TW202347550A - 基板處理裝置、其檢查方法及基板處理系統 - Google Patents

基板處理裝置、其檢查方法及基板處理系統 Download PDF

Info

Publication number
TW202347550A
TW202347550A TW112109480A TW112109480A TW202347550A TW 202347550 A TW202347550 A TW 202347550A TW 112109480 A TW112109480 A TW 112109480A TW 112109480 A TW112109480 A TW 112109480A TW 202347550 A TW202347550 A TW 202347550A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
mentioned
substrate processing
image data
liquid
Prior art date
Application number
TW112109480A
Other languages
English (en)
Inventor
李水根
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202347550A publication Critical patent/TW202347550A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

[課題] 效率佳且確實地判定基板處理裝置內的異常。 [解決手段] 基板處理裝置具備：基板保持部，其係保持基板並使其旋轉，該基板保持部具有與基板之下面之間隔著間隙而與基板之下面面對面的平板，和被設置平板而直接保持基板的保持體；對基板供給處理液的上側噴嘴和下側噴嘴； 液承接杯；和控制部，其包含判定部，該判定部係根據從攝像包含下側噴嘴、平板及液承接杯之中之一個以上之畫像的攝像取得的畫像資料，判定在攝像區域是否有異常，判定部係對藉由將畫像分割成複數區域而獲得的複數分割畫像資料之各者，比較事先準備的正常狀態之分割畫像資料中之灰階資料，和被攝像到的判定對象之分割畫像資料中之灰階資料，當兩者之差異超過事先設定的基準之時，判定為具有異常。

Description

基板處理裝置、其檢查方法及基板處理系統
本揭示係關於基板理裝置、其檢查方法及基板處理系統。
在半導體裝置之製造工程中，使半導體晶圓等的基板保持於旋轉夾具而使旋轉之狀態下，藉由從噴嘴對基板之表面或背面供給處理液，對基板施予液處理。於對一片的基板的液處理之結束後，當處理液或源自處理液之物質附著於液處理單元之構成要素之表面時，有其附著物在對下一個基板進行處理之時，附著於該下一個基板使得該下一個基板受到汙染之情形。為了防止此情形，在專利文獻1記載當基板被不被搬入至液處理單元之時，使用攝影機而監視單元內的情形。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2021-190511號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示係提供可以效率佳且確實地判定基板處理裝置內之異常的技術。 [用以解決課題之手段]
若藉由本揭示之一實施型態時，提供一種基板處理裝置，其係對基板之上面及下面供給處理液而進行特定液處理的基板處理裝置具備：基板保持部，其係保持基板繞旋轉軸線旋轉，上述基板保持部具有與基板之下面之間隔著間隙而與基板之下面面對面的平板，和被設置上述平板而直接保持上述基板的保持體；上側噴嘴，其係對藉由上述基板保持部被保持的基板之上面供給處理液；下側噴嘴，其係對藉由上述基板保持部被保持的基板之下面供給處理液；液體承接杯，其係包圍上述基板保持部之周圍而被設置，承接從上述上側噴嘴及上述下側噴嘴被供給的處理液；攝像部，其係攝像包含上述下側噴嘴、上述平板及上述液體承接杯之中之一個以上的畫像；及控制部，其係包含根據從上述攝像部取得的畫像資料，判定在被攝像到的區域是否有異常的判定部，上述控制部之判定部係被構成對藉由將上述畫像分割成複數區域而獲得的複數分割畫像資料之各者，比較事先準備的正常狀態之分割畫像資料中之灰階資料，和被攝像到的判定對象之分割畫像資料中之灰階資料，當兩者之差異超過事先設定的基準之時，判定為具有異常。 [發明之效果]
若藉由本揭示時，提供可以效率佳且確實地判定基板處理裝置內之異常的技術。
以下，參照附件圖面，針對本發明之實施型態予以說明。另外，在以下的說明中，尤其除非另有說明，否則「上下方向」基本上係以垂直方向(重力方向)為基準，朝上係指對抗重力的方向，朝下係指跟隨重力的方向。
圖1係表示一實施型態所涉及之基板處理系統之概略構成的圖。在以下中，為了使位置關係明確，規定彼此正交之X軸、Y軸及Z軸，將Z軸正方向設為垂直向上方向。
如圖1所示般，基板處理系統1具備搬入搬出站2和處理站3。搬入搬出站2和處理站3被鄰接設置。
搬入搬出站2具備載體載置部11和搬運部12。在載體載置部11，載置複數片載體C，該載體C係在水平狀態下收容複數片基板，在本實施型態中為半導體晶圓(以下稱為晶圓W)。
搬運部12係與載體載置部11鄰接而被設置，在內部具備基板搬運裝置13和收授部14。基板搬運裝置13具備保持晶圓W之晶圓保持機構。再者，基板搬運裝置13可朝水平方向及垂直方向移動以及以垂直軸為中心進行旋轉，使用晶圓保持機構而在載體C和收授部14之間進行晶圓W之搬運。
處理站3係與搬運部12鄰接而被設置。處理站3具備搬運部15和複數處理單元16。複數處理單元16被並列設置在搬運部15之兩側。
搬運部15在內部具備基板搬運裝置17。基板搬運裝置17具備保持晶圓W之晶圓保持機構。再者，基板搬運裝置17可朝水平方向及垂直方向移動以及以垂直軸為中心進行旋轉，使用晶圓保持機構而在收授部14和處理單元16之間進行晶圓W之搬運。
處理單元16係對藉由基板搬運裝置17被搬運之晶圓W進行特定之基板處理。
再者，基板處理系統1具備控制裝置4。控制裝置4為例如電腦，具備控制部18和記憶部19。在記憶部19儲存控制在基板處理系統1中被實行之各種處理的程式。控制部18係藉由讀出並實行被記憶於記憶部19之程式，控制基板處理系統1之動作。
另外，如此之程式係被記錄於藉由電腦可讀取之記憶媒體者，即使為從其記憶媒體被安裝於控制裝置4之記憶部19者亦可。作為藉由電腦可讀取之記憶媒體，例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在構成上述般之基板處理系統1中，首先搬入搬出站2之基板搬運裝置13從被載置在載體載置部11之載體C取出晶圓W，將取出的晶圓W載置於收授部14。被載置於收授部14之晶圓W藉由處理站3之基板搬運裝置17從收授部14被取出，而被搬入至處理單元16。
被搬入至處理單元16之晶圓W藉由處理單元16被處理之後，藉由基板搬運裝置17從處理單元16被搬出，被載置在收授部14。而且，被載置在收授部14之處理完的晶圓W藉由基板搬運裝置13返回至載體載置部11之載體C。
接著，說明處理單元(即是，基板處理裝置)16之構成。圖2為表示處理單元16之概略構成之圖示。
如圖2所示般，處理單元16具備腔室20、基板保持機構30、處理流體供給部(此為後述噴嘴41、61A、61B、61C及對該些噴嘴供給處理流體之供給機構等的總稱)，和回收杯50。
腔室20收容基板保持機構30和回收杯50。在腔室20之頂棚部設置有FFU(Fan Filter Unit)21。FFU21在腔室20內形成向下流。
基板保持機構30具備基板保持部31、旋轉軸部32和旋轉驅動部33。基板保持部31係在水平姿勢保持晶圓W。旋轉驅動部33為由例如電動馬達構成，使旋轉軸部32及被連接於其上端之基板保持部31繞在垂直方向延伸的軸線(垂直軸線)旋轉。依此，以水平姿勢被保持於基板保持部31之晶圓W繞垂直軸線旋轉。
基板保持部31具有圓盤狀的底板31a、被設置在底板31a，且保持晶圓W的複數例如3個(在圖2中僅表示一個)的保持體31b，和將晶圓W朝處理單元16搬出搬入時，從保持體31b離開之支持晶圓W之下面的複數例如3個(在圖2中，僅表示1個)的升降銷31c。作為複數保持體31b包含例如保持及解放晶圓W之周緣部的至少一個可動的保持爪，和至少一個的不動的保持爪。
升降銷31c係被固定於環狀的升降銷板31d，而該環狀的升降銷板31d係被收納在底板31a之上面的凹處。升降銷板31d可以藉由無圖示之升降機構，在上升位置(無圖示)和下降位置(圖2所示之位置)之間升降而使晶圓W升降。可以在位於上升位置之升降銷板31d，和侵入至腔室20內之基板搬運裝置17(在圖2無圖示。參照圖1)之機械臂之間，進行晶圓W之收授。
如圖2所示般，回收杯50係被配置成包圍基板保持部31，發揮回收從晶圓W飛散的處理液，同時控制晶圓W之周圍的氣流的作用。回收杯50具有位於最外側的不動之排氣杯51，和位於其內側的處理液導引用的排液杯52。排液杯52也能夠構成具有最外周之固定杯要素，和被配置在固定杯要素內的一個以上之能升降的可動杯要素。在此情況，因應可動杯要素之數量，在排液杯52內形成複數流路，藉由切換可動杯要素之位置，可以切換從回收杯50被排液的液體之目的地(酸排液路、鹼排液路、有機排液路)。
在基板保持部31之底板31a，以與底板31a一起旋轉之方式，固定第1旋轉杯53及第2旋轉杯54。第1旋轉杯53及第2旋轉杯54係被設置成包圍藉由保持體31b被保持的晶圓W，承接從晶圓W之表面(上面)朝外方飛散的液，而朝斜下方(即是朝半徑方向外且下方)導引。再者，第2旋轉杯54係發揮導引從晶圓W之背面(下面)朝外方飛散的液體的功能。而且，第1旋轉杯53及第2旋轉杯54也發揮控制晶圓W之周圍的氣流的功能。在第1旋轉杯53及第2旋轉杯54之各者和底板31a之間，設置間隙，藉由第1旋轉杯53及第2旋轉杯54被導引的液體及氣流，通過該間隙而朝向外方(朝向排液杯52)流出。
在排氣杯51內形成排氣通路551，該排氣通路551與排氣杯51之底部空間連接，在該底部空間設置排氣口552。雖然省略圖示，但是在排氣口552連接安插有蝶形閥等之流量控制閥的排氣管，該排氣管係被連接於減壓氛圍之工場排氣導管。
另外，基板保持機構30、回收杯50、第1旋轉杯53及第2旋轉杯54之構成的詳細，藉由本案申請人之先前申請的日本特開2018-147979號等而公眾所知悉，在本說明書中省略圖示及說明。
如上述般，處理流體供給部具有對保持於基板保持部31之晶圓W之上面供給處理流體(液體或氣體)的複數噴嘴41。作為從噴嘴41被吐出的處理流體，例示作為SC1液、SC2液、DHF(稀氫氟酸)、IPA(異丙醇)、氮氣、純水(DIW)、DIW(純水)的液滴和氮氣之混合流體的二流體等。複數噴嘴41之中之至少一個可以用於洗淨基板保持部31、回收杯50、防霧罩80(後述)等。
在處理單元16內設置一個以上(例如3個)之噴嘴臂42。各噴嘴臂42係承載一個以上的噴嘴。各噴嘴臂42係被安裝於附設於該噴嘴臂42之臂驅動機構43，能夠在垂直方向升降，並且能夠繞在垂直方向延伸的旋轉軸線旋轉。藉由臂驅動機構43之旋轉功能，各噴嘴41可以位於晶圓W之中心部之上方位置、晶圓W之周緣部之上方位置及其間的任意位置，以及回收杯50之外側之待機位置(原始位置)。藉由臂驅動機構43之升降功能，可以使各噴嘴41，在接近於晶圓W之接近位置，和在較接近位置更上方且離開晶圓W的間隔位置之間移動。
處理流體供給部進一步具有對被保持於基板保持部31之晶圓W之下面中央部供給處理流體的噴嘴單元60。如圖2所示般，噴嘴單元60具有具備複數噴嘴(吐出部)之大直徑的頭部(噴嘴頭部)61，和從頭部61朝下方延伸的小直徑的軸部65。頭部61之構成例被表示於圖9A及圖9B。頭部61具備噴嘴61A、61B、61C作為複數噴嘴。在軸部65(參照圖2)，形成對各噴嘴61A、61B、61C供給處理流體的複數供給路66。軸部65係與基板保持機構30之旋轉軸部32同軸被配置在基板保持機構30之旋轉軸部32之內部。即使旋轉軸部32旋轉，噴嘴單元60之軸部65成為不旋轉。
在例示性的一實施型態中，噴嘴61A係對上方吐出第1藥液L1、第2藥液L2、作為沖洗液的DIW(純水)。噴嘴61B係對上方吐出DIW。噴嘴61C係對上方吐出N 2氣體(氮氣)。
在噴嘴單元60之頭部61，設置包圍噴嘴61A、61B、61C的環部62。環部62係從頭部61之上面之周緣朝上方突出，在內部儲存純水L3。環部62包含從頭部61之上面之周緣越朝向垂直上方，越往基板W之徑向外方傾斜的傾斜部62a，和從傾斜部62a之上端朝正下方延伸的垂直部62b。
另外，藉由使DIW以低流量從噴嘴61B持續吐出，環部62作為堰堤而發揮作用，可以一面使DIW超過環部62而溢流， 一面將DIW貯留在藉由頭部61之上面和環部62包圍的空間內。依此，可以使附著於頭部61之上面的微粒或藥液之液滴融入至DIW中，使流出至環部62之外側，洗淨頭部61之上面。於洗淨結束後，藉由使DIW吸入貯留在噴嘴61B的DIW(此具有充分的潔淨性)(回吸操作)，可以使頭部61之上面乾燥。該頭部61之洗淨方法也可以與後述「噴嘴單元60之頭部61之洗淨配方」一起實行，也可以取代後述「噴嘴單元60之頭部61之洗淨配方」而實行。
頭部61係被配置在環狀的導管63之內側。導管63可以儲存從環部62溢流純水L3。導管63包含包圍頭部61之內壁63a、被配置在內壁63a之外側的外壁63b、被形成在內壁63a和外壁63b之間的溝部63c，和形成溝部63c之底部的底壁63d。
在導管63之溝部63c被插入環部62之垂直部62b之下端。沿著垂直部62b而落下的純水L3係暫時性地被儲存於導管63之溝部63c，從導管63之外壁63b溢流至外側。以純水L3超過導管63之內壁63a而不落下至內壁63a和噴嘴單元60之間的間隙之方式，在該間隙被供給N 2氣體。
雖然圖3所示的噴嘴單元60具備環部62及導管63，但是不限定於此，即使噴嘴單元60具有不持有環部62及導管63的頭部亦可。
雖然省略圖示，但是在各噴嘴(41、61A、61B、61C)，經由被連接於處理流體(處理液或處理氣體)之供給源(工場動力或液槽桶等)的處理流體供給管線，和被安插在處理流體供給管線之流量控制機構(包含流量計、流量控制閥、開關閥等)等的處理流體供給機構而供給所需的處理流體。一個噴嘴連接複數處理流體供給機構，也有擇一性或同時從該一個噴嘴供給複數種類之處理流體之情況。
從噴嘴41被供給至旋轉的晶圓W之表面的處理液係藉由衝突至晶圓W之表面(在液體從兩個以上之噴嘴同時被供給至晶圓W表面之情況，也藉由液彼此的衝突)，或藉由從晶圓W藉由離心力被甩掉，成為微小的液滴而飛散。該飛散的液滴會附著於腔室20之內壁面等之面對腔室20內之空間的裝置構成零件。為了防止飛散的處理液附著於腔室20之內壁面等的裝置構成零件或至少大幅度地抑制，在回收杯50之外側設置防霧罩80。
如圖2所示般，防霧罩80具有外周筒部81、從該外周筒部81之上端部朝向外周筒部81(半徑方向)內側延伸而朝排氣杯51之上方突出的突出部82。
防霧罩80可以藉由無圖示之升降機構(例如，由汽缸構成)，在上限位置(圖2所示的位置)、下限位置(防霧罩80之突出部82接近於排氣杯51之突出部512的位置)之間升降。防霧罩80也可以在上限位置和下限位置之間的中間位置停止。
當防霧罩80位於上限位置之時，可以最佳地捕捉從晶圓W飛散的處理液。在防霧罩80位於中間位置之時，可以邊某程度地捕捉從晶圓W飛散的處理液，邊使噴嘴41不會被防霧罩80阻擋而移動至任意位置。當防霧罩80位於下限位置之時，不會妨礙從晶圓W之上方空間朝向位於腔室20之周緣部的排氣口(無圖示)的氣流。考慮上述點，因應對晶圓W施予的處理，決定防霧罩80之位置。以一例而言，當進行液體大量飛散的處理之時，將防霧罩80設為上限位置，當進行液體幾乎不飛散之處理(例如乾燥處理)之時，將防霧罩80設為下限位置。
如圖2所示般，在排氣杯51之外周筒部511之外側，設置收容防霧罩80之外周筒部81之圓筒狀之防護袋90。在防護袋90之底部，於圓周方向隔著間隔設置複數排出口91。在排出口91連接有排出管92，該排氣管被連接於減壓氛圍的工場排氣管。在排出管92安插設置捕霧器93，在排出管92流動的液滴藉由捕霧器93被分離，而被排出至工場廢液系統。
另外，因回收杯50及防霧罩80中之任一者係承接從晶圓W飛散的液滴(霧氣)的構件，故可以說藉由回收杯50及防霧罩80構成液承接杯。
在具有上述構成之處理單元中，對晶圓W實行的液處理包含例如以下的工程。(工程1)進行藥液所致的晶圓W之濕蝕刻或洗淨的藥液處理工程、(工程2)藉由沖洗液(例如DIW)沖洗藥液之工程、(工程3)二流體洗淨工程、(工程4)藉由IPA置換沖洗液的IPA置換工程、(工程5)甩乾乾燥工程。即使對晶圓W之表面實行的工程，和對晶圓W之背面實行的工程相同亦可，即使不同亦可。
當從噴嘴41對藉由基板保持部31被保持而旋轉的晶圓W之表面(上面)供給處理液(例如，藥液)時，被供給至晶圓W之處理液藉由離心力成為霧氣而飛散至晶圓W之外方，其一部分藉由防霧罩80被承接。飛散的處理液之其他一部分衝突至排氣杯51之突出部512。即是，飛散的處理液衝突至防霧罩80等的晶圓W之周圍之構件的表面。大部分的情況，衝突至該些構件之表面的處理液之一部分殘留原樣地在該構件之表面。
再者，當從噴嘴61A或61B對藉由基板保持部31被保持而旋轉的晶圓W之背面(下面)供給處理液時，被供給至晶圓W之處理液藉由離心力成為霧氣而飛散至晶圓W之外方，被回收杯50承接。此時，被供給至晶圓W之下面的處理液係在例如衝突至晶圓W之瞬間，成為液滴而飛散，噴嘴單元60之頭部61或基板保持部31之底板31a，即使在對一片晶圓W的一連串液處理工程之結束後，也有以原樣殘留的情況。而且，有殘留的液滴係於該一片晶圓W之後被處理的接續晶圓W之處理時被捲揚，被轉印至接續晶圓W之背面而使得接續晶圓W被汙染之虞。
在具有圖示之頭部61之噴嘴單元60中，如上述般，能夠進行用以藉由從噴嘴61B被供給的DIW，除去附著於頭部61之液滴的洗淨處理。但是，當每次進行如此的洗淨處理時，也有處理單元16之處理量下降之問題。
為了解決上述問題，本實施型態具有用以使能夠進行監視用之攝影機70所致的液滴等之附著物(也包含藉由液滴乾燥產生的固形物)之監視，及因應監視結果必要之時的附著物之除去的構成。以下，針對此予以說明。
處理單元16具有至少1台例如5台程度之監視用的攝影機70。攝影機70係在例如腔室20之頂棚下面中央部(例如，FFU之吐出部之下面)配置1台，在頂棚下面之周緣部配置4台。攝影機70之視角之一例在圖2、圖3A、圖3B中以一點鏈線描畫。以不產生死角(藉由任何的攝影機70皆無法攝像的區域)，設定各攝影機70之視角及配置。攝影機70之配置不被限定於圖示者。
針對解析藉由攝影機70取得的畫像資料的畫像資料解析部予以說明。畫像資料解析部係由上述控制裝置4或其下位電腦等的電腦構成的硬體，和畫像資料解析用之電腦程式(軟體)構成。
針對藉由頂棚周緣部之攝影機70取得的畫像資料之解析，以下參照圖4予以說明。圖4所示的畫像之例，係以說明為目的而作成者，大幅度地被簡化，也有被省略的零件。周圍的長方形表示監視攝影機70之攝像範圍。畫像被分割成複數區域，在每區域進行解析。作為一例，區域A對應於噴嘴單元60之頭部61。區域B係對應於噴嘴單元60之環部62。區域C1～區域C3係對應於基板保持部31之底板31a之上面。區域C1～C3係將環型區域在圓周方向進行3分割後的次區域。區域D係對應於防護罩80之突出部82之上面。畫像之分割的方法不限定於圖4所示的例。畫像之分割的邊界例如能夠在基板處理系統1之操作員在基板處理系統1之起動時等的適當時序，使用使用者介面(例如，作為觸控面板而形成的顯示器)而設定。畫像之分割及畫像之解析可以對藉由各監視攝影機70取得的畫像之各者進行。
畫像解析裝置係進行各區域(A、B、C1、C2、C3、D)之畫像資料(分割畫像資料)的解析。針對畫像資料解析之方法予以說明。首先，事先對在基板處理單元16處於充分潔淨的狀態(初期狀態)之時(例如，基板處理系統1之起動時，或處理單元16之維修及洗淨後)所取得的畫像，對各區域所含的複數像素(畫素)之各者，取得Gray值(將此稱為「基準Gray值」)，將此保存於記憶體(記憶部)。當監視攝影機70之攝像元件對應於彩色畫像之攝像之時，保存各像素資料之相對於R成分、G成分、B成分之各者的基準Gray值。
接著，即使在實際進行檢查(監視)之時，同樣對每像素，取得Gray值(將此稱為「檢測Gray值」)。檢查可以在例如一片的晶圓W之處理結束，晶圓W從基板保持部31被取下後立即進行。
在檢查時，若處理單元16之檢查對象區域(A、B、C1、C2、C3、D)與初期狀態同樣被維持潔淨時，在各像素中基準Gray值和檢測Gray值應相等。即是，當作為(X、Y)=(基準Gray值、檢測Gray值)，當在XY座標描點各像素之資料時，描點則集中在如Y=X般之直線附近。此係表示圖5A(R成分)、圖5B(G成分)及圖5C(B成分)之曲線圖。
另一方面，當在檢查對象區域(例如，區域A)存在液滴等的附著物時，則如圖6所示般產生Gray值與周圍大不同的部位。圖6係以濃淡表示Gray值分布。在對應於存在附著物之部分的像素中，因X值和Y值大不同，故如圖7A(R成分)、圖7B(G成分)及圖7C(B成分)之曲線圖所示般，產生偏離如Y=X般之直線很大的描點群。因此，可以判定在檢查對象區域存在附著物例如液滴。另外，可知在存在液滴之情況，針對像素資料之R成分、G成分、B成分之全部觀察到相同傾向的變化。
能根據圖7A～圖7C所示的描點之分布，判定有無附著物。例如，可以將從如『「|基準Gray值-檢測Gray值|≦30」般的正常區域(參照圖7A)突出的描點之數量是否超過事先設定的臨界值』設為判定基準，在超過上述臨界值之情況，判定在檢查對象區域存在附著物。可以取代此，或除此之外，在圖7A～圖7C所示的形式之曲線圖中，當不滿足上述不等示之像素之分布密度、不滿足上述不等式的像素之分布型態相當於事先設定的條件之時，可以判斷在檢查對象區域存在附著物。另外，在攝像系統硬體之條件為理想性之情況(雜訊非常小之情況)，也可以將正常區域的定義成例如「|基準Gray值-檢測Gray值|≦D」(D為例如5)程度。
根據在回歸分析所使用的決定係數R 2、或均方根誤差RMSE判斷在檢查對象區域是否有附著物亦可。在此情況，即使在相同像素中，在回歸分析中將基準Gray值視為回歸分析所使用的預測值，將檢測Gray值視為回歸分析所使用的觀測值，求出決定係數R 2或均方根誤差RMSE，使用該些之至少一方，判斷在檢查對象區域是否有附著物。決定係數R 2越接近於1，檢測Gray值之分布越接近於基準Gray值之分布。具體而言，可以判斷為若R 2＞0.96時則無問題，若R 2≦0.96時則在檢查對象區域內存在成為問題之程度的附著物(例如，液滴)。均方根誤差RMSE係檢測Gray值之分布越遠離基準Gray值之分布則越大。例如，可以判斷為若RMSE≦5時則無問題，若RMSE＞5時則在檢查對象區域內存在成為問題之程度的附著物(例如液滴)。
若藉由該檢查方法時，能夠迅速地判斷，例如，可以在例如一片晶圓W從基板保持部31取下後到下一個晶圓W被搬入為止之時間內，持有充分寬裕的時間來進行判斷。例如，即使在由於存在殘留液滴而在下一個晶圓W之處理產生壞影響之虞較高的區域(例如，區域A)具有液滴之情況，停止下一個晶圓W之搬入，進行液滴除去處理亦可。
接著，針對包含藉由上述判定存在液滴之情況的對應方法的基板處理系統1之運轉流程予以說明。
首先，當輸入製程工作時，在基板處理系統1中，依照事先設定的處理排程，在各處理單元16開始晶圓W之處理(START)。在各處理單元16中，於晶圓W之搬入前，依照上述順序，進行附著物之檢查(步驟S1)。首先，上述各區域(A、B、C1、C2、C3、D)之畫像係藉由攝影機70而取得。
接著，根據藉由攝影機70而取得的畫像，在各區域(A、B、C1、C2、C3、D)是否有具有附著物之問題，係根據上述判定基準(是否有超過判定基準之Gray值之差)而被判斷(步驟S2)。該判斷係根據全部的攝影機70之畫像而進行。也有可能取決於監視攝影機70之接物透鏡之光軸的方向，液滴有時會隱藏在構件的陰影後面而無法攝影之故。另外，在將監視攝影機70之一部分分配至特定的用途等之情況，即使不進行經常根據全部的監視攝影機70之畫像的判斷亦可。
在無附著物之問題之情況(步驟S2之NO)，處理前的晶圓W被搬入至該處理單元16，藉由基板保持部31被保持。而且，對晶圓W實施一連串的液處理工程(步驟S3)。
於液處理工程之結束後，處理後的晶圓W從該處理單元16被搬出，接著，再次進行上述檢查。即是，各區域(A、B、C1、C2、C3、D)之畫像係藉由監視攝影機70而被取得(步驟S4)，根據此在各區域(A、B、C1、C2、C3、D)是否有附著物之問題，係根據上述判定基準而被判斷(步驟S5)。
若無問題時(步驟S5之NO)，依照事先設定的處理排程，下一個晶圓W被搬入至該處理單元16，對該下一個晶圓W，實施一連串的液處理工程(朝步驟S3返回)。
在步驟S2之判斷具有問題之情況(步驟S2之YES)或步驟S5之判斷中有問題之情況(步驟S5之YES)，流程朝步驟S6前進。
在步驟S6中，判斷在複數檢查對象區域(A、B、C1、C2、C3、D)之中的複數區域是否產生問題。
僅在一個區域產生問題之情況(步驟S6之NO)，判斷是否存在可以洗淨其區域之洗淨配方(步驟S7)。在存在如此的洗淨配方之情況(步驟S7之YES)，實行其洗淨配方而實行洗淨對象區域之洗淨處理，之後，也實行使處理單元16內乾燥的乾燥處理(步驟8)。
在複數區域產生問題之情況(步驟S6之Yes)，判斷是否存在可以洗淨其複數區域全部之洗淨配方(一個洗淨配方)(步驟S9)。即是，在例如區域A及區域B具有問題之情況，判斷是否有可以同時洗淨區域A及區域B之一個洗淨用的配方。在存在如此的洗淨配方之情況(步驟S9之YES)，起動其洗淨配方，實行洗淨對象區域之洗淨處理，之後，也實行使處理單元16內乾燥的乾燥處理(步驟8)。也將洗淨處理及乾燥處理一起稱為正常化處理。
在不存在可以洗淨具有該問題的複數區域之全部的一個洗淨配方(步驟S9之NO)之情況，判斷是否存在可以洗淨具有問題之複數區域之全部的兩個以上之洗淨配方的組合(步驟S10)。即是，例如在區域A及區域D具有問題之情況，判斷是否具有區域A洗淨用之配方，和區域D洗淨用之配方。在存在如此的複數洗淨配方之情況(步驟S10之YES)，依序起動其複數洗淨配方，實行洗淨對象區域之洗淨處理，之後，也實行使處理單元16內乾燥的乾燥處理(步驟8)。
在步驟S7之判斷結果為NO，或者步驟S10之判斷結果為NO(即是，如此的洗淨配方不存在)之情況，產生用以將產生問題之情形傳達至操作者的警報(步驟S11)。在此情況，藉由操作者或另外的作業者，進行該處理單元16之維修及洗淨。在此期間，因該處理單元16無法使用，故控制裝置4進一步進行以下之任一處理。
(處理1)自動性地變更在基板處理系統1內中之晶圓W之搬運及處理排程，將朝被判定為具有異常的處理單元16搬入預定的晶圓W，搬入至另外的基板處理裝置之搬運目的地變更處理。在此情況，即使依序自動性地變更之後被處理的預定複數晶圓W之搬入目的地之處理單元16亦可。 (處理2)中止朝被判定為具有異常的上述基板處理裝置搬入預定的晶圓W之處理而予以回收的回收處理。 (處理3)對操作者，經由使用者介面(顯示器等)，提示對朝被判定為具有異常的上述基板處理裝置搬入預定的晶圓W之處置的選單(該晶圓W朝其他處理單元16搬入，中止該晶圓W的處理)的處置詢問處理。 另外，在搬運及處理排程藉由控制裝置4自動性地被變更之情況，此情形經由使用者介面被通知至操作者。
針對洗淨配方之幾個例以下說明。
[噴嘴單元60之頭部61的洗淨配方] 圖7A係表示結束對晶圓W之一連串的液處理工程，晶圓W從基板處理部31被取下，使用監視攝影機70之檢查結束後的立即狀態。噴嘴61A之內部係從其上端至略低的位置，被DIW填滿。噴嘴61B之內部也從其上端至略低的位置，被DIW填滿。從噴嘴61以小流量吐出N 2氣體。
此時，如圖7A所示般，在頭部61之上面，有附著液滴或源自藥液之微粒的情形。當將液滴原樣地放置時，有在例如處理下一個晶圓W之時，由於從噴嘴61C以比較大的流量被吐出的N 2氣體而被捲揚，汙染晶圓W之背面之虞。再者，源自藥液之微粒有藉由在處理下一個晶圓W之時被供給至晶圓W之背面的液體(藥液或DIW)剝離或溶解的微粒，由於從噴嘴61C以比較大流量被吐出的N 2氣體而被捲揚，汙染晶圓W之背面之虞。
當判斷在監視攝影機70所致的檢查具有問題(有液滴等之異物附著)時，實行噴嘴單元60之頭部61之洗淨配方。首先，如圖7B所示般，在頭部61和導管63之間的空間，及噴嘴61C，以可以防止洗淨液(在此為DIW)之浸入之程度的小流量供給N 2氣體。再者，使防霧罩80位於上升位置，進行從防護袋90之排出口的排氣或排液。再者，回收杯50之排氣及排液也以與通常的液處理時同樣方式進行。而且，以事先設定的速度使基板保持部31旋轉。上述狀態係被維持到洗淨配方結束。
在上述之狀態下，使DIW供給用之噴嘴41(以下，為了簡便，也稱為「DIW噴嘴41」位於頭部61之上方，朝向頭部61吐出DIW。此時，以DIW朝頭部61的著液點變化之方式，一面使DIW噴嘴41之位置變化，一面從DIW噴嘴41對頭部61供給DIW。依此，可以除去附著於頭部61之異物(液、微粒等的汙染物質)。之後，使DIW噴嘴41返回至原始位置(較回收杯50更外側的待機位置)。
接著，使N 2氣體供給用之噴嘴41(以下，為了簡便，也稱為「N 2噴嘴41」位於頭部61之上方，朝向頭部61吐出N 2氣體。此時，以N 2氣體朝頭部61的衝突點變化之方式，一面從頭部61之大概中心的位置朝向半徑方向外側使N 2噴嘴41之位置變化，一面從N 2噴嘴41對頭部61供給N 2氣體。N 2噴嘴41係原樣地繼續地移動至對應於基板保持部31之底板31a之外周緣的位置。依此，頭部61乾燥，並且可以乾燥至位於頭部61之外側的底板31a之上面。之後，使N 2噴嘴41返回至原始位置(較回收杯50更外側的待機位置)。藉由上述，頭部61之洗淨配方結束。
[底板31a之上面的洗淨配方]
當藉由監視攝影機70所致的檢查判斷在底板31a之上面具有問題(有液滴等之異物附著)時，實行底板31a之上面之洗淨配方。首先，如圖7B所示般，在頭部61和導管63之間的空間，及噴嘴61C，以可以防止洗淨液(在此為DIW)之浸入之程度的小流量供給N 2氣體。該N 2氣體之供給若為僅洗淨底板31a之周緣附近時，則不一定要進行。再者，使防霧罩80位於上升位置，進行從防護袋90之排出口的排氣或排液。再者，回收杯50之排氣及排液也在通常的液處理時同樣進行。而且，以事先設定的速度使基板保持部31旋轉。上述狀態係被維持到洗淨配方結束。
在上述狀態，使DIW噴嘴41位於導管63之外周緣附近，朝向導管63和底板31a之接觸部附近吐出DIW。而且，以DIW之著液點逐漸接近底板31a之外周緣之方式，一面使DIW噴嘴41移動，一面從DIW噴嘴41對底板31a之上面供給DIW。依此，可以除去附著於底板31a之異物(液、微粒等的汙染物質)。之後，使DIW噴嘴41返回至原始位置(較回收杯50更外側的待機位置)。另外，若底板31a上存在異物之異物充分被特定時，即使DIW僅被供給至比起存在其異物的位置稍靠半徑方向內側的位置，比較靠半徑方向外側的區域亦可。
接著，使N 2氣體供給用之噴嘴41(以下，為了簡便，也稱為「N 2噴嘴41」位於底板31a之上方，朝向底板31a吐出N 2氣體。此時，一面以N 2氣體朝底板31a的衝突點逐漸地接近底板31a之外周緣之方式，使N 2噴嘴41移動，一面從N 2噴嘴41對底板31a供給N 2氣體。依此，可以使底板31a乾燥。之後，使N 2噴嘴41返回至原始位置(較回收杯50更外側的待機位置)。藉由上述，底板31a之洗淨配方結束。
在圖9A及圖9B中以鏈線表示底板31a之上面之洗淨配方之實行中之DIW噴嘴及N 2噴嘴的位置。
能夠統合噴嘴單元60之頭部61之洗淨配方和底板31a之上面的洗淨配方而設為單一的洗淨配方。
[防霧罩80之洗淨配方] 當以監視攝影機70所致的檢查，判斷在防霧罩80之內面具有問題(例如有附著源自藥液之固形物部)時，實行防霧罩80之洗淨配方。首先，使防霧罩80位於上升位置，進行從防護袋90之排出口的排氣或排液。再者，回收杯50之排氣及排液也以與通常的液處理時同樣方式進行。而且，以事先設定的速度使基板保持部31旋轉。上述狀態係被維持到洗淨配方結束。
在上述狀態下，使DIW噴嘴41位於圖9所示的位置，使從該DIW噴嘴41被吐出的DIW衝突至旋轉的第1旋轉杯53之上面531及傾斜面532。依此，衝突至第1旋轉杯53之表面的DIW如圖9所示般，朝向防霧罩80之內面飛散。藉由使DIW朝第1旋轉杯53的衝突點之位置偏移，能夠均勻地洗淨防霧罩80之內面。另外，此時也能夠洗淨排氣杯51之突出部512之上面。之後，一面使基板保持部31旋轉，一面進行乾燥。接著，使防霧罩80位於上升位置，之後，使DIW噴嘴41返回至原始位置。藉由上述，防霧罩80之洗淨配方結束。
在半導體製造用之基板液處理裝置(尤其，利用旋轉夾具的單片式的液處理裝置)之技術領域中，除了上述內容外，已知各種洗淨配方，即使適當利用如此洗淨配方亦可。
應理解成此次揭示的實施型態所有的點皆為例示，並非用以限制者。上述實施型態在不脫離附件的申請專利範圍及其主旨的情況下，即使以各種型態進行省略、替換或變更亦可。
基板不限定於半導體晶圓，即使為在玻璃基板、陶瓷基板等之半導體裝置之製造中被使用的其他種類之基板亦可。
W:基板 31:基板保持部 31a:平板(底板) 31b:保持體 41:上側噴嘴(噴嘴) 61A,61B,61C:下側噴嘴(噴嘴) 50:液承接杯(回收杯) 80:液承接杯(防霧罩(最外杯形要素)) 70:攝像部(攝影機) 4:控制部(控制裝置)
[圖1]為基板處理裝置之一實施型態所涉及之基板處理系統之概略橫剖面圖。 [圖2]為表示圖1之基板處理系統所含的處理單元之一構成例的概略縱剖面圖。 [圖3A]為圖2之處理單元的概略橫剖面圖。 [圖3B]為表示與圖2之處理單元中之圖3A不同的監視攝影機的配置例的概略橫剖面圖。 [圖4]為表示藉由監視攝影機攝像到的畫像及畫像之區域分割之一例的概略圖。 [圖5A]為表示無異常(附著物)之時的Gray值(R成分)之分布的曲線圖。 [圖5B]為表示無異常之時的Gray值(G成分)之分布的曲線圖。 [圖5C]為表示無異常之時的Gray值(B成分)之分布的曲線圖。 [圖6]為表示有附著物之時的畫像之概略圖。 [圖7A]為表示有異常之時的Gray值(R成分)之分布的曲線圖。 [圖7B]為表示有異常之時的Gray值(G成分)之分布的曲線圖。 [圖7C]為表示有異常之時的Gray值(B成分)之分布的曲線圖。 [圖8]為針對與監視攝影機所致的檢查(監視)建立關聯對應的基板處理系統之運轉方法予以說明的流程圖。 [圖9A]為針對噴嘴單元之頭部的洗淨予以說明的概略圖。 [圖9B]為針對噴嘴單元之頭部的洗淨後之乾燥予以說明的概略圖。 [圖10]為防霧罩之洗淨予以說明的概略圖。

Claims (19)

  1. 一種基板處理裝置，其係對基板之上面及下面供給處理液而進行特定液處理的基板處理裝置，具備： 基板保持部，其係保持基板繞旋轉軸線旋轉，上述基板保持部具有與基板之下面之間隔著間隙而與基板之下面面對面的平板，和被設置上述平板而直接保持上述基板的保持體； 上側噴嘴，其係對藉由上述基板保持部被保持的基板之上面供給處理液； 下側噴嘴，其係對藉由上述基板保持部被保持的基板之下面供給處理液； 液體承接杯，其係包圍上述基板保持部之周圍而被設置，承接從上述上側噴嘴及上述下側噴嘴被供給的處理液； 攝像部，其係攝像包含上述下側噴嘴、上述平板及上述液體承接杯之中之一個以上的畫像；及 控制部，其係包含根據從上述攝像部取得的畫像資料，判定在被攝像到的區域是否有異常， 上述控制部之判定部係被構成對藉由將上述畫像分割成複數區域而獲得的複數分割畫像資料之各者，比較事先準備的成為基準之分割畫像資料中之灰階資料，和被攝像到的判定對象之分割畫像資料中之灰階資料，當兩者之差異超過事先設定的基準之時，判定為具有異常。
  2. 如請求項1記載之基板處理裝置，其中 上述灰階資料之比較係以構成上述畫像資料的像素單位進行，在成為上述基準的分割畫像資料及上述判定對象之分割畫像資料中，比較相同的像素之Gray值彼此之時，根據 Gray值之差量超過事先設定的基準值的像素之數量是否超過事先設定的臨界值之點，及/或 Gray值之差量超過事先設定的基準值的像素之分布密度及/或分布型態之點， 來判定是否有異常。
  3. 如請求項1記載之基板處理裝置，其中 上述灰階資料之比較係以構成上述畫像資料的像素單位進行， 將成為上述基準的分割畫像資料之各像素之Gray值稱為基準Gray值，將上述判定對象之分割畫像資料中之各像素的Gray值稱為檢測Gray值，並且在回歸分析中將基準Gray值視為回歸分析所使用的預測值，將檢測Gray值視為回歸分析所使用的觀測值，求出決定係數R 2及均方根誤差RMSE之至少一方，根據上述決定係數R 2和特定臨界值之大小關係，或上述均方根誤差RMSE和特定臨界值之大小關係，判定是否有異常。
  4. 如請求項1至3中之任一項記載之基板處理裝置，其中 上述液承接杯包含各者可以承接處理液的複數杯形的要素，上述複數杯形之要素之中位於最外側的最外杯形要素係能在上升位置和下降位置之間升降，上述最外杯形要素係在其上升位置，位於較藉由上述基板保持部被保持的基板之上面更高的高度位置，上述攝像部係被設置成可以攝像上述最外杯形要素。
  5. 如請求項1至4中之任一項記載之基板處理裝置，其中 上述攝像部包含複數攝影機。
  6. 如請求項5記載之基板處理裝置，其中 上述複數攝影機係在上述基板保持部之上述旋轉軸線之周圍的不同角度位置，被設置在較藉由上述基板保持部被保持的基板之上面更高的高度位置。
  7. 如請求項1記載之基板處理裝置，其中 上述複數攝影機中之至少一個係被設置在上述基板保持部之上述平板之正上方。
  8. 如請求項1記載之基板處理裝置，其中 以上述攝像部取得的畫像資料至少被分割成對應於上述下側噴嘴的第1區域，對應於上述平板之上面的第2區域、對應於上述液承接杯之表面的第3區域，各區域之資料成為上述分割畫像資料。
  9. 如請求項8記載之基板處理裝置，其中 上述第2區域或上述第3區域中之至少一方進一步被分割成複數次區域，各次區域之畫像資料構成上述分割畫像資料之一個。
  10. 如請求項9記載之基板處理裝置，其中 上述第2區域或上述第3區域之中之至少一方的上述複數次區域，係位於圍繞上述基板保持部之上述旋轉軸線的不同角度位置的扇狀區域。
  11. 如請求項1至10中之任一項記載之基板處理裝置，其中 上述控制部係於藉由上述判定部判定在對應於至少一個分割畫像之區域具有異常之時，對上述基板處理裝置實行解除上述異常的正常化處理。
  12. 如請求項11記載之基板處理裝置，其中 上述控制部係因應被判定成具有異常之區域，實行不同的正常化處理。
  13. 如請求項11或12記載之基板處理裝置，其中 上述控制部在具有於上述下側噴嘴之上面存在附著物之異常的情況，作為上述正常化處理，至少實行從上述上側噴嘴對上述下側噴嘴供給洗淨液而洗淨上述下側噴嘴之上面的洗淨處理，和從與供給洗淨液的上述上側噴嘴相同或不同的上側噴嘴，對上述下側噴嘴之上面供給乾燥用氣體而使上述下側噴嘴之上面乾燥的乾燥處理。
  14. 如請求項11或12記載之基板處理裝置，其中 上述控制部在具有於上述平板之上面存在附著物之異常的情況，作為上述正常化處理，至少實行從上述上側噴嘴對上述平板之上面供給洗淨液而洗淨上述平板之上面的洗淨處理，和從與供給洗淨液的上述上側噴嘴相同或不同的上側噴嘴，對上述平板之上面供給乾燥用氣體而使上述平板之上面乾燥的乾燥處理。
  15. 如請求項11或12記載之基板處理裝置，其中 上述控制部係在具有於上述最外杯形要素之內面存在附著物之異常的情況，作為正常化處理，至少實行藉由一面使上述基板保持部旋轉，一面從上述上側噴嘴對上述基板保持部或此與結合的零件供給洗淨液而飛散的上述洗淨液，洗淨上述最外杯形要素之內面的洗淨處理。
  16. 一種基板處理系統，其具備複數請求項11至15中之任一項記載之基板處理裝置，該基板處理系統具備 搬出搬入部，其係收容有複數基板的容器被搬入，和 搬運部，其係在上述搬出搬入部和上述複數基板處理裝置之間搬運基板， 上述基板處理裝置之上述控制部也具有控制上述基板處理系統之動作的功能， 上述控制部係當在上述複數基板處理裝置之中之一個具有上述異常時，上述判定部判定，在該一個基板處理裝置進行上述正常化處理之後，再次進行判定部所致的判定，即使在該再次的判定中，上述異常也未被解決之時，實行： (A)使產生警報的警報處理，及 (B1)自動性地變更在上述基板處理系統內之搬運排程，將預定朝被判定為具有異常的上述基板處理裝置搬入的基板，搬入至另外的基板處理裝置之搬運目的地變更處理，或 (B2)中止預定朝被判定為具有異常的上述基板處理裝置搬入的基板之處理而予以回收的回收處理，或 (B3)對操作者，經由使用者介面，提示對預定朝被判定為具有異常的上述基板處理裝置搬入的基板之處置的選單的處置詢問處理。
  17. 一種檢查方法，其係在基板處理裝置中被實行的檢查方法，該基板處理裝置係對基板之上面及下面供給處理液而進行特定液處理，該基板處理裝置具備：基板保持部，其係保持基板繞旋轉軸線旋轉，上述基板保持部具有與基板之下面之間隔著間隙而與基板之下面面對面的平板，和被設置上述平板而直接保持上述基板的保持體；上側噴嘴，其係對藉由上述基板保持部被保持的基板之上面供給處理液；下側噴嘴，其係對藉由上述基板保持部被保持的基板之下面供給處理液；液體承接杯，其係包圍上述基板保持部之周圍而被設置，承接從上述上側噴嘴及上述下側噴嘴被供給的處理液；和攝像部，其係攝像包含上述下側噴嘴、上述平板及上述液體承接杯之中之一個以上的畫像，該檢查方法具有： 藉由上述攝像部，攝像包含上述平板及上述液體承接杯之中之一個以上的畫像之攝像步驟；和 判定步驟，其係根據從上述攝像部取得的畫像資料，判定在被攝像到的區域是否有異常， 上述判定步驟係對藉由將上述畫像分割成複數區域而獲得的複數分割畫像資料之各者，比較事先準備的成為基準之分割畫像資料中之灰階資料，和被攝像到的判定對象之分割畫像資料中之灰階資料，當兩者之差異超過事先設定的基準之時，判定為具有異常。
  18. 如請求項17記載之檢查方法，其中 上述灰階資料之比較係以構成上述畫像資料的像素單位進行，在成為上述基準的分割畫像資料及上述判定對象之分割畫像資料中，比較相同的像素之Gray值彼此之時，根據 Gray值之差量超過事先設定的基準值的像素之數量是否超過事先設定的臨界值之點，及/或 Gray值之差量超過事先設定的基準值的像素之分布密度及/或分布型態之點， 來判定是否有異常。
  19. 如請求項17記載之檢查方法，其中 上述灰階資料之比較係以構成上述畫像資料的像素單位進行， 將成為上述基準的分割畫像資料之各像素之Gray值稱為基準Gray值，將上述判定對象之分割畫像資料中之各像素的Gray值稱為檢測Gray值，並且在回歸分析中將基準Gray值視為回歸分析所使用的預測值，將檢測Gray值視為回歸分析所使用的觀測值，求出決定係數R 2及均方根誤差RMSE之至少一方，根據上述決定係數R 2和特定臨界值之大小關係，或上述均方根誤差RMSE和特定臨界值之大小關係，判定是否有異常。
TW112109480A 2022-03-29 2023-03-15 基板處理裝置、其檢查方法及基板處理系統 TW202347550A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-054016 2022-03-29
JP2022054016 2022-03-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202347550A true TW202347550A (zh) 2023-12-01

Family

ID=88201194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112109480A TW202347550A (zh) 2022-03-29 2023-03-15 基板處理裝置、其檢查方法及基板處理系統

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW202347550A (zh)
WO (1) WO2023189894A1 (zh)

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3739220B2 (ja) * 1998-11-19 2006-01-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法及びその装置
JP2007149892A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5661022B2 (ja) * 2011-11-21 2015-01-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6250973B2 (ja) * 2013-08-08 2017-12-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6087765B2 (ja) * 2013-08-28 2017-03-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、洗浄用治具、洗浄用治具セット、および洗浄方法
JP6249759B2 (ja) * 2013-12-20 2017-12-20 キヤノン株式会社 画像処理方法、画像処理プログラムおよび画像処理装置
JP6789038B2 (ja) * 2016-08-29 2020-11-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6797622B2 (ja) * 2016-09-27 2020-12-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6978980B2 (ja) * 2017-12-05 2021-12-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス ヒューム判定方法、基板処理方法、および基板処理装置
JP7004579B2 (ja) * 2018-01-15 2022-01-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
CN112136041B (zh) * 2018-05-30 2023-06-16 株式会社岛津制作所 成像数据处理装置
TW202120198A (zh) * 2019-08-13 2021-06-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、噴嘴檢查方法及記憶媒體
JP7443163B2 (ja) * 2020-05-27 2024-03-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023189894A1 (ja) 2023-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6278759B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US9555436B2 (en) Substrate treating apparatus and substrate treatment method for discharging treatment solution from nozzle to substrate
KR102566736B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP7443163B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP5913167B2 (ja) 液処理装置および洗浄方法
KR20170142136A (ko) 기판 처리 장치를 세정하기 위한 세정 지그와 세정 방법, 및 기판 처리 시스템
WO2018061338A1 (ja) 検出方法および検出装置
JP2020061404A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2020115513A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
US11011398B2 (en) Fume determination method, substrate processing method, and substrate processing equipment
JP6203893B2 (ja) 液処理装置および洗浄方法
JP6353780B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW202347550A (zh) 基板處理裝置、其檢查方法及基板處理系統
JP2019102784A (ja) ヒューム判定方法、基板処理方法、および基板処理装置
JP2003332284A (ja) 液処理装置および液処理方法
CN115668461A (zh) 基板处理方法及基板处理装置
JP3999540B2 (ja) スクラブ洗浄装置におけるブラシクリーニング方法及び処理システム
JP2008034872A (ja) 洗浄処理方法および洗浄処理装置
US20240222152A1 (en) Integrated clean and dry module for cleaning a substrate
CN112509940B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
TWI831236B (zh) 狀態檢測裝置以及狀態檢測方法
WO2017086877A1 (en) Apparatus and method for cleaning a wafer table surface and/or an object disposed thereon
WO2024144999A1 (en) Integrated clean and dry module for cleaning a substrate
JP2023081763A (ja) 基板処理装置およびガード判定方法
KR20230012578A (ko) 기판 처리 감시에 이용하는 설정 정보의 설정 방법, 기판 처리 장치의 감시 방법 및 기판 처리 장치