KR102161798B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR102161798B1
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Abstract

본 발명은 기판에 액을 토출하는 토출구들이 형성된 토출 헤드를 세정하는 토출 헤드의 세정 방법 및 상기 토출 헤드를 세정하는 세정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따라 저면에 제1 방향을 따라 토출구들이 형성된 토출 헤드를 세정하는 토출 헤드의 세정 방법은, 상기 토출 헤드에 세정액을 분사하여 상기 토출 헤드에 고형화된 용액을 용해하고 상기 토출 헤드에 세정액층을 형성하는 용해 단계와; 상기 토출 헤드 표면의 상기 세정액층에 초음파를 인가하는 초음파 인가 단계를 포함한다.
상기와 같은 본 발명에 의하면 기판에 액을 토출하는 토출 헤드에 잔류하는 액을 효과적으로 제거할 수 있도록 각각의 단계별로 순차적으로 처리함으로써 세정 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은 기판에 액을 토출하는 토출구들이 형성된 토출 헤드를 세정하는 토출 헤드의 세정 방법 및 상기 토출 헤드를 세정하는 세정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 잉크젯 프린트 장치는 기판 상에 액을 도포하는 헤드 및 헤드를 세정하는 세정 유닛을 포함한다. 헤드는 액을 토출하는 다수의 노즐을 구비하며, 기판의 특정 위치에 액을 도포한다. 잉크젯 프린트 장치에 사용되는 액은 대체로 점성 및 휘발성이 높기 때문에 응고되기 쉽다. 특히, 액 도포 후 노즐들의 토출구 주변에는 액이 잔류할 수 있으며, 이러한 잔류액은 토출구 주변에 응고되어 노즐의 토출구를 막거나 이후 액 도포시 기판에 도포되어 불균일한 막을 형성할 수 있다.
도 1은 기판에 액을 토출하는 토출 헤드 및 이를 세정하는 세정 유닛의 일예를 간략하게 도시한 것이다. 도 1을 참조하면, 토출 헤드(1)에서 기판(S)에 액을 토출한 후 토출 헤드(1)의 저면에는 제팅(jetting) 후 남은 액이 자연 경화되어 시간이 지남에 따라 토출 헤드(1) 표면에 고형화가 진행된다. 이러한 고형분 및 묻어 있는 잔류액을 제거하기 위해 석션 유닛(suction unit)(2)이 이용된다. 석션 유닛(2)은 액을 토출하는 헤드의 아래에서 헤드의 액 토출면을 흡입 세정한다. 이는 헤드 표면에 남아있는 잔류액을 제거하기 위해 슬릿 형태의 석션홀을 구성하여 헤드 표면을 긁듯이 지나가며 액을 흡입하는 방식이다. 그러나 고형화된 액에 대하여 흡입 방식의 세정은 그 고형화된 액의 제거가 잘 이루어지지 않아 세정 효율이 떨어지는 문제점이 있었다.
본 발명은 기판에 액을 토출하는 토출 헤드에 잔류하는 액을 효과적으로 제거할 수 있도록 각각의 단계별로 순차적으로 처리함으로써 세정 공정의 효율을 향상시키는 토출 헤드의 세정 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판을 처리함에 있어 액 토출 공정의 개선 및 생산성을 제고시킬 수 있는 토출 헤드의 세정 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 토출 헤드의 세정 방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따라 저면에 제1 방향을 따라 토출구들이 형성된 토출 헤드를 세정하는 토출 헤드의 세정 방법은, 상기 토출 헤드에 세정액을 분사하여 상기 토출 헤드에 고형화된 용액을 용해하고 상기 토출 헤드에 세정액층을 형성하는 용해 단계와; 상기 토출 헤드 표면의 상기 세정액층에 초음파를 인가하는 초음파 인가 단계를 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 용해 단계와 상기 초음파 인가 단계는 세정액 분사구 및 초음파 인가기가 제공된 하나의 바디를 가진 제1 세정 유닛에 의해 이루어진다.
일 예에 의하면, 상기 용해 단계에서 상기 세정액은 상기 세정액 분사구에 의해 스프레이 방식으로 분사된다.
일 예에 의하면, 상기 용해 단계에서 상기 제1 세정 유닛과 상기 토출 헤드의 간격은 상기 초음파 인가 단계에서 상기 제1 세정 유닛과 상기 토출 헤드의 간격보다 크다.
일 예에 의하면, 상기 토출 헤드의 표면에 맺혀 있는 상기 세정액을 진공 흡입에 의해 제거하는 석션 단계를 더 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 석션 단계는 상기 토출 헤드를 향해 형성된 석션홀을 갖는 석션 노즐을 포함하는 제2 세정 유닛에 의해 이루어진다.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 지지 부재와; 상기 지지 부재에 의해 지지된 기판에 액을 토출하는, 그리고 그 길이 방향이 제1 방향을 따라 배치된 토출 헤드와; 상기 토출 헤드를 세정하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 세정 유닛은 상기 토출 헤드를 1차 세정하는 제1 세정 유닛을 포함하고, 상기 제1 세정 유닛은 상기 토출 헤드에 세정액을 분사하는 세정액 분사구와 상기 토출 헤드 표면의 세정액층에 초음파를 인가하는 초음파 인가기가 제공된 하나의 바디를 가진다.
일 예에 의하면, 상기 세정 유닛은 상기 토출 헤드를 2차 세정하는 제2 세정 유닛을 더 포함하되, 상기 제2 세정 유닛은 상기 토출 헤드를 향해 형성된 석션홀을 갖는 석션 노즐을 구비한다.
일 예에 의하면, 상기 제1 세정 유닛은 상기 바디와 상기 토출 헤드의 간격을 조절하기 위해 상기 바디에 결합되는 승하강 부재를 더 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 승하강 부재는 상기 초음파 인가기 작동 개시 전 상기 바디를 상기 토출 헤드에 근접하도록 승강시킨다.
일 예에 의하면, 상기 세정액 분사구는 상기 세정액을 스프레이 방식으로 분사한다.
본 발명의 실시예에 따른 토출 헤드의 세정 방법 및 기판 처리 장치는 기판에 액을 토출하는 토출 헤드에 잔류하는 액을 효과적으로 제거할 수 있도록 각각의 단계별로 순차적으로 처리함으로써 세정 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 토출 헤드의 세정 방법 및 기판 처리 장치는 기판을 처리함에 있어 액 토출 공정의 개선 및 생산성을 제고시킬 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 기판에 액을 토출하는 토출 헤드 및 이를 세정하는 세정 유닛의 일예를 간략하게 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 모습을 도시한 사시도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 세정 유닛 중 제1 세정 유닛을 이용하여 토출 헤드를 세정하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3 및 도 4의 제1 세정 유닛의 내부 구조를 간략하게 도시한 도면이다.
도 6은 도 3 및 도 4의 제1 세정 유닛에 승하강 부재가 결합된 모습의 도면이다.
도 7은 도 2의 세정 유닛 중 제2 세정 유닛을 이용하여 토출 헤드를 세정하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7의 제2 세정 유닛의 일예를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 토출 헤드의 세정 방법의 절차 흐름도이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다. 각 도면은 명확한 설명을 위해 일부가 간략하거나 과장되게 표현되었다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호를 가지도록 도시되었음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 모습을 도시한 사시도이다. 도 2의 기판 처리 장치(10)는 대상물에 액을 도포한다. 예를 들어, 대상물은 액정 표시 패널의 컬러 필터(CF) 기판 또는 박막트랜지스터(TFT) 기판일 수 있으며, 상기 액은 액정(Liquid Crystal), 배향액, 용매에 안료 입자가 혼합된 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 잉크일 수 있다.
배향액으로는 폴리이미드(polyimide)가 사용될 수 있다. 배향액은 컬러 필터(CF) 기판과 박막트랜지스터(TFT) 기판의 전면에 도포될 수 있고, 액정은 컬러 필터(CF) 기판 또는 박막트랜지스터(TFT) 기판의 전면에 도포될 수 있다. 잉크는 컬러 필터(CF) 기판상에 격자 모양의 패턴으로 배열된 블랙 매트릭스의 내부 영역에 도포될 수 있다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 지지 부재(100), 토출 헤드(300) 및 세정 유닛(400)을 포함한다. 이하 각 구성에 대해 상세히 설명한다.
지지 부재(100)는 베이스(B)의 상면에 배치되어 기판(S)을 지지한다. 베이스(B)는 일정한 두께를 가지는 직육면체 형상으로 제공될 수 있다. 지지 부재(100)는 기판(S)이 놓이는 지지판(110)을 가진다. 지지판(110)은 사각형 형상의 판일 수 있다. 지지판(110)의 하면에는 회전 구동 부재(120)가 연결된다. 회전 구동 부재(120)는 회전 모터일 수 있다. 회전 구동 부재(120)는 지지판(110)에 수직한 회전 중심축을 중심으로 지지판(110)을 회전시킨다. 지지판(110)이 회전 구동 부재(120)에 의해 회전되면, 기판(S)은 지지판(110)의 회전에 의해 회전될 수 있다.
지지판(110)과 회전 구동 부재(120)는 직선 구동 부재(130)에 의해 제2 방향(Ⅱ)으로 직선 이동될 수 있다. 직선 구동 부재(130)는 슬라이더(132)와 가이드 부재(134)를 포함한다. 회전 구동 부재(120)는 슬라이더(132)의 상면에 설치된다. 가이드 부재(134)는 베이스(B)의 상면 중심부에 제2 방향(Ⅱ)으로 길게 연장된다. 슬라이더(132)에는 리니어 모터가 내장될 수 있으며, 슬라이더(132)는 리니어 모터에 의해 가이드 부재(134)를 따라 제2 방향(Ⅱ)으로 직선 이동된다.
갠트리(200)는 지지판(110)이 이동되는 경로의 상부에 제공된다. 갠트리(200)는 베이스(B)의 상면으로부터 위방향으로 이격 배치되며, 갠트리(200)는 길이 방향이 제1 방향(Ⅰ)을 향하도록 배치된다.
토출 헤드(300)는 헤드 이동 유닛(500)에 의해 갠트리(200)에 결합된다. 토출 헤드(300)는 헤드 이동 유닛(500)에 의해 갠트리의 길이 방향, 즉 제1 방향(Ⅰ)으로 직선 이동하고, 또한 제3 방향(Ⅲ)으로 직선 이동될 수 있다.
토출 헤드(300)는 지지 부재(100)에 의해 지지된 기판(S)에 액을 토출한다. 토출 헤드(300)는 복수 개가 제공될 수 있다. 본 실시예에서는 3개의 토출 헤드(300a,300b,300c)가 제공된 예를 도시하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 토출 헤드(300)는 제1 방향(Ⅰ)으로 일렬로 나란하게 배열될 수 있으며, 갠트리(200)에 결합된다.
토출 헤드(300)는 저면에 액을 토출하는 복수 개의 토출구들을 포함한다. 예를 들어, 각각의 토출 헤드(300a,300b,300c)에는 128개 또는 256개의 토출구들이 제공될 수 있다. 토출구들은 일정 피치의 간격으로 일렬로 배치될 수 있다.
각각의 토출 헤드(300a,300b,300c)에는 토출구들에 대응하는 수만큼의 압전 소자가 제공될 수 있으며, 토출구들의 액 토출량은 압전 소자들에 인가되는 전압의 제어에 의해 각기 독립적으로 조절될 수 있다.
세정 유닛(400)은 지지 부재(100)의 일측에 제공된다. 세정 유닛(400)은 토출 헤드(300)를 세정한다. 즉, 토출 헤드(300)는 세정 유닛(400)의 상부로 이동되어 세정 유닛(400)에 의해 액 토출면의 세정 공정이 수행된다. 세정 유닛(400)은 제1 세정 유닛(420) 및 제2 세정 유닛(440)을 포함한다.
도 3 및 도 4는 도 2의 세정 유닛 중 제1 세정 유닛을 이용하여 토출 헤드를 세정하는 모습을 보여주는 도면이고, 도 5는 도 3 및 도 4의 제1 세정 유닛의 내부 구조를 간략하게 도시한 도면이고, 도 6은 도 3 및 도 4의 제1 세정 유닛에 승하강 부재가 결합된 모습의 도면이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 제1 세정 유닛(420)은 토출 헤드(300)를 1차 세정한다. 제1 세정 유닛(420)은 바디(422)를 가진다. 도 5에 도시된 바와 같이, 바디(422)에는 세정액 분사구(424)와 초음파 인가기(426)가 제공된다. 일 예로, 제1 세정 유닛(420)은 초음파 스프레이 노즐(Ultrasonic Spray Nozzle)을 포함한다.
세정액 분사구(424)는 토출 헤드(300)에 세정액을 분사한다. 바디(422)의 내부에는 분사되는 세정액이 일시적으로 머무르는 공간(423)이 형성되며, 상면에는 세정액이 분사되는 세정액 분사구(424)가 형성된다. 세정액 분사구(424)는 바디(422)의 길이방향을 따라 형성된 슬릿 형상으로 제공될 수 있다. 세정액 분사구(424)는 세정액을 스프레이 방식으로 분사한다. 일 예로, 세정액은 NMP(N-Methyl-2-Pyrrolidone) 용액일 수 있다. 세정액 분사구(424)는 NMP 용액을 공급하여 토출 헤드(300) 표면에 NMP 웨팅(wetting)으로 토출 헤드(300) 표면의 잔류액을 클리닝한다. NMP 용액은 토출 헤드(300)면에 고형화되어 있는 액을 녹이거나 희석시킬 수 있다. 세정액 분사구(424)에 의해 분사되는 NMP 용액을 통해 잔류액에 의한 고형화를 방지할 수 있다.
상기와 같이 제1 세정 유닛(420)은 토출 헤드(300)의 표면에 고온의 초음파 스프레이 노즐을 통해 클리닝 용액을 분사하여 고형화된 액을 1차 용해하고, 토출 헤드(300)에 세정액층(A)을 형성한다.
초음파 인가기(426)는 토출 헤드(300) 표면의 세정액층(A)에 초음파를 인가한다. 바디(422) 내에는 초음파 인가기(426)가 설치된다. 초음파 인가기(426)는 바디(422)에 의해 분사되는 공기로 초음파 진동을 인가한다. 바디(422)의 내부에서 공기가 일시적으로 머무는 동안 초음파 인가기(426)에서 초음파 진동이 인가된다. 초음파 진동이 인가된 공기가 토출 헤드(300) 표면으로 제공된다.
따라서, 제1 세정 유닛(420)은 세정액 분사를 통해 용해된 액과 세정액이 혼합되어 형성된 세정액층(A)에 초음파를 인가하여 세정액층(A)을 분해한다.
도 6을 참조하면, 제1 세정 유닛(420)은 승하강 부재(428)를 더 포함한다. 승하강 부재(428)는 바디(422)에 결합된다. 승하강 부재(428)는 바디(422)와 토출 헤드(300)의 간격을 조절한다. 승하강 부재(428)는 초음파 인가기(426) 작동 개시 전 바디(422)를 토출 헤드(300)에 근접하도록 승강시킨다.
승하강 부재(428)는 지지대(429)에 의해 지지된다. 승하강 부재(428)는 제1 세정 유닛(420)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 승하강 부재(428)는 바디(422)의 높이를 조절한다. 즉, 토출 헤드(300)의 액 토출면을 1차 세정할 때, 바디(422)가 상하로 이동됨에 따라 토출 헤드(300)의 액 토출면에 대한 제1 세정 유닛(420)의 상대 높이가 변경된다.
승하강 부재(428)는 이동축(428a) 및 구동기(428b)를 포함한다. 승하강 부재(428)는 바디(422)의 외벽에 구동기(428b)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(428a)이 고정결합된다. 승하강 부재(428)는 제1 세정 유닛(420)의 높이가 미세하게 조절될 수 있도록 결합된다.
따라서 제1 세정 유닛(420)은 1차 용해된 액과 잔류 세정액이 토출 헤드(300)에 맺혀 있는 상태에서 바디(422)를 토출 헤드(300)에 근접하여 초음파를 인가함으로써 맺혀 있던 액들을 분해하여 작은 물방울 형태로 만든다.
도 7은 도 2의 세정 유닛 중 제2 세정 유닛을 이용하여 토출 헤드를 세정하는 모습을 보여주는 도면이고, 도 8은 도 7의 제2 세정 유닛의 일예를 개략적으로 도시한 사시도이다.
제2 세정 유닛(440)은 토출 헤드(300)를 2차 세정한다. 즉, 제2 세정 유닛(440)은 제1 세정 유닛(420)에 의해 1차적으로 클리닝(cleaning)된 토출 헤드(300)를 2차적으로 클리닝한다. 제2 세정 유닛(440)은 석션 노즐(442)을 구비한다. 석션 노즐(442)은 토출 헤드(300)를 향해 형성된 석션홀(444)을 갖는다.
석션 노즐(442)은 내부에 버퍼 공간이 제공된다. 버퍼 공간은 외부의 진공 라인과 연결된다. 석션 노즐(442)의 상단에는 슬릿 형태의 석션홀(444)이 형성될 수 있다. 석션홀(444)은 하부의 버퍼 공간과 연결된다. 석션홀(444)에서는 진공압이 인가되어 토출 헤드(300)를 흡입 세정한다. 즉, 제2 세정 유닛(440)은 토출 헤드(300)에 분해되어 작은 물방울 형태로 맺혀 있는 액을 석션 노즐(442)을 통해 최종 클리닝한다.
상기와 같은 구성을 갖는 세정 유닛(400)을 이용하여, 저면에 제1 방향(Ⅰ)을 따라 토출구들이 형성된 토출 헤드(300)를 세정하는 토출 헤드의 세정 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 토출 헤드의 세정 방법의 절차 흐름도이다. 도 9를 참조하면, 본 발명의 토출 헤드의 세정 방법은 용해 단계(S10), 초음파 인가 단계(S20) 및 석션 단계(S30)를 포함한다.
먼저, 용해 단계(S10)에서 제1 세정 유닛(420)은 토출 헤드(300)에 세정액을 분사한다. 세정액은 토출 헤드(300)에 고형화된 용액을 용해하고 토출 헤드(300)에 세정액층을 형성한다. 이후, 초음파 인가 단계(S20)에서 토출 헤드(300) 표면의 세정액층(A)에 초음파를 인가한다.
여기서, 용해 단계(S10)와 초음파 인가 단계(S20)는 세정액 분사구(424) 및 초음파 인가기(426)가 제공된 하나의 바디(422)를 가진 제1 세정 유닛(420)에 의해 이루어진다. 용해 단계(S10)에서 세정액은 세정액 분사구(424)에 의해 스프레이 방식으로 분사된다.
또한, 용해 단계(S10)에서 제1 세정 유닛(420)과 토출 헤드(300)의 간격은 초음파 인가 단계(S20)에서 제1 세정 유닛(420)과 토출 헤드(300)의 간격보다 크다. 즉, 초음파 인가 단계(S20)에서 제1 세정 유닛(420)은 승하강 부재(428)를 통해 용해 단계(S10)보다 토출 헤드(300)에 접근하여 세정을 수행한다.
토출 헤드의 세정 방법은 용해 단계(S10)와 초음파 인가 단계(S20) 후에 석션 단계(S30)를 수행한다. 석션 단계(S30)에서는 토출 헤드(300)의 표면에 맺혀 있는 세정액을 진공 흡입에 의해 최종적으로 제거한다. 석션 단계(S30)는 토출 헤드(300)를 향해 형성된 석션홀(444)을 갖는 석션 노즐(442)을 포함하는 제2 세정 유닛(440)에 의해 이루어진다.
상기와 같은 구성 및 방법을 통해 본 발명은 기판(S)에 액을 토출하는 토출 헤드(300)에 잔류하는 액을 효과적으로 제거할 수 있도록 각각의 단계별로 순차적으로 처리함으로써 세정 공정의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 기판(S)을 처리함에 있어 액 토출 공정의 개선 및 생산성을 제고시킬 수 있는 효과가 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 기판 처리 장치 100 : 지지 부재
200 : 갠트리 300 : 토출 헤드
400 : 세정 유닛 420 : 제1 세정 유닛
422 : 바디 424 : 세정액 분사구
426 : 초음파 인가기 428 : 승하강 부재
440 : 제2 세정 유닛 442 : 석션 노즐
444 : 석션홀

Claims (5)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 지지하는 지지 부재와;
    상기 지지 부재에 의해 지지된 기판에 액을 토출하는, 그리고 그 길이 방향이 제1 방향을 따라 배치된 토출 헤드와;
    상기 토출 헤드를 세정하는 세정 유닛을 포함하되,
    상기 세정 유닛은 상기 토출 헤드를 1차 세정하는 제1 세정 유닛을 포함하고,
    상기 제1 세정 유닛은,
    내부에서 분사되는 세정액이 일시적으로 머무르는 공간을 제공하는 바디와
    상기 공간의 상면에 형성되며, 상기 토출 헤드에 세정액을 분사하는 세정액 분사구와;
    상기 바디 내에 설치되며, 상기 토출 헤드 표면의 세정액층에 초음파를 인가하는 초음파 인가기와;
    상기 바디와 상기 토출 헤드의 간격을 조절하기 위해 상기 바디에 결합되는 승하강 부재를 포함하고,
    상기 제1 세정 유닛은 상기 토출 헤드에 상기 세정액을 분사하여 상기 토출 헤드에 고형화된 용액을 용해하고 상기 토출 헤드에 세정액 층을 형성하고,
    상기 제1 세정 유닛은 상기 바디의 내부에서 공기가 일시적으로 머무르는 동안 상기 토출 헤드 표면의 상기 세정액 층에 초음파를 인가하는 기판 처리 장치.
  2. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    갠트리와;
    기판을 지지하는 지지 부재와;
    상기 갠트리에 결합되며, 상기 지지 부재에 의해 지지된 기판에 액을 토출하는, 그리고 그 길이 방향이 제1 방향을 따라 배치된 토출 헤드와;
    상기 토출 헤드를 세정하는 세정 유닛을 포함하되,
    상기 세정 유닛은 상기 토출 헤드를 1차 세정하는 제1 세정 유닛을 포함하고,
    상기 제1 세정 유닛은,
    내부에서 분사되는 세정액이 일시적으로 머무르는 공간을 제공하는 바디와
    상기 공간의 상면에 형성되며, 상기 토출 헤드에 세정액을 분사하는 세정액 분사구와
    상기 바디 내에 설치되며, 상기 토출 헤드 표면의 세정액층에 초음파를 인가하는 초음파 인가기와
    상기 바디와 상기 토출 헤드의 간격을 조절하기 위해 상기 바디에 결합되는 승하강 부재를 포함하고,
    상기 토출 헤드와 상기 바디가 제1 거리 이격되어 상기 세정액이 분사되고,
    상기 토출 헤드와 상기 바디가 제2 거리 이격되어 상기 초음파가 인가되고,
    상기 제2 거리는 상기 제1 거리 보다 짧은 기판 처리 장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 세정 유닛은 상기 토출 헤드를 2차 세정하는 제2 세정 유닛을 더 포함하되,
    상기 제2 세정 유닛은 상기 토출 헤드를 향해 형성된 석션홀을 갖는 석션 노즐을 구비하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 승하강 부재는 상기 초음파 인가기 작동 개시 전 상기 바디를 상기 토출 헤드에 근접하도록 승강시키는 기판 처리 장치.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 세정액 분사구는 상기 세정액을 스프레이 방식으로 분사하는 기판 처리 장치.
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