TWI613703B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明為一種基板處理裝置，係包含：基板保持單元，係保持基板；旋轉單元，係使由上述基板保持單元所保持之基板，繞通過該基板主面之中央部之既定第1旋轉軸線進行旋轉；噴嘴，係設置為可繞既定第2旋轉軸線進行自轉，朝上述基板主面吐出處理流體者，其具有配置於由上述第2旋轉軸線遠離之位置的複數吐出口；噴嘴臂，係支撐上述噴嘴；噴嘴自轉單元，係使上述噴嘴繞上述第2旋轉軸線進行自轉；處理流體供給單元，係對上述複數吐出口供給處理流體；與噴嘴移動單元，係藉由移動上述噴嘴臂，於由上述噴嘴所吐出之處理流體供給至基板主面之中央部的中央部處理位置、與由上述噴嘴所吐出之處理流體供給至上述基板主面之周緣部的周緣部處理位置之間，使上述噴嘴移動。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
於半導體裝置或液晶顯示裝置之製造步驟中，係為了對半導體晶圓或液晶顯示面板用玻璃基板等之基板之主面施行處理液之處理，而使用依單片處理基板之單片式之基板處理裝置。
此單片式的基板處理裝置，例如包含：用於依大致水平姿勢保持基板，並使基板旋轉的旋轉夾具；用於朝由旋轉夾具所保持之基板之主面吐出處理液的噴嘴；支撐噴嘴之噴嘴臂；使噴嘴臂移動，沿著通過基板之旋轉中心之既定軌跡，使由噴嘴所吐出之處理液之著液位置移動的噴嘴移動單元。在基板處理中使用複數種處理液的情況，係對應各處理液設置噴嘴。
為了提升產率，較佳係減低噴嘴臂之根數，因此，習知以來，如下述專利文獻1、2般，提案有將彼此相異之處理液用之吐出口保持於1個噴嘴臂的構成。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-072234號公報
[專利文獻2]日本專利特開2014-072439號公報
如專利文獻1及專利文獻2般，將具有複數吐出口之噴嘴保持於1個噴嘴臂的情況，噴嘴係依配置於與基板主面之周緣部相對向的周緣部處理位置的狀態，複數之吐出口距旋轉軸線的距離彼此相異。此時，若依使由一個吐出口所吐出之處理液朝基板之周緣區域(周端緣附近之狹窄區域)吐出的方式設定噴嘴之周緣部處理位置，則有由其他吐出口所吐出之處理液之供給位置從上述周緣區域偏離之虞。在上述供給位置相對於上述周緣區域朝旋轉半徑方向之內方偏離的情況，有上述周緣區域未受處理之虞。
因此，本發明之目的在於提供一種基板處理裝置及基板處理方法，係即使在噴嘴之複數吐出口中由任一吐出口吐出處理流體的情況，均可將由該吐出口所吐出之處理流體良好供給至基板主面之周緣部。
本發明提供一種基板處理裝置，係包含：基板保持單元，係保持基板；旋轉單元，係使由上述基板保持單元所保持之基板，繞通過該基板主面之中央部之既定第1旋轉軸線進行旋轉；噴嘴，係設置為可繞既定第2旋轉軸線進行自轉，並朝上述基板主面吐出處理流體者，其具有配置於由上述第2旋轉軸線遠離之位置的複數吐出口；噴嘴臂，係支撐上述噴嘴；噴嘴自轉單元，係使上述噴嘴繞上述第2旋轉軸線進行自轉；處理流體供給單元，係對上述複數吐出口供給處理流體；與噴嘴移動單元，係藉由移動上述噴嘴臂，於由上述噴嘴所吐出之處理流體供給至基板主面之中央部的中央部處理位置、與由上述噴嘴所吐出之處理流體供給至上述基板主 面之周緣部的周緣部處理位置之間，使上述噴嘴移動。
根據此構成，使具有複數吐出口之噴嘴於中央部處理位置與周緣部處理位置之間移動。又，此噴嘴係設置為可繞第2旋轉軸線進行自轉。藉由使噴嘴自轉，可於複數吐出口中針對所需之吐出口，變更該吐出口與第1旋轉軸線之間的距離。因此，於噴嘴之周緣部處理位置，可將複數吐出口中所需之吐出口，配置為將由該吐出口所吐出之處理流體供給至基板主面之周緣部。藉此，即使在噴嘴之複數吐出口中由任一吐出口使處理流體吐出的情況，可將由該吐出口所吐出之處理流體良好供給至基板主面之周緣部。
本發明之一實施形態中，上述處理流體供給單元係對上述複數吐出口供給彼此種類相異之處理流體。
根據此構成，由複數之吐出口吐出彼此種類相異之處理流體。於噴嘴之周緣部處理位置，可將複數吐出口中所需之吐出口，配置為使由吐出口所吐出之處理流體供給至基板主面之周緣部。故而，即使在由噴嘴吐出任一種類之處理流體的情況，仍可將來自噴嘴之處理流體良好供給至基板主面之周緣部。
上述基板處理裝置亦可進一步包含第1姿勢控制裝置，其係配合由上述噴嘴所欲吐出之處理流體的種類，藉由上述噴嘴自轉單元控制上述噴嘴之旋轉方向姿勢。
根據此構成，配合由噴嘴所欲吐出之處理流體之種類，控制噴嘴之旋轉方向姿勢。此時，可將吐出作為吐出對象之處理流體的吐出口，配置為使由該吐出口所吐出之處理流體供給至基板主面之周緣部。藉此，即使在由噴嘴吐出複數種處理流體的情況，仍可將吐出對象之處理流體良好供給至基板主面之周緣部。
上述基板處理裝置亦可進一步包含第2姿勢控制裝置，其係於上述周緣部處理位置，依使上述複數吐出口中吐出對象之吐出口，配置為較其他吐出口更遠離上述第2旋轉軸線之位置的方式，藉由上述噴嘴自轉單元控制上述噴嘴之旋轉方向姿勢。
根據此構成，在使用處理流體之步驟時，噴嘴之旋轉方向姿勢係控制為於噴嘴之周緣部處理位置中，使複數吐出口中吐出對象之吐出口較其他吐出口更加遠離第2旋轉軸線的既定旋轉方向姿勢。藉此，於噴嘴之周緣部處理位置中，可將複數吐出口中既定之吐出口，配置為由該吐出口所吐出之處理流體供給至基板主面之周緣部。
上述複數之吐出口亦可距上述第1旋轉軸線之距離彼此相等。
根據此構成，於噴嘴之周緣部處理位置中，使噴嘴自轉，變更該噴嘴之旋轉方向姿勢，藉此可將複數吐出口中吐出對象之吐出口相對於基板的相對位置保持於一定位置。藉此，可將由該吐出口所吐出之處理流體更加精度良好地供給至基板主面之周緣部。
又，上述複數之吐出口亦可距上述第1旋轉軸線之距離彼此相異。
根據此構成，於噴嘴之周緣部處理位置中，可將複數吐出口中吐出對象之吐出口配置於僅微小量相異的位置。
本發明為一種基板處理方法，係包含：準備噴嘴之步驟，該噴嘴係設置為可繞通過由基板保持單元所保持之基板之主面的既定第2旋轉軸線進行自轉，朝上述基板主面吐出處理流體者， 具有配置於由上述第2旋轉軸線遠離之位置的複數吐出口；噴嘴移動步驟，係使上述噴嘴於與上述基板主面之中央部相對向的中央部處理位置、及與上述基板主面之周緣部相對向的周緣部處理位置之間，沿著上述基板主面移動；與姿勢控制步驟，係配合由上述噴嘴所欲吐出之處理流體的種類，使上述噴嘴繞上述第2旋轉軸線進行自轉，控制該噴嘴之旋轉方向姿勢。
根據此方法，在使用處理流體的步驟時，配合由噴嘴所欲吐出之處理流體的種類，控制噴嘴之旋轉方向姿勢。此時，可將吐出作為吐出對象之處理流體的吐出口，配置為由該吐出口所吐出之處理流體供給至基板主面之周緣部。藉此，即使在由噴嘴之複數吐出口中任一吐出口吐出處理流體的情況，均可將由該吐出口所吐出之處理流體良好供給至基板主面之周緣部。
上述姿勢控制步驟亦可進一步包含：依將上述複數吐出口中吐出對象之吐出口配置於較其他吐出口更加遠離上述第1旋轉軸線之位置的方式，使上述噴嘴繞上述第2旋轉軸線進行自轉，控制該噴嘴之旋轉方向姿勢的步驟。
根據此方法，在使用處理流體之步驟時，噴嘴之旋轉方向姿勢係控制為於噴嘴之周緣部處理位置中，複數吐出口中吐出對象之吐出口較其他吐出口更加遠離第1旋轉軸線的既定旋轉方向姿勢。藉此，於噴嘴之周緣部處理位置中，可將複數吐出口中既定之吐出口，配置為由該吐出口所吐出之處理流體供給至基板主面之周緣部。
本發明之上述內容或其他目的、特徵及效果，將參照隨附圖式由下述實施形態之說明所闡明。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
5‧‧‧旋轉夾具
6、6B‧‧‧噴嘴
7‧‧‧噴嘴臂
8‧‧‧噴嘴移動單元
9‧‧‧處理流體供給單元
10‧‧‧杯
10a‧‧‧上端部
11‧‧‧隔壁
12‧‧‧FFU
13‧‧‧排氣管
14‧‧‧旋轉馬達
15‧‧‧旋轉軸
16‧‧‧旋轉基底
17‧‧‧挾持構件
21‧‧‧噴嘴體
21a‧‧‧下面
22‧‧‧護件
23‧‧‧噴嘴旋轉軸
24‧‧‧噴嘴自轉單元
25‧‧‧保持器
31、31B‧‧‧第1吐出口
32‧‧‧第1處理流體配管
33‧‧‧第1處理流體供給配管
34‧‧‧第1處理流體閥
35‧‧‧第1流量調整閥
36、36B‧‧‧第2吐出口
37‧‧‧第2處理流體配管
38‧‧‧第2處理流體供給配管
39‧‧‧第2處理流體閥
40‧‧‧第2流量調整閥
41、41B‧‧‧第3吐出口
42‧‧‧第3處理流體配管
43‧‧‧第3處理流體供給配管
44‧‧‧第3處理流體閥
45‧‧‧第3流量調整閥
46、46B‧‧‧第4吐出口
47‧‧‧第4處理流體配管
48‧‧‧第4處理流體供給配管
49‧‧‧第4處理流體閥
50‧‧‧第4流量調整閥
51‧‧‧矽基板
52‧‧‧SiO2膜
53‧‧‧TiN膜
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧搖動軸線
A3‧‧‧旋轉軸線
P1、P11‧‧‧第1姿勢
P2、P12‧‧‧第2姿勢
P3、P13‧‧‧第3姿勢
P4、P14‧‧‧第4姿勢
PC‧‧‧中央部處理位置
PE‧‧‧周緣部處理位置
Ph‧‧‧周緣區域
Ph1‧‧‧第1周緣區域
Ph2‧‧‧第2周緣區域
R1‧‧‧旋轉方向
W、W1‧‧‧基板
X‧‧‧軌跡
圖1為由水平方向觀看本發明一實施形態之基板處理裝置的圖。
圖2為表示上述基板處理裝置所具備之上述噴嘴周邊構成的剖面圖。
圖3為上述噴嘴之噴嘴體的仰視圖。
圖4為用於說明上述基板處理裝置之主要部分之電性構成的方塊圖。
圖5為用於說明藉由基板處理裝置所進行之第1基板處理例的流程圖。
圖6為用於說明使用第1處理流體之步驟中上述噴嘴之旋轉方向姿勢的俯視圖。
圖7為用於說明使用第2處理流體之步驟中上述噴嘴之旋轉方向姿勢的俯視圖。
圖8為用於說明使用第3處理流體之步驟中上述噴嘴之旋轉方向姿勢的俯視圖。
圖9為用於說明使用第4處理流體之步驟中上述噴嘴之旋轉方向姿勢的俯視圖。
圖10為用於說明藉由基板處理裝置所進行之第2基板處理例的流程圖。
圖11為本發明其他實施形態之基板處理裝置所具備之噴嘴的仰視圖。
圖12A至12D為用於說明使用第1~第4處理流體之步驟中噴 嘴之旋轉方向姿勢的俯視圖。
圖13為用於說明藉由上述基板處理裝置所進行之基板處理例的剖面圖。
圖1為由水平方向觀看本發明一實施形態之基板處理裝置1的圖。
基板處理裝置1係對半導體晶圓等之圓板狀之基板W，藉由處理流體(處理液或處理氣體)依單片進行處理的單片式裝置。基板處理裝置1係包含：對基板W使用處理液進行處理的處理單元2；與控制基板處理裝置1所具備之裝置之動作或閥之開關等的控制裝置(第1及第2姿勢控制裝置)3。
各處理單元2為單片式之單元。各處理單元2係具備：具有內部空間之箱形之腔室4；於腔室4內依水平姿勢保持一片基板W，使基板W繞通過基板W中心之鉛直之旋轉軸線(第1旋轉軸線)A1進行旋轉的旋轉夾具(基板保持單元)5；用於對由旋轉夾具5所保持之基板W上面(主面)供給處理流體的噴嘴6；支撐噴嘴6之噴嘴臂7；藉由使噴嘴臂7繞鉛直之搖動軸線A2搖動(移動)，而使噴嘴6沿著基板W上面移動的噴嘴移動單元8；對噴嘴6供給處理流體之處理流體供給單元9；與包圍旋轉夾具5周圍的筒狀之杯10。
腔室4係包含：收容旋轉夾具5或噴嘴6之箱狀之隔壁11；由隔壁11上部對隔壁11內吹送清潔空氣(藉過濾器所過濾之空氣)的作為送風單元之FFU(fan filter unit，風扇過濾單元)12；與由隔壁11下部將腔室4內氣體排出的排氣管13。FFU12係配置 於隔壁11上方，安裝於隔壁11之頂板。FFU12係由隔壁11之頂板朝下對腔室4內吹送清潔空氣。排氣管13係連接於杯10底部，朝設置基板處理裝置1之工廠中所設有的排氣處理設備導出腔室4內之氣體。從而，於腔室4內朝下方流動之下降流(down flow)係藉由FFU12及排氣管13所形成。基板W之處理係依於腔室4內形成有下降流的狀態進行。
作為旋轉夾具5，係採用於水平方向上挾持基板W並水平保持基板W的挾持式夾具。具體而言，旋轉夾具5係包含：旋轉馬達(基板旋轉手段)14；與此旋轉馬達14之驅動軸呈一體化的旋轉軸15；與於旋轉軸15之上端略水平安裝的圓板狀之旋轉基底16。
於旋轉基底16上面，於其周緣部配置著複數個(3個以上，例如6個)之挾持構件17。複數個之挾持構件17係於旋轉基底16之上面周緣部，在對應基板W外周形狀之圓周上隔著適當間隔而配置。
又，作為旋轉夾具5，並不侷限於挾持式，例如亦可採用對基板W背面進行真空吸附，藉此依水平姿勢保持基板W，再依此狀態繞鉛直之旋轉軸線進行旋轉，藉此使旋轉夾具5所保持之基板W旋轉的真空吸附式者(真空夾具)。
噴嘴6係具有作為可變更基板W上面之處理流體之供給位置的掃描噴嘴的基本形態。噴嘴6安裝於噴嘴臂7之前端部。噴嘴臂7係由上方支撐噴嘴6。噴嘴移動單元8係藉由使噴嘴臂7於杯10側方繞鉛直延伸之搖動軸線A2進行搖動，而可使來自配置於處理位置之噴嘴6的處理流體之供給位置(處理液之著液位 置或處理氣體之吹附位置)，沿著俯視下通過基板W中央部之圓弧狀之軌跡X水平移動。
噴嘴移動單元8係使噴嘴6於由噴嘴6所吐出之處理流體供給至基板W上面之處理位置、與俯視下設定於旋轉夾具5周圍之待機位置之間移動。進而，噴嘴移動單元8係使噴嘴6於由噴嘴6所吐出之處理流體供給至基板W上面之中央部(噴嘴6之下面(噴嘴體21之下面21a)與基板W上面之中央部相對向)的中央部處理位置PC(圖6~圖9中以虛線表示之位置；換言之，噴嘴6之後述旋轉軸線(第2旋轉軸線)A3與旋轉軸線A1呈略一致的位置)、與由噴嘴6所吐出之處理流體供給至基板W上面之周緣部(噴嘴6之下面(噴嘴體21之下面21a)與基板W上面之周緣部相對向)的周緣部處理位置PE(圖6~圖9中以實線表示之位置)之間水平移動。中央部處理位置PC及周緣部處理位置PE均為處理位置。
圖2為表示噴嘴6周邊構成的剖面圖。圖3為噴嘴6之噴嘴體21之仰視圖。
噴嘴6係包含：具有第1吐出口31、第2吐出口36、第3吐出口41及第4吐出口46(以下在總稱此等吐出口時，係表示為「吐出口31、36、41、46」)噴嘴體21；與包圍噴嘴體21側方之筒狀之護件22。噴嘴體21係依可繞旋轉軸線(第2旋轉軸線)A3自轉之方式支撐於噴嘴臂7。相對於此，護件22係依靜止狀態支撐於噴嘴臂7。
噴嘴體21係構成為朝上下延伸之外廓筒狀(於此實施形態中為圓柱狀)。各吐出口31、36、41、46係形成於噴嘴體21之下面21a，鉛直朝下吐出處理流體。如圖3所示，複數之吐出口 31、36、41、46係等間隔配置於圓周方向上。複數之吐出口31、36、41、46係距旋轉軸線A3之距離彼此相等。
如圖2所示，於噴嘴臂7之前端部，將朝鉛直方向延伸之噴嘴旋轉軸23設置為可繞旋轉軸線A3進行旋轉。於噴嘴旋轉軸23，結合著用於使噴嘴旋轉軸23旋轉的噴嘴自轉單元24。另一方面，於噴嘴旋轉軸23，安裝保持器25。於保持器25下方安裝著噴嘴體21。
於噴嘴體21內部，插通著第1處理流體配管32、第2處理流體配管37、第3處理流體配管42及第4處理流體配管47。第1~第4處理流體配管32、37、42、47係於上下方向延伸。設於第1處理流體配管32之下游端的開口，係形成第1吐出口31。設於第2處理流體配管37之下游端的開口，係形成第2吐出口36。設於第3處理流體配管42之下游端的開口，係形成第3吐出口41。設於第4處理流體配管47之下游端的開口，係形成第4吐出口46。亦即，第1~第4處理流體配管32、37、42、47係分別具有作為處理流體噴嘴之機能。
如圖2所示，處理流體供給單元9係包含：連接於第1處理流體配管32之第1處理流體供給配管33；連接於第2處理流體配管37之第2處理流體供給配管38；連接於第3處理流體配管42之第3處理流體供給配管43；與連接於第4處理流體配管47之第4處理流體供給配管48。第1~第4處理流體供給配管33、38、43、48中，與分別對應之第1~第4處理流體配管32、37、42、47間的連接部分，係使用可撓管所形成。因此，容許噴嘴體21於既定角度範圍內之自轉。從而，噴嘴體21(噴嘴6)可變更其旋轉方向 姿勢。
於第1處理流體供給配管33，介設著：開關第1處理流體供給配管33，用於進行對第1吐出口31之處理流體之供給/供給停止的第1處理流體閥34；與調節第1處理流體供給配管33之開度，用於調整供給至第1吐出口31之處理流體之流量的第1流量調整閥35。雖未圖示，第1流量調整閥35係包含：於內部設有閥座之閥體；開關閥座之閥盤；與使閥盤在開位置與關位置之間移動的致動器。關於其他之流量調整閥亦相同。
於第2處理流體供給配管38，介設著：開關第2處理流體供給配管38，用於進行對第2吐出口36之處理流體之供給/供給停止的第2處理流體閥39；與調節第2處理流體供給配管38之開度，用於調整供給至第2吐出口36之處理流體之流量的第2流量調整閥40。於第3處理流體供給配管43，介設著：開關第3處理流體供給配管43，用於進行對第3吐出口41之處理流體之供給/供給停止的第3處理流體閥44；與調節第3處理流體供給配管43之開度，用於調整供給至第3吐出口41之處理流體之流量的第3流量調整閥45。於第4處理流體供給配管48，介設著：開關第4處理流體供給配管48，用於進行對第4吐出口46之處理流體之供給/供給停止的第4處理流體閥49；與調節第4處理流體供給配管48之開度，用於調整供給至第4吐出口46之處理流體之流量的第4流量調整閥50。
第1處理流體、第2處理流體、第3處理流體及第4處理流體係彼此種類相異之處理流體。此等處理流體為處理液或處理氣體。
處理液為藥液(洗淨藥液或蝕刻液)或水。藥液可例示含有硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH：四甲基氫氧化銨等)、界面活性劑、抗腐蝕劑中之至少一種的液體。水為例如去離子水(DIW)，但並不限定於DIW，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度(例如10ppm~100ppm左右)的鹽酸水之任一者。
處理氣體包括惰性氣體或處理液之蒸氣。惰性氣體可例示含有氮氣、氬氣、乾燥空氣、清潔空氣、氦氣中之至少一種的氣體。
藉由打開第1處理流體閥34，由第1吐出口31吐出第1處理流體。此時，藉由關閉其他處理流體閥(第2~第4處理流體閥39、44、49)，可由噴嘴6使第1處理流體吐出。
藉由打開第2處理流體閥39，由第2吐出口36吐出第2處理流體。此時，藉由關閉其他處理流體閥(第1、第3及第4處理流體閥34、44、49)，可由噴嘴6使第2處理流體吐出。
藉由打開第3處理流體閥44，由第3吐出口41吐出第3處理流體。此時，藉由關閉其他處理流體閥(第1、第2及第4處理流體閥34、39、49)，可由噴嘴6使第3處理流體吐出。
藉由打開第4處理流體閥49，由第4吐出口46吐出第4處理流體。此時，藉由關閉其他處理流體閥(第1~第3處理流體閥34、39、44)，可由噴嘴6使第4處理流體吐出。
噴嘴自轉單元24係配合後述各處理步驟(S3~S8、T3~T9)之處理內容，選擇噴嘴體21之旋轉方向姿勢。於此實施形 態，於一個處理步驟(S3~S8、T3~T9)中，噴嘴6之旋轉方向姿勢係不變更而保持一定。
於此實施形態中，噴嘴自轉單元24係使噴嘴6之旋轉方向姿勢，於第1姿勢P1(圖6所示姿勢)、第2姿勢P2(圖7所示姿勢)、第3姿勢P3(圖8所示姿勢)及第4姿勢P4(圖9所示姿勢)之合計4個姿勢間切換。第1~第4姿勢P1~P4(以下在總稱「姿勢P1~P4」時，有時稱為「吐出口31、36、41、46」)係於繞旋轉軸線A3之旋轉方向上各偏移90°而相異。
噴嘴6之第1姿勢P1(圖6所示姿勢)，係依噴嘴6於周緣部處理位置PE之配置狀態，使第1吐出口31配置於較其他吐出口36、41、46更加遠離旋轉軸線A1之位置的姿勢。更具體而言，係於噴嘴6於周緣部處理位置PE之配置狀態，進而來自第1吐出口31之第1處理流體之供給位置位於軌跡X上的姿勢。在由噴嘴6吐出第1處理流體之步驟(例如後述HF步驟(S3、T3))中，噴嘴6成為第1姿勢P1(圖6所示姿勢)。
噴嘴6之第2姿勢P2(圖7所示姿勢)，係依噴嘴6於周緣部處理位置PE之配置狀態，使第2吐出口36配置於較其他吐出口31、41、46更加遠離旋轉軸線A1之位置的姿勢。更具體而言，係於噴嘴6於周緣部處理位置PE之配置狀態，進而來自第2吐出口36之第2處理流體之供給位置位於軌跡X上的姿勢。在由噴嘴6吐出第2處理流體之步驟(例如後述沖洗步驟(S4、S6、T4、T6、T8))中，噴嘴6成為第2姿勢P2(圖7所示姿勢)。
噴嘴6之第3姿勢P3(圖8所示姿勢)，係依噴嘴6於周緣部處理位置PE之配置狀態，使第3吐出口41配置於較其他吐 出口31、36、46更加遠離旋轉軸線A1之位置的姿勢。更具體而言，係於噴嘴6於周緣部處理位置PE之配置狀態，進而來自第3吐出口41之第3處理流體之供給位置位於軌跡X上的姿勢。在由噴嘴6吐出第3處理流體之步驟(例如後述SC1步驟(S5、T5))中，噴嘴6成為第3姿勢P3(圖8所示姿勢)。
噴嘴6之第4姿勢P4(圖9所示姿勢)，係依噴嘴6於周緣部處理位置PE之配置狀態，使第4吐出口46配置於較其他吐出口31、36、41更加遠離旋轉軸線A1之位置的姿勢。更具體而言，係於噴嘴6於周緣部處理位置PE之配置狀態，進而來自第4吐出口46之第4處理流體之供給位置位於軌跡X上的姿勢。在由噴嘴6吐出第4處理流體之步驟(例如後述旋轉乾燥步驟(S6)及後述SC2步驟(T7))中，噴嘴6成為第4姿勢P4(圖9所示姿勢)。
於此實施形態中，如上述，複數之吐出口31、36、41、46係距旋轉軸線A1之距離彼此相等。於第1~第4姿勢P1~P4中，由吐出對象之吐出口所吐出之處理流體的供給位置，係配置於較由其他吐出口所吐出之處理流體之供給位置更加遠離旋轉軸線A1，且於軌跡X上之位置。亦即，於噴嘴6之周緣部處理位置PE中，由第1~第4姿勢P1~P4之吐出對象之吐出口所吐出之處理流體的供給位置為一定。
杯10係配置於較由旋轉夾具5所保持之基板W更靠外方(由旋轉軸線A1遠離之方向)。杯10係包圍旋轉基底16。在依旋轉夾具5使基板W旋轉的狀態，由噴嘴6對基板W供給處理液(藥液或沖洗液)作為處理流體時，則供給至基板W之處理液被甩除至基板W周圍。在將處理液供給至基板W時，朝上開口之杯10之上 端部10a係配置於較旋轉基底16更靠上方。從而，排出至基板W周圍之處理液由杯10所承接。而且，由杯10所承接之處理液，係被送至未圖示的回收裝置或廢液裝置。
圖4為用於說明基板處理裝置1之主要部分之電性構成的方塊圖。
控制裝置3係例如使用微電腦所構成。控制裝置3係具有CPU等演算單元、固定記憶體裝置、硬碟驅動器等記憶單元、及輸出入單元。記憶單元係記憶著由演算單元所執行之程式。
控制裝置3係依照事先決定之程式，控制旋轉馬達14、噴嘴移動單元8、噴嘴自轉單元24等動作。進而，控制裝置3係控制第1處理流體閥34、第2處理流體閥39、第3處理流體閥44及第4處理流體閥49之開關動作，以及第1流量調整閥35、第2流量調整閥40、第3流量調整閥45及第4流量調整閥50之流量調整。
圖5為用於說明藉由基板處理裝置1所進行之第1基板處理例的流程圖。圖6為用於說明HF步驟(S3：使用第1處理流體之步驟)中噴嘴6(噴嘴體21)之旋轉方向姿勢的俯視圖。圖7為用於說明沖洗步驟(S4、S6：使用第2處理流體之步驟)中噴嘴6(噴嘴體21)之旋轉方向姿勢的俯視圖。圖8為用於說明SC1步驟(S5：使用第3處理流體之步驟)中噴嘴6(噴嘴體21)之旋轉方向姿勢的俯視圖。圖9為用於說明旋轉乾燥步驟(S7：使用第4處理流體之步驟)中噴嘴6(噴嘴體21)之旋轉方向姿勢的俯視圖。
以下參照圖1、圖4及圖5，說明第1基板處理例。適當參照圖6~圖9。第1基板處理例為洗淨處理。
於第1基板處理例中，作為處理流體，係使用作為洗淨藥液之氫氟酸(稀釋氫氟酸)及SC1(含有NH4OH與H2O2的混合液)、作為沖洗液之水、與作為惰性氣體之氮氣。具體而言，由第1處理流體供給配管33供給至第1處理流體配管32並由第1吐出口31吐出的處理流體為氫氟酸。由第2處理流體供給配管38供給至第2處理流體配管37並由第2吐出口36吐出的處理流體為水。由第3處理流體供給配管43供給至第3處理流體配管42並由第3吐出口41吐出的處理流體為SC1。由第4處理流體供給配管48供給至第4處理流體配管47並由第4吐出口46吐出的處理流體為氮氣。
於洗淨處理時，將未洗淨之基板W搬入至腔室4內部(步驟S1)。具體而言，依噴嘴6配置於由旋轉夾具5上方退避之退避位置的狀態，控制裝置3使保持著基板W之基板搬送機器人(未圖示)之手部(未圖示)進入至腔室4內部。藉此，將基板W依成為處理對象之主面(處理對象面，例如裝置形成面)朝上方之狀態交送至旋轉夾具5，由旋轉夾具5保持。
在旋轉夾具5保持了基板W後，控制裝置3係藉由旋轉馬達14使基板W朝旋轉方向R1開始旋轉(步驟S2)。基板W係上升至事先決定之液處理速度(例如約300rpm)，並維持此液處理速度。
又，控制裝置3係藉由控制噴嘴移動單元8，使噴嘴6由退避位置移動至上述處理位置。藉此，噴嘴6配置於處理位置。
接著，執行將氫氟酸(HF)供給至基板W上面的HF步驟(步驟S3)。控制裝置3係在HF步驟(S3)之執行前，控制噴嘴自轉單元24，將噴嘴6之旋轉方向姿勢控制為第1姿勢P1(圖6所示 姿勢)(姿勢控制步驟)。
具體而言，欲執行HF步驟(S3)時，控制裝置3係打開第1處理流體閥34。藉此，由噴嘴6之第1吐出口31，將氫氟酸依藉由第1流量調整閥35調整完成的流量吐出。由噴嘴6吐出之氫氟酸係著液於基板W上面。進而，於HF步驟(S3)，控制裝置3係藉由控制噴嘴移動單元8，使噴嘴臂7搖動，使噴嘴6於中央部處理位置PC與周緣部處理位置PE之間移動。藉此，使氫氟酸對基板W上面之著液位置，沿著軌跡X於基板W上面之中央部與該上面之周緣部之間移動。故而，使氫氟酸之著液位置通過基板W上面全域，掃描基板W上面全域，對基板W上面全域供給氫氟酸，使基板W上面全域被均勻處理。在將噴嘴6配置於周緣部處理位置PE時，第1吐出口31係與基板W上面之周緣部(尤其是距離基板W外周端數mm寬的周緣區域Ph)相對向。此時，由第1吐出口31吐出之氫氟酸(由噴嘴6吐出之氫氟酸)，係著液於基板W上面之周緣部(尤其是距基板W外周端數mm寬的周緣區域Ph)。
在由氫氟酸之吐出開始經過事先決定之期間時，控制裝置3係關閉第1處理流體閥34，停止氫氟酸之吐出。藉此，結束HF步驟(S3)。
接著，執行將作為沖洗液之水供給至基板W上面的沖洗步驟(步驟S4)。控制裝置3係在沖洗步驟(S4)之執行前，控制噴嘴自轉單元24，將噴嘴6之旋轉方向姿勢控制為第2姿勢P2(圖7所示姿勢)(姿勢控制步驟)。
具體而言，欲執行沖洗步驟(S4)時，控制裝置3係打開第2處理流體閥39。藉此，由噴嘴6之第2吐出口36，將水依 藉由第2流量調整閥40調整完成的流量吐出。由噴嘴6吐出之水係著液於基板W上面。進而，於沖洗步驟(S4)，控制裝置3係藉由控制噴嘴移動單元8，使噴嘴臂7搖動，使噴嘴6於中央部處理位置PC與周緣部處理位置PE之間移動。藉此，使水對基板W上面之著液位置，沿著軌跡X於基板W上面之中央部與該上面之周緣部之間移動。故而，使水之著液位置通過基板W上面全域，掃描基板W上面全域，對基板W上面全域供給水，於基板W上面全域將氫氟酸置換為水。在將噴嘴6配置於周緣部處理位置PE時，第2吐出口36係與基板W上面之周緣部(尤其是距離基板W外周端數mm寬的周緣區域Ph)相對向。此時，由第2吐出口36吐出之水(由噴嘴6吐出之水)，係著液於基板W上面之周緣部(尤其是距基板W外周端數mm寬的周緣區域Ph)。
在由水之吐出開始經過事先決定之期間時，控制裝置3係關閉第2處理流體閥39，停止水之吐出。藉此，結束沖洗步驟(S4)。
接著，執行將SC1供給至基板W上面的SC1步驟(步驟S5)。控制裝置3係在SC1步驟(S5)之執行前，控制噴嘴自轉單元24，將噴嘴6之旋轉方向姿勢控制為第3姿勢P3(圖8所示姿勢)(姿勢控制步驟)。
具體而言，欲執行SC1步驟(S5)時，控制裝置3係打開第3處理流體閥44。藉此，由噴嘴6之第3吐出口41，將SC1依藉由第3流量調整閥45調整完成的流量吐出。由噴嘴6吐出之SC1係著液於基板W上面。進而，於SC1步驟(S5)，控制裝置3係藉由控制噴嘴移動單元8，使噴嘴臂7搖動，使噴嘴6於中央部 處理位置PC與周緣部處理位置PE之間移動。藉此，使SC1對基板W上面之著液位置，沿著軌跡X於基板W上面之中央部與該上面之周緣部之間移動。故而，使SC1之著液位置通過基板W上面全域，掃描基板W上面全域，對基板W上面全域供給SC1，使基板W上面全域被均勻處理。在將噴嘴6配置於周緣部處理位置PE時，第3吐出口41係與基板W上面之周緣部(尤其是距離基板W外周端數mm寬的周緣區域Ph)相對向。此時，由第3吐出口41吐出之氫氟酸(由噴嘴6吐出之SC1)，係著液於基板W上面之周緣部(尤其是距基板W外周端數mm寬的周緣區域Ph)。
在由SC1之吐出開始經過事先決定之期間時，控制裝置3係關閉第3處理流體閥44，停止SC1之吐出。藉此，結束SC1步驟(S5)。
接著，執行將作為沖洗液之水供給至基板W上面的沖洗步驟(步驟S6)。控制裝置3係在沖洗步驟(S6)之執行前，控制噴嘴自轉單元24，將噴嘴6之旋轉方向姿勢控制為第2姿勢P2(圖7所示姿勢)。
具體而言，欲執行沖洗步驟(S6)時，控制裝置3係打開第2處理流體閥39。藉此，由噴嘴6之第2吐出口36，將水依藉由第2流量調整閥40調整完成的流量吐出。由噴嘴6吐出之水係著液於基板W上面。進而，於沖洗步驟(S6)，控制裝置3係藉由控制噴嘴移動單元8，使噴嘴臂7搖動，使噴嘴6於中央部處理位置PC與周緣部處理位置PE之間移動。藉此，使水對基板W上面之著液位置，沿著軌跡X於基板W上面之中央部與該上面之周緣部之間移動。故而，使水之著液位置通過基板W上面全域，掃描 基板W上面全域，對基板W上面全域供給水，於基板W上面全域將SC1置換為水。在將噴嘴6配置於周緣部處理位置PE時，第2吐出口36係與基板W上面之周緣部(尤其是距離基板W外周端數mm寬的周緣區域Ph)相對向。此時，由第2吐出口36吐出之水(由噴嘴6吐出之水)，係著液於基板W上面之周緣部(尤其是距基板W外周端數mm寬的周緣區域Ph)。
在由水之吐出開始經過事先決定之期間時，控制裝置3係關閉第2處理流體閥39，停止水之吐出。藉此，結束沖洗步驟(S6)。
接著，執行將基板W甩乾乾燥的旋轉乾燥步驟(步驟S7)。控制裝置3係在旋轉乾燥步驟(S7)之執行前，控制噴嘴自轉單元24，將噴嘴6之旋轉方向姿勢控制為第4姿勢P4(圖9所示姿勢)(姿勢控制步驟)。
具體而言，欲執行旋轉乾燥步驟(S7)時，控制裝置3係控制旋轉馬達14，使基板W加速至乾燥旋轉速度(例如數千rpm)，將基板W之旋轉維持為乾燥旋轉速度。藉此，較大之離心力施加於基板W上之液體，使附著於基板W之液體被甩除至基板W周圍。又，與旋轉乾燥步驟(S7)之執行並行地，控制裝置3係對基板W上面吐出氮氣以促進基板W乾燥。具體而言，控制裝置3係打開第4處理流體閥49。藉此，由噴嘴6之第4吐出口46，將氮氣依藉由第4流量調整閥50調整完成的流量吐出。由噴嘴6吐出之氮氣係吹附於基板W上面。進而，於旋轉乾燥步驟(S7)，控制裝置3係藉由控制噴嘴移動單元8，使噴嘴臂7搖動，使噴嘴6於中央部處理位置PC與周緣部處理位置PE之間移動。藉此，使氮 氣對基板W上面之吹附位置，沿著軌跡X於基板W上面之中央部與該上面之周緣部之間移動。此外，使氮氣之吹附位置通過基板W上面全域，掃描基板W上面全域，對基板W上面全域供給氮氣，於基板W上面全域促進乾燥。在將噴嘴6配置於周緣部處理位置PE時，第4吐出口46係與基板W上面之周緣部(尤其是距離基板W外周端數mm寬的周緣區域Ph)相對向。此時，由第4吐出口46吐出之氮氣(由噴嘴6吐出之氮氣)，係吹附於基板W上面之周緣部(尤其是距基板W外周端數mm寬的周緣區域Ph)。
在旋轉乾燥步驟(S7)進行經過事先決定之期間時，控制裝置3係控制旋轉馬達14，使旋轉夾具5之旋轉(基板W之旋轉)停止(步驟S8)。藉此，結束對一片基板W的處理(洗淨處理)，藉由搬送機器人，將處理完成之基板W由腔室4搬出(步驟S9)。
圖10為用於說明藉由基板處理裝置1所進行之第2基板處理例的流程圖。以下參照圖10、圖4及圖5，說明第2基板處理例。適當參照圖6~圖9。第2基板處理例為洗淨處理。
於第2基板處理例中，作為處理流體，係使用作為洗淨藥液之氫氟酸(稀釋氫氟酸)、SC1及SC2(含有HCl與H2O2的混合液)、與作為沖洗液之水。具體而言，由第1處理流體供給配管33供給至第1處理流體配管32並由第1吐出口31吐出的處理流體為氫氟酸。由第2處理流體供給配管38供給至第2處理流體配管37並由第2吐出口36吐出的處理流體為水。由第3處理流體供給配管43供給至第3處理流體配管42並由第3吐出口41吐出的處理流體為SC1。由第4處理流體供給配管48供給至第4處理流體配管47並由第4吐出口46吐出的處理流體為SC2。
於洗淨處理時，將未洗淨之基板W搬入至腔室4內部(步驟T1)。藉此，將基板W依成為處理對象之主面(處理對象面，例如裝置形成面)朝上方之狀態交送至旋轉夾具5，由旋轉夾具5保持。
在旋轉夾具5保持了基板W後，控制裝置3係藉由旋轉馬達14使基板W朝旋轉方向R1開始旋轉(步驟T2)。
又，控制裝置3係藉由控制噴嘴移動單元8，使噴嘴6由退避位置移動至上述處理位置。藉此，噴嘴6配置於處理位置。
接著，執行將氫氟酸(HF)供給至基板W上面的HF步驟(步驟T3)。控制裝置3係在HF步驟(T3)之執行前，控制噴嘴自轉單元24，將噴嘴6之旋轉方向姿勢控制為第1姿勢P1(圖6所示姿勢)。
HF步驟(T3)結束後，執行將作為沖洗液之水供給至基板W上面的沖洗步驟(步驟T4)。控制裝置3係在沖洗步驟(T4)之執行前，控制噴嘴自轉單元24，將噴嘴6之旋轉方向姿勢控制為第2姿勢P2(圖7所示姿勢)。
沖洗步驟(T4)結束後，執行將SC1供給至基板W上面的SC1步驟(步驟T5)。控制裝置3係在SC1步驟(T5)之執行前，控制噴嘴自轉單元24，將噴嘴6之旋轉方向姿勢控制為第3姿勢P3(圖8所示姿勢)。
SC1步驟(T5)結束後，執行將作為沖洗液之水供給至基板W上面的沖洗步驟(步驟T6)。控制裝置3係在沖洗步驟(T6)之執行前，控制噴嘴自轉單元24，將噴嘴6之旋轉方向姿勢控制為第2姿勢P2(圖7所示姿勢)。
圖10所示之第2基板處理例之各步驟中，步驟T1~T6之步驟係分別與圖5所示第1基板處理例之步驟S1~S6相同的步驟，故省略說明。
接著，執行將SC2供給至基板W上面的SC2步驟(步驟T7)。控制裝置3係在SC2步驟(T7)之執行前，控制噴嘴自轉單元24，將噴嘴6之旋轉方向姿勢控制為第4姿勢P4(圖9所示姿勢)(姿勢控制步驟)。藉此，第4吐出口46係配置於較其他吐出口31、36、41更加遠離旋轉軸線A1，且軌跡X上之位置。
具體而言，欲執行SC2步驟(T7)時，控制裝置3係打開第3處理流體閥44。藉此，由噴嘴6之第3吐出口41，將SC2依藉由第3流量調整閥45調整完成的流量吐出。由噴嘴6吐出之SC2係著液於基板W上面。進而，於SC2步驟(T7)，控制裝置3係藉由控制噴嘴移動單元8，使噴嘴臂7搖動，使噴嘴6於中央部處理位置PC與周緣部處理位置PE之間移動。藉此，使SC2對基板W上面之著液位置，沿著軌跡X於基板W上面之中央部與該上面之周緣部之間移動。故而，使SC2之著液位置通過基板W上面全域，掃描基板W上面全域，對基板W上面全域供給SC2，使基板W上面全域被均勻處理。在將噴嘴6配置於周緣部處理位置PE時，第4吐出口46係與基板W上面之周緣部(尤其是距離基板W外周端數mm寬的周緣區域Ph)相對向。此時，由第4吐出口46吐出之SC2(由噴嘴6吐出之SC2)，係著液於基板W上面之周緣部(尤其是距基板W外周端數mm寬的周緣區域Ph)。
在由SC2之吐出開始經過事先決定之期間時，控制裝置3係關閉第4處理流體閥49，停止SC2之吐出。藉此，結束SC2 步驟(T7)。
接著，執行將作為沖洗液之水供給至基板W上面的沖洗步驟(步驟T8)。控制裝置3係在沖洗步驟(T8)之執行前，控制噴嘴自轉單元24，將噴嘴6之旋轉方向姿勢控制為第2姿勢P2(圖7所示姿勢)。
具體而言，欲執行沖洗步驟(T8)時，控制裝置3係打開第2處理流體閥39。藉此，由噴嘴6之第2吐出口36，將水依藉由第2流量調整閥40調整完成的流量吐出。由噴嘴6吐出之水係著液於基板W上面。進而，於沖洗步驟(T8)，控制裝置3係藉由控制噴嘴移動單元8，使噴嘴臂7搖動，使噴嘴6於中央部處理位置PC與周緣部處理位置PE之間移動。藉此，使水對基板W上面之著液位置，沿著軌跡X於基板W上面之中央部與該上面之周緣部之間移動。故而，使水之著液位置通過基板W上面全域，掃描基板W上面全域，對基板W上面全域供給水，於基板W上面全域將SC2置換為水。
在由水之吐出開始經過事先決定之期間時，控制裝置3係關閉第2處理流體閥39，停止水之吐出。藉此，結束沖洗步驟(T8)。
接著，執行將基板W甩乾乾燥的旋轉乾燥步驟(步驟T9)。具體而言，控制裝置3係控制旋轉馬達14，使基板W加速至乾燥旋轉速度(例如數千rpm)，將基板W之旋轉維持為乾燥旋轉速度。藉此，較大之離心力施加於基板W上之液體，使附著於基板W之液體被甩除至基板W周圍，使基板W乾燥。
在旋轉乾燥步驟(T9)進行經過事先決定之期間時，控 制裝置3係控制旋轉馬達14，使旋轉夾具5之旋轉(基板W之旋轉)停止(步驟T10)。藉此，結束對一片基板W的處理(洗淨處理)，藉由搬送機器人，將處理完成之基板W由腔室4搬出(步驟T11)。
藉由以上，根據此實施形態，使具有複數吐出口31、36、41、46之噴嘴6，於中央部處理位置PC與周緣部處理位置PE之間移動。又，噴嘴6係設置為可繞旋轉軸線A3進行自轉。藉由使噴嘴6自轉，可針對複數之吐出口31、36、41、46中所需之吐出口，變更該吐出口與旋轉軸線A1之間的距離。
而且，在使用處理流體之步驟時，噴嘴6之旋轉方向姿勢係控制為於噴嘴6之周緣部處理位置PE中，使複數之吐出口31、36、41、46中吐出對象之吐出口較其他吐出口更加遠離旋轉軸線A1的既定姿勢P1~P4。於姿勢P1~P4，吐出對象之吐出口係與基板W上面之周緣部相對向。藉此，於噴嘴6之周緣部處理位置PE，可使複數之吐出口31、36、41、46中所需之吐出口與基板W上面之周緣部相對向，藉此，即使在由噴嘴6之複數之吐出口31、36、41、46中任一吐出口使處理流體吐出的情況，均可將由該吐出口所吐出之處理流體良好供給至基板W上面之周緣部。
又，由複數之吐出口31、36、41、46，吐出彼此種類相異之處理流體。又，於噴嘴6之周緣部處理位置PE中，可使複數之吐出口31、36、41、46中所需之吐出口與基板W上面之周緣部相對向。
而且，在使用處理流體之步驟時，配合由噴嘴6所欲吐出之處理流體的種類，將噴嘴6之旋轉方向姿勢控制為於噴嘴6之周緣部處理位置PE中，使吐出作為吐出對象之處理流體之吐出 口與基板W上面之周緣部相對向的既定姿勢P1~P4。藉此，即使在由噴嘴6吐出複數種之處理流體的情況，均可將吐出對象之處理流體良好供給至基板W上面之周緣部。
又，於此實施形態中，複數之吐出口31、36、41、46係距旋轉軸線A1之距離彼此為相等，且於第1~第4姿勢P1~P4中，吐出對象之吐出口係配置於較其他吐出口更加遠離旋轉軸線A1、且軌跡X上之位置。亦即，於第1~第4姿勢P1~P4中，吐出對象之吐出口相對於基板W之相對位置為一定。因此，在第1~第4姿勢P1~P4中1個旋轉方向姿勢(例如第1姿勢P1)中，藉由將周緣部處理位置PE中處理對象之吐出口(例如第1吐出口31)之位置，設定與於距基板W外周端數mm寬之周緣區域Ph相對向之位置，可將由該吐出口所吐出之處理流體精度良好地供給至該周緣區域。
圖11為本發明其他實施形態之基板處理裝置所具備之噴嘴6B的仰視圖。圖12A至12D為用於說明使用第1~第4處理流體之步驟中噴嘴6B之旋轉方向姿勢的俯視圖。
圖11及圖12A至12D所示實施形態中，對於與圖1至圖10所示實施形態表示之各部對應之部分，係加註表示與圖1至圖10之情況相同的元件符號，並省略說明。
其他實施形態之噴嘴6B、與上述實施形態之噴嘴6的相異點在於：形成於噴嘴體21之下面21a的複數吐出口(第1吐出口31B、第2吐出口36B、第3吐出口41B及第4吐出口46B(以下總稱此等吐出口時，有「吐出口31B、36B、41B、46B」的情形)之距旋轉軸線A1之距離彼此相異。複數之吐出口31B、36B、41B、 46B係等間隔配置於圓周方向上。
與圖1至圖10所示實施形態之情況相同，噴嘴自轉單元24係使噴嘴6B之旋轉方向姿勢，於第1姿勢P11(圖12A所示姿勢)、第2姿勢P12(圖12B所示姿勢)、第3姿勢P13(圖12C所示姿勢)及第4姿勢P14(圖12D所示姿勢)之合計4個姿勢間切換。
第1吐出口31B係對應至上述第1吐出口31(參照圖3)之吐出口，由第1吐出口31B，係吐出第1處理流體。在由噴嘴6B吐出第1處理流體的步驟(例如HF步驟(S3、T3))中，噴嘴6B成為第1姿勢P11。噴嘴6B之第1姿勢P11，係依噴嘴6B於周緣部處理位置PE之配置狀態，使來自第1吐出口31B之第1處理流體之供給位置較其他吐出口36B、41B、46B更加遠離旋轉軸線A1、且第1吐出口31B位於軌跡X上的姿勢。
第2吐出口36B係對應至上述第2吐出口36(參照圖3)之吐出口，由第2吐出口36B，係吐出第2處理流體。在由噴嘴6B吐出第2處理流體的步驟(例如沖洗步驟(S4、S6、T4、T6、T8))中，噴嘴6B成為第2姿勢P12。噴嘴6B之第2姿勢P12，係依噴嘴6B於周緣部處理位置PE之配置狀態，使來自第2吐出口36B之第2處理流體之供給位置較其他吐出口31B、41B、46B更加遠離旋轉軸線A1、且第2吐出口36B位於軌跡X上的姿勢。
第3吐出口41B係對應至上述第3吐出口41(參照圖3)之吐出口，由第3吐出口41B，係吐出第3處理流體。在由噴嘴6B吐出第3處理流體的步驟(例如SC1步驟(S5、T5))中，噴嘴6B成為第3姿勢P13。噴嘴6B之第3姿勢P13，係依噴嘴6B於周緣部處理位置PE之配置狀態，使來自第3吐出口41B之第3處理流 體之供給位置較其他吐出口31B、36B、46B更加遠離旋轉軸線A1、且第3吐出口41B位於軌跡X上的姿勢。
第4吐出口46B係對應至上述第4吐出口46(參照圖3)之吐出口，由第4吐出口46B，係吐出第4處理流體。在由噴嘴6B吐出第4處理流體的步驟(例如旋轉乾燥步驟(S7)及SC2步驟(T7))中，噴嘴6B成為第4姿勢P14。噴嘴6B之第4姿勢P14，係依噴嘴6B於周緣部處理位置PE之配置狀態，使來自第4吐出口46B之第4處理流體之供給位置較其他吐出口31B、36B、41B更加遠離旋轉軸線A1、且第4吐出口46B位於軌跡X上的姿勢。
於此實施形態中，第2吐出口36B係相較於第1吐出口31B，其距旋轉軸線A1之距離更短。第3吐出口41B亦相較於第2吐出口36B，其距旋轉軸線A1之距離更短。第4吐出口46B亦相較於第3吐出口41B，其距旋轉軸線A1之距離更短。從而，於噴嘴6B之周緣部處理位置PE中，第1~第4姿勢P11~P14之吐出對像之吐出口，係彼此相對於基板W之相對位置不同。
圖13為用於說明藉由具備噴嘴6B之基板處理裝置所進行之基板處理例的剖面圖。
作為處理對象之基板，係假設於矽基板51上面，配置了被覆該上面之SiO2膜52，並於SiO2膜52之上面，配置了被覆該上面的TiN膜53的基板W1。此時，於基板W上面之周緣部，如圖13所示般，欲對SiO2膜52供給處理流體(例如氫氟酸)之位置、與欲對TiN膜53供給處理流體(例如SC1)之位置，係彼此於基板W之徑方向上相異。對此基板W1，使用第1基板處理例(參照圖5)或第2基板處理例(參照圖10)進行處理。
於第1及第2基板處理例中，於HF步驟(S3、T3)對SiO2膜52進行如蝕刻去除般之洗淨，於SC1步驟(S5、T5)中對TiN膜53進行如蝕刻去除般之洗淨。
於HF步驟(S3、T3)，控制裝置3藉由控制噴嘴移動單元8，使噴嘴臂7搖動，使噴嘴6B於中央部處理位置PC(圖12A中由虛線所示位置)與周緣部處理位置PE(圖12A中由實線所示位置)之間移動。藉此，使氫氟酸對基板W1上面之著液位置，沿著軌跡X於基板W上面之中央部與該上面之周緣部之間移動。此時，於噴嘴6B之周緣部處理位置PE中，由第1吐出口31B所吐出之氫氟酸(由噴嘴6B所吐出之氫氟酸)，係著液於基板W上面之第1周緣區域Ph1。
於SC1步驟(S5、T5)，控制裝置3藉由控制噴嘴移動單元8，使噴嘴臂7搖動，使噴嘴6B於中央部處理位置PC(圖12C中由虛線所示位置)與周緣部處理位置PE(圖12C中由實線所示位置)之間移動。藉此，使SC1對基板W1上面之著液位置，沿著軌跡X於基板W上面之中央部與該上面之周緣部之間移動。此時，於噴嘴6B之周緣部處理位置PE中，由第3吐出口41B所吐出之SC1(由噴嘴6B所吐出之SC1)，係著液於較第1周緣區域Ph1更靠內側鄰接之第2周緣區域Ph2。
藉由以上，根據此實施形態，除了與上述圖1~圖10所示之實施形態所述的作用效果同等之作用效果之外，尚可在噴嘴6B之周緣部處理位置PE，配合處理流體而使由吐出對象之吐出口所吐出之處理流體之供給位置依微小量相異。
以上說明了本發明之2個實施形態，但本發明亦可依 其他形態實施。
例如，於第2實施形態中，複數吐出口31B、36B、41B、46B之所有吐出口距旋轉軸線A3之距離並不需要彼此相異，亦可為使複數吐出口31B、36B、41B、46B中1個吐出口之距旋轉軸線A3之距離與其他吐出口相異即可。
又，上述各實施形態中，具有複數個吐出口之噴嘴6、6B係構成為於1個噴嘴體21設置了複數個吐出口，但亦可構成為複數設置具有既定個數(例如1個)吐出口之噴嘴體。
再者，上述各實施形態中，說明了將各吐出口設為朝鉛直下方吐出處理流體之吐出口，但亦可由各吐出口朝斜下方吐出處理流體。
又，上述各實施形態中，設於噴嘴6、6B之吐出口之個數可不需為4個，而可為2個或3個、或5個以上。
另外，上述各實施形態中，列舉了具有1個具備噴嘴6、6B之噴嘴臂7的情況為例，但亦可具有2個以上之具備噴嘴6、6B之噴嘴臂7。
再者，列舉了噴嘴移動單元8為使噴嘴6、6B繞搖動軸線A2進行搖動的構成為例，但亦可採用使噴嘴6、6B於水平方向直線移動的構成。
又，作為處理流體供給單元9，係列舉了對複數吐出口供給彼此種類相異之處理流體為例進行了說明，但亦可對複數吐出口供給相同種類之處理流體。此時，可於複數之吐出口中使各處理流體之溫度相異。
另外，上述各實施形態中，說明了基板處理裝置1為 對圓板狀之基板W、W1進行處理之裝置的情況，但基板處理裝置1亦可為對液晶顯示裝置用玻璃基板等之多角形基板進行處理的裝置。
雖針對本發明之實施形態進行了詳細說明，但此等僅為用於闡明本發明之技術內容的具體例，本發明並不應限定於此等具體例而解釋，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍所限定。
本申請案係與於2016年1月25日向日本專利局提出之日本專利特願2016-11885號對應，該申請案之所有揭示內容均藉由引用而併入本文中。
1‧‧‧基板處理裝置
6‧‧‧噴嘴
7‧‧‧噴嘴臂
9‧‧‧處理流體供給單元
21‧‧‧噴嘴體
21a‧‧‧下面
22‧‧‧護件
23‧‧‧噴嘴旋轉軸
24‧‧‧噴嘴自轉單元
25‧‧‧保持器
31‧‧‧第1吐出口
32‧‧‧第1處理流體配管
33‧‧‧第1處理流體供給配管
34‧‧‧第1處理流體閥
35‧‧‧第1流量調整閥
36‧‧‧第2吐出口
37‧‧‧第2處理流體配管
38‧‧‧第2處理流體供給配管
39‧‧‧第2處理流體閥
40‧‧‧第2流量調整閥
41‧‧‧第3吐出口
42‧‧‧第3處理流體配管
43‧‧‧第3處理流體供給配管
44‧‧‧第3處理流體閥
45‧‧‧第3流量調整閥
46‧‧‧第4吐出口
47‧‧‧第4處理流體配管
48‧‧‧第4處理流體供給配管
49‧‧‧第4處理流體閥
50‧‧‧第4流量調整閥
A3‧‧‧旋轉軸線

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，係包含：基板保持單元，係保持基板；旋轉單元，係使由上述基板保持單元所保持之基板，繞通過該基板主面之中央部之既定第1旋轉軸線進行旋轉；噴嘴，係設置為可繞既定第2旋轉軸線進行自轉，並朝上述基板主面吐出處理流體者，其具有配置於由上述第2旋轉軸線遠離之位置的複數吐出口；噴嘴臂，係支撐上述噴嘴；噴嘴自轉單元，係使上述噴嘴繞上述第2旋轉軸線進行自轉；處理流體供給單元，係對上述複數吐出口供給處理流體；及噴嘴移動單元，係藉由移動上述噴嘴臂，於由上述噴嘴所吐出之處理流體供給至基板主面之中央部的中央部處理位置、與由上述噴嘴所吐出之處理流體供給至上述基板主面之周緣部的周緣部處理位置之間，使上述噴嘴移動。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述處理流體供給單元係對上述複數吐出口供給彼此種類相異之處理流體。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，進一步包含第1姿勢控制裝置，其係配合由上述噴嘴所欲吐出之處理流體的種類，藉由上述噴嘴自轉單元控制上述噴嘴之旋轉方向姿勢。
  4. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，進一步包含第2姿勢控制裝置，其係於上述周緣部處理位置，依使上述複數吐出口中吐出對象之吐出口配置於較其他吐出口更遠離上述第1旋轉軸線之位置的方式，藉由上述噴嘴自轉單元控制上述噴嘴之旋轉方向姿勢。
  5. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述複數吐出口係距上述第2旋轉軸線之距離彼此相等。
  6. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述複數吐出口係距上述第1旋轉軸線之距離彼此相異。
  7. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，各吐出口係包含朝向鉛直下方吐出上述處理流體之向下吐出口。
  8. 一種基板處理方法，係包含：準備噴嘴之步驟，該噴嘴係設置為可繞通過由基板保持單元所保持之基板之主面的既定第2旋轉軸線進行自轉，朝上述基板主面吐出處理流體者，具有配置於由上述第2旋轉軸線遠離之位置的複數吐出口；噴嘴移動步驟，係使上述噴嘴於與上述基板主面之中央部相對向的中央部處理位置、及與上述基板主面之周緣部相對向的周緣部處理位置之間，沿著上述基板主面移動；與姿勢控制步驟，係配合由上述噴嘴所欲吐出之處理流體的種類，使上述噴嘴繞上述第2旋轉軸線進行自轉，控制該噴嘴之旋轉方向姿勢。
  9. 如請求項8之基板處理方法，其中，上述姿勢控制步驟進一步包含：依將上述複數吐出口中吐出對象之吐出口配置於較其他吐出口更加遠離上述第1旋轉軸線之位置的方式，使上述噴嘴繞上述第2旋轉軸線進行自轉，控制該噴嘴之旋轉方向姿勢的步驟。
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