使前述第二上表面噴嘴在第二上表面噴嘴的垂下部未接觸至前述液柱之前述第二位置與前述第二上表面噴嘴的垂下部未接觸至前述液柱之第三位置之間水平地來回移動,藉此使前述第二上表面噴嘴通過俯視觀看時前述第二上表面噴嘴的上噴出口與前述液柱重疊之第二中間位置。
  14. 如請求項13所記載之噴嘴洗淨方法,其中前述第二垂下部洗淨步驟係以比前述第一垂下部洗淨步驟中的前述上表面噴嘴的來回移動次數還少的次數使前述第二上表面噴嘴在前述第二位置與前述第三位置之間水平地來回移動之步驟。
  15. 如請求項11或12所記載之噴嘴洗淨方法,其中前述噴嘴洗淨方法進一步包含有:水平部洗淨步驟,係使第二洗淨噴嘴噴出洗淨液,前述第二洗淨噴嘴係用以朝俯視觀看時前述上表面噴嘴配置於前述基板保持單元的周圍的待機位置之前述上表面噴嘴的水平部噴出洗淨液。
  16. 如請求項15所記載之噴嘴洗淨方法,其中前述第二洗淨噴嘴係包含有:第二洗淨液噴出口,係向相對於水平面斜向傾斜的方向朝位於前述待機位置的前述上表面噴嘴的水平部噴出洗淨液;前述水平部洗淨步驟係一邊使前述第二洗淨噴嘴的第二洗淨液噴出口朝位於前述待機位置的前述上表面噴嘴的水平部噴出洗淨液一邊使前述上表面噴嘴朝水平方向或鉛直方向移動之步驟。
  17. 如請求項11或12所記載之噴嘴洗淨方法,其中前述第一垂下部洗淨步驟係一邊使前述上表面噴嘴在前述第一位置與前述第二位置之間水平地來回移動一邊使前述下表面噴嘴以及用以往下方朝位於前述第一中間位置的前述上表面噴嘴的垂下部噴出洗淨液之第三洗淨噴嘴噴出洗淨液之步驟。
  18. 如請求項11或12所記載之噴嘴洗淨方法,其中前述下表面噴嘴係包含有:下噴出口,係往上方朝位於前述第一中間位置之前述上表面噴嘴的上噴出口噴出液體;以及至少一個副噴出口,係往上方朝位於前述第一中間位置之前述上表面噴嘴的水平部噴出液體;前述第一垂下部洗淨步驟係一邊使前述上表面噴嘴於前述第一位置與前述第二位置之間水平地來回移動一邊使前述下噴出口與前述至少一個副噴出口噴出洗淨液之步驟。
TW106126918A 2016-08-29 2017-08-09 基板處理裝置及噴嘴洗淨方法 TWI652115B (zh)

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200063242A (ko) * 2017-10-23 2020-06-04 램 리서치 아게 고 종횡비 구조체들의 정지 마찰을 방지하고 그리고/또는 고 종횡비 구조체들을 복구하기 위한 시스템들 및 방법들
WO2019204546A1 (en) * 2018-04-19 2019-10-24 Hosco Fittings, Llc Device or method for cleaning spray equipment and a system retrofitted therewith
JP7308048B2 (ja) * 2019-02-15 2023-07-13 株式会社Screenホールディングス 液処理装置および液処理方法
US20200294827A1 (en) * 2019-03-15 2020-09-17 Intel Corporation Needle dispenser for dispensing and collecting an underfill encapsulant
JP7236318B2 (ja) * 2019-04-26 2023-03-09 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、及び液処理方法
US20230066576A1 (en) * 2020-02-17 2023-03-02 Tokyo Electron Limited Processing apparatus
JP7471171B2 (ja) 2020-08-17 2024-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
TW202347550A (zh) * 2022-03-29 2023-12-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、其檢查方法及基板處理系統

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11297652A (ja) 1998-04-14 1999-10-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000133626A (ja) * 1998-10-26 2000-05-12 Hitachi Ltd 基板洗浄装置
JP3559228B2 (ja) * 2000-08-07 2004-08-25 住友精密工業株式会社 回転式基板処理装置
JP2002158202A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Super Silicon Kenkyusho:Kk ウエハ洗浄装置
KR100445259B1 (ko) * 2001-11-27 2004-08-21 삼성전자주식회사 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치
JP4145110B2 (ja) * 2002-09-26 2008-09-03 東京応化工業株式会社 スリットノズル洗浄装置及び洗浄方法
US7022193B2 (en) * 2002-10-29 2006-04-04 In Kwon Jeong Apparatus and method for treating surfaces of semiconductor wafers using ozone
KR100935281B1 (ko) * 2003-03-06 2010-01-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리액 공급노즐 및 처리액 공급장치
JP4451175B2 (ja) 2004-03-19 2010-04-14 大日本スクリーン製造株式会社 ノズル洗浄装置および基板処理装置
CN100449702C (zh) * 2004-04-06 2009-01-07 东京毅力科创株式会社 基板清洁装置和基板清洁方法
JP2005327807A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Sony Corp 枚葉式洗浄装置及びその洗浄方法
JP2007123559A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US7635417B2 (en) * 2006-05-05 2009-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Semiconductor apparatus and cleaning unit thereof
JP4521056B2 (ja) * 2006-05-15 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
JP4582654B2 (ja) * 2006-05-23 2010-11-17 東京エレクトロン株式会社 ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法、ノズル洗浄プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR100897547B1 (ko) * 2007-11-05 2009-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP5036664B2 (ja) * 2008-09-04 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置
KR101067608B1 (ko) * 2009-03-30 2011-09-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20120015662A (ko) 2010-08-12 2012-02-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP6014312B2 (ja) * 2011-07-20 2016-10-25 株式会社Screenホールディングス 洗浄処理方法
JP2013026381A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US9378988B2 (en) * 2011-07-20 2016-06-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution
KR101925173B1 (ko) * 2012-03-23 2018-12-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 히터 세정 방법
JP5999625B2 (ja) * 2012-03-23 2016-09-28 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法
US9460944B2 (en) 2014-07-02 2016-10-04 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method of treating substrate
US10037902B2 (en) 2015-03-27 2018-07-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing device and substrate processing method
JP6475123B2 (ja) * 2015-09-01 2019-02-27 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102161798B1 (ko) 2016-02-29 2020-10-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치

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