CN108475630B - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

基板处理装置包括：基板保持单元，用于保持基板；旋转单元，使被所述基板保持单元保持的基板绕规定的第一旋转轴线旋转，所述第一旋转轴线通过该基板的主面的中央部；喷嘴，所述喷嘴被设置为能够绕规定的第二旋转轴线自转，并向所述基板的主面喷出处理流体，并且所述喷嘴具有多个喷出口，所述多个喷出口配置在与所述第二旋转轴线分离的位置上；喷嘴臂，用于支承所述喷嘴；喷嘴自转单元，使所述喷嘴绕所述第二旋转轴线自转；处理流体供给单元，向所述多个喷出口供给处理流体；喷嘴移动单元，通过使所述喷嘴臂移动，从而使所述喷嘴在中央部处理位置与周缘部处理位置之间移动，所述中央部处理位置是向基板的主面的中央部供给从所述喷嘴喷出的处理流体的位置，所述周缘部处理位置是向所述基板的主面的周缘部供给从所述喷嘴喷出的处理流体的位置。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
在半导体装置或液晶显示装置的制造工序中，为了利用处理液对半导体晶片或液晶显示面板用玻璃基板等基板的主面进行处理，有时使用逐张处理基板的单张式基板处理装置。
该单张式基板处理装置例如包括：旋转卡盘，用于将基板保持为近似水平姿势并使该基板旋转；喷嘴，用于向被旋转卡盘保持的基板的主面喷出处理液；喷嘴臂，用于支承喷嘴；喷嘴移动单元，使喷嘴臂移动，从而使从喷嘴喷出的处理液的着落位置沿着通过基板的旋转中心的规定轨迹移动。在将多种处理液用于基板处理的情况下，设置与各处理液对应的喷嘴。
为了提高生产率，期望减少喷嘴臂的数量，因此，以往，如下述的专利文献1、2所述，提出了一种将互不相同的处理液用的喷出口由一个喷嘴臂保持的结构。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2014-072234号公报
专利文献2：日本特开2014-072439号公报
发明内容
发明所要解决的问题
如专利文献1及专利文献2所述，在将具有多个喷出口的喷嘴由一个喷嘴臂保持的情况下，在喷嘴配置在与基板的主面周缘部相向的周缘部处理位置上的状态下，多个喷出口与旋转轴线的距离互不相同。该情况下，当以向基板的周缘区域(周端缘附近的狭窄区域)喷出从一个喷出口喷出的处理液的方式设定喷嘴的周缘部处理位置时，从其他喷出口喷出的处理液的供给位置有可能从所述周缘区域偏离。在所述供给位置相对于所述周缘区域向旋转半径方向的内侧偏离的情况下，可能无法处理所述周缘区域。
因此，本发明的目的在于提供一种在从喷嘴的多个喷出口中的任一喷出口喷出处理流体的情况下，均能向基板的主面周缘部良好地供给从该喷出口喷出的处理流体的基板处理装置及基板处理方法。
用于解决问题的手段
本发明提供一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：基板保持单元，用于保持基板；旋转单元，使被所述基板保持单元保持的基板绕规定的第一旋转轴线旋转，所述第一旋转轴线通过该基板的主面的中央部；喷嘴，所述喷嘴被设置为能够绕规定的第二旋转轴线自转，并向所述基板的主面喷出处理流体，并且所述喷嘴具有多个喷出口，所述多个喷出口配置在与所述第二旋转轴线分离的位置上；喷嘴臂，用于支承所述喷嘴；喷嘴自转单元，使所述喷嘴绕所述第二旋转轴线自转；处理流体供给单元，向所述多个喷出口供给处理流体；喷嘴移动单元，通过使所述喷嘴臂移动，从而使所述喷嘴在中央部处理位置与周缘部处理位置之间移动，所述中央部处理位置是向基板的主面的中央部供给从所述喷嘴喷出的处理流体的位置，所述周缘部处理位置是向所述基板的主面的周缘部供给从所述喷嘴喷出的处理流体的位置。
根据该结构，使具有多个喷出口的喷嘴在中央部处理位置与周缘部处理位置之间移动。此外，该喷嘴被设置为能够绕第二旋转轴线自转。通过使喷嘴自转，能够变更多个喷出口中的期望的喷出口与第一旋转轴线之间的距离。因此，能够在喷嘴的周缘部处理位置上，将多个喷出口中的期望的喷出口配置为向基板的主面周缘部供给从该喷出口喷出的处理流体。由此，在从喷嘴的多个喷出口中的任一喷出口喷出处理流体的情况下，均能向基板的主面周缘部良好地供给从该喷出口喷出的处理流体。
本发明的一个实施方式中，所述处理流体供给单元向所述多个喷出口供给种类互不相同的处理流体。
根据该结构，从多个喷出口喷出种类互不相同的处理流体。能够在喷嘴的周缘部处理位置上，将多个喷出口中的期望的喷出口配置为向基板的主面周缘部供给从该喷出口喷出的处理流体。因此，在从喷嘴喷出任一种处理流体的情况下，均能向基板的主面周缘部良好地供给来自喷嘴的处理流体。
所述基板处理装置还可以包括第一姿势控制装置，所述第一姿势控制装置根据应从所述喷嘴喷出的处理流体的种类，通过所述喷嘴自转单元控制所述喷嘴的旋转方向姿势。
根据该结构，根据应从喷嘴喷出的处理流体的种类，控制喷嘴的旋转方向姿势。该情况下，能够将喷出作为喷出对象的处理流体的喷出口配置为向基板的主面周缘部供给从该喷出口喷出的处理流体。由此，在从喷嘴喷出多种处理流体的情况下，均能向基板的主面周缘部良好地供给喷出对象的处理流体。
所述基板处理装置还可以包括第二姿势控制装置，所述第二姿势控制装置通过所述喷嘴自转单元来控制所述喷嘴的旋转方向姿势，使得在所述周缘部处理位置上，所述多个喷出口中的喷出对象的喷出口配置在比其他喷出口更远离所述第二旋转轴线的位置上。
根据该结构，在进行使用处理流体的工序时，喷嘴的旋转方向姿势被控制为在喷嘴的周缘部处理位置上，多个喷出口中的喷出对象的喷出口比其他喷出口更远离第二旋转轴线的规定的旋转方向姿势。由此，在喷嘴的周缘部处理位置，能够将多个喷出口中的期望的喷出口配置为向基板的主面周缘部供给从该喷出口喷出的处理流体。
所述多个喷出口与所述第二旋转轴线的距离可以相等。
根据该结构，在喷嘴的周缘部处理位置上，通过使喷嘴自转来变更该喷嘴的旋转方向姿势，能够将多个喷出口中的喷出对象的喷出口相对于基板的相对位置保持在恒定的位置。由此，能够向基板的主面周缘部更高精度地供给从该喷出口喷出的处理流体。
此外，所述多个喷出口与所述第二旋转轴线的距离可以互不相同。
根据该结构，能够在喷嘴的周缘部处理位置，使多个喷出口中的喷出对象的喷出口配置在相差微小量的位置上。
本发明提供一种基板处理方法，所述基板处理方法包括：准备喷嘴的工序，所述喷嘴被设置为能够绕规定的第二旋转轴线自转，并且向所述基板的主面喷出处理流体，所述第二旋转轴线通过被基板保持单元保持的基板的主面，并且所述喷嘴具有多个喷出口，所述多个喷出口配置在与所述第二旋转轴线分离的位置上；喷嘴移动工序，使所述喷嘴沿所述基板的主面在中央部处理位置与周缘部处理位置之间移动，所述中央部处理位置是所述喷嘴与所述基板的主面的中央部相向的位置，所述周缘部处理位置是所述喷嘴与所述基板的主面的周缘部相向的位置；姿势控制工序，根据应从所述喷嘴喷出的处理流体的种类，使所述喷嘴绕所述第二旋转轴线自转，来控制该喷嘴的旋转方向姿势。
根据该方法，在进行使用处理流体的工序时，根据应从喷嘴喷出的处理流体的种类，控制喷嘴的旋转方向姿势。该情况下，能够将喷出作为喷出对象的处理流体的喷出口配置为向基板的主面周缘部供给从该喷出口喷出的处理流体。由此，在从喷嘴的多个喷出口中的任一喷出口喷出处理流体的情况下，均能向基板的主面周缘部良好地供给从该喷出口喷出的处理流体。
所述姿势控制工序可以包括如下工序，即，使所述喷嘴绕所述第二旋转轴线自转，来控制该喷嘴的旋转方向姿势，使得所述多个喷出口中的喷出对象的喷出口配置在比其他喷出口更远离所述第一旋转轴线的位置上。
根据该方法，在进行使用处理流体的工序时，喷嘴的旋转方向姿势被控制为在喷嘴的周缘部处理位置上，多个喷出口中的喷出对象的喷出口比其他喷出口更远离第一旋转轴线的规定的旋转方向姿势。由此，能够在喷嘴的周缘部处理位置上，将多个喷出口中的期望的喷出口配置为向基板的主面周缘部供给从该喷出口喷出的处理流体。
根据参照附图而说明的下述实施方式，本发明的上述的或其他目的，特征及效果将变得显而易见。
附图说明
图1是从水平方向观察本发明的一个实施方式的基板处理装置的图。
图2是示出上述基板处理装置具备的上述喷嘴周边结构的剖视图。
图3是上述喷嘴的喷嘴体的仰视图。
图4是用于说明上述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。
图5是用于说明由基板处理装置进行的第一基板处理例的流程图。
图6是用于说明在使用第一处理流体的工序中上述喷嘴的旋转方向姿势的俯视图。
图7是用于说明在使用第二处理流体的工序中上述喷嘴的旋转方向姿势的俯视图。
图8是用于说明在使用第三处理流体的工序中上述喷嘴的旋转方向姿势的俯视图。
图9是用于说明在使用第四处理流体的工序中上述喷嘴的旋转方向姿势的俯视图。
图10是用于说明由基板处理装置进行的第二基板处理例的流程图。
图11是本发明另一实施方式的基板处理装置具备的喷嘴的仰视图。
图12A～图12D是用于说明在使用第一～第四处理流体的工序中喷嘴的旋转方向姿势的俯视图。
图13是用于说明由上述基板处理装置进行的基板处理例的剖视图。
具体实施方式
图1是在水平方向观察本发明的一个实施方式的基板处理装置1的图。
基板处理装置1是由处理流体(处理液或处理气体)逐张处理半导体晶片等圆板状基板W的单张式装置。基板处理装置1包括：处理单元2，使用处理液体处理基板W；以及控制装置(第一及第二姿势控制装置)3，控制基板处理装置1具备的装置的动作和阀的开闭等。
各处理单元2为单张式单元。各处理单元2包括：箱形的腔室4，具有内部空间；旋转卡盘(基板保持单元)5，在腔室4内以水平姿势保持一张基板W，使基板W绕通过基板W中心的铅垂旋转轴线(第一旋转轴线)A1进行旋转；喷嘴6，用于向由旋转卡盘5保持的基板W的上表面(主面)供给处理流体；喷嘴臂7，支承喷嘴6；喷嘴移动单元8，通过使喷嘴臂7绕铅垂的摆动轴线A2摆动(移动)，而使喷嘴6沿着基板W上表面移动；处理流体供给单元9，向喷嘴6供给处理流体；以及筒状的杯10，包围旋转卡盘5的周围。
腔室4包括：箱状的隔离壁11，收纳旋转卡盘5和喷嘴6；作为送风单元的FFU(风机过滤机组)12，从隔离壁11的上部向隔离壁11内吹送清洁空气(由过滤器过滤后的空气)；以及排气管13，从隔离壁11的下部排出腔室4内的气体。FFU12配置在隔离壁11的上方，安装在隔离壁11的顶板。FFU12从隔离壁11的顶板向下对腔室4内吹送清洁空气。排气管13连接到杯10的底部，向在设置基板处理装置1的工厂中所设置的排气处理设备导出腔室4内的气体。由此，由FFU12及排气管13形成在腔室4内向下方流动的下降流(down flow)。在腔室4内形成有下降流的状态下进行基板W的处理。
采用在水平方向上夹持基板W并且水平地保持基板W的夹持式卡盘作为旋转卡盘5。具体而言，旋转卡盘5包括：旋转电动机(基板旋转机构)14；旋转轴15，与该旋转电动机14的驱动轴一体化；以及圆板状的旋转基座16，大致水平地安装在旋转轴15的上端。
在旋转基座16的上表面的周缘部配置有多个(3个以上，例如6个)夹持构件17。在旋转基座16的上表面周缘部，多个夹持构件17在与基板W的外周形状对应的圆周上隔开适当的间隔而配置。
此外，作为旋转卡盘5，并不限于夹持式卡盘，例如也可以采用真空吸附式卡盘(真空卡盘)，该真空吸附式卡盘通过对基板W的背面进行真空吸附，从而以水平姿势保持基板W，并且在该状态下使该基板W绕铅垂的旋转轴线进行旋转，由此使旋转卡盘5所保持的基板W旋转。
喷嘴6具有作为扫描喷嘴的基本形态，该扫描喷嘴能够变更向基板W的上表面供给处理流体的供给位置。喷嘴6安装在喷嘴臂7的顶端部。喷嘴臂7从上方支承喷嘴6。喷嘴移动单元8通过使喷嘴臂7绕在杯10的侧方铅垂延伸的摆动轴线A2进行摆动，能够使来自在处理位置配置的喷嘴6的处理流体的供给位置(处理液的着落位置或处理气体的吹送位置)沿着俯视下通过基板W中央部的圆弧状的轨迹X水平移动。
喷嘴移动单元8使喷嘴6在处理位置与原始位置之间移动，该处理位置是向基板W的上表面供给从喷嘴6喷出的处理流体的位置，该原始位置是在俯视下设定在旋转卡盘5的周围的位置。进一步地，喷嘴移动单元8使喷嘴6在中央部处理位置PC(图6～图9中虚线所示的位置。换言之，喷嘴6的后述的旋转轴线(第二旋转轴线)A3与旋转轴线A1大致一致的位置)与周缘部处理位置PE(图6～图9中实线所示的位置)之间水平移动，在该中央部处理位置PC上向基板W的上表面中央部供给从喷嘴6喷出的处理流体(喷嘴6的下表面(喷嘴体21的下表面21a)与基板W的上表面中央部相向)，在该周缘部处理位置PE上向基板W的上表面周缘部供给从喷嘴6喷出的处理流体(喷嘴6的下表面(喷嘴体21的下表面21a)与基板W的上表面周缘部相向)。中央部处理位置PC及周缘部处理位置PE均为处理位置。
图2是示出喷嘴6的周边结构的剖视图。图3是喷嘴6的喷嘴体21的仰视图。
喷嘴6包括：喷嘴体21，具有第一喷出口31、第二喷出口36、第三喷出口41以及第四喷出口46(以下，在统称这些喷出口时，有时称其为“喷出口31、36、41、46”)；以及筒状的罩22，包围喷嘴体21的侧方。喷嘴体21被喷嘴臂7支承为，能够使喷嘴体21绕旋转轴线(第二旋转轴线)A3进行自转。与此相对，罩22被喷嘴臂7支承为静止状态。
喷嘴体21构成为上下延伸的外廓筒状(本实施方式中为圆柱状)。各喷出口31、36、41、46形成在喷嘴体21的下表面21a，铅垂向下地喷出处理流体。如图3所示，多个喷出口31、36、41、46在圆周方向上等间隔地配置。多个喷出口31、36、41、46与旋转轴线A3的距离相等。
如图2所示，喷嘴臂7的顶端部设置有在铅垂方向上延伸的喷嘴旋转轴23，该喷嘴旋转轴23可以绕旋转轴线A3旋转。喷嘴旋转轴23上结合有用于使喷嘴旋转轴23旋转的喷嘴自转单元24。此外，喷嘴旋转轴23上安装有保持架25。在保持架25的下方安装有喷嘴体21。
在喷嘴体21的内部插通有第一处理流体配管32、第二处理流体配管37、第三处理流体配管42以及第四处理流体配管47。第一～第四处理流体配管32、37、42、47在上下方向延伸。在第一处理流体配管32的下游端设置的开口形成第一喷出口31。在第二处理流体配管37的下游端设置的开口形成第二喷出口36。在第三处理流体配管42的下游端设置的开口形成第三喷出口41。在第四处理流体配管47的下游端设置的开口形成第四喷出口46。即，第一～第四处理流体配管32、37、42、47分别具有作为处理流体喷嘴的功能。
如图2所示，处理流体供给单元9包括连接到第一处理流体配管32的第一处理流体供给配管33、连接到第二处理流体配管37的第二处理流体供给配管38、连接到第三处理流体配管42的第三处理流体供给配管43以及连接到第四处理流体配管47的第四处理流体供给配管48。第一～第四处理流体供给配管33、38、43、48中与各自对应的第一～第四处理流体配管32、37、42、47连接的连接部分利用挠性管而形成。因此，喷嘴体21的自转被容许在规定角度范围内。因此，喷嘴体21(喷嘴6)的旋转方向姿势可以变更。
在第一处理流体供给配管33上安装有：第一处理流体阀34，用于开闭第一处理流体供给配管33，向第一喷出口31供给/停止供给处理流体；以及第一流量调整阀35，用于调节第一处理流体供给配管33的开度，调整向第一喷出口31供给的处理流体的流量。尽管未图示，但第一流量调整阀35包括在内部设置有阀座的阀体、开闭阀座的阀芯以及使阀芯在开位置与闭位置之间移动的致动器。其他流量调整阀也是同样。
在第二处理流体供给配管38上安装有：第二处理流体阀39，用于开闭第二处理流体供给配管38，向第二喷出口36供给/停止供给处理流体；以及第二流量调整阀40，用于调节第二处理流体供给配管38的开度，调整向第二喷出口36供给的处理流体的流量。在第三处理流体供给配管43上安装有：第三处理流体阀44，用于开闭第三处理流体供给配管43，向第三喷出口41供给/停止供给处理流体；以及第三流量调整阀45，用于调节第三处理流体供给配管43的开度，调整向第三喷出口41供给的处理流体的流量。在第四处理流体供给配管48上安装有：第四处理流体阀49，用于开闭第四处理流体供给配管48，向第四喷出口46供给/停止供给处理流体；以及第四流量调整阀50，用于调节第四处理流体供给配管48的开度，调整向第四喷出口46供给的处理流体的流量。
第一处理流体、第二处理流体、第三处理流体以及第四处理流体是种类互不相同的处理流体。这些处理流体是处理液或者处理气体。
处理液是药液(清洗药液或蚀刻液)或水。药液例如是含有硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如TMPH：四甲基氢氧化铵等)、表面活性剂、防腐剂中的至少一种的液体。水例如是去离子水(DIW)，但不限于DIW，也可以是碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水及稀释浓度(例如10ppm～100ppm左右)的盐酸水中的任一种。
处理气体包括非活性气体或者处理液的蒸汽。非活性气体例如是含有氮气、氩气、干燥空气、清洁空气、氦气中的至少一种的气体。
通过打开第一处理流体阀34，从第一喷出口31喷出第一处理流体。此时，通过关闭其他处理流体阀(第二～第四处理流体阀39、44、49)，能够从喷嘴6喷出第一处理流体。
通过打开第二处理流体阀39，从第二喷出口36喷出第二处理流体。此时，通过关闭其他处理流体阀(第一、第三及第四处理流体阀34、44、49)，能够从喷嘴6喷出第二处理流体。
通过打开第三处理流体阀44，从第三喷出口41喷出第三处理流体。此时，通过关闭其他处理流体阀(第一、第二及第四处理流体阀34、39、49)，能够从喷嘴6喷出第三处理流体。
通过打开第四处理流体阀49，从第四喷出口46喷出第四处理流体。此时，通过关闭其他处理流体阀(第一～第三处理流体阀34、39、44)，能够从喷嘴6喷出第四处理流体。
喷嘴自转单元24根据后述的各处理工序(S3～S8、T3～T9)的处理内容，选择喷嘴体21的旋转方向姿势。本实施方式中，在一个处理工序(S3～S8、T3～T9)中，喷嘴6的旋转方向姿势不被变更而保持恒定。
本实施方式中，喷嘴自转单元24将喷嘴6的旋转方向姿势在第一姿势P1(图6所示的姿势)、第二姿势P2(图7所示的姿势)、第三姿势P3(图8所示的姿势)以及第四姿势P4(图9所示的姿势)共计四个姿势之间进行切换。第一～第四姿势P1～P4(以下，在统称为“姿势P1～P4”时，有时称其为“喷出口31、36、41、46”)的相位在绕旋转轴线A3的旋转方向上相差90°。
喷嘴6的第一姿势P1(图6所示的姿势)是在喷嘴6移动到周缘部处理位置PE的配置状态下，第一喷出口31配置在比其他喷出口36、41、46更远离旋转轴线A1的位置上的姿势。更具体而言，喷嘴6的第一姿势P1还是在喷嘴6移动到周缘部处理位置PE的配置状态下，从第一喷出口31供给第一处理流体的供给位置位于轨迹X上的姿势。在从喷嘴6喷出第一处理流体的工序(例如后述的HF工序(S3、T3))中，喷嘴6为第一姿势P1(图6所示的姿势)。
喷嘴6的第二姿势P2(图7所示的姿势)是在喷嘴6移动到周缘部处理位置PE的配置状态下，第二喷出口36配置在比其他喷出口31、41、46更远离旋转轴线A1的位置上的姿势。更具体而言，喷嘴6的第二姿势P2还是在喷嘴6移动到周缘部处理位置PE的配置状态下，从第二喷出口36供给第二处理流体的供给位置位于轨迹X上的姿势。在从喷嘴6喷出第二处理流体的工序(例如后述的冲洗工序(S4、S6、T4、T6、T8))中，喷嘴6为第二姿势P2(图7所示的姿势)。
喷嘴6的第三姿势P3(图8所示的姿势)是在喷嘴6移动到周缘部处理位置PE的配置状态下，第三喷出口41配置在比其他喷出口31、36、46更远离旋转轴线A1的位置上的姿势。更具体而言，喷嘴6的第三姿势P3还是在喷嘴6移动到周缘部处理位置PE的配置状态下，从第三喷出口41供给第三处理流体的供给位置位于轨迹X上的姿势。在从喷嘴6喷出第三处理流体的工序(例如后述的SC1工序(S5、T5))中，喷嘴6为第三姿势P3(图8所示的姿势)。
喷嘴6的第四姿势P4(图9所示的姿势)是在喷嘴6移动到周缘部处理位置PE的配置状态下，第四喷出口46位于比其他喷出口31、36、41更远离旋转轴线A1的位置上的姿势。更具体而言，喷嘴6的第四姿势P4还是在喷嘴6移动到周缘部处理位置PE的配置状态下，从第四喷出口46供给第四处理流体的供给位置位于轨迹X上的姿势。在从喷嘴6喷出第四处理流体的工序(例如后述的旋转干燥工序(S6)及后述的SC2工序(T7))中，喷嘴6为第四姿势P4(图9所示的姿势)。
如上所述，本实施方式中，多个喷出口31、36、41、46与旋转轴线A1的距离相等。此外，在第一～第四姿势P1～P4下，从喷出对象的喷出口喷出的处理流体的供给位置比从其他喷出口喷出的处理流体的供给位置更远离旋转轴线A1，并且配置在轨迹X上的位置。即，当喷嘴6位于周缘部处理位置PE时，在第一～第四姿势P1～P4下从喷出对象的喷出口喷出的处理流体的供给位置是恒定的。
杯10配置在由旋转卡盘5保持的基板W的外侧(远离旋转轴线A1的方向)。杯10包围旋转基座16。在旋转卡盘5使基板W旋转的状态下，当从喷嘴6向基板W供给作为处理流体的处理液(药液或冲洗液)时，供给至基板W的处理液被甩向基板W的周围。当向基板W供给处理液时，向上开口的杯10的上端部10a配置在旋转基座16的上方。因此，向基板W的周围排出的处理液被杯10接住。然后，被杯10接住的处理液被输送给未图示的回收装置或废液装置。
图4是用于说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。
控制装置3例如利用微型计算机而构成。控制装置3具有CPU等运算单元、固定存储器设备、硬盘驱动器等存储单元以及输入输出单元。存储单元中存储有运算单元执行的程序。
控制装置3根据预先设定的程序，控制旋转电动机14、喷嘴移动单元8、喷嘴自转单元24等的动作。此外，控制装置3控制第一处理流体阀34、第二处理流体阀39、第三处理流体阀44以及第四处理流体阀49的开闭动作，并且控制第一流量调整阀35、第二流量调整阀40、第三流量调整阀45以及第四流量调整阀50的流量调整。
图5是用于说明由基板处理装置1进行的第一基板处理例的流程图。图6是用于说明在HF工序(S3：利用第一处理流体的工序)中喷嘴6(喷嘴体21)的旋转方向姿势的俯视图。图7是用于说明在冲洗工序(S4、S6：利用第二处理流体的工序)中喷嘴6(喷嘴体21)的旋转方向姿势的俯视图。图8是用于说明在SC1工序(S5：利用第三处理流体的工序)中喷嘴6(喷嘴体21)的旋转方向姿势的俯视图。图9是用于说明在旋转干燥工序(S7：利用第四处理流体的工序)中喷嘴6(喷嘴体21)的旋转方向姿势的俯视图。
下面，参照图1、图4及图5，说明第一基板处理例。适当参照图6～图9。第一基板处理例是清洗处理。
第一基板处理例中，作为处理流体，使用作为清洗药液的氢氟酸(稀释氢氟酸)以及SC1(含有NH4OH与H2O2的混合液)、作为冲洗液的水、作为非活性气体的氮气。具体而言，从第一处理流体供给配管33供给至第一处理流体配管32并从第一喷出口31喷出的处理流体是氢氟酸。从第二处理流体供给配管38供给至第二处理流体配管37并从第二喷出口36喷出的处理流体是水。从第三处理流体供给配管43供给至第三处理流体配管42并从第三喷出口41喷出的处理流体是SC1。从第四处理流体供给配管48供给至第四处理流体配管47并从第四喷出口46喷出的处理流体是氮气。
在进行清洗处理时，向腔室4的内部搬入未清洗的基板W(步骤S1)。具体而言，在喷嘴6位于从旋转卡盘5的上方退避的退避位置上的状态下，控制装置3使保持有基板W的基板搬送机械手(未图示)的手部(未图示)进入腔室4的内部。由此，基板W在作为处理对象的主面(处理对象面。例如，器件形成面)朝向上方的状态下被交给给旋转卡盘5，并且被旋转卡盘5保持。
在旋转卡盘5保持基板W后，控制装置3通过旋转电动机14使基板W在旋转方向R1开始旋转(步骤S2)。基板W上升至预先设定的液体处理速度(例如约300rpm)，并维持在该液体处理速度。
此外，控制装置3通过控制喷嘴移动单元8，使喷嘴6从退避位置向上述的处理位置移动。由此，喷嘴6配置在处理位置上。
接着，进行向基板W的上表面供给氢氟酸(HF)的HF工序(步骤S3)。在进行HF工序(S3)前，控制装置3控制喷嘴自转单元24，将喷嘴6的旋转方向姿势控制为第一姿势P1(图6所示的姿势)(姿势控制工序)。
具体而言，为了进行HF工序(S3)，控制装置3打开第一处理流体阀34。由此，从喷嘴6的第一喷出口31以由第一流量调整阀35调整过的流量喷出氢氟酸。从喷嘴6喷出的氢氟酸着落在基板W的上表面。此外，HF工序(S3)中，控制装置3通过控制喷嘴移动单元8来使喷嘴臂7摆动，从而使喷嘴6在中央部处理位置PC与周缘部处理位置PE之间移动。由此，氢氟酸着落在基板W的上表面的着落位置沿着轨迹X在基板W的上表面的中央部与该上表面的周缘部之间移动。因此，氢氟酸的着落位置通过基板W的整个上表面，扫描基板W的整个上表面，向基板W的整个上表面供给氢氟酸，均匀地处理基板W的整个上表面。当喷嘴6配置在周缘部处理位置PE时，第一喷出口31与基板W的上表面的周缘部(尤其是从基板W的外周端起数mm宽的周缘区域Ph)相向。此时，从第一喷出口31喷出的氢氟酸(从喷嘴6喷出的氢氟酸)着落在基板W的上表面的周缘部(尤其是从基板W的外周端起数mm宽的周缘区域Ph)。
当从开始喷出氢氟酸起经过预先设定的期间时，控制装置3关闭第一处理流体阀34，停止喷出氢氟酸。由此，HF工序(S3)结束。
接着，进行向基板W的上表面供给作为冲洗液的水的冲洗工序(步骤S4)。在进行冲洗工序(S4)前，控制装置3控制喷嘴自转单元24，将喷嘴6的旋转方向姿势控制为第二姿势P2(图7所示的姿势)(姿势控制工序)。
具体而言，为了进行冲洗工序(S4)，控制装置3打开第二处理流体阀39。由此，从喷嘴6的第二喷出口36以由第二流量调整阀40调整过的流量喷出水。从喷嘴6喷出的水着落在基板W的上表面。此外，冲洗工序(S4)中，控制装置3通过控制喷嘴移动单元8来使喷嘴臂7摆动，从而使喷嘴6在中央部处理位置PC与周缘部处理位置PE之间移动。由此，水着落在基板W的上表面的着落位置沿着轨迹X在基板W的上表面的中央部与该上表面的周缘部之间移动。因此，水的着落位置通过基板W的整个上表面，扫描基板W的整个上表面，向基板W的整个上表面供给水，在基板W的整个上表面氢氟酸被置换为水。当喷嘴6配置在周缘部处理位置PE时，第二喷出口36与基板W的上表面的周缘部(尤其是从基板W的外周端起数mm宽的周缘区域Ph)相向。此时，从第二喷出口36喷出的水(从喷嘴6喷出的水)着落在基板W的上表面周缘部(尤其是从基板W的外周端起数mm宽的周缘区域Ph)。
当从开始喷出水起经过预先设定的期间时，控制装置3关闭第二处理流体阀39，停止喷出水。由此，冲洗工序(S4)结束。
接着，进行向基板W的上表面供给SC1的SC1工序(步骤S5)。在进行SC1工序(S5)前，控制装置3控制喷嘴自转单元24，将喷嘴6的旋转方向姿势控制为第三姿势P3(图8所示的姿势)(姿势控制工序)。
具体而言，为了进行SC1工序(S5)，控制装置3打开第三处理流体阀44。由此，从喷嘴6的第三喷出口41以由第三流量调整阀45调整过的流量喷出SC1。从喷嘴6喷出的SC1着落在基板W的上表面。此外，SC1工序(S5)中，控制装置3通过控制喷嘴移动单元8来使喷嘴臂7摆动，从而使喷嘴6在中央部处理位置PC与周缘部处理位置PE之间移动。由此，SC1着落在基板W的上表面的着落位置沿着轨迹X在基板W的上表面的中央部与该上表面的周缘部之间移动。因此，SC1的着落位置通过基板W的整个上表面，扫描基板W的整个上表面，向基板W的整个上表面供给SC1，均匀地处理基板W的整个上表面。当喷嘴6配置在周缘部处理位置PE时，第三喷出口41与基板W的上表面周缘部(尤其是从基板W的外周端起数mm宽的周缘区域Ph)相向。此时，从第三喷出口41喷出的氢氟酸(从喷嘴6喷出的SC1)着落在基板W的上表面周缘部(尤其是从基板W的外周端起数mm宽的周缘区域Ph)。
当从开始喷出SC1起经过预先设定的期间时，控制装置3关闭第三处理流体阀44，停止喷出SC1。由此，SC1工序(S5)结束。
接着，进行向基板W的上表面供给作为冲洗液的水的冲洗工序(步骤S6)。在进行冲洗工序(S6)前，控制装置3控制喷嘴自转单元24，将喷嘴6的旋转方向姿势控制为第二姿势P2(图7所示的姿势)。
具体而言，为了进行冲洗工序(S6)，控制装置3打开第二处理流体阀39。由此，从喷嘴6的第二喷出口36以由第二流量调整阀40调整过的流量喷出水。从喷嘴6喷出的水着落在基板W的上表面。此外，冲洗工序(S6)中，控制装置3通过控制喷嘴移动单元8来使喷嘴臂7摆动，从而使喷嘴6在中央部处理位置PC与周缘部处理位置PE之间移动。由此，水附着在基板W的上表面的着落位置沿着轨迹X在基板W的上表面的中央部与该上表面的周缘部之间移动。因此，水的着落位置通过基板W的整个上表面，扫描基板W的整个上表面，向基板W的整个上表面供给水，在基板W的整个上表面SC1被置换为水。当喷嘴6配置在周缘部处理位置PE时，第二喷出口36与基板W的上表面周缘部(尤其是从基板W的外周端起数mm宽的周缘区域Ph)相向。此时，从第二喷出口36喷出的水(从喷嘴6喷出的水)着落在基板W的上表面周缘部(尤其是从基板W的外周端起数mm宽的周缘区域Ph)。
当从开始喷出水起经过预先设定的期间时，控制装置3关闭第二处理流体阀39，停止喷出水。由此，冲洗工序(S6)结束。
接着，进行将基板W甩干的旋转干燥工序(步骤S7)。在进行旋转干燥工序(S7)前，控制装置3控制喷嘴自转单元24，将喷嘴6的旋转方向姿势控制为第四姿势P4(图9所示的姿势)(姿势控制工序)。
具体而言，为了进行旋转干燥工序(S7)，控制装置3控制旋转电动机14，使基板W加速至干燥旋转速度(例如数千rpm)，并将基板W的旋转维持在干燥旋转速度。由此，对基板W上的液体施加大的离心力，附着在基板W的液体被甩向基板W的周围。此外，为了在进行旋转干燥工序(S7)的同时促进基板W的干燥，控制装置3向基板W的上表面喷出氮气。具体而言，控制装置3打开第四处理流体阀49。由此，从喷嘴6的第四喷出口46以由第四流量调整阀50调整过的流量喷出氮气。从喷嘴6喷出的氮气被吹送至基板W的上表面。此外，旋转干燥工序(S7)中，控制装置3通过控制喷嘴移动单元8来使喷嘴臂7摆动，使喷嘴6在中央部处理位置PC与周缘部处理位置PE之间移动。由此，向基板W的上表面吹送氮气的吹送位置沿着轨迹X在基板W的上表面的中央部与该上表面的周缘部之间移动。因此，氮气的吹送位置通过基板W的整个上表面，扫描基板W的整个上表面，向基板W的整个上表面供给氮气，在基板W的整个上表面促进干燥。当喷嘴6配置在周缘部处理位置PE时，第四喷出口46与基板W的上表面周缘部(尤其是从基板W的外周端起数mm宽的周缘区域Ph)相向。此时，从第四喷出口46喷出的氢氟酸(从喷嘴6喷出的氮气)被吹送至基板W的上表面周缘部(尤其是从基板W的外周端起数mm宽的周缘区域Ph)。
当在整个预先设定的期间内进行了旋转干燥工序(S7)时，控制装置3控制旋转电动机14，使旋转卡盘5停止旋转(基板W的旋转)(步骤S8)。由此，对于一张基板W的处理(清洗处理)结束，由搬送机械手从腔室4内搬出处理过的基板W(步骤S9)。
图10是用于说明由基板处理装置1进行的第二基板处理例的流程图。下面，参照图10、图4及图5，说明第二基板处理例。适当参照图6～图9。第二基板处理例是清洗处理。
第二基板处理例中，作为处理流体，使用作为清洗药液的氢氟酸(稀释氢氟酸)、SC1以及SC2(含有HCl与H2O2的混合液)、作为冲洗液的水。具体而言，从第一处理流体供给配管33供给至第一处理流体配管32并从第一喷出口31喷出的处理流体是氢氟酸。从第二处理流体供给配管38供给至第二处理流体配管37并从第二喷出口36喷出的处理流体是水。从第三处理流体供给配管43供给至第三处理流体配管42并从第三喷出口41喷出的处理流体是SC1。从第四处理流体供给配管48供给至第四处理流体配管47并从第四喷出口46喷出的处理流体是SC2。
在进行清洗处理时，向腔室4的内部搬入未清洗的基板W(步骤T1)。由此，基板W在作为处理对象的主面(处理对象面。例如，器件形成面)朝向上方的状态下被交给旋转卡盘5，并且被旋转卡盘5保持。
在旋转卡盘5保持基板后，控制装置3通过旋转电动机14使基板W在旋转方向R1开始旋转(步骤T2)。
此外，控制装置3通过控制喷嘴移动单元8，使喷嘴6从退避位置向上述的处理位置移动。由此，喷嘴6配置在处理位置。
接着，进行向基板W的上表面供给氢氟酸(HF)的HF工序(步骤T3)。在进行HF工序(T3)前，控制装置3控制喷嘴自转单元24，将喷嘴6的旋转方向姿势控制为第一姿势P1(图6所示的姿势)。
在HF工序(T3)结束后，进行向基板W的上表面供给作为冲洗液的水的冲洗工序(步骤T4)。在进行冲洗工序(T4)前，控制装置3控制喷嘴自转单元24，将喷嘴6的旋转方向姿势控制为第二姿势P2(图7所示的姿势)。
在冲洗工序(T4)结束后，进行向基板W的上表面供给SC1的SC1工序(步骤T5)。在进行SC1工序(T5)前，控制装置3控制喷嘴自转单元24，将喷嘴6的旋转方向姿势控制为第三姿势P3(图8所示的姿势)。
在SC1工序(T5)结束后，进行向基板W的上表面供给作为冲洗液的水的冲洗工序(步骤T6)。在进行冲洗工序(T6)前，控制装置3控制喷嘴自转单元24，将喷嘴6的旋转方向姿势控制为第二姿势P2(图7所示的姿势)。
由于图10所示的第二基板处理例的各工序中的步骤T1～T6的工序分别为与图5所示的第一基板处理例的步骤S1～S6等同的工序，因此省略其说明。
接着，进行向基板W的上表面供给SC2的SC2工序(步骤T7)。在进行SC2工序(T7)前，控制装置3控制喷嘴自转单元24，将喷嘴6的旋转方向姿势控制为第四姿势P4(图9所示的姿势)(姿势控制工序)。由此，第四喷出口46比其他喷出口31、36、41更远离旋转轴线A1，并且配置在轨迹X上的位置。
具体而言，为了进行SC2工序(T7)，控制装置3打开第三处理流体阀44。由此，从喷嘴6的第三喷出口41以由第三流量调整阀45调整过的流量喷出SC2。从喷嘴6喷出的SC2着落在基板W的上表面。此外，SC2工序(T7)中，控制装置3通过控制喷嘴移动单元8来使喷嘴臂7摆动，使喷嘴6在中央部处理位置PC与周缘部处理位置PE之间移动。由此，SC2着落在基板W的上表面的着落位置沿着轨迹X在基板W的上表面的中央部与该上表面的周缘部之间移动。因此，SC2的着落位置通过基板W的整个上表面，扫描基板W的整个上表面，向基板W的整个上表面供给SC2，均匀地处理基板W的整个上表面。当喷嘴6配置在周缘部处理位置PE时，第四喷出口46与基板W的上表面周缘部(尤其是从基板W的外周端起数mm宽的周缘区域Ph)相向。此时，从第四喷出口46喷出的SC2(从喷嘴6喷出的SC2)着落在基板W的上表面周缘部(尤其是从基板W的外周端起数mm宽的周缘区域Ph)。
当从开始喷出SC2起经过预先设定的期间时，控制装置3关闭第四处理流体阀49，停止喷出SC2。由此，SC2工序(T7)结束。
接着，进行向基板W的上表面供给作为冲洗液的水的冲洗工序(步骤T8)。在进行冲洗工序(T8)前，控制装置3控制喷嘴自转单元24，将喷嘴6的旋转方向姿势控制为第二姿势P2(图7所示的姿势)。
具体而言，为了进行冲洗工序(T8)，控制装置3打开第二处理流体阀39。由此，从喷嘴6的第二喷出口36以由第二流量调整阀40调整过的流量喷出水。从喷嘴6喷出的水着落在基板W的上表面。此外，冲洗工序(T8)中，控制装置3通过控制喷嘴移动单元8来使喷嘴臂7摆动，使喷嘴6在中央部处理位置PC与周缘部处理位置PE之间移动。由此，水着落在基板W的上表面的着落位置沿着轨迹X在基板W的上表面的中央部与该上表面的周缘部之间移动。因此，水的着落位置通过基板W的整个上表面，扫描基板W的整个上表面，向基板W的整个上表面供给水，在基板W的整个上表面SC2被置换为水。
当从开始喷出水起经过预先设定的期间时，控制装置3关闭第二处理流体阀39，停止喷出水。由此，冲洗工序(T8)结束。
接着，进行甩干基板W的旋转干燥工序(步骤T9)。具体而言，控制装置3控制旋转电动机14，使基板W加速至干燥旋转速度(例如数千rpm)，并使基板W的旋转维持在干燥旋转速度。由此，对基板W上的液体施加大的离心力，附着在基板W上的液体被甩向基板W的周围，从而干燥基板W。
当在整个预先设定的期间内进行了旋转干燥工序(T9)时，控制装置3控制旋转电动机14，使旋转卡盘5停止旋转(基板W的旋转)(步骤T10)。由此，对于一张基板W的处理(清洗处理)结束，由搬送机械手从腔室4内搬出处理过的基板W(步骤T11)。
如上所述，根据本实施方式，使具有多个喷出口31、36、41、46的喷嘴6在中央部处理位置PC与周缘部处理位置PE之间移动。此外，喷嘴6被设置为能够绕旋转轴线A3自转。通过使喷嘴6自转，能够变更多个喷出口31、36、41、46中的期望的喷出口与旋转轴线A1之间的距离。
此外，在进行使用处理流体的工序时，喷嘴6的旋转方向姿势在喷嘴6的周缘部处理位置PE被控制为规定的姿势P1～P4，该规定的姿势P1～P4是多个喷出口31、36、41、46中的喷出对象的喷出口比其他喷出口更远离旋转轴线A1的姿势。该姿势P1～P4下，喷出对象的喷出口与基板W的上表面周缘部相向。由此，在喷嘴6的周缘部处理位置PE上，能够使多个喷出口31、36、41、46中的期望的喷出口与基板W的上表面周缘部相向，由此，在从喷嘴6的多个喷出口31、36、41、46中的任一喷出口喷出处理流体的情况下，均能向基板W的上表面周缘部良好地供给从该喷出口喷出的处理流体。
此外，从多个喷出口31、36、41、46喷出种类互不相同的处理流体。此外，在喷嘴6的周缘部处理位置PE上，能够使多个喷出口31、36、41、46中的期望的喷出口与基板W的上表面周缘部相向。
此外，在进行使用处理流体的工序时，根据从喷嘴6喷出的处理流体的种类，喷嘴6的旋转方向姿势在喷嘴6的周缘部处理位置PE被控制为规定的姿势P1～P4，该规定的姿势P1～P4是将喷出对象的处理流体喷出的喷出口与基板W的上表面周缘部相向的姿势。由此，在从喷嘴6喷出多种处理流体的情况下，也能向基板W的上表面周缘部良好地供给喷出对象的处理流体。
此外，本实施方式中，多个喷出口31、36、41、46与旋转轴线A1的距离相等，并且在第一～第四姿势P1～P4下，喷出对象的喷出口比其他喷出口更远离旋转轴线A1，并且配置在轨迹X上的位置。即，第一～第四姿势P1～P4下，喷出对象的喷出口相对于基板W的相对位置是恒定的。因此，在第一～第四姿势P1～P4中的一个旋转方向姿势(例如第一姿势P1)下，通过将位于周缘部处理位置PE上的处理对象的喷出口(例如第一喷出口31)的位置设定在与从基板W的外周端起数mm宽的周缘区域Ph相向的位置上，能够向该周缘区域高精度地供给从该喷出口喷出的处理流体。
图11是本发明的另一实施方式的基板处理装置具备的喷嘴6B的仰视图。图12A-12D是用于说明在使用第一～第四处理流体的工序中喷嘴6B的旋转方向姿势的俯视图。
图11及图12A-12D所示的实施方式中，对与图1～图10所示的实施方式所示的各部分对应的部分标记与图1～图10的情况相同的附图标记，并省略说明。
另一实施方式的喷嘴6B与上述实施方式的喷嘴6的不同点在于，在喷嘴体21的下表面21a形成的多个喷出口(第一喷出口31B、第二喷出口36B、第三喷出口41B以及第四喷出口46B(以下，当统称这些喷出口时，有时称其为“喷出口31B、36B、41B、46B”))与旋转轴线A1的距离互不相同。多个喷出口31B、36B、41B、46B在圆周方向上等间隔地配置。
与图1～图10所示的实施方式的情况同样地，喷嘴自转单元24将喷嘴6B的旋转方向姿势在第一姿势P11(图12A所示的姿势)、第二姿势P12(图12B所示的姿势)、第三姿势P13(图12C所示的姿势)以及第四姿势P14(图12D所示的姿势)共计四个姿势之间切换。
第一喷出口31B是与上述的第一喷出口31(参照图3)对应的喷出口，从第一喷出口31B喷出第一处理流体。在从喷嘴6B喷出第一处理流体的工序(例如HF工序(S3、T3))中，喷嘴6B为第一姿势P11。喷嘴6B的第一姿势P11是在喷嘴6B移动到周缘部处理位置PE的配置状态下，从第一喷出口31B供给第一处理流体的供给位置比其他喷出口36B、41B、46B更远离旋转轴线A1，并且第一喷出口31B位于轨迹X上的姿势。
第二喷出口36B是与上述的第二喷出口36(参照图3)对应的喷出口，从第二喷出口36B喷出第二处理流体。在从喷嘴6B喷出第二处理流体的工序(例如冲洗工序(S4、S6、T4、T6、T8))中，喷嘴6B为第二姿势P12。喷嘴6B的第二姿势P12是在喷嘴6B移动到周缘部处理位置PE的配置状态下，从第二喷出口36B供给第二处理流体的供给位置比其他喷出口31B、41B、46B更远离旋转轴线A1，并且第二喷出口36B位于轨迹X上的姿势。
第三喷出口41B是与上述的第三喷出口41(参照图3)对应的喷出口，从第三喷出口41B喷出第三处理流体。在从喷嘴6B喷出第三处理流体的工序(例如SC1工序(S5、T5))中，喷嘴6B为第三姿势P13。喷嘴6B的第三姿势P13是在喷嘴6B移动到周缘部处理位置PE的配置状态下，从第三喷出口41B供给第三处理流体的供给位置比其他喷出口31B、36B、46B更远离旋转轴线A1，并且第三喷出口41B位于轨迹X上的姿势。
第四喷出口46B是与上述的第四喷出口46(参照图3)对应的喷出口，从第四喷出口46B喷出第四处理流体。在从喷嘴6B喷出第四处理流体的工序(例如旋转干燥工序(S7)以及SC2工序(T7))中，喷嘴6B为第四姿势P14。喷嘴6的第四姿势P14是在喷嘴6B移动到周缘部处理位置PE的配置状态下，从第四喷出口46B供给第四处理流体的供给位置比其他喷出口31B、36B、41B更远离旋转轴线A1，并且第四喷出口46B位于轨迹X上的姿势。
此外，本实施方式中，第二喷出口36B与旋转轴线A1的距离比第一喷出口31B与旋转轴线A1的距离短。第三喷出口41B与旋转轴线A1的距离比第二喷出口36B与旋转轴线A1的距离短。第四喷出口46B与旋转轴线A1的距离比第三喷出口41B与旋转轴线A1的距离短。因此，在喷嘴6B的周缘部处理位置PE上，第一～第四姿势P11～P14下的喷出对象的喷出口相对于基板W的相对位置互不相同。
图13是用于说明由具备喷嘴6B的基板处理装置进行的基板处理例的剖视图。
假设基板W1作为处理对象的基板，在基板W1的硅基板51的上表面配置有覆盖该上表面的SiO2膜52，在SiO2膜52的上表面配置有覆盖该上表面的TiN膜53。该情况下，如图13所示，在基板W的上表面周缘部，有时欲对SiO2膜52供给处理流体(例如氢氟酸)的位置与欲对TiN膜53供给处理流体(例如SC1)的位置在基板W的径向上互不相同。利用第一基板处理例(参照图5)或第二基板处理例(参照图10)处理该基板W1。
在第一以及第二基板处理例中，HF工序(S3、T3)中进行对SiO2膜52进行蚀刻除去的清洗，SC1工序(S5、T5)中对TiN膜53进行蚀刻除去的清洗。
HF工序(S3、T3)中，控制装置3通过控制喷嘴移动单元8来使喷嘴臂7摆动，使喷嘴6B在中央部处理位置PC(图12A中虚线所示的位置)与周缘部处理位置PE(图12A中实线所示的位置)之间移动。由此，氢氟酸着落在基板W1的上表面的着落位置沿着轨迹X在基板W的上表面的中央部与该上表面的周缘部之间移动。此时，在喷嘴6B的周缘部处理位置PE上，从第一喷出口31B喷出的氢氟酸(从喷嘴6B喷出的氢氟酸)着落在基板W的上表面的第一周缘区域Ph1。
SC1工序(S5、T5)中，控制装置3通过控制喷嘴移动单元8来使喷嘴臂7摆动，使喷嘴6B在中央部处理位置PC(图12C中虚线所示的位置)与周缘部处理位置PE(图12C中实线所示的位置)之间移动。由此，SC1着落在基板W1的上表面的着落位置沿着轨迹X在基板W的上表面的中央部与该上表面的周缘部之间移动。此时，在喷嘴6B的周缘部处理位置PE上，从第三喷出口41B喷出的SC1(从喷嘴6B喷出的SC1)着落在与第一周缘区域Ph1的内侧邻接的第二周缘区域Ph2。
如上所述，根据本实施方式，除了与上述的图1～图10所示的实施方式中所述的作用效果相同的作用效果之外，还能够在喷嘴6B的周缘部处理位置PE上，根据处理流体而使从喷出对象的喷出口喷出的处理流体的供给位置相差微小量。
以上，说明了本发明的两个实施方式，本发明还可以实施为其他实施方式。
例如，第二实施方式中，不必使所有多个喷出口31B、36B、41B、46B的喷出口与旋转轴线A3的距离互不相同，也可以是多个喷出口31B、36B、41B、46B中的一个喷出口与旋转轴线A3的距离不同于其他喷出口与旋转轴线A3的距离。
此外，上述的各实施方式中，具有多个喷出口的喷嘴6、6B是对一个喷嘴体21设置有多个喷出口的结构，但也可以通过设置多个具有规定个数(例如一个)的喷出口的喷嘴体而构成。
此外，上述的各实施方式中，说明了各喷出口为向铅垂下方喷出处理流体的喷出口，但也可以从各喷出口向斜下方喷出处理流体。
此外，上述的各实施方式中，喷嘴6、6B中设置的喷出口个数不限于四个，可以是两个或三个，也可以是五个以上。
此外，上述的各实施方式中，以具有一个具备喷嘴6、6B的喷嘴臂7的情况为例进行了说明，但也可以具有两个以上具备喷嘴6、6B的喷嘴臂7。
此外，以喷嘴移动单元8使喷嘴6、6B绕摆动轴线A2摆动的结构为例进行了说明，但也可以采用喷嘴移动单元8使喷嘴6、6B在水平方向上直线移动的结构。
此外，作为处理流体供给单元9，以向多个喷出口供给种类互不相同的处理流体的结构为例进行了说明，但也可以是向多个喷出口供给相同种类的处理流体的结构。该情况下，在多个喷出口的每一个中，处理流体的温度可以不同。
此外，上述的各实施方式中，说明了基板处理装置1是处理圆板状的基板W、W1的装置的情况，但基板处理装置1也可以是处理液晶显示装置用玻璃基板等多边形基板的装置。
虽然已经详细说明了本发明的实施方式，但这些仅是用于阐明本发明的技术内容的具体例，本发明不应被解释为限定于这些具体例，本发明的范围仅由所附权利要求限定。
本申请对应于2016年1月25日向日本专利局提交的特愿2016-11885号，其全部公开内容通过引用结合于此。
附图标记说明
1 基板处理装置
3 控制装置(第一以及第二姿势控制装置)
5 旋转卡盘(基板保持单元)
6 喷嘴
6B 喷嘴
7 喷嘴臂
8 喷嘴移动单元
9 处理流体供给单元
24 喷嘴自转单元
31 第一喷出口
31B 第一喷出口
36 第二喷出口
36B 第二喷出口
41 第三喷出口
41B 第三喷出口
46 第四喷出口
46B 第四喷出口
A1 旋转轴线(第一旋转轴线)
A3 旋转轴线(第二旋转轴线)
PC 中央部处理位置
PE 周缘部处理位置
W 基板
W1 基板

Claims (8)

1.一种基板处理装置，其中，包括：
基板保持单元，用于保持基板；
旋转单元，使被所述基板保持单元保持的基板绕规定的第一旋转轴线旋转，所述第一旋转轴线通过该基板的主面的中央部；
喷嘴，所述喷嘴被设置为能够绕与所述第一旋转轴线平行的规定的第二旋转轴线自转，并向所述基板的主面喷出处理流体，并且所述喷嘴具有包括第一喷出口和第二喷出口的多个喷出口，所述多个喷出口配置在与所述第二旋转轴线分离的位置上；
喷嘴臂，用于支承所述喷嘴；
喷嘴自转单元，使所述喷嘴绕所述第二旋转轴线自转；
第一处理流体供给单元，用于向所述第一喷出口供给第一处理流体；
第二处理流体供给单元，用于向所述第二喷出口供给种类与所述第一处理流体不同的第二处理流体；
喷嘴移动单元，通过使所述喷嘴臂移动，从而使所述喷嘴在中央部处理位置与周缘部处理位置之间移动，所述中央部处理位置是向所述基板的主面的中央部供给从所述喷嘴喷出的处理流体的位置，所述周缘部处理位置是向所述基板的主面的周缘部供给从所述喷嘴喷出的处理流体的位置，
所述第一喷出口和所述第二喷出口配置在与所述第二旋转轴线分离的位置上且与所述第二旋转轴线的距离互不相同。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还包括第一姿势控制装置，所述第一姿势控制装置根据应从所述喷嘴喷出的处理流体的种类，通过所述喷嘴自转单元来控制所述喷嘴的旋转方向姿势。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还包括第二姿势控制装置，所述第二姿势控制装置通过所述喷嘴自转单元来控制所述喷嘴的旋转方向姿势，使得在所述周缘部处理位置上，所述多个喷出口中的喷出对象的喷出口配置在比其他喷出口更远离所述第一旋转轴线的位置上。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述多个喷出口与所述第二旋转轴线的距离互不相同。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
各喷出口包括向下喷出口，所述向下喷出口向铅垂下方喷出所述处理流体。
6.一种基板处理方法，其中，包括：
准备喷嘴的工序，所述喷嘴被设置为能够绕与规定的第一旋转轴线平行的规定的第二旋转轴线自转，并且向所述基板的主面喷出处理流体，所述第一旋转轴线通过被基板保持单元保持的基板的主面的中央部，并且所述喷嘴具有包括第一喷出口和第二喷出口的多个喷出口，所述多个喷出口配置在与所述第二旋转轴线分离的位置上，所述第一喷出口和所述第二喷出口与所述第二旋转轴线的距离互不相同；
旋转工序，使所述基板绕规定的所述第一旋转轴线旋转；
喷嘴移动工序，使所述喷嘴沿所述基板的主面在中央部处理位置与周缘部处理位置之间移动，所述中央部处理位置是所述喷嘴与所述基板的主面的中央部相向的位置，所述周缘部处理位置是所述喷嘴与所述基板的主面的周缘部相向的位置；
第一处理流体供给工序，与所述旋转工序及所述喷嘴移动工序并行，在所述喷嘴的绕所述第二旋转轴线的姿势处于第一姿势的状态下，从所述第一喷出口喷出第一处理流体，所述第一姿势为，在所述喷嘴配置于所述周缘部处理位置的状态下，所述第一喷出口位于比其他所有的所述喷出口更远离所述第一旋转轴线的位置；
姿势变更工序，将所述喷嘴的所述姿势从所述第一姿势变更为第二姿势，所述第二姿势为，在所述喷嘴配置于所述周缘部处理位置的状态下，所述第二喷出口位于比其他所有的所述喷出口更远离所述第一旋转轴线的位置；
第二处理流体供给工序，与所述旋转工序及所述喷嘴移动工序并行，在所述喷嘴的所述姿势处于所述第二姿势的状态下，从所述第二喷出口喷出第二处理流体。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，
所述多个喷出口与所述第二旋转轴线的距离互不相同。
8.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，
各喷出口包括向下喷出口，所述向下喷出口向铅垂下方喷出所述处理流体。
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