KR20200063242A - 고 종횡비 구조체들의 정지 마찰을 방지하고 그리고/또는 고 종횡비 구조체들을 복구하기 위한 시스템들 및 방법들 - Google Patents

고 종횡비 구조체들의 정지 마찰을 방지하고 그리고/또는 고 종횡비 구조체들을 복구하기 위한 시스템들 및 방법들 Download PDF

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Abstract

기판의 표면 상에 배치된 HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법은 a) 제 1 린싱 액체를 사용하여 기판의 표면을 스핀 린싱하는 단계; b) 기판의 표면으로부터 제 1 린싱 액체를 스핀 오프하는 단계; 및 c) 제 1 린싱 액체가 디스펜싱된 후 기판의 표면 상으로 플루오르화수소를 함유하는 가스 혼합물을 지향시키는 단계를 포함한다.

Description

고 종횡비 구조체들의 정지 마찰을 방지하고 그리고/또는 고 종횡비 구조체들을 복구하기 위한 시스템들 및 방법들
관련된 출원들에 대한 교차 참조
본 출원은 2017년 10월 23일에 출원된 미국 가출원 번호 제 62/575,705 호의 이익을 주장한다. 상기 참조된 출원의 전체 개시들이 참조로서 본 명세서에 인용된다.
본 개시는 기판들의 프로세싱에 관한 것이고, 보다 구체적으로 HAR (High Aspect Ratio : 고 종횡비) 구조체들의 정지 마찰을 방지하고 HAR 구조체들의 복구하기 위한 방법들에 관한 것이다.
본 명세서에 제공된 배경기술 기술 (description) 은 본 개시의 맥락을 일반적으로 제시하기 위한 목적이다. 이 배경기술 섹션에 기술된 정도의 본 명세서에 명명된 발명자들의 업적, 뿐만 아니라 출원 시 종래 기술로서 달리 인증되지 않을 수도 있는 본 기술의 양태들은 본 개시에 대한 종래 기술로서 명시적으로나 암시적으로 인정되지 않는다.
기판 프로세싱 시스템들은 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 막을 증착하거나 기판의 표면을 에칭, 세정, 및/또는 이와 달리 처리하도록 사용될 수도 있다. 일부 프로세스들에서, 기판들은 습식 프로세싱을 겪을 수도 있다. 이들 프로세스들에서, 기판은 회전 척 상에 마운팅될 수도 있다. 회전 척이 회전함에 따라, 유체 노즐들은 액체 또는 가스와 같은 유체를 디스펜싱하도록 사용될 수도 있고 그리고/또는 열이 기판을 처리하기 위해 인가될 수도 있다.
기판들의 일부는 HAR 구조체들을 포함한다. 예를 들어, HAR 구조체들은 나노필라들 (nanopillars), 트렌치들 (trenches) 또는 비아들을 포함할 수도 있다. HAR 구조체들은 (기판의 표면에 수직인) 피처의 깊이보다 상당히 작은 (기판의 표면에 평행한) 폭을 갖는다. 5:1보다 큰 종횡비를 갖는 HAR 구조체들은 상당히 일반적이다. 보다 발전된 프로세스들은 훨씬 보다 큰 종횡비들을 갖는 HAR 구조체들을 포함한다. 패턴 붕괴는 하나 이상의 HAR 구조체들이 붕괴하고, 기판의 표면에 대해 측방향으로 이동하고 그리고/또는 인접한 HAR 구조체들에 직접 콘택트할 때 발생한다. 패턴 붕괴는 습식 세정 프로세스 후 건조 동안 종종 직면하게 된다.
몇몇의 프로세스들은 기판들을 건조할 때 패턴 붕괴를 감소시키도록 사용되었다. 예를 들어, 기판은 초임계 CO2를 사용하여 건조될 수 있다. 그러나, 초임계 CO2는 상대적으로 값이 비싸고 구현 문제들을 갖는다. 기판의 표면은 정지 마찰을 방지하기 위한 층으로 개질될 수 있다. 그러나, 표면 개질은 종종 추가 화학물질들이 사용되는 것을 필요로 하기 때문에 값이 비싸다. 표면 개질은 또한 개질된 층이 제거되어야 하기 때문에 재료 손실을 야기한다. 기판은 또한 IPA (isopropyl alcohol) 의 끓는점에 가까운 온도로 기판의 표면으로 전달되는 IPA를 사용하여 건조될 수 있다. 그러나, 일부 종횡비들은 패턴 붕괴 없이 끓는 IPA를 사용하여 건조될 수 없다.
기판은 또한 진공 압력들에서 작동된 진공 장비에서 HF (hydrofluoric) 증기 에칭을 사용하여 처리될 수 있다. 그러나, 진공 장비는 통상적으로 값이 비싸고, 습식 세정을 수행하도록 사용되지 않을 수 있다. 선행하는 습식 세정 단계는 종종 기판의 표면으로부터 유기 오염물질 또는 금속 오염물질을 제거하기 위해 필요하다.
붕괴된 구조체들을 복구하는 것은 진공 장비에서 플라즈마 에칭을 사용하여 수행될 수 있다. 그러나, 요구되는 플라즈마 에칭 하드웨어는 값이 비싸다.
기판의 표면 상에 배치된 HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법은 a) 제 1 린싱 액체를 사용하여 기판의 표면을 스핀 린싱하는 단계; b) 기판의 표면으로부터 제 1 린싱 액체를 스핀 오프하는 단계; 및 c) 제 1 린싱 액체가 디스펜싱된 후 기판의 표면 상으로 플루오르화수소를 함유하는 가스 혼합물을 지향시키는 단계를 포함한다.
다른 특징들에서, 플루오르화수소는 제 1 반응성 컴포넌트이고, 가스 혼합물은 제 2 반응성 컴포넌트를 더 함유한다. 제 2 반응성 컴포넌트는 양성자 수용체이고, 그리고/또는 제 2 반응성 컴포넌트는 OH-기를 포함하는 것 중 적어도 하나이다.
제 2 반응성 컴포넌트는 수증기, 알코올 증기, 암모니아 및 아민으로 구성된 그룹으로부터 선택된다.
다른 특징들에서, 단계 c) 는 단계 b) 후 수행되거나 단계 c) 는 단계 a) 후 60 초 내에 수행된다. 가스 혼합물은 알코올 및 불활성 캐리어 가스를 더 함유한다. 불활성 캐리어 가스는 분자 질소를 포함하고, 알코올 증기는 이소프로필 알코올을 포함한다. 가스 혼합물은 기판의 표면으로부터 1 mm 내지 40 mm 범위 내에 위치된 노즐에 의해 전달된다. 가스 혼합물은 1 m/s 내지 50 m/s 범위 내의 디스펜싱 속도로 노즐로부터 전달된다. 가스 혼합물은 1 slm 내지 20 slm의 플로우 레이트로 노즐로부터 전달된다.
다른 특징들에서, 노즐의 오리피스 (orifice) 의 단면적은 3 mm2 내지 30 mm2 범위 내이다. 단계 a), 단계 b), 단계 c)는 20 ℃ 내지 400 ℃ 범위 내의 온도에서 수행된다. 단계 a), 단계 b), 단계 c)는 50 ℃ 내지 150 ℃ 범위 내의 온도에서 수행된다. 단계 a), 단계 b), 단계 c)는 기판이 900 hPa 내지 1100 hPa 범위 내의 미리 결정된 압력에서 유지될 때 수행된다. 단계 a), 단계 b), 단계 c)는 디바이스의 회전 척 상에 배치된 기판으로 수행된다.
다른 특징들에서, 디바이스는 제 1 린싱 액체 소스 (source) 에 연결된 제 1 액체 디스펜서 (dispenser), 용매 증기를 공급하기 위한 증기 공급부, 및 기판의 표면 상에 가스 혼합물을 디스펜싱하기 위해 가스 소스 및 증기 공급부에 연결된 가스 디스펜서를 더 포함한다. 가스 디스펜서는 샤워헤드를 포함한다.
다른 특징들에서, 가스 디스펜서는 암 (arm), 노즐, 및 가스 혼합물이 공급되는 동안 기판에 걸쳐 암을 스캔하기 위한 모터를 포함한다.
다른 특징들에서, 단계 a), 단계 b), 단계 c)는 100 ℃보다 높은 온도에서 수행된다. 가스 혼합물은 암모니아를 더 포함한다.
다른 특징들에서, 제 1 린싱 액체는 유기, 물 혼화성 용매를 포함한다.
다른 특징들에서, 가스 혼합물은 0.05 ％ 내지 10 ％ 부피 범위의 플루오르화수소, 0.05 ％ 내지 10 ％ 부피 범위의 알코올, 및 80 ％ 내지 99.9 ％ 부피 범위의 불활성 가스를 포함한다. 가스 혼합물은 0.5 ％ 내지 5 ％ 부피 범위의 플루오르화수소, 0.5 ％ 내지 2.5 ％ 부피 범위의 알코올, 및 92.5 ％ 내지 99 ％ 부피 범위의 불활성 가스를 포함한다. 가스 혼합물은 0.1 ％ 내지 5 ％ 부피 범위의 플루오르화수소, 0.1 ％ 내지 5 ％ 부피 범위의 알코올, 및 90 ％ 내지 99.8 ％ 부피 범위의 불활성 가스를 포함한다.
기판의 표면 상에 배치된 HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스는 기판을 회전시키기 위한 회전 척을 포함한다. 회전 척이 기판을 회전시킬 때 제 1 노즐이 제 1 린싱 액체를 사용하여 기판의 표면을 린싱한다. 제 1 린싱 액체가 디스펜싱된 후 제 2 노즐이 기판의 표면 상으로 플루오르화수소를 함유하는 가스 혼합물을 지향시킨다.
다른 특징들에서, 제 1 액체 디스펜서가 제 1 린싱 액체 소스에 연결된다. 증기 공급부가 제 2 반응성 컴포넌트를 공급한다. 가스 디스펜서가 기판의 표면 상에 가스 혼합물을 디스펜싱하기 위해 가스 소스 및 증기 공급부에 연결된다.
다른 특징들에서, 혼합 매니폴드가 플루오르화수소 및 제 2 반응성 컴포넌트를 혼합한다. 개방된 챔버가 회전 척을 둘러싼다. 폐쇄된 챔버가 회전 척을 둘러싼다. 증기 공급부가 용매 증기를 공급한다. 가스 혼합물은 용매 증기를 더 함유한다.
다른 특징들에서, 용매 증기는 수증기 및 알코올 증기로 구성된 그룹으로부터 선택된다. 제 2 노즐은 제 1 린싱 액체가 기판을 스핀 오프한 후 기판의 표면 상으로 플루오르화수소를 함유하는 가스 혼합물을 지향시킨다. 제 2 노즐은 제 1 린싱 액체가 디스펜싱된 후 60 초 내에 기판의 표면 상에 플루오르화수소를 함유하는 가스 혼합물을 지향시킨다.
다른 특징들에서, 가열기가 20 ℃ 내지 400 ℃ 범위 내의 온도로 기판을 가열한다. 가열기는 50 ℃ 내지 150 ℃ 범위 내의 온도로 기판을 가열한다. 기판은 900 hPa 내지 1100 hPa 범위 내의 미리 결정된 압력에서 유지된다. 100 ℃보다 높은 온도로 기판을 가열하기 위한 가열기 그리고 가스 혼합물은 암모니아를 더 함유한다.
다른 특징들에서, 제어기가 회전 척의 회전, 제 1 노즐로부터의 제 1 린싱 액체의 디스펜싱, 및 제 2 노즐로부터의 가스 혼합물의 디스펜싱을 제어한다.
다른 특징들에서, 제 2 노즐은 기판의 표면으로부터 1 mm 내지 40 mm 범위 내에 위치된다. 가스 혼합물은 1 내지 50 m/s 범위 내의 디스펜싱 속도로 제 2 노즐로부터 전달된다. 가스 혼합물은 1 내지 20 slm의 플로우 레이트로 제 2 노즐로부터 전달된다. 제 2 노즐의 오리피스의 단면적은 3 내지 30 mm2 범위 내이다.
다른 특징들에서, 가스 혼합물은 0.5 ％ 내지 5 ％ 부피 범위의 플루오르화수소, 0.5 ％ 내지 2.5 ％ 부피 범위의 알코올, 및 92.5 ％ 내지 99 ％ 부피 범위의 불활성 가스를 포함한다.
다른 특징들에서, 가스 혼합물은 80 ％ 내지 99.9 ％ 부피 범위의 불활성 가스, 0.05 ％ 내지 10 ％ 부피 범위의 플루오르화수소, 및 0.05 ％ 내지 10 ％ 부피 범위의 알코올을 포함한다. 가스 혼합물은 90 ％ 내지 99.8 ％ 부피 범위의 불활성 가스, 0.1 ％ 내지 5 ％ 부피 범위의 플루오르화수소, 및 0.1 ％ 내지 5 ％ 부피 범위의 알코올을 포함한다.
본 개시의 적용가능성의 추가 영역들은 상세한 기술, 청구항들 및 도면들로부터 명백해질 것이다. 상세한 기술 및 특정한 예들은 예시의 목적들만을 위해 의도되었고, 본 개시의 범위를 제한하도록 의도되지 않았다.
본 개시는 상세한 기술 및 첨부한 도면들로부터 보다 완전히 이해될 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 본 개시에 따른 습식 세정 및 건조 전후 그리고 복구 후 기판을 예시하는 측단면도들이다.
도 2a는 본 개시에 따른 기판을 프로세싱하기 위해 폐쇄된 챔버 내에 배치된 회전 척의 일 예의 기능적 블록도이다.
도 2b는 도 2a의 회전 척의 평면도이다.
도 2c는 본 개시에 따른 기판을 프로세싱하기 위한 개방된 챔버에 배치된 회전 척의 일 예의 기능적 블록도이다.
도 3은 본 개시에 따른 기판을 프로세싱하기 위한 회전 척의 또 다른 예의 기능적 블록도이다.
도 4는 본 개시에 따른 기판을 프로세싱하기 위한 방법의 일 예를 예시하는 플로우차트이다.
도 5는 본 개시에 따른 기판을 프로세싱하기 위한 방법의 또 다른 예를 예시하는 플로우차트이다.
도 6은 본 개시에 따른 디바이스를 습식 프로세싱 디바이스 및 별도의 붕괴 복구 디바이스를 예시하는 기능적 블록도이다.
도 7은 본 개시에 따른 암 및 노즐을 활용하는 붕괴 복구 디바이스의 기능적 블록도이다.
도 8은 본 개시에 따른 샤워헤드를 활용하는 붕괴 복구 디바이스의 기능적 블록도이다.
도면들에서, 참조 번호들은 유사한 그리고/또는 동일한 엘리먼트들을 식별하기 위해 재사용될 수도 있다.
본 개시에 따른 시스템들 및 방법들은 HAR 구조체들을 포함하는 기판의 습식 프로세싱 및 건식 에칭에 관한 것이다. 습식 프로세싱 및 건식 에칭은 기판이 프로세싱된 후 습식 세정 툴에서 대기압에서 또는 대기압 근처에서 수행될 수 있다. 단일 하드웨어 디바이스에서 습식 프로세싱 및 건식 에칭의 조합은 다른 건조 프로세스들에 저렴한 대안을 제공하고, 프로세싱 시간을 거의 또는 전혀 추가하지 않는다. 대안적으로, 습식 프로세싱은 습식 프로세싱 툴에서 완료될 수 있고, 복구 프로세스는 별도의 복구 툴에서 수행될 수 있다.
일부 예들에서, 이소프로필알코올 (IPA) 과 같은 린싱 액체로의 노출 후, 가스 혼합물이 기판의 표면 상에 디스펜싱된다. 가스 혼합물은 플루오르화수소 (HF) 가스를 포함한다. 일부 예들에서, 가스 혼합물은 (용매 증기 또는 양성자 수용체 또는 OH-기를 갖는 컴포넌트와 같은) 제 2 반응성 컴포넌트 및/또는 캐리어 가스를 더 포함할 수도 있다.
일부 예들에서, 캐리어 가스는 분자 질소 (N2) 와 같은 불활성 가스를 포함한다. 그러나, 다른 불활성 가스들이 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 제 2 반응성 컴포넌트는 물 또는 알코올 (메탄올, IPA, 또는 다른 알코올) 을 포함한다. 다른 알코올들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 1 내지 4 개의 탄소 (C) 원자들을 갖는 알코올이 사용될 수 있다. 예를 들어, 2-프로판올 (IPA) 이 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 가스들을 혼합하는 방법은 N2와 IPA를 혼합한 다음 순수한 HF 가스를 IPA/N2 혼합물에 첨가하는 단계를 포함한다.
예를 들어, 용매의 흡착된 층이 형성되고, HF2가 생성된다. SiO2는 HF2와 반응하고 SiF4가 형성되어, SiO2 층의 증발 (에칭) 을 발생시킨다. 일부 예들에서, 가스 혼합물은 0.5 ％ 내지 5 ％ 부피 범위의 HF, 0.5 ％ 내지 2.5 ％ 부피 범위의 알코올, 및 92.5 ％ 내지 99 ％ 부피 범위의 불활성 가스를 포함한다.
일부 예들에서, 가스 혼합물은 농축된 수성 HF (45 ％ 내지 55 ％ 부피 범위의 HF 농도 (예를 들어, 49 ％ 부피)) 를 통해 캐리어 가스로서 N2 기체를 흘림으로써 생성된다. 다른 예들에서, 가스 혼합물은 (분자 질소와 같은) 불활성 가스와 알코올을 혼합하고, 불활성 가스와 알코올 혼합물에 순수한 HF를 첨가함으로써 준비된다.
다른 예들에서, 가스 혼합물은 80 ％ 내지 99.9 ％ 부피 범위의 불활성 가스, 0.05 ％ 내지 10 ％ 부피 범위의 HF, 0.05 ％ 내지 10 ％ 부피 범위의 알코올을 포함한다. 다른 예들에서, 가스 혼합물은 90 ％ 내지 99.8 ％ 부피 범위의 불활성 가스, 0.1 ％ 내지 5 ％ 부피 범위의 HF, 0.1 ％ 내지 5 ％ 부피 범위의 알코올을 포함한다.
다른 예들에서, 프로세싱 온도가 100 ℃보다 높으면 암모니아 (NH3), 또는 임의의 아민 (예를 들어, 에틸아민, 에틸렌다이아민, 피롤리딘) 이 가스 혼합물에 선택 가능하게 첨가된다. NH3의 첨가는 특히 (승화 온도 이상일 때) NH4F의 형성이 억제되고 휘발성 (NH4)2SiF4가 형성되는 100 ℃이상의 온도들에서 작용한다.
대안으로서, 프로세스는 린싱 액체가 기판으로부터 스핀 오프되고 기판이 비교적 건조된 후에 기판에 적용될 수 있다. 일부 예들에서, 프로세스는 린싱 액체가 존재하는 동안, 그리고 다시 린싱 액체가 스핀 오프되고 건조된 후 노출을 포함할 수 있다. 프로세스는 1 회 이상 반복될 수 있다.
일부 예들에서, 프로세스는 대기압에서 또는 대기압 근처에서 수행된다. 예를 들어, 기판 표면은 프로세싱 동안 900 내지 1100 헥토파스칼 (hPa) 범위의 압력에서 유지될 수도 있다. 일부 예들에서, 가스 혼합물은 기판의 표면에 걸쳐 스캐닝되는 노즐을 사용하여 기판에 전달된다. 대안적으로, 가스 혼합물은 또한 기판의 표면 위에 배치된 샤워헤드를 사용하여 기판으로 전달될 수 있다. 또한, 물 또는 암모니아 NH3 증기들 (가스들) 또는 아민들과 같은 프로세스를 잠재적으로 향상시킬 수 있는 증기들이 공급될 수 있다.
일부 예들에서, 프로세스는 20 ℃ 내지 400 ℃ 범위의 미리 결정된 온도에서 수행된다. 다른 예들에서, 프로세스는 50 ℃ 내지 150 ℃ 범위의 미리 결정된 온도에서 수행된다. HF 및 용매 증기의 분압은 특정한 프로세스 온도에서 1 mTorr와 각각의 최대 포화된 증기압 사이에서 가변할 수 있다.
건조 프로세스에 반응성 증기 (예를 들어, HF/용매 증기 조합) 를 첨가하는 것은 다른 IPA 건조 프로세스들에 대해 향상된 결과들을 제공한다. 일부 예들에서, 증기 에칭의 제어성은 방사상 가열을 갖는 기판 히터 및/또는 기판 위에서 스캔될 수 있는 노즐을 사용하여 수행된다. 하드웨어 및 화학물질 비용들을 감소시키는 것에 더하여, 본 명세서에 기술된 방법은 프로세스의 수율을 상승시킨다.
이제 도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 기판의 프로세싱이 도시된다. 도 1a에서, 습식 프로세싱 및 건조 전 기판 (10) 이 도시된다. 기판 (10) 은 하나 이상의 하부 층들 (14) 상에 규정된 HAR 구조체들 (12-1, 12-2, 12-3 및 12-4) (집합적으로 HAR 구조체들 (12)) 을 포함한다. 예를 들어, HAR 구조체들 (12) 은 필라들, 비아들, 트렌치들, 및/또는 다른 피처들을 포함한다. 도 1a의 기판 (10) 은 습식 프로세싱 및 건조를 겪는다.
도 1b에서, 습식 프로세싱 및 건조 후 기판 (10) 이 도시된다. HAR 구조체들 (12-2 및 12-3) 은 부분적으로 붕괴되고 서로를 향해 기울어진다. 일부 예들에서, 브리징 (bridging) 옥사이드 (20) 가 HAR 구조체들 (12-2 및 12-3) 사이에 형성된다. 형성될 수도 있는 브리징 옥사이드의 예들은 실리콘 옥사이드 (SiOx), 실리콘 옥시나이트라이드 (SiOxNy), 티타늄옥사이드 (TiOx) 등을 포함한다. 도 1c에서, 기판 (10) 은 브리징 옥사이드 (20) 가 제거되고 붕괴된 HAR 구조체들 (12-2 및 12-3) 이 복구되도록 본 명세서에 기술된 방법들을 사용하여 처리 후에 도시된다.
이제 도 2a를 참조하면, 습식 프로세싱 및 기판을 복구하기 위한 회전 척 (50) 의 일 예가 도시된다. 회전 척 (50) 은 회전 척 (56) 을 하우징하는 챔버 (52) 를 포함한다. 기판 (58) 은 회전 척 (50) 의 표면 상에 배치된다. 회전 척 (50) 은 액체가 기판 (58) 상으로 디스펜싱되는 동안 그리고/또는 액체를 스핀 오프하기 위해 기판 (58) 을 회전시킨다. 기판 (58) 은 임의의 적합한 메커니즘을 사용하여 회전 척 (50) 에 부착될 수도 있다. 예를 들어, 기판 (58) 은 그립핑 (gripping) 핀들 (59) 을 사용하여 회전 척 (50) 에 부착될 수 있다. 그립핑 핀들의 적합한 예들은 미국 특허 출원 일련 번호 제 15/232,594 호 (대리인 관리 번호 3877-1US) 인 공동으로 양도된 “Method and Apparatus for Processing Wafer-Shaped Articles”에 도시되고 기술되며, 이는 전체가 참조로서 본 명세서에 인용된다.
일부 예들에서, 회전 척 (56) 의 표면 (60) 은 투명하고, 가열기 (61) 는 표면 (60) 아래에 배치된다. 일부 예들에서, 가열기 (61) 는 기판 (60) 의 방사상 가열을 허용하기 위해 하나 이상의 방사상 존들 (zones) 에 배치되는 복수의 LED들 (Light Emitting Diodes) 을 포함한다. 일부 예들에서, 가열기 (61) 는 기판의 중심 위치로부터 방사상 외측 에지로 외측으로 이동하는 이동 열파 (heat wave) 를 제공하도록 작동될 수 있다. 일부 예들에서, 회전 척 (56) 이 회전하고, 가열기 (61) 는 고정되어 있다. 기판의 방사상 가열을 수행하는 회전 척의 적합한 예들이 미국 특허 출원 일련 번호 제 15/232,594 호에 도시되고 기술된다.
일부 예들에서, 회전 척 (56) 은 도시된 바와 같이 구동 샤프트 (shaft) (63) 를 통해 모터 (62) 에 의해 회전된다. 다른 예들에서, 모터 (62) 는 회전자와 고정자를 포함하고, 회전자는 물리적 콘택트 없이 자기적으로 구동된다. 적합한 예들이 공동으로 양도된 미국 특허 번호 제 6,485,531 호에 도시되고, 이는 전체가 참조로서 본 명세서에 인용된다. 린싱 액체는 모터 (70) 에 의해 기판 (58) 에 걸쳐 스캐닝되는 암 (64) 및 노즐 (66) 에 의해 전달된다. 밸브 (72) 가 액체 공급부 (74) 로부터 암 (64) 으로 린싱 액체를 선택적으로 공급한다.
또 다른 암 (84) (도 2a에 비활성 위치로 도시됨) 및 가스 노즐 (86) 은 이하에 더 기술될 바와 같이 플루오르화수소 (HF) 가스, 캐리어 가스, 및 제 2 반응성 컴포넌트 (예를 들어, 용매 증기 및/또는 암모니아 (NH3)) 중 하나 이상을 포함하는 가스 혼합물을 전달하도록 사용될 수도 있다. 일부 예들에서, 가스 노즐 (86) 의 유출구가 기판 (58) 의 표면의 미리 결정된 거리 내에 배치된다. 일부 예들에서, 미리 결정된 거리는 1 mm 내지 40 mm 범위 내이다. 일부 예들에서, 미리 결정된 거리는 2 mm 내지 2 cm 범위 내이다. 일부 예들에서, 가스 혼합물은 1 내지 50 m/s 범위 내의 미리 결정된 속도로 전달된다. 일부 예들에서, 가스 혼합물은 1 내지 20 slm 범위 내의 미리 결정된 플로우로 전달된다. 일부 예들에서, 노즐 (86) 의 오리피스의 단면적은 3 내지 30 mm2 범위 내이다.
모터 (90) 가 기판 (58) 에 걸쳐 노즐 (86) 을 스캔하도록 사용될 수도 있고, 밸브 (92) 가 가스 혼합물을 선택적으로 공급하도록 사용될 수도 있다. 가스 전달 시스템 (100) 이 증기 공급부 (102) 및 밸브 (104) 를 포함한다. 일부 예들에서, 증기 공급부 (102) 는 가열된 액체 앰플 (ampoule), 버블러 (bubbler) 또는 다른 기화기를 포함한다. 가스 전달 시스템 (100) 은 하나 이상의 가스 공급부들 (112-1, 112-2, …, 및 112-N) (집합적으로 가스 공급부들 (112)) 및 밸브들 (114-1, 114-2, …, 114-N) (집합적으로 밸브들 (114)) 을 더 포함한다. 선택 가능한 밸브 (92) 를 통한 전달 전 가스들 및 증기들이 혼합되게 하도록 선택 가능한 매니폴드 (110) 가 사용될 수도 있다. 일부 예들에서, 질량 유량 제어기들 (미도시) 이 가스들 및/또는 용매 증기를 보다 정확하게 제어하기 위해 제공된다. 제어기 (130) 가 밸브들, 모터들 및 가스 전달 시스템 (100) 을 제어한다.
도 2b에서, 암들 (64 및 84) 은 평면도로 도시된다. 암 (64) 은 기판 (58) 위 디스펜싱 위치에서 도시되지만 암 (84) 은 비활성 위치에서 도시된다. 암 (64) 은 기판 상에 린싱 액체를 디스펜싱하고, 린싱 액체는 스핀 오프된다. 린싱 액체를 디스펜싱한 후, 암 (64) 은 비활성 위치로 이동되고, 이하에 더 기술될 바와 같이 암 (84) 은 가스 혼합물을 디스펜싱한다.
이제 도 2c를 참조하면, 개방된 챔버를 갖는 회전 척이 또한 사용될 수 있다. 개방 챔버 회전 척의 추가 세부사항들이 공동으로 양도된 미국 특허 번호 제 9,484,229 호에 도시되고, 이는 전체가 참조로서 본 명세서에 인용된다. 회전 척 (150) 이 상단부에서 개방되는 챔버 (151) 에 배치된다. 챔버 (151) 의 하단부가 개방되거나 폐쇄될 수 있다. 챔버 (151) 는 하나 이상의 배기 채널들 (152) 을 규정한다. 일부 예들에서, 하나 이상의 배기 채널들 (152) 은 기판 (58) 을 포함하는 평면에 위치되고, 방사상 외측 방향으로 향하고, 그리고 진공 소스에 연결된다. 일부 예들에서, 진공 소스는 밸브 (153) 및 하나 이상의 배기 채널들 (152) 과 유체로 연통하는 펌프 (154) 를 포함한다.
일부 예들에서, 회전 척 (150) 은 그 위에 배치된 복수의 그립핑 핀들 (155) 및 기판 (58) 아래에 배치된 투명한 플레이트 (156) 를 포함한다. LED들을 포함하는 인쇄 회로 기판과 같은 가열기 (157) 가 기판 (58) 을 가열하기 위해 투명한 플레이트 (156) 아래에 배치될 수도 있다. 일부 예들에서, 가열기 (157) 는 세정 및/또는 복구 동안 사용되는 이동 열파를 생성한다. 이동 열파는 기판의 중심 위치로부터 기판의 방사상 외측 에지로 외측으로 이동한다. 일부 예들에서, 가열기 (157) 는 정지되어 있고, 회전 척 (150) 은 회전한다. 기판의 방사상 가열을 수행하는 회전 척의 적합한 예들은 미국 특허 출원 일련 번호 제 15/232,594 호에 도시되고 기술된다. 일부 예들에서, 팬 (fan) (158) 은 프로세싱 동안 챔버 (151) 의 상단 표면에 기류 (159) 를 공급한다.
이제 도 3을 참조하면, 기판을 프로세싱하기 위한 회전 척의 또 다른 예가 도시된다. 암 (84) 및 노즐 (86) 을 사용하는 대신, 가스 혼합물은 기판 (58) 의 표면 위에 배치된 샤워헤드 (136) 를 사용하여 디스펜싱된다. 샤워헤드를 통해 회전 척 상으로 가스를 전달하는 다른 적합한 예들은 공동으로 양도된 미국 특허 번호 제 8,926,788 호 및 공동으로 양도된 미국 특허 공개 번호 제 US2012/0131815 호 및 제 US2014/0026926 호에 도시되고 기술되고, 이들은 전체가 참조로서 본 명세서에 인용된다.
일부 예들에서, 샤워헤드 (136) 는 복수의 쓰루 홀들 (through holes) 을 포함하는 플레이트를 포함한다. 가스 혼합물은 가스 전달 시스템 (100) 및 밸브 (92) 에 의해 가스 플레넘 (plenum) (134) 으로 전달된다. 가스 혼합물은 기판 (58) 을 노출시키기 위해 가스 플레넘 (134) 내로, 샤워헤드 (136) 를 통해, 그리고 챔버 (52) 내로 흐른다. 일부 예들에서, 샤워헤드 (136) 및 가스 플레넘 (134) 의 수직 위치가 복구할 때 또는 붕괴를 방지할 때 가스 혼합물의 전달 전 하나 이상의 모터들 (170) 에 의해 기판에 보다 가까운 위치로 조정된다.
이제 도 4 및 도 5를 참조하면, 기판을 프로세싱하기 위한 방법들의 예들이 도시된다. 도 4에서, 기판을 프로세싱하기 위한 방법 (180) 이 도시된다. 도 5의 (184) 에서, 기판은 회전 척 상에 배치된다. (188) 에서, 회전 척은 회전된다. (192) 에서, 린싱 액체가 기판 상으로 디스펜싱된다. (194) 에서, 린싱 액체는 스핀 오프된다.
((198) 에서) 미리 결정된 기간 후, (202) 에서 가스 혼합물이 공급된다. 다른 예들에서, 가스 혼합물은 (194) 동안 오버랩핑 (overlapping) 방식으로 적용될 수 있다. 기판은 가스 혼합물을 적용할 때 회전하거나 회전하지 않을 수 있다.
일부 예들에서, 미리 결정된 기간은 0 내지 60 초 범위 내이다. 일부 예들에서 가스 혼합물은 린싱 단계 (192) 가 종료되기 전 공급되기 시작한다. 일부 예들에서, 가스 혼합물은 HF 가스 및 캐리어 가스를 포함한다. 가스 혼합물은 브리징 옥사이드를 제거함으로써 붕괴를 방지하고 그리고/또는 HAR 구조체들을 복구하기 위해 미리 결정된 기간 동안 전달된다.
도 5에서, 기판을 프로세싱하기 위한 방법 (210) 이 도시된다. 단계들 (184 내지 198) 은 상기 기술된 것들과 유사하다. 미리 결정된 기간 후 (198), 가스 혼합물이 (214) 에서 공급된다. 가스 혼합물은 HF 가스, 캐리어 가스 및 용매 증기와 암모니아 가스 중 적어도 하나를 포함한다. 가스 혼합물은 HAR 구조체들의 붕괴를 방지하고 그리고/또는 복구하기 위해 미리 결정된 기간 동안 전달된다. 특정한 이론에 한정되지 않고, HAR 구조체들의 붕괴 및/또는 복구는 Van der Waals 힘들, 수소 결합들 및 공유결합 옥사이드 브리지들과 같은 정지 마찰 힘들을 제거하기 위해 기판 상으로 HF 가스를 지향시킴으로써 발생한다.
일부 예들에서, 본 개시에 따른 복구 프로세스는 나노필라들 (30 nm의 직경, 90 nm의 피치 (pitch) 및 600 nm의 높이를 갖는 실리콘 (Si) 실린더들 (cylinders)) 을 포함하는 HAR 구조체들을 갖는 기판 상에서 테스트되었다. 복구 프로세스는 본 개시에 따른 복구 프로세스로 붕괴 백분율을 거의 90 ％에서 10 ％ 미만으로 감소시킨다.
이제 도 6 내지 도 8을 참조하면, 습식 프로세싱 및 붕괴 복구는 개별적인 디바이스들에서 수행될 수 있다. 도 6에서, 시스템 (288) 이 습식 프로세싱 단계를 수행하는 습식 프로세싱 디바이스 (290) 를 포함한다. 습식 프로세싱 디바이스 (290) 에서 습식 프로세싱 후, 기판은 붕괴 복구 디바이스 (300) 로 이동된다. 일부 예들에서, 습식 프로세싱 단계는 습식 세정을 포함한다. 일부 예들에서, 습식 프로세싱 단계는 회전 척에 의해 수행된다.
도 7에서, 붕괴 복구 디바이스 (300) 가 도시된다. 붕괴 복구 디바이스 (300) 는 챔버 (310) 및 기판 (314) 을 지지하기 위한 기판 지지부 (312) 를 포함한다. 기판 지지부 (312) 는 프로세싱 동안 기판 (314) 의 온도를 제어하기 위해 저항성 가열기와 같은 가열기 (320) 및/또는 냉각 채널들을 포함한다. 제어기 (130) 는 붕괴 복구를 수행하기 위해 모터 (90), 밸브 (92) 및 가스 전달 시스템 (100) 을 제어한다. 붕괴 복구 디바이스 (300) 가 습식 세정을 수행하지 않기 때문에, 습식 프로세싱 디바이스와 연관된 노즐들 및 회전 척은 생략되고, 붕괴 복구 디바이스 (300) 는 간소화될 수 있다.
도 8에서, 붕괴 복구 디바이스 (350) 의 또 다른 예가 도시된다. 도 7의 붕괴 복구 디바이스의 노즐 (86), 암 (84), 및 모터 (90) 는 기판 (314) 의 표면 위에 배치된 샤워헤드 (360) 에 의해 대체된다. 일부 예들에서, 샤워헤드 (360) 는 복수의 쓰루 홀들을 포함하는 플레이트를 포함한다. 가스 혼합물은 가스 전달 시스템 (100) 및/또는 밸브 (92) 에 의해 가스 플레넘 (362) 으로 전달된다. 가스 혼합물은 기판 (314) 을 노출시키기 위해 가스 플레넘 (362) 내로 그리고 샤워헤드 (360) 를 통해 흐른다.
전술한 기술은 본질적으로 단지 예시이고, 어떠한 방식으로도 본 개시, 이의 적용예, 또는 사용들을 제한하도록 의도되지 않는다. 본 개시의 광범위한 교시들은 다양한 형태들로 구현될 수 있다. 따라서, 본 개시가 특정한 예들을 포함하지만, 본 개시의 진정한 범위는 다른 수정들이 도면들, 명세서, 및 이하의 청구항들의 연구에 따라 분명해질 것이기 때문에 이렇게 제한되지 않아야 한다. 방법의 하나 이상의 단계들은 본 개시의 원리들을 변경하지 않고 상이한 순서로 (또는 동시에) 실행될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 실시예들 각각이 특정한 피처들을 갖는 것으로 상기 기술되었지만, 본 개시의 임의의 실시예에 대해 기술된 이들 피처들 중 임의의 하나 이상은, 조합이 명시적으로 기술되지 않더라도 임의의 다른 실시예들의 피처들에서 그리고/또는 피처들과 조합하여 구현될 수 있다. 즉, 기술된 실시예들은 상호 배타적이지 않고, 하나 이상의 실시예들의 또 다른 실시예들과의 치환들이 본 개시의 범위 내에 남는다.
엘리먼트들 간 (예를 들어, 모듈들, 회로 엘리먼트들, 반도체 층들, 등 간) 의 공간적 및 기능적 관계들은, "연결된 (connected)", "인게이지된 (engaged)", "커플링된 (coupled)", "인접한 (adjacent)", "옆에 (next to)", "상단에 (on top of)", "위에 (above)", "아래에 (below)", 및 "배치된 (disposed)" 을 포함하는, 다양한 용어들을 사용하여 기술된다. "직접적 (direct)" 으로 명시적으로 기술되지 않는 한, 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 간의 관계가 상기 개시에서 기술될 때, 그 관계는 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 다른 중개하는 엘리먼트들이 존재하지 않는 직접적인 관계일 수 있지만, 또한 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 (공간적으로 또는 기능적으로) 하나 이상의 중개하는 엘리먼트들이 존재하는 간접적인 관계일 수 있다. 본 명세서에서 논의된 바와 같이, 구 (phrase) A, B, 및 C 중 적어도 하나는 비배타적인 논리 OR를 사용하여 논리적으로 (A 또는 B 또는 C) 를 의미하는 것으로 해석되어야 하고, "적어도 하나의 A, 적어도 하나의 B, 및 적어도 하나의 C" 를 의미하도록 해석되지 않아야 한다.

Claims (42)

  1. 기판의 표면 상에 배치된 HAR (High Aspect Ratio : 고 종횡비) 구조체들을 처리하기 위한 방법에 있어서,
    a) 제 1 린싱 액체를 사용하여 기판의 표면을 스핀 린싱하는 (spin rinsing) 단계;
    b) 상기 기판의 상기 표면으로부터 상기 제 1 린싱 액체를 스핀 오프하는 (spin off) 단계; 및
    c) 상기 제 1 린싱 액체가 디스펜싱된 후 상기 기판의 상기 표면 상으로 플루오르화수소를 함유하는 가스 혼합물을 지향시키는 단계를 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플루오르화수소는 제 1 반응성 컴포넌트이고, 상기 가스 혼합물은 제 2 반응성 컴포넌트를 더 함유하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 반응성 컴포넌트는 양성자 수용체이고, 그리고/또는
    상기 제 2 반응성 컴포넌트는 OH-기를 포함하는 것 중 적어도 하나인, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 반응성 컴포넌트는 수증기, 알코올 증기, 암모니아 및 아민으로 구성된 그룹으로부터 선택되는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 단계 c) 는 상기 단계 b) 후 수행되는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 단계 c) 는 상기 단계 a) 후 60 초 내에 수행되는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 혼합물은 알코올 및 불활성 캐리어 가스를 더 함유하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 불활성 캐리어 가스는 분자 질소를 포함하고, 상기 알코올은 이소프로필 알코올을 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 혼합물은 상기 기판의 상기 표면으로부터 1 mm 내지 40 mm 범위 내에 위치된 노즐에 의해 전달되는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 혼합물은 1 m/s 내지 50 m/s 범위 내의 디스펜싱 속도로 노즐로부터 전달되는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 혼합물은 1 slm 내지 20 slm의 플로우 레이트로 노즐로부터 전달되는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 혼합물을 전달하는 노즐의 오리피스 (orifice) 의 단면적은 3 mm2 내지 30 mm2 범위 내인, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 a), 상기 단계 b), 상기 단계 c)는 20 ℃ 내지 400 ℃ 범위 내의 온도에서 수행되는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 a), 상기 단계 b), 상기 단계 c)는 50 ℃ 내지 150 ℃ 범위 내의 온도에서 수행되는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 a), 상기 단계 b), 상기 단계 c)는 상기 기판이 900 hPa 내지 1100 hPa 범위 내의 미리 결정된 압력에서 유지될 때 수행되는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 a), 상기 단계 b), 상기 단계 c)는 디바이스의 회전 척 상에 배치된 상기 기판으로 수행되는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 디바이스는,
    제 1 린싱 액체 소스 (source) 에 연결된 제 1 액체 디스펜서 (dispenser);
    용매 증기를 공급하기 위한 증기 공급부; 및
    상기 기판의 표면 상에 상기 가스 혼합물을 디스펜싱하기 위해 가스 소스 및 상기 증기 공급부에 연결된 가스 디스펜서를 더 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 가스 디스펜서는 샤워헤드를 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 가스 디스펜서는,
    암 (arm);
    노즐; 및
    상기 가스 혼합물이 공급되는 동안 상기 기판에 걸쳐 상기 암을 스캔하기 위한 모터를 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  20. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 a), 상기 단계 b), 상기 단계 c)는 100 ℃보다 높은 온도에서 수행되고, 그리고 상기 가스 혼합물은 암모니아를 더 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  21. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 린싱 액체는 유기, 물 혼화성 용매를 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  22. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 혼합물은 0.05 ％ 내지 10 ％ 부피 범위의 플루오르화수소, 0.05 ％ 내지 10 ％ 부피 범위의 알코올, 및 80 ％ 내지 99.9 ％ 부피 범위의 불활성 가스를 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  23. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 혼합물은 0.5 ％ 내지 5 ％ 부피 범위의 플루오르화수소, 0.5 ％ 내지 2.5 ％ 부피 범위의 알코올, 및 92.5 ％ 내지 99 ％ 부피 범위의 불활성 가스를 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  24. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 혼합물은 0.1 ％ 내지 5 ％ 부피 범위의 플루오르화수소, 0.1 ％ 내지 5 ％ 부피 범위의 알코올, 및 90 ％ 내지 99.8 ％ 부피 범위의 불활성 가스를 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 방법.
  25. 기판의 표면 상에 배치된 HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스에 있어서,
    기판을 회전시키기 위한 회전 척;
    상기 회전 척이 상기 기판을 회전시킬 때 제 1 린싱 액체를 사용하여 상기 기판의 표면을 린싱하기 위한 제 1 노즐; 및
    상기 제 1 린싱 액체가 디스펜싱된 후 상기 기판의 상기 표면 상으로 플루오르화수소를 함유하는 가스 혼합물을 지향시키기 위한 제 2 노즐을 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  26. 제 25 항에 있어서,
    제 1 린싱 액체 소스에 연결된 제 1 액체 디스펜서;
    제 2 반응성 컴포넌트를 공급하기 위한 증기 공급부; 및
    상기 기판의 표면 상에 상기 가스 혼합물을 디스펜싱하기 위해 가스 소스 및 상기 증기 공급부에 연결된 가스 디스펜서를 더 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  27. 제 25 항에 있어서,
    상기 플루오르화수소 및 제 2 반응성 컴포넌트를 혼합하기 위한 혼합 매니폴드를 더 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  28. 제 25 항에 있어서,
    상기 회전 척을 둘러싸는 개방된 챔버를 더 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  29. 제 25 항에 있어서,
    상기 회전 척을 둘러싸는 폐쇄된 챔버를 더 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  30. 제 25 항에 있어서,
    용매 증기를 공급하기 위한 증기 공급부를 더 포함하고, 상기 가스 혼합물은 상기 용매 증기를 더 함유하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 용매 증기는 수증기 및 알코올 증기로 구성된 그룹으로부터 선택되는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  32. 제 25 항에 있어서,
    상기 제 2 노즐은 상기 제 1 린싱 액체가 상기 기판을 스핀 오프한 후 상기 기판의 상기 표면 상으로 플루오르화수소를 함유하는 상기 가스 혼합물을 지향시키는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  33. 제 25 항에 있어서,
    상기 제 2 노즐은 상기 제 1 린싱 액체가 디스펜싱된 후 60 초 내에 상기 기판의 상기 표면 상에 플루오르화수소를 함유하는 상기 가스 혼합물을 지향시키는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  34. 제 25 항에 있어서,
    20 ℃ 내지 400 ℃ 범위 내의 온도로 상기 기판을 가열하기 위한 가열기를 더 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  35. 제 25 항에 있어서,
    50 ℃ 내지 150 ℃ 범위 내의 온도로 상기 기판을 가열하기 위한 가열기를 더 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  36. 제 25 항에 있어서,
    상기 기판은 900 hPa 내지 1100 hPa 범위 내의 미리 결정된 압력에서 유지되는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  37. 제 25 항에 있어서,
    100 ℃보다 높은 온도로 상기 기판을 가열하기 위한 가열기를 더 포함하고, 상기 가스 혼합물은 암모니아를 더 함유하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  38. 제 25 항에 있어서,
    상기 회전 척의 회전, 상기 제 1 노즐로부터의 상기 제 1 린싱 액체의 디스펜싱, 및 상기 제 2 노즐로부터의 상기 가스 혼합물의 디스펜싱을 제어하기 위한 제어기를 더 포함하는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  39. 제 25 항에 있어서,
    상기 제 2 노즐은 상기 기판의 상기 표면으로부터 1 mm 내지 40 mm 범위 내에 위치되는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  40. 제 25 항에 있어서,
    상기 가스 혼합물은 1 m/s 내지 50 m/s 범위 내의 디스펜싱 속도로 상기 제 2 노즐로부터 전달되는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  41. 제 25 항에 있어서,
    상기 가스 혼합물은 1 slm 내지 20 slm의 플로우 레이트로 상기 제 2 노즐로부터 전달되는, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
  42. 제 25 항에 있어서,
    상기 제 2 노즐의 오리피스의 단면적은 3 mm2 내지 30 mm2 범위 내인, HAR 구조체들을 처리하기 위한 디바이스.
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