CN104205305A - 基板处理装置以及加热器清洗方法 - Google Patents
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Abstract
对与由基板保持单元(3)保持的基板(W)的上表面相对配置且用于对该上表面加热的加热器(35)进行清洗。加热器具有红外线灯(38)和外壳(40)。加热器清洗方法包含以下工序:加热器配置工序,在加热器清洗位置以与第一喷出口(84)相对的方式配置所述加热器,所述加热器清洗位置是具有第一喷出口的下喷嘴(82)的上方的位置,所述第一喷出口与保持于所述基板保持单元的基板的下表面相对并且向上方喷出液体;以及下清洗液喷出工序,在所述基板保持单元上未保持基板的状态下,对所述下喷嘴供给清洗液,从所述第一喷出口向上方喷出清洗液,由此,对配置在所述加热器清洗位置的所述加热器的所述外壳的外表面供给清洗液。
Description
技术领域
本发明涉及具备加热器的基板处理装置以及用于清洗该加热器的加热器清洗方法,该加热器具有红外线灯且用于对基板实施加热处理。成为加热处理对象的基板中例如包含:半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子显示器用基板、场发射显示器(Field Emission Display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等基板。
背景技术
在半导体装置制造工序中包含例如在半导体晶片(以下简称为“晶片”)的主面(表面)上局部注入磷、砷、硼等杂质(离子)的工序。在该工序中,为了防止对不需要的部分注入离子,在晶片表面上形成由感光性树脂构成的抗蚀剂的图案,不需要注入离子的部分被抗蚀剂掩盖。由于在晶片表面上形成的抗蚀剂图案在注入离子之后不再需要,所以在注入离子后,进行用于除去该晶片表面上的不需要的抗蚀剂的抗蚀剂除去处理。
在有代表性的抗蚀剂除去处理中,在晶片表面上照射氧等离子、晶片表面上的抗蚀剂被灰化。而且,对晶片表面供给硫酸和双氧水的混合液即硫酸双氧水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:SPM液)等药液。由此,灰化的抗蚀剂被除去,从晶片表面除去了抗蚀剂。
但是,用于进行抗蚀剂的灰化的氧等离子的照射会对晶片表面上未用抗蚀剂覆盖的部分(例如,从抗蚀剂暴露出的氧化膜)带来损伤。
因此,最近正在关注如下方法:不进行抗蚀剂的灰化,对晶片表面供给SPM液,通过该SPM液中包含的过氧硫酸(H2SO5)的强氧化力,从晶片表面剥离抗蚀剂并除去。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005-93926号公报
发明内容
发明要解决的问题
本申请的发明人为了实现使供给到基板主面的药液的进一步高温化,讨论了在处理药液时,对供给到基板主面的药液进行加热。具体来讲,通过将具有红外线灯和收纳该红外线灯的外壳的加热器与基板主面隔开间隔相对配置,对存在于基板主面上的药液进行加热。
但是,在通过红外线灯对药液进行加热处理时,药液急剧升温,在基板主面的周边产生大量的药液雾。在进行加热处理时产生的药液雾附着在与基板主面相对的加热器外壳的下表面。当药液雾附着在外壳下表面而被放置时,由于外壳的下表面的红外线透过率的降低,释放到外壳外的红外线的照射光量降低。不仅如此,药液雾会干燥结晶,由此,外壳下表面有可能变成颗粒源。因此,每处理一张基板,都需要清洗走附着在加热器的外壳下表面的药液。
作为对加热器的外壳进行清洗的方法,考虑有如下方法:设有条形喷嘴,所述条形喷嘴的朝向垂直下方的多个喷出口沿水平方向排列成一列或多列,将来自各喷出口的处理液从上方供给至加热器。但是,在这样的方法中,难以使清洗液遍历加热器的外壳的下表面全部区域。
本发明的目的在于提供一种能够良好地清洗加热器的基板处理装置以及加热器清洗方法。
用于解决问题的手段
本发明提供一种对加热器进行清洗的加热器清洗方法,所述加热器与通过基板保持单元保持的基板的上表面(上侧主面)相对配置并用于对该上表面进行加热。加热器具有红外线灯和外壳。所述加热器清洗方法包含以下工序:加热器配置工序,在加热器清洗位置,以与第一喷出口相对置的方式配置所述加热器,所述加热器清洗位置是具有所述第一喷出口的下喷嘴的上方的位置,所述第一喷出口与保持于所述基板保持单元的基板的下表面相对置并且向上方喷出液体;下清洗液喷出工序,在所述基板保持单元未保持基板的状态下,对所述下喷嘴供给清洗液,从所述第一喷出口向上方喷出清洗液,从而对配置在所述加热器清洗位置的所述加热器的所述外壳的外表面供给清洗液。
根据本方法,在第一喷出口的上方的加热器位置配置加热器,由此,加热器与第一喷出口相对置。在这种状态下,从第一喷出口向上方喷出清洗液。来自第一喷出口的清洗液向上方喷出,着液到配置于加热器清洗位置的加热器的外壳的下部外表面,对该下部外表面进行清洗。
加热器用于对保持于基板保持单元的基板进行加热的加热处理。在进行该加热处理时,基板表面与外壳的下部外表面相对配置。因此,在加热处理之后,异物有可能附着在外壳的下部外表面。这样的异物能够通过从第一喷出口向上方即向外壳的下部外表面供给的清洗液冲走。由此,能够良好地清洗外壳的外表面,因此,能够将外壳的外表面保持为清洁状态。
所述外壳可以具有在通过所述红外线灯对基板进行加热处理时与基板表面相对置的相对面。此外,可以在基板的上表面上存在药液的状态下进行所述加热处理。此时,在进行加热处理时,通过红外线灯使药液急剧升温,有可能在基板主面的周围产生大量的药液雾。而且,产生的药液雾有可能附着在外壳的相对面上。
但是,即使在这种情况下,通过使用清洗液对加热器的外壳的相对面进行清洗,也能够冲走附着在外壳的相对面上的药液雾,能够将外壳的相对面保持为清洁状态。因此,能够防止射到外壳外的红外线的照射光量的降低,并且,能够防止外壳成为颗粒源,给基板的处理带来坏的影响。
在本发明的一个实施方式中,所述方法还包含:上清洗液喷出工序,通过与所述下清洗液喷出工序并行地,从配置于所述第一喷出口上方(更具体地讲是所述加热器清洗位置的上方)的上喷嘴向下方喷出清洗液,对所述外壳的外表面供给清洗液。
根据本方法,与来自下喷嘴的清洗液的喷出并行地从配置于加热器清洗位置的加热器上方的上喷嘴向下方喷出清洗液。因此,能够使清洗液遍历外壳的外表面的宽范围。由此,能够在在宽范围内清洗加热器的外壳的外表面。
所述上喷嘴可以是配置于用于收纳所述基板保持单元的处理室的顶壁的顶部喷嘴。
在本发明的一个实施方式中,所述方法还包含着液位置移动工序,与所述下清洗液喷出工序并行地,使从所述第一喷出口喷出的清洗液在所述外壳的外表面的着液位置移动。
根据本方法,与来自第一喷出口的清洗液的喷出并行地使清洗液在外壳的外表面上的着液位置移动。由此,能够使清洗液着液到外壳的下部外表面的宽范围内,能够有效进行清洗。
所述着液位置移动工序可以包含:在与来自所述第一喷出口的清洗液的喷出方向交叉的方向(水平方向)上使所述加热器往复移动的工序。
在本发明的一个实施方式中,所述方法还包含干燥工序,所述干燥工序是在所述下清洗液供给工序结束后,除去附着在所述外壳的外表面的清洗液的工序。
根据本方法,在用清洗液对加热器外壳进行清洗处理后,残留在外壳的外表面上的清洗液被除去。由此,能够防止残留在外壳的外表面上的清洗液对基板处理带来不好的影响。
在本发明的一个实施方式中,所述干燥工序还包含加热干燥工序,所述加热干燥工序是从所述红外线灯对所述外壳照射红外线,对所述外壳的外表面进行加热使其干燥。
根据本方法,通过从红外线灯照射红外线,外壳升温,附着在外壳的外表面上的清洗液被蒸发而除去。由此,能够使外壳的外表面良好地干燥。
在本发明的一个实施方式中,所述下喷嘴还具有用于向上方喷出气体的第二喷出口,所述干燥工序包含下干燥用气体喷出工序,在所述下干燥用气体喷出工序中,通过对所述下喷嘴供给干燥用气体,从所述第二喷出口向上方喷出干燥用气体,来对配置在所述加热器清洗位置的所述加热器的所述外壳的外表面供给干燥用气体。
根据本方法,来自第二喷出口的干燥用气体被喷出到加热器的外壳的下部外表面。通过该干燥用气体,附着在外壳的下部外表面上的清洗液被吹走。由此,能够使外壳的外表面良好地干燥。
本发明还提供一种基板处理装置,包含:加热器,具有红外线灯和收纳所述红外线灯的外壳,在与基板的主面相对置的处理位置对该基板的主面加热;清洗液供给单元,在所述加热器位于与所述处理位置不同的清洗位置的状态下,对所述外壳的外表面供给清洗液。
根据本结构,在与加热处理时的处理位置不同的清洗位置配置加热器的状态下,对加热器的外壳的外表面供给清洗液。由此,能够使用清洗液将附着在外壳外表面上的异物冲走。因此,能够良好地清洗外壳的外表面。
外壳可以具有在通过红外线灯对基板进行加热的加热处理时与基板的表面相对的相对面。此外,在基板主面上存在药液的状态下,可以对基板实施加热处理。此时,在进行加热处理时,由于红外线灯使药液急剧升温,有时在基板的主面周围产生大量的药液雾,该药液雾会附着在外壳的相对面上。
但是,这样的药液雾由于向加热器供给清洗液而被冲走。由此,能够将外壳的相对面清洗干净。因此,能够防止射出到外壳外的红外线的照射光量的降低、以及外壳成为颗粒源给基板处理带来不好的影响。
所述清洗位置可以是所述加热器从所述处理位置退出并等待时的等待位置。根据本结构,由于对在等待位置等待的加热器实施清洗处理,所以如果加热器位于等待位置,则不管基板处理的进行状况如何,都能够对加热器进行清洗。即,由于能够在不中断基板处理的情况下对加热器进行清洗,所以能够提高基板处理装置的生产率。
在本发明的一个实施方式中,所述基板处理装置还包含收纳部件,所述收纳部件收纳所述加热器并且挡住从该加热器飞散的清洗液。根据该结构,能够抑制清洗液飞散到加热器的周围。
此时,所述收纳部件包含储存容器,所述储存容器是在底部具有排出口并能够储存液体的有底容器状的容器,所述清洗液供给单元可以包含对所述储存容器内供给清洗液的清洗液喷嘴。此时,所述基板处理装置还包含排液配管,与所述储存容器的所述排出口连接,用于排出储存在所述储存容器中的液体;以及排液阀,安装在所述排液配管上,用于开闭所述排液配管。
根据本结构,通过关闭排液阀来阻止从有底容器排出清洗液。在这种状态下,通过从清洗液喷嘴供给清洗液,清洗液被储存在储存容器中。通过使加热器外壳的外表面沉浸在储存于储存容器的清洗液中,就能够清洗外壳的外表面。
所述清洗液供给单元可以具备清洗液喷嘴,所述清洗液喷嘴具有向所述外壳的外表面喷出清洗液的清洗液喷出口。
在本发明的一个实施方式中,所述基板处理装置还包含干燥用气体喷出单元,为了从所述外壳的外表面除去清洗液,向所述外壳的外表面喷出干燥用气体。
根据本结构,从干燥用气体喷出单元向加热器外壳喷出干燥用气体。通过干燥用气体,附着在外壳的外表面上的清洗液被吹走。由此,能够使外壳的外表面良好地干燥。
在本发明的一个实施方式中,所述基板处理装置还包含加热器升降单元,使所述加热器升降,所述干燥用气体喷出单元包含在与所述加热器的升降方向交叉的方向上喷出干燥用气体的干燥用气体喷嘴,所述基板处理装置还包含喷出干燥控制单元,所述喷出干燥控制单元控制所述干燥用气体喷出单元以及所述加热器升降单元,从所述干燥用气体喷嘴喷出干燥用气体,并且通过使所述加热器升降,来使干燥用气体在所述外壳的外表面上的供给位置升降。
根据本结构,一面使来自干燥用气体喷嘴的干燥用气体被横向喷出,一面使加热器在与该喷出口相对的区域升降。因此,由于干燥用气体被喷出到外壳的外表面的宽的区域(优选是整个区域),所以能够从外壳的外表面的宽的区域(优选是整个区域)除去清洗液。由此,能够对外壳的外表面良好地干燥。
在本发明的一个实施方式中,所述基板处理装置还包含加热干燥控制单元,通过从所述红外线灯对所述外壳照射红外线,对附着在所述外表面上的清洗液进行加热使其干燥。根据本结构,通过从红外线灯照射红外线而使外壳被加热,使得附着在外壳外表面上的清洗液被除去。由此,能够使外壳的外表面良好地干燥。
本发明还提供一种对加热器进行清洗的加热器清洗方法,所述加热器在与基板主面相对的处理位置对该基板主面进行加热。加热器具有红外线灯和收纳该红外线灯的外壳。所述加热器清洗方法包含:加热器配置工序,在与所述处理位置不同的清洗位置配置所述加热器;清洗液供给工序,对位于所述清洗位置的所述加热器的外表面供给清洗液。
在本发明的一个实施方式中,所述方法还包含:在所述清洗液供给工序结束后,除去附着在所述外壳的外表面的清洗液的干燥工序。
根据本方法,在基于清洗液的供给的加热器清洗处理后,除去残留在外壳外表面的清洗液。由此,能够防止清洗液残留在外壳的外表面,对基板处理带来不好的影响。
在本发明的一个实施方式中,所述干燥工序还包含加热干燥工序,所述加热干燥工序是从所述红外线灯对所述外壳照射红外线,对所述外壳的外表面进行加热使其干燥。
在本发明的一个实施方式中,所述干燥工序包含:加热器升降工序,使所述加热器升降;以及干燥用气体喷出工序,从干燥用气体喷嘴沿与所述加热器的升降方向交叉的方向而向所述外壳的外表面喷出干燥用气体。
本发明的上述、或者其他目的、特征以及效果通过参考附图在下面论述的实施方式的说明能够明确。
附图说明
图1是表示执行本发明的一个实施方式的加热器清洗方法的基板处理装置的结构的示意图。
图2是所述基板处理装置中具备的加热器头的图解的剖视图。
图3是所述加热器头中具备的红外线灯的立体图。
图4是表示图1所示的基板处理装置的电气结构的框图。
图5是表示通过所述基板处理装置进行抗蚀剂除去处理的处理例的工序图。
图6A是用于说明SPM液膜形成工序的图解图。
图6B是用于说明SPM液膜加热工序的图解图。
图7是表示SPM液膜加热工序中的加热器头的移动范围的俯视图。
图8是表示加热器头清洗干燥工序的一例的流程图。
图9A是用于说明加热器头清洗干燥工序中的一个工序的图解图。
图9B是表示图9A的下一个工序的图解图。
图10是表示加热器头清洗干燥工序中的加热器头的移动范围的俯视图。
图11是表示本发明的另一实施方式的基板处理装置的结构的示意图。
图12是表示图11所示的基板处理装置中具备的清洗舱的结构的图。
图13是表示图11所示的基板处理装置的电气结构的框图。
图14是表示图11的基板处理装置中的加热器头清洗干燥工序的流程的流程图。
图15A是用于说明加热器头清洗干燥工序中的一个工序的图解图。
图15B是表示图15A的下一个工序的图解图。
图15C是表示图15B的下一个工序的图解图。
图16是表示清洗舱(pod)的另一构成例的图。
图17是从图16的剖面线A-A观察的剖视图。
图18是表示清洗舱的另一个构成例的图。
图19是从剖面线B-B观察的剖视图。
具体实施方式
图1是表示执行本发明的一个实施方式的加热器清洗方法的基板处理装置的结构的示意图。基板处理装置1是在例如作为基板的一例的晶片W的表面(主面)注入杂质的离子注入处理和干法刻蚀处理之后,用于从该晶片W的表面除去不需要的抗蚀剂的处理的枚叶式装置。
基板处理装置1具备通过隔壁2A划分的处理室2。在处理室2的顶壁设有用于对处理室2内送入清洁空气的风扇过滤器单元(未图示)。清洁空气是对设置有基板处理装置1的净化室内的空气进行净化而生成的空气。
基板处理装置1在处理室2内具备:晶片旋转机构(基板保持单元)3;剥离液喷嘴(药液供给单元)4;以及加热器头(加热器)35。晶片旋转机构3保持晶片W并使其旋转。剥离液喷嘴4对在晶片旋转机构3上保持的晶片W的表面(上表面)供给SPM液,所述SPM液是作为药液的抗蚀剂剥离液的一例。加热器头35与保持于晶片旋转机构3上的晶片W的表面相对配置,对晶片W的表面上的SPM液进行加热。
晶片旋转机构3可以采用例如夹持式的机构。具体讲,晶片旋转机构3例如具备:大致垂直延伸的旋转轴7;大致水平地安装到旋转轴7的上端的圆板状的旋转基底8;在旋转基底8的周缘部的多个位置大致等间隔设置的多个夹持部件9。而且,使各夹持部件9与晶片W的端面抵接,通过多个夹持部件9来夹持晶片W,由此,晶片W以大致水平姿态被保持,晶片W的中心被配置在旋转轴7的中心轴线上。
旋转力被从包含电动机(未图示)的卡盘旋转驱动机构6输入到旋转轴7中。通过该旋转力的输入,旋转轴7旋转,被夹持部件9夹持的晶片W以保持大致水平姿态的状态,与旋转基底8一起围绕规定的旋转轴线(垂直轴线)C旋转。卡盘旋转驱动机构6具有与旋转轴7一体化的转子(驱动轴)和配置在其周围的定子,旋转轴7可以具有在垂直方向上贯通的中空电动机的形态(参考图11)。
旋转轴7是中空轴,在旋转轴7的内部插有分别在垂直方向上延伸的背面侧液体供给管80和背面侧气体供给管81。背面侧液体供给管80的上端部以及背面侧气体供给管81的上端部分别与设在旋转轴7上端的背面喷嘴(下喷嘴)82连接。背面喷嘴82在其上端具有圆形的背面液体喷出口(第一喷出口)84和圆形的背面气体喷出口(第二喷出口)85。背面液体喷出口84和背面气体喷出口85相互接近配置。各喷出口84、85与保持于晶片旋转机构3上的晶片W的下表面的大致旋转中心相对置。背面液体喷出口84和背面气体喷出口85的上下方向的高度一致。
背面侧液体供给管80上连接有清洗液下供给管86,所述清洗液下供给管86提供作为清洗液的一例的DIW(去离子水)。在清洗液下供给管86上安装有用于开闭所述清洗液下供给管86的清洗液下阀87。
在背面侧气体供给管81上连接有提供作为干燥用气体一例的氮气的干燥用气体下供给管88。干燥用气体下供给管88上安装有用于开闭所述干燥用气体下供给管88的干燥用气体下阀89。
剥离液喷嘴4是例如在连续流动的状态下喷出SPM液的直线型喷嘴。剥离液喷嘴4以使该喷出口朝向下方的状态,安装在大致水平延伸的第一液臂11的前端。第一液臂11被设置成能够围绕沿垂直方向延伸的规定的摆动轴线旋转。第一液臂11与第一液臂摆动机构12连接,所述第一液臂摆动机构12用于使第一液臂11在规定角度范围内摆动。通过第一液臂11的摆动,剥离液喷嘴4在晶片W的旋转轴线C上的位置(与晶片W的旋转中心相对的位置)和设定在晶片旋转机构3侧面的初始位置之间移动。该初始位置是加热器头35从晶片W上方退出并等待时的等待位置。
剥离液喷嘴4上连接有剥离液供给管15,所述剥离液供给管15用于供给来自SPM供给源的SPM液。在剥离液供给管15的中途部安装有剥离液喷嘴23,所述剥离液喷嘴23用于切换来自剥离液喷嘴4的SPM液的供给/供给停止。
此外,基板处理装置1具备:DIW喷嘴24;SC1喷嘴25;以及杯5。DIW喷嘴24对保持于晶片旋转机构3上的晶片W的表面供给作为清洗液的DIW(去离子水)。SC1喷嘴25对保持于晶片旋转机构3上的晶片W的表面供给作为清洗用药液的SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture:氨双氧水混合液)。杯5包围晶片旋转机构3的周围,挡住从晶片W流下或飞散的SPM液或SC1、DIW。
DIW喷嘴24是例如在连续流动的状态下喷出DIW的直线型喷嘴,并且在晶片旋转机构3的上方将其喷出口朝向晶片W的旋转中心附近被固定地配置。DIW喷嘴24与供给来自DIW供给源的DIW的DIW供给管26连接。在DIW供给管26的中途部安装有DIW喷嘴27,所述DIW喷嘴27用于切换来自DIW喷嘴24的DIW的供给/供给停止。
SC1喷嘴25是例如在连续流动的状态下喷出SC1的直线型喷嘴。SC1喷嘴25在使其喷出口朝向下方的状态下,被安装在大致水平延伸的第二液臂28的前端。第二液臂28被设置成能够围绕沿垂直方向延伸的规定的摆动轴线旋转。第二液臂28与用于使第二液臂28在规定角度范围内摆动的第二液臂摆动机构29连接。通过第二液臂28的摆动,SC1喷嘴25在晶片W的旋转轴线C上的位置(与晶片W的旋转中心相对的位置)和设定于晶片旋转机构3的侧面的初始位置之间移动。
SC1喷嘴25与供给来自SC1供给源的SC1的SC1供给管30连接。在SC1供给管30的中途部安装有用于切换来自SC1喷嘴25的SC1的供给/供给停止的SC1阀31。
晶片旋转机构3的侧面配置有沿垂直方向延伸的支撑轴33。支撑轴33的上端部与沿水平方向延伸的加热器臂34连接。在该加热器臂34的前端安装有用于收纳保持红外线灯38的加热器头35。此外,摆动驱动机构36和升降驱动机构37在支撑轴33上结合,所述摆动驱动机构36用于使支撑轴33围绕中心轴线旋转,所述升降驱动机构37用于使支撑轴33沿中心轴线上下移动。
从摆动驱动机构36将驱动力输入支撑轴33,使支撑轴33在规定的角度范围内转动,由此,在保持于晶片旋转机构3上的晶片W上方,加热器臂34以支撑轴33为支点摆动。通过加热器臂34的摆动,加热器头35在晶片W的旋转轴线C上的位置(与晶片W的旋转中心相对的位置)与设定于晶片旋转机构3的侧面的初始位置之间移动。此外,从升降驱动机构37向支撑轴33输入驱动力,使支撑轴33上下移动,由此,加热器头35在与保持于晶片旋转机构3上的晶片W的表面接近的接近位置(图1中两点划线所示的高度的位置。包含后述的接近中央位置和接近周缘位置)与退到所述晶片W上方的退避位置(图1中实线所示高度的位置)之间升降。在本实施方式中,接近位置被设定为保持于晶片旋转机构3上的晶片W的表面和加热器头35的下表面(相对面)52B之间的间隔例如是3mm的位置。
在处理室2顶壁的下表面,在基于晶片旋转机构3的旋转轴线C的上方,清洗液上喷嘴(顶部喷嘴)94和干燥用气体上喷嘴(顶部喷嘴)95横向上相互邻接配置。
清洗液上喷嘴94具有用于朝下呈淋浴状喷出液体的喷出口。清洗液上喷嘴94与供给清洗液的清洗液上供给管90连接。清洗液上供给管90上安装有用于开闭所述清洗液上供给管90的清洗液上阀91。
干燥用气体上喷嘴95具有用于垂直向下喷出气体的喷出口。干燥用气体上喷嘴95与提供作为干燥用气体的一例的氮气的干燥用气体上供给管92连接。干燥用气体上供给管92安装有用于开闭该干燥用气体上供给管92的干燥用气体上阀93。
图2是表示加热器头35的构成例的图解的剖视图。
加热器头35具备:红外线灯38;灯外壳(外壳)40;支撑部件42;以及盖(外壳)41,所述灯外壳(外壳)40是在上部具有开口部39并且收纳红外线灯38的有底容器状的灯外壳,所述支撑部件42用于在灯外壳40内部悬挂支撑红外线灯38,所述盖41用于关闭灯外壳40的开口部39。在本实施方式中,盖41被固定在加热器臂34的前端。
图3是表示红外线灯38的构成例的立体图。如图2以及图3所示,红外线灯38是具有圆环状的(圆弧状的)圆环部43;以及从圆环部43的两端沿圆环部43的中心轴线延伸的一对直线部44、45的一个红外线灯加热器。圆环部43主要作为射出红外线的发光部起作用。在本实施方式中,圆环部43的直径(外径)被设定为例如大约60mm。在红外线灯38被支撑部件42支撑的状态下,圆环部43呈水平姿态。换言之,圆环部43的中心轴线是与保持于晶片旋转机构3上的晶片W的表面垂直的轴线(垂直轴线)。
红外线灯38是将灯丝收纳在石英管内的结构。红外线灯38与用于提供电压的放大器54(参考图4)连接。能够采用以卤素灯或碳加热器为代表的短、中、长波长的红外线加热器来作为红外线灯38。
如图2所示,盖41呈圆板状并且相对于加热器臂34被固定为水平姿势。盖41是使用PTFE(聚四氟乙烯)等氟树脂材料形成的。在本实施方式中,盖41与加热器臂34一体形成。但是,也可以将盖41与加热器臂34分开形成。此外,除了PTFE等树脂材料之外,还能采用陶瓷或石英等材料来作为盖41的材料。
在盖41的下表面49上形成有大致圆筒状的槽部51。槽部51具有由水平平坦面构成的上底面50,支撑部件42的上表面42A与上底面50接触并被固定在上底面50上。盖41形成有沿上下方向(垂直方向)贯通上底面50的插入孔58、59。红外线灯38的直线部44、45的各上端部插入各插入孔58,59。
灯外壳40呈有底圆筒容器状。灯外壳40是使用石英形成。
灯外壳40在使其开口部39朝向上方的状态下,被固定在盖41的下表面49(在本实施方式中,槽部51以外的区域的下表面)。从灯外壳40的开口侧的周端缘起,圆环状的凸缘40A向直径方向外侧(水平方向上)突出。凸缘40A被使用螺栓等固定单元(未图示)而固定在盖41的下表面49上,由此,灯外壳40被盖41支撑。
在这种状态下,灯外壳40的底板部52呈水平姿势的圆板状。底板部52的上表面52A和下表面52B(相对面)分别呈水平平坦面。在灯外壳40内,红外线灯38的圆环部43的下部与底板部52的上表面52A接近且相对配置。圆环部43与底板部52相互平行设置。当改变观察角度时,圆环部43的下部由灯外壳40的底板部52覆盖。在本实施方式中,灯外壳40的外径被设定为例如大约85mm。此外,红外线灯38(圆环部43的下部)和上表面52A之间的上下方向的间隔被设定为例如大约2mm。
支撑部件42呈厚的板状(大致圆板状),通过螺栓56等从盖41的下方以水平姿态安装固定在盖41上。支撑部件42是使用具有耐热性的材料(例如陶瓷或石英)形成。支撑部件42具有在上下方向(垂直方向)上贯穿其上表面42A以及下表面42B的两个插入孔46、47。红外线灯38的直线部44、45分别插入插入孔46、47。
各直线部44、45的中途部外嵌固定有O形环48。在使直线部44、45插入到插入孔46、47的状态下,分别与两个O形环48的外周对应的插入孔46、47的内壁压力接触。由此,防止直线部44、45相对于各插入孔46、47脱落,红外线灯38通过支撑部件42被悬挂支撑。
当从放大器54对红外线灯38提供电力时,红外线灯38射出红外线,该红外线通过灯外壳40向加热器头35的下方射出。通过灯外壳40的底板部52射出的红外线对晶片W上的SPM液进行加热。
更具体地讲,在进行后述的抗蚀剂除去处理时,构成加热器头35的下端面的灯外壳40的底板部52与保持在晶片旋转机构3上的晶片W的表面相对配置。在这种状态下,经由灯外壳40的底板部52射出的红外线对晶片W以及晶片W上的SPM液进行加热。
此外,在盖41内形成有供气路径60和排气路径61,所述供气路径60用于对灯外壳40内部提供空气,所述排气路径61用于排出灯外壳40的内部的气体。供气路径60和排气路径61分别具有在盖41的下表面开口的供气口62和排气口63。供气路径60上连接有供气配管64的一端。供气配管64的另一端与空气的供气源连接。排气路径61上连接有排气配管65的一端。排气配管65的另一端与排气源连接。
图4是表示基板处理装置1的电气结构的框图。基板处理装置1具备包含微机的结构的控制装置55。控制装置55连接有如下的控制对象:卡盘旋转驱动机构6、放大器54、摆动驱动机构36、升降驱动机构37、第一液臂摆动机构12、第二液臂摆动机构29、剥离液喷嘴23、DIW喷嘴27、SC1阀31、清洗液下阀87、干燥用气体下阀89、清洗液上阀91、干燥用气体上阀93等。
图5是表示基板处理装置1中的抗蚀剂除去处理的处理例的工序图。图6A是用于说明后述的SPM液膜形成工序的图解图。图6B是用于说明后述的SPM液膜加热工序的图解图。图7是表示后述的SPM液膜加热工序中的加热器头35的移动范围的俯视图。
下面,一面参考图1~图7一面说明抗蚀剂除去处理的处理例。
在进行抗蚀剂除去处理时,通过由控制装置55控制的搬运机器手(未图示),将离子注入处理后的晶片W搬入(步骤S1:晶片搬入)处理室2(参考图1)内。晶片W在使其表面朝向上方的状态下被交给晶片旋转机构3。此时,加热器头35、剥离液喷嘴4以及SC1喷嘴25分别被配置在初始位置,使得不妨碍晶片W的搬入。
当在晶片旋转机构3上保持晶片W时,控制装置55控制卡盘旋转驱动机构6,使晶片W开始旋转(步骤S2)。晶片W的旋转速度上升到浸液速度(30~300rpm的范围、例如60rpm),此后,保持该浸液速度。浸液速度是能够用之后供给的SPM液对晶片W进行覆盖的速度,即能够在晶片W的表面上保持SPM液的液膜的速度。此外,控制装置55控制第一液臂摆动机构12,使剥离液喷嘴4移动到晶片W的上方位置。
在晶片W的旋转速度达到浸液速度之后,如图6A所示,控制装置55打开剥离液喷嘴23,将SPM液从剥离液喷嘴4供给到晶片W的表面。供给到晶片W的表面上的SPM液在晶片W的表面上积存,在晶片W的表面上形成覆盖其表面的全部区域的SPM液的液膜70(步骤S3:SPM液膜形成工序)。
如图6A所示,在开始SPM液膜形成工序时,控制装置55控制第一液臂摆动机构12,使剥离液喷嘴4配置在晶片W的旋转中心上,从剥离液喷嘴4喷出SPM液。由此,能够在晶片W的表面上形成SPM液的液膜70,使SPM液遍历晶片W的表面的全部区域。由此,能够用SPM液的液膜70覆盖晶片W的表面的全部区域。
当从剥离液喷嘴4开始喷出SPM液时经过了预定的液膜形成期间后,控制装置55控制卡盘旋转驱动机构6,使晶片W的旋转速度下降到比浸液速度小的规定的加热处理速度。由此,执行步骤S4的SPM液膜加热工序(加热处理)。
加热处理速度是即使不向晶片W供给SPM液,也能在晶片W表面上保持SPM液的液膜70的速度(1~20rpm的范围,例如15rpm)。此外,如图6B所示,控制装置55与通过卡盘旋转驱动机构6对晶片W的减速同步地关闭剥离液喷嘴23,停止从剥离液喷嘴4供给SPM液,并且控制第一液臂摆动机构12,将剥离液喷嘴4返回初始位置。虽然停止了向晶片W供给SPM液,但是,晶片W的旋转速度下降到加热处理速度,由此,SPM液的液膜70继续被保持在晶片W的表面上。
此外,如图6B以及图7所示,控制装置55控制放大器54,从红外线灯38射出红外线。进而,控制装置55控制摆动驱动机构36以及升降驱动机构37,使加热器头35从初始位置移动,进而在与晶片W的旋转中心相对的接近中央位置(图6B以及图7中实线所示的位置)和与晶片W的周缘部相对的接近周缘位置(图6B以及图7中两点划线所示的位置)之间往复移动。通过红外线灯38照射红外线,红外线灯38正下方的晶片W以及SPM液急剧升温,与晶片W之间的边界附近的SPM液升温。而且,与晶片W表面上的底板部52的下表面52B相对的区域(与红外线灯38相对的区域),在从包含晶片W的旋转中心的区域至包含晶片W的周缘的区域的范围内,一面描绘圆弧带状的轨迹一面往复移动。由此,就能对晶片W的表面的全部区域进行加热。
通过来自红外线灯38的红外线的照射,红外线灯38正下方的SPM液急剧升温。因此,在晶片W的表面的周围产生大量的SPM液雾。
另外,在从加热器头35的上方观察加热器头35时,接近周缘位置是底板部52的下表面52B的一部分,优选是红外线灯38的圆环部43从晶片W的外周沿直径方向伸出的位置。
在步骤4的SPM液膜加热工序中,SPM液的液膜70在与晶片W的表面的边界附近升温。在此期间,晶片W的表面上的抗蚀剂和SPM液的反应进展,从晶片W表面进行抗蚀剂的剥离。
此后,当晶片W的旋转速度下降后经过了预定的液膜加热处理时间时,控制装置55控制放大器54,停止从红外线灯38射出红外线。此外,控制装置55控制摆动驱动机构36以及升降驱动机构37,使加热器头35返回初始位置。在该SPM液膜加热工序结束时,在加热器头35的灯外壳40的下表面52B上附着有大量的SPM液雾。
而且,控制装置55控制卡盘旋转驱动机构6,使晶片W的旋转速度上升到规定的液处理旋转速度(300~1500rpm的范围、例如1000rpm)。进而,控制装置55打开DIW喷嘴27,从DIW喷嘴24的喷出口向晶片W的旋转中心付近供给DIW(步骤S5:中间清洗处理工序)。供给到晶片W的表面的DIW受到因晶片W的旋转而导致的离心力,在晶片W的表面上向晶片W的周缘流动。由此,附着在晶片W的表面上的SPM液被DIW冲走。
当DIW的供给持续了规定的中间清洗时间时,关闭DIW喷嘴27,停止向晶片W的表面供给DIW。
控制装置55一面将晶片W的旋转速度保持在液处理旋转速度,一面打开SC1阀31,从SC1喷嘴25将SC1供给到晶片W的表面(步骤S6)。此外,控制装置55控制第二液臂摆动机构29,使第二液臂28在规定角度范围内摆动,使SC1喷嘴25在晶片W的旋转中心和周缘部之间往复移动。由此,来自SC1喷嘴25的SC1被引导到晶片W表面上的供给位置在从晶片W的旋转中心到晶片W的周缘部的范围内,一面描绘与晶片W的旋转方向交叉的圆弧状的轨迹一面往复移动。由此,对晶片W的表面的全部区域均匀地供给SC1,通过SC1的化学反应能力(化学特性),就能除去附着在晶片W表面上的剩余的抗蚀剂以及颗粒等异物。
当SC1的供给持续了规定的SC1供给时间后,控制装置55关闭SC1阀31,并且控制第二液臂摆动机构29,使SC1喷嘴25返回初始位置。此外,在晶片W的旋转速度被保持在液处理旋转速度的状态下,控制装置55打开DIW喷嘴27,从DIW喷嘴24的喷出口向晶片W的旋转中心附近供给DIW(步骤S7:清洗处理工序)。供给到晶片W的表面的DIW受到因晶片W的旋转而导致的离心力,在晶片W的表面上向晶片W的周缘流动。由此,附着在晶片W表面上的SC1被DIW冲走。
当DIW的供给持续了规定的清洗时间时,关闭DIW阀27,停止向晶片W的表面供给DIW。
当从清洗处理开始起经过了规定时间后,控制装置55关闭DIW喷嘴27,停止向晶片W表面供给DIW。之后,控制装置55控制卡盘旋转驱动机构6,使晶片W的旋转速度上升到规定的高旋转速度(例如1500~2500rpm),进行甩开附着在晶片W上的DIW使其干燥的旋转干燥处理(步骤S8)。
当旋转干燥处理进行了预定的旋转干燥处理时间时,控制装置55控制卡盘旋转驱动机构6,停止晶片旋转机构3的旋转。由此,针对一张晶片W的抗蚀剂除去处理结束,通过搬运机器手从处理室2搬出处理完毕的晶片W(步骤S9)。
在搬出晶片W之后,执行对加热器头35进行清洗、对该清洗后的加热器头35进行干燥的加热器头清洗干燥工序(步骤S10)。在加热器头清洗干燥工序中,实施用于清洗加热器头35的清洗处理,对该清洗处理后的加热器头35实施干燥处理。步骤S10的加热器头清洗干燥工序结束意味着针对一张晶片W的一系列抗蚀剂除去处理就结束。
图8是用于说明加热器头清洗干燥工序的一例的流程图。图9A是用于说明加热器头清洗干燥工序中的清洗处理的图解图,图9B是用于说明加热器头清洗干燥工序中的干燥处理的图解图。图10是表示加热器头清洗干燥工序中的加热器头35的移动范围的俯视图。
在加热器头清洗干燥工序的清洗处理中,控制装置55控制摆动驱动机构36使加热器臂34摆动,并且控制升降驱动机构37使加热器头35升降,使加热器头35从初始位置移动到晶片旋转机构3上方的加热器清洗位置。此时,晶片W未被保持在晶片旋转机构3上。因此,加热器头35与旋转基底8的上表面相对配置(步骤S21。加热器配置工序)。更详细地讲,被配置成加热器头35(灯外壳40)的圆形的下表面52B位于加热器清洗位置,所述加热器清洗位置是基于晶片旋转机构3的旋转中心的上方(旋转轴线C上)的位置。期望加热器清洗位置是从背面液体喷出口84喷出的清洗液到达加热器头35的下表面52B的高度位置。
此外,如图9A所示,控制装置55打开清洗液上阀91(参考图1等),从清洗液上喷嘴94向下呈淋浴状喷出清洗液(步骤S22。上清洗液喷出工序)。由此,从清洗液上喷嘴94流向下方的清洗液降落到配置于加热器清洗位置的加热器头35上。即,着液到加热器头35的上表面(例如盖41的上表面)。
此外,控制装置55打开清洗液下阀87(参考图1等),从背面喷嘴82的背面液体喷出口84向垂直上方喷出清洗液(步骤S22。下清洗液喷出工序)。由此,清洗液从背面液体喷出口84朝向垂直上方喷出。从背面液体喷出口84喷出的清洗液着液到构成加热器头35的下表面的灯外壳40的底板部52的下表面52B。
此外,控制装置55控制摆动驱动机构36使加热器臂34摆动,使加热器头35在第一移动端位置和第二移动端位置之间往复移动。从第一移动端位置到第二移动端位置的范围内的任意位置都是加热器清洗位置。如图10中实线所示,第一移动端位置被设定在旋转基底8的中心和旋转基底8的一个周缘部之间且在旋转基底8的上方。如图10中两点划线所示,第二移动端位置被设定在旋转基底8的中心和旋转基底8的另一个周缘部之间且在旋转基底8的上方。更具体的是,第一移动端位置是灯外壳40的下表面52B的一个周缘部位于旋转基底8的旋转中心上(旋转轴线C上)的位置。第二移动端位置是加热器头35的下表面52B的另一个周缘部(与前述的一个周缘部隔着下表面52B的中心位于相反侧的周缘部)位于旋转基底8的旋转中心上(旋转轴线C上)的位置。
首先,控制装置55控制摆动驱动机构36使加热器臂34摆动,由此,使加热器头35从旋转基底8的中心移动到所述第一移动端位置(图10中实线所示的位置)。然后,控制装置55控制摆动驱动机构36,使加热器臂34在规定角度范围内摆动,使加热器头35在所述第一移动端位置和所述第二移动端位置(图10中两点划线所示的位置)之间往复移动(步骤S23。着液位置移动工序)。
由此,在来自背面液体喷出口84的清洗液被导入的下表面52B上,清洗液的着液位置是在从下表面52B的一个周缘部经过中心到另一个周缘部的范围内,一面描绘与下表面52B的圆周方向交叉的圆弧状的轨迹一面往复移动。由此,对灯外壳40的下表面52B的全部区域均匀地供给清洗液,通过该清洗液,附着在灯外壳40的下表面52B上的SPM液雾等异物被冲走。
此外,在来自背面液体喷出口84的清洗液被导入的加热器头35的上表面(盖41的上表面)上,清洗液的着液位置一面描绘圆弧状的轨迹一面往复移动。供给到加热器头35的上表面的清洗液扩散到加热器头35的上表面全部区域,此外,扩散到加热器头35的侧壁。
如上所述,清洗液遍历加热器头35的外表面的全部区域,就能够良好地清洗加热器头35的外表面的全部区域。
来自清洗液上喷嘴94以及背面液体喷出口84的清洗液的喷出以及加热器臂34的往复摆动持续进行到经过了预定的清洗处理时间为止。
当预定的清洗处理时间结束时(步骤S24中:是),控制装置55关闭清洗液上阀91和清洗液下阀87(步骤S25),停止从清洗液上喷嘴94以及背面液体喷出口84喷出清洗液。
此外,如图9B所示,控制装置55打开干燥用气体上阀93(步骤S26)。由此,来自干燥用气体上喷嘴95的干燥用气体被喷出到配置于加热器清洗位置的加热器头35的上表面。通过该干燥用气体,附着在加热器头35上表面的清洗液被吹走。
此外,控制装置55打开干燥用气体下阀89(步骤S26。下干燥用气体喷出工序)。由此,来自背面喷嘴82的背面气体喷出口85的干燥用气体被喷出到配置于加热器清洗位置的加热器头35的灯外壳40的下表面52B。
此时,控制装置55控制摆动驱动机构36使加热器臂34摆动,使加热器头35在第一移动端位置和第二移动端位置之间往复移动。由此,来自背面气体喷出口85的干燥用气体在下表面52B上的喷出位置在从下表面52B的一个周缘部经过中心到另一个周缘部的范围内一面描绘与下表面52B的圆周方向交叉的圆弧状的轨迹一面往复移动。
由此,对灯外壳40的下表面52B的全部区域均匀地供给干燥用气体,通过该干燥用气体,附着在灯外壳40下表面52B上的清洗液被吹走。
进而,控制装置55控制放大器54,从红外线灯38射出红外线(步骤S26。加热干燥工序)。由此,灯外壳40升温,附着在灯外壳40的下表面52B或者外周上的清洗液蒸发而被除去。
来自干燥用气体上喷嘴95以及背面喷嘴82的干燥用气体的喷出以及来自红外线灯38的红外线的射出持续到经过了预定的干燥处理时间为止。
当预定的干燥处理时间结束时(步骤S27中:是),控制装置55关闭干燥用气体上阀93和干燥用气体下阀89(步骤S28),停止从干燥用气体上喷嘴95和背面气体喷出口85喷出干燥用气体。
此外,控制装置55控制摆动驱动机构36,使加热器臂34摆动,使清洗处理后的加热器头35返回初始位置。
加热器头清洗干燥工序的结束意味着一系列的抗蚀剂除去处理结束。
如上所述,根据本实施方式,在对各晶片W进行的抗蚀剂除去处理中,执行用于对加热器头35进行清洗的清洗处理。在该清洗处理中,在与背面液体喷出口84的上方相对置的加热器清洗位置配置有加热器头35。此外,从背面液体喷出口84朝向垂直上方喷出清洗液。来自背面液体喷出口84的清洗液朝向垂直上方喷出,着液到配置于加热器清洗位置的加热器头35的灯外壳40的下表面52B。
在SPM液膜加热工序中产生的大量的SPM液雾有时会附着到灯外壳40的下表面52B。通过从背面液体喷出口84供给到灯外壳40的下表面52B的清洗液,能够冲走附着在灯外壳40的下表面52B上的SPM液雾,因此,能够良好地清洗灯外壳40的下表面52B。由此,能够将灯外壳40的下表面52B保持为清洁状态。其结果,能够防止排出到灯外壳40外的红外线的照射光量的降低,并且能够防止灯外壳40的下表面52B成为颗粒源。
此外,在加热器头35的清洗处理后,加热器头35的外表面被干燥。由此,能够防止残留在加热器头35的外表面的清洗液对晶片W的处理带来坏的影响。
关于以上的实施方式,能够进行下面的变形。
例如,在前述的实施方式中,在加热器头35的清洗处理中,从清洗液上喷嘴94以及背面液体喷出口84这两者对加热器头35供给清洗液。但是,在加热器头35的清洗处理中,不供给来自清洗液上喷嘴94的清洗液,而是对加热器头35仅供给来自背面液体喷出口84的清洗液,由此,也可以将加热器头35清洗干净。此时,在加热器头35的干燥处理中,没有必要用干燥用气体上喷嘴95对加热器头35进行喷射。
此外,在前述的实施方式中,通过使加热器头35在水平方向上往复移动,从而使加热器头35的下表面52B上的清洗液的着液位置移动。但是,作为移动加热器头35的替代品,例如还能够采用具有能够变更液体的喷出方向的喷出口的喷嘴来作为背面喷嘴82。此时,通过使来自喷出口的清洗液的喷出方向不同,能够使加热器头35的下表面52B的清洗液的着液位置移动。
进而,在前述的实施方式中说明了在加热器头35的干燥处理中,对附着在加热器头35上的清洗液进行从干燥用气体上喷嘴95和背面喷嘴82喷出干燥用气体的吹出干燥,以及通过红外线灯38对灯外壳40加温的加热干燥这两者的例子。但是,不通过干燥用气体进行吹出干燥,仅通过红外线灯38进行加热干燥,也可以使加热器头35干燥。
此外,背面喷嘴82具有背面液体喷出口84和背面气体喷出口85,但是作为它们的替代品,还能够采用从一个喷出口有选择的喷出清洗液和干燥气体的喷嘴。
此外,可以与加热器头清洗干燥工序(图5所示的步骤S10)同时进行加热器臂34的清洗。加热器臂34的清洗能够使用从清洗液上喷嘴94喷出的清洗液来进行。此外,还能使用在处理室2内另外配置的条形喷嘴(未图示)来清洗加热器臂34。条形喷嘴是朝向垂直下方的多个喷出口沿水平方向排列成一列或者多列,例如,配置在处理室2内的上部区域。此时,在加热器臂34(以及加热器头35)与条形喷嘴的下方相对配置的状态下,从条形喷嘴的各喷出口喷出清洗液。据此,清洗液落到加热器臂34的外表面,加热器臂34的外表面被清洗。
进而,可以与加热器头清洗干燥工序(图5所示的步骤S10)同时进行处理室2内的清洗(腔室清洗)。
图11是表示本发明的另一实施方式的基板处理装置101的结构的示意图。在图11中,对于与前述的图1所示的各部分对应的部分赋予相同的参考附图标记,省略说明。
基板处理装置101具备:晶片旋转机构(基板保持单元)3,在处理室2内保持晶片W并使其旋转;剥离液喷嘴(药液供给单元)4,对保持于晶片旋转机构3上的晶片W的表面(上表面)供给SPM液,所述SPM液是作为药液的抗蚀剂剥离液的一例;加热器头(加热器)35,与保持于晶片旋转机构3上的晶片W的表面相对配置并且对晶片W的表面上的SPM液加热;以及清洗舱(储存容器)180。
清洗舱180被配置在加热器头35的初始位置。清洗舱180是有底的圆筒状的容器,使加热器头35在不使用时以收纳在清洗舱180内的状态等待。
图12是表示清洗舱180的结构的图。清洗舱180是有底的圆筒状的容器。清洗舱180的上表面被打开,在其上表面上形成有收入加热器头35的入口。加热器头35从该入口收纳到清洗舱180内。清洗舱180包含圆筒状的周壁181;以及与该周壁181的下端接合的底部182。
在底部182的大致中央部形成有排液口183。在底部182的下表面,排液配管184的一端与排液口183连接。排液配管184的另一端与用于处理排液的排液设备连接。排液配管184上安装有用于开闭排液配管184的排液阀185。另外,排液阀185通常处于打开状态。
在周壁181上配置有清洗液喷嘴(清洗液供给单元)186,所述清洗液喷嘴186用于对加热器头35的外表面供给作为清洗液一例的DIW。清洗液通过清洗液供给管(清洗液供给单元)187被供给到清洗液喷嘴186。在清洗液供给管187上安装有清洗液阀(清洗液供给单元)188。通过打开清洗液阀188,清洗液被供给到清洗液喷嘴186,从清洗液喷嘴186的喷出口喷出清洗液。
当排液阀185处于被关闭的状态下从清洗液喷嘴186喷出清洗液时,清洗液被引导至底部182,储存在清洗舱180内。此外,储存在清洗舱180内的清洗液通过打开排液阀185而从排液口183排出,通过排液配管184被排出。
在比周壁181的上端缘稍靠下方的位置配置有干燥用气体喷嘴(干燥用气体喷出单元)189,所述干燥用气体喷嘴189用于对加热器头35的外表面供给作为干燥用气体一例的氮气。在本实施方式中,具备多个(例如一对)干燥用气体喷嘴189。一对干燥用气体喷嘴189例如以它们的喷出口隔着清洗舱180的中心轴线相对置的方式以相同高度配置在周壁181上。
干燥用气体通过干燥用气体供给管(干燥用气体喷出单元)190被供给到各干燥用气体喷嘴189。在各干燥用气体供给管190上安装有干燥用气体阀(干燥用气体喷出单元)191。通过打开干燥用气体阀191,将干燥用气体供给到对应的干燥用气体喷嘴189。从各干燥用气体喷嘴189向清洗舱180内侧大致水平地喷出干燥用气体。
图13是表示基板处理装置101的电气结构的框图。在图13中,对于前述的图4所示的各部分的对应部分赋予相同的参考附图标记。基板处理装置101具备包含微机的结构的控制装置55。控制装置55上连接有作为控制对象的卡盘旋转驱动机构6、放大器54、摆动驱动机构36、升降驱动机构37、第一液臂摆动机构12、第二液臂摆动机构29、剥离液喷嘴23、DIW喷嘴27、SC1阀31、排液阀185、清洗液阀188、干燥用气体阀191等。
基板处理装置101上的抗蚀剂除去处理的例子与前述的实施方式实质上相同。即,参考图5、图6A、图6B以及图7说明的抗蚀剂除去处理也能够通过基板处理装置101进行。但是,加热器头清洗干燥工序(图5的步骤S10)的内容不同,所以在下面进行说明。
当加热器头35位于初始位置时,加热器头35被收纳在清洗舱180内。即,通过控制装置55驱动摆动驱动机构36,移动加热器臂34使得加热器头35被配置在清洗舱180的上表面的垂直上方。进而,通过控制装置55控制升降驱动机构37,加热器臂34以及加热器头35向垂直下方下降,直到加热器头35到达初始位置为止。当加热器头35到达初始位置时,在该位置等待。在初始位置,加热器头35的至少整个灯外壳40(优选是整个加热器头35)被收纳在清洗舱180内。
在本实施方式中,加热器头35并不是在旋转基底8的上方被清洗,而是在初始位置被清洗。因此,即使不是在搬出晶片W之后,即晶片W存在于旋转基底8上时,只要是非使用状态,就能对加热器头35进行清洗。即,不管抗蚀剂除去处理的进行状况如何,都能对加热器头35进行清洗。因此,加热器头35的清洗时刻能够是该使用时刻以外的任意时刻。具体讲,例如可以在SPM液膜加热工序(图5所示的步骤S4)结束后,对返回初始位置的加热器头35实施清洗处理和干燥处理(图5中两点划线所示的步骤S20:加热器头清洗干燥工序)。此外,如果是在SPM液膜加热工序后,也可以在其他时刻执行加热器头清洗干燥工序。
图14是表示加热器头清洗干燥工序的一例的流程图。图15A是用于说明加热器头清洗干燥工序中的清洗处理的图解图,图15B以及图15C是用于说明加热器头清洗干燥工序中的干燥处理的图解图。
当到达规定的清洗时刻时,控制装置55关闭排液阀185,打开清洗液阀188(步骤S31)。在排液阀185被关闭的状态下,当从清洗液喷嘴186喷出清洗液时,如图15A所示,清洗液在清洗舱180内被引导到底部182,储存在清洗舱180内。来自清洗液喷嘴186的清洗液的喷出持续进行到储存在清洗舱180内的处理液的液面高度到达预定的清洗高度为止。该清洗高度被设定在比位于初始位置的加热器头35的下表面52B更上方的位置。因此,当储存在清洗舱180的清洗液的液面到达清洗高度时,灯外壳40的下部分的外表面(下表面52B以及灯外壳40的周壁的下部分的外周面)处于被清洗液沉浸的状态。
当储存在清洗舱180的清洗液的液面高度到达清洗高度时(步骤S32中:是),控制装置55关闭清洗液阀188(步骤S33)。由此,停止从清洗液喷嘴186供给清洗液。例如,可以通过液面传感器(未图示)检测清洗液的液面高度,控制装置55根据来自该液面传感器的检测输出来判断液面是否到达了清洗高度。此外,从清洗液完全未储存在清洗舱180内的状态到清洗舱180内的液面高度达到清洗高度的积液时间被预先设定,可以在从打开清洗液阀188经过了上述积液时间的时刻,关闭清洗液阀188。
灯外壳40的下表面52B沉浸在清洗液中,由此,附着在灯外壳40的下表面52B上的SPM液雾等异物被冲走。之后,保持储存在清洗舱180中的清洗液的量,由此,灯外壳40的下部分的外表面沉浸在清洗液的状况被保持。
当从关闭清洗液阀188起经过了预定的清洗处理时间(沉浸时间)时(步骤S34中:是),控制装置55打开排液阀185(步骤S35)。通过打开排液阀185,储存在清洗舱180内的清洗液从排液口183通过排液配管184被排出。由此,灯外壳40的下部分的外表面沉浸到清洗液中的状况结束。
然后,执行图15B以及图15C所示的干燥处理。
在从清洗舱180内抽出清洗液之后,控制装置55打开各干燥用气体阀191(步骤S36)。由此,从各干燥用气体喷嘴189的喷出口向清洗舱180的内侧大致水平地喷出干燥用气体。
此外,控制装置55控制升降驱动机构37,使加热器头35上升。由此,使干燥用气体喷嘴189的喷出口对向(正对,朝向)灯外壳40的周壁外周面。
之后,控制装置55控制升降驱动机构37,使加热器头35在预定的上部位置(图15B中实线所示的位置)和中间位置(图15B中为两点划线,图15C中为实线表示的位置)之间升降(步骤S37)。在加热器头35的上部位置,加热器头35的下表面52B位于干燥用气体喷嘴189的喷出口的侧面。因此,上部位置比初始位置高。加热器头35的中间位置被设定在上部位置和初始位置之间。在该中间位置,在加热器头35的外周面(灯外壳40的外周面)中,在所述清洗处理中被清洗液沉浸的部分位于比干燥用气体喷嘴189的喷出口更下方的位置。
随着加热器头35的升降,灯外壳40的周壁外周面的下部分的干燥用气体的喷出位置(供给位置)也上下移动(升降)。因此,能够将干燥用气体喷到灯外壳40的周壁外周面的宽范围内。由此,附着在灯外壳40的周壁外周面的下部分的清洗液被吹走而除去。
此外,如图15B所示,当加热器头35位于上部位置时,从干燥用气体喷嘴189喷出的干燥用气体在灯外壳40的下表面52B的稍下方沿下表面52B流动。通过这样流动的干燥用气体,附着在下表面52B上的清洗液被吹走并被除去。从加热器头35飞散的清洗液被周壁181挡住。因此,能够抑制或者防止清洗液的液滴飞散到清洗舱180外。
在加热器头35进行升降动作时,控制装置55可以在使加热器头35上升到上部位置之后开始下降之前,暂时停止升降动作,控制升降驱动机构37以使得将加热器头35处于上部位置的状态保持规定时间。此时,能够从灯外壳40的下表面52B更有效地除去清洗液。
进而,控制装置55与步骤S36中的来自干燥用气体喷嘴189的干燥用气体的喷出并行地控制放大器54,从红外线灯38射出红外线(步骤S38。加热干燥工序)。由此,灯外壳40升温,附着在灯外壳40的下部分的清洗液被蒸发除去。
从红外线灯38开始射出红外线起,到经过了预定的干燥处理时间为止,持续进行来自干燥用气体喷嘴189的干燥用气体的喷出,以及来自红外线灯38的红外线的射出。
当经过了干燥处理时间时(步骤S39中:是),控制装置55关闭各干燥用气体阀191(步骤S40),停止从干燥用气体喷嘴189喷出干燥用气体。此外,控制装置55控制放大器54,停止从红外线灯38射出红外线(步骤S40)。
此外,控制装置55控制升降驱动机构37,使加热器头35下降,返回初始位置(步骤S41)。
这样,加热器头清洗干燥工序结束。
如上所述,根据本实施方式,在针对各晶片W的抗蚀剂除去处理中,执行用于清洗加热器头35的清洗处理。在执行该清洗处理时,加热器头35被配置在初始位置。此外,排液阀185被关闭,从清洗液喷嘴186供给清洗液,由此,清洗液储存在清洗舱180中。灯外壳40的下部的外表面沉浸在储存于清洗舱180中的清洗液中,由此,就能够对包含下表面52B的灯外壳40的下部分的外表面进行清洗。
在SPM液膜加热工序(图5所示的步骤S4)中产生的大量的SPM液雾有时会附着在灯外壳40的下表面52B上。该SPM雾能够通过供给到灯外壳40的下表面52B的清洗液冲走。由此,能够良好地清洗灯外壳40的下表面52B,能够将灯外壳40的下表面52B保持为清洁状态。因此,能够防止射到灯外壳40外的红外线的照射光量的降低,并且能够防止灯外壳40的下表面52B成为颗粒源。
此外,在进行了加热器头35的清洗处理之后,包含下表面52B的灯外壳40的下部分的外表面被干燥。由此,能够防止清洗液残留在灯外壳40的下部分的外表面、对晶片W的处理带来不好的影响。
图16是表示清洗舱(收纳部件)的其他构成例的图。图17是从图16的剖面线A-A观察的剖视图。图16以及图17所示的清洗舱280在图11所示的结构中,代替清洗舱180被安装使用。
在图16等中,与图12所示的各部分对应的部分用相同的参考附图标记表示,省略说明。
在该清洗舱280中,在清洗舱280的圆板状的底部282配置有多个(例如4个)清洗液喷嘴111。各清洗液喷嘴111具有用于向加热器头35的下表面52B喷出清洗液的清洗液喷出口110。
如图16以及图17所示,各清洗液喷出口110在底部282的周缘部上,沿圆周方向等间隔地被配置。各清洗液喷出口110的喷出方向是相对于垂直方向倾斜规定角度(例如30°~60°)朝上并且朝向圆筒状的清洗舱180的中心轴线方向的方向。清洗液通过清洗液供给管112被供给到各清洗液喷嘴111。在各清洗液供给管112上安装有清洗液阀113。通过打开清洗液阀113,清洗液被供给到对应的清洗液喷嘴111,从清洗液喷嘴111的清洗液喷出口110喷出清洗液。
在该清洗舱280中,执行与图12等所示的清洗舱180中的清洗处理不同的清洗处理。另一方面,在该清洗舱280中,执行与图12等所示的清洗舱180的干燥处理同样的干燥处理。在清洗舱280中,加热器头35在比初始位置稍上方的清洗位置(图16所示的位置)接受清洗处理。
当到达规定的清洗时刻时,通过控制装置55控制升降驱动机构37,加热器头35被上升,进而被配置在清洗位置,所述清洗位置是被设定在比初始位置稍靠上方并且比中间位置(图15C等所示的位置)更下方的位置。
此外,各清洗液阀113被打开,从各清洗液喷出口110喷出清洗液。从各清洗液喷出口110喷出的清洗液着液到加热器头35的下表面52B。在本实施方式中,从各清洗液喷出口110喷出的清洗液在例如圆形的下表面52B上,着液到连接清洗液喷出口110和下表面52B的中心的线段的中间位置。着液到下表面52B的清洗液沿下表面52B扩散到其周围。之后,当从清洗液喷嘴111开始喷出清洗液起,到经过了预定的清洗处理时间时,关闭清洗液阀113。贯穿整个清洗处理的期间,排液阀185一直处于打开状态。因此,被引导到底部282的清洗液不会储存在底部282,而是通过排液配管184而排出到设备外。
通过本清洗舱280,利用供给到灯外壳40的下表面52B的清洗液,使附着在灯外壳40的下表面52B上的SPM液雾等异物被冲走。由此,能够良好地清洗灯外壳40的下表面52B。
此后,参考图15B和图15C执行前述的干燥处理。
图18是另一个构成例的清洗舱(收纳部件)380的图。图19是从图18的剖面线B-B观察的剖视图。图18以及图19所示的清洗舱380是代替图11所示结构中的清洗舱180被安装使用。
在图18等中,与图12所示的各部分对应的部分以相同的参考附图标记表示,省略说明。
在该清洗舱380中,在清洗舱380的圆板状的底部382配置有多个(例如是5个。图18中仅图示3个)清洗液喷嘴201。各清洗液喷嘴201具有用于向加热器头35的下表面52B喷出清洗液的清洗液喷出口200。此外,由于清洗液喷出口200还配置在底部382的中央部,所以在底部382的周缘部配置有排液口283。
多个清洗液喷出口200具备1个中央喷出口200A和多个(例如是4个)周缘喷出口200B,所述1个中央喷出口200A与位于初始位置的加热器头35的下表面52B的中心的下方相对置,所述多个周缘喷出口200B与该下表面52B的周缘部的下方相对置。各周缘喷出口200B在底部382的周缘部沿圆周方向等间隔配置。各清洗液喷出口200A、200B的喷出方向是垂直上方。清洗液通过清洗液供给管202被供给到各清洗液喷嘴201。在清洗液供给管202上安装有清洗液阀203。通过打开清洗液阀203,清洗液被供给到清洗液喷嘴201,从清洗液喷嘴201的清洗液喷出口200(200A、200B)喷出清洗液。
在该清洗舱380中,执行与图12等所示的清洗舱180中的清洗处理不同的清洗处理。另一方面,在该清洗舱380中,执行与图12等所示的清洗舱180中的干燥处理同样的干燥处理。在清洗舱380中,加热器头35与图16等所示的清洗舱280的情况同样地在清洗位置(图18所示的位置)接受清洗处理。
在加热器头35被配置在清洗位置之后,清洗液阀203被打开,从各清洗液喷出口200(200A、200B)喷出清洗液。从各清洗液喷出口200喷出的清洗液着液到加热器头35的下表面52B,沿下表面52B扩散到其周围。之后,当从清洗液喷嘴201开始喷出清洗液起经过了预定的清洗处理时间后,关闭清洗液阀203。贯穿清洗处理的整个期间,排液阀185一直处于打开状态。因此,被引导到底部382的清洗液不会储存在底部382,而是通过排液配管184排出到设备外。
这样,通过供给到灯外壳40的下表面52B的清洗液,使附着在灯外壳40的下表面52B的SPM液雾等异物被冲走。由此,能够良好地清洗灯外壳40的下表面52B。
此后,参考图15B以及图15C执行前述的干燥处理。
参考图12~图19说明的实施方式能够进行以下变形。
在图16的清洗舱280以及图17的清洗舱380中,没有必要在它们内部储存清洗液。因此,可以采用从清洗舱280、380除去排液阀185的结构。
此外,干燥用气体喷嘴189的个数不限于2个,也可以设置3个以上的干燥用气体喷嘴189。此时,希望将多个干燥用气体喷嘴189配置在相同的高度,此外,希望沿圆周方向等间隔配置。
此外,干燥用气体喷嘴189的喷出方向可以不是水平,而是斜向下方向。
此外,干燥用气体喷嘴189没有必要设置在清洗舱的周壁181,可以配置在比清洗舱180、280、380的上表面更上方(即清洗舱外)。
此外,在前述实施方式中说明了以下例子,在加热器头35的干燥处理中,通过对来自干燥用气体喷嘴189的干燥用气体进行喷出吹散的吹出干燥和由红外线灯38对灯外壳40进行加热的加热干燥这两种方法,使灯外壳40的外表面干燥。但是,也可以不进行基于干燥用气体的吹出干燥,仅通过红外线灯38进行加热干燥,来使灯外壳40的外表面干燥。
此外,在从处理室2搬出晶片W之后进行加热器头清洗干燥工序的情况下,可以与加热器头清洗干燥工序的执行一起进行加热器臂34的清洗。加热器臂34的清洗能够使用例如在处理室2内另外配置的条形喷嘴(未图示)来清洗加热器臂34。就条形喷嘴而言,其朝向垂直下方的多个喷出口沿水平方向排列成一列或多列,配置在例如处理室2内的上部区域。这种情况下,在加热器臂34与条形喷嘴的下方相对配置的状态下,从条形喷嘴的各喷出口喷出清洗液。由此,清洗液落到加热器臂34的外表面,加热器臂34的外表面被清洗。
进而,可以在从处理室2搬出晶片W之后进行加热器头清洗干燥工序的情况下,与步骤S10的加热器头清洗干燥工序的执行一起进行处理室2内的清洗(腔室清洗)。
此外,参考图1~图19说明的前述的两个实施方式能够进行下面的变形。
即,举例说明了使用DIW作为用于清洗处理的清洗液的情况。但是,清洗液不限于DIW,还能采用氢氟酸水溶液、苏打水、电解离子水、臭氧水等作为清洗液。进而,在使用氢氟酸水溶液等药液作为清洗液的情况下,可以在将清洗液供给到加热器头35之后,实施用于使用DIW或苏打水等从加热器头35冲走清洗液的清洗处理。
此外,虽然列举出了氮气作为干燥用气体的一例,但是也能使用清洁空气或其他惰性气体作为干燥用气体。
此外,还能够将上述实施方式应用于下述基板处理装置中具备的加热器的清洗方法,所述基板处理装置使用磷酸等高温的刻蚀液有选择地对基板主面的氮化膜进行刻蚀。
虽然详细说明了本发明的实施方式,但是这些只不过是为了明确本发明的技术方案而使用的具体例子,本发明不应被这些具体例子限定解释,本发明仅由权利要求的范围限定。
本申请与2012年3月23日向日本专利局提出的特愿2012-68082号以及特愿2012-68083号对应,这些申请的全部公开通过引用被加入本申请。
附图标记说明
1 基板处理装置
2 处理室
2A 隔壁
3 晶片旋转机
4 剥离液喷嘴
5 杯
6 卡盘旋转驱动机构
7 旋转轴
8 旋转基底
9 夹持部件
11 第一液臂
12 第一液臂摆动机构
15 剥离液供给管
23 剥离液阀
24 剥离液喷嘴
25 SC1喷嘴
26 DIW供给管
27 DIW阀
28 第二液臂
29 第二液臂摆动机构
30 SC1供给管
31 SC1阀
33 支撑轴
34 加热器臂
35 加热器头
36 摆动驱动机构
37 升降驱动机构
38 红外线灯
39 开口部
40 灯外壳
40A 凸缘
41 盖
42 支撑部件
42A 上表面
42B 下表面
43 圆环部
44、45 直线部
46、47 插入孔
48 O形环
49 下表面
50 上底面
51 槽部
52 底板部
52A 上表面
52B 下表面
54 放大器
55 控制装置
56 螺栓
58、59 插入孔
60 供气路径
61 排气路径
62 供气口
63 排气口
64 供气配管
65 排气配管
70 液膜
80 背面侧液体供给管
81 背面侧气体供给管
82 背面喷嘴
84 背面液体喷出口
85 背面气体喷出口
86 清洗液下供给管
87 清洗液下阀
88 干燥用气体下供给管
89 干燥用气体下阀
90 清洗液上供给管
91 清洗液上阀
92 干燥用气体上供给管
93 干燥用气体上阀
94 清洗液上喷嘴
95 干燥用气体上喷嘴
101 基板处理装置
110 清洗液喷出口
111 清洗液喷嘴
112 清洗液供给管
113 清洗液阀
180、280、380 清洗舱
181 周壁
182 底部
183 排液口
184 排液配管
185 排液阀
186 清洗液喷嘴
187 清洗液供给管
188 清洗液阀
189 干燥用气体喷嘴
190 干燥用气体供给管
191 干燥用气体阀
200 清洗液喷出口
200A 中央喷出口
200B 周缘喷出口
201 清洗液喷嘴
202 清洗液供给管
203 清洗液阀
282 底部
283 排液口
382 底部
A 剖面线
B 剖面线
C 旋转轴线
S1~S10、S20~S29,S31~S41 步骤
W 晶片
Claims (19)
1.一种加热器清洗方法,用于对加热器进行清洗,所述加热器具有红外线灯和外壳,与由基板保持单元保持的基板的上表面相对配置来对该上表面加热,其特征在于,包含以下步骤:
加热器配置工序,在加热器清洗位置,以与第一喷出口相对置的方式配置所述加热器,所述加热器清洗位置是具有所述第一喷出口的下喷嘴的上方的位置,所述第一喷出口与保持于所述基板保持单元的基板的下表面相对置并且向上方喷出液体;以及
下清洗液喷出工序,在所述基板保持单元未保持基板的状态下,对所述下喷嘴供给清洗液,从所述第一喷出口向上方喷出清洗液,从而对配置在所述加热器清洗位置的所述加热器的所述外壳的外表面供给清洗液。
2.根据权利要求1所述的加热器清洗方法,其特征在于,还包含:
上清洗液喷出工序,通过与所述下清洗液喷出工序并行地,从配置于所述第一喷出口上方的上喷嘴向下方喷出清洗液,对所述外壳的外表面供给清洗液。
3.根据权利要求1或2所述的加热器清洗方法,其特征在于,还包含:
着液位置移动工序,与所述下清洗液喷出工序并行地,使从所述第一喷出口喷出的清洗液在所述外壳的外表面的着液位置移动。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的加热器清洗方法,其特征在于,还包含:
干燥工序,在所述下清洗液供给工序结束后,除去附着在所述外壳的外表面上的清洗液。
5.根据权利要求4所述的加热器清洗方法,其特征在于,
所述干燥工序还包含加热干燥工序,
在所述加热干燥工序中,从所述红外线灯对所述外壳照射红外线,对所述外壳的外表面进行加热而使其干燥。
6.根据权利要求4或5所述的加热器清洗方法,其特征在于,
所述下喷嘴还具有用于向上方喷出气体的第二喷出口,
所述干燥工序包含下干燥用气体喷出工序,
在所述下干燥用气体喷出工序中,通过对所述下喷嘴供给干燥用气体,从所述第二喷出口向上方喷出干燥用气体,来对配置在所述加热器清洗位置的所述加热器的所述外壳的外表面供给干燥用气体。
7.一种基板处理装置,其特征在于,包含:
加热器,具有红外线灯和收纳所述红外线灯的外壳,在与基板的主面相对置的处理位置对该基板的主面加热;以及
清洗液供给单元,在所述加热器位于与所述处理位置不同的清洗位置的状态下,对所述外壳的外表面供给清洗液。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
所述清洗位置,是所述加热器从所述处理位置退出而等待时的等待位置。
9.根据权利要求7或8所述的基板处理装置,其特征在于,还包含:
收纳部件,收纳所述加热器,挡住从该加热器飞散出的清洗液。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,
所述收纳部件包含有底容器状的储存容器,所述储存容器在底部具有排出口并能够储存液体,
所述清洗液供给单元包含对所述储存容器内供给清洗液的清洗液喷嘴。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,还包含:
排液配管,与所述储存容器的所述排出口连接,用于排出储存在所述储存容器中的液体;
排液阀,安装在所述排液配管上,用于开闭所述排液配管。
12.根据权利要求7~9中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述清洗液供给单元具备清洗液喷嘴,所述清洗液喷嘴具有向所述外壳的外表面喷出清洗液的清洗液喷出口。
13.根据权利要求7~12中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,还包含:
干燥用气体喷出单元,为了从所述外壳的外表面除去清洗液,向所述外壳的外表面喷出干燥用气体。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置,其特征在于,
还包含加热器升降单元,该加热器升降单元使所述加热器升降,
所述干燥用气体喷出单元包含干燥用气体喷嘴,该干燥用气体喷嘴在与所述加热器的升降方向交叉的方向上喷出干燥用气体,
所述基板处理装置还包含喷出干燥控制单元,所述喷出干燥控制单元控制所述干燥用气体喷出单元以及所述加热器升降单元,从所述干燥用气体喷嘴喷出干燥用气体,并且通过使所述加热器升降,来使干燥用气体供给到所述外壳的外表面上的供给位置升降。
15.根据权利要求7~14中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,还包含:
加热干燥控制单元,通过从所述红外线灯对所述外壳照射红外线,对附着在所述外表面上的清洗液进行加热而使其干燥。
16.一种加热器清洗方法,用于对加热器进行清洗,所述加热器具有红外线灯和收纳所述红外线灯的外壳,并且在与基板的主面相对置的处理位置对该基板的主面进行加热,其特征在于,包含以下工序:
加热器配置工序,在与所述处理位置不同的清洗位置配置所述加热器;以及
清洗液供给工序,对位于所述清洗位置的所述加热器的外表面供给清洗液。
17.根据权利要求16所述的加热器清洗方法,其特征在于,还包含:
干燥工序,在所述清洗液供给工序结束后,除去附着在所述外壳的外表面上的清洗液。
18.根据权利要求17所述的加热器清洗方法,其特征在于,
所述干燥工序还包含加热干燥工序,
在所述加热干燥工序中,从所述红外线灯对所述外壳照射红外线,对所述外表面上附着的清洗液进行加热而使其干燥。
19.根据权利要求17或18所述的加热器清洗方法,其特征在于,
所述干燥工序包含:
加热器升降工序,使所述加热器升降;以及
干燥用气体喷出工序,从干燥用气体喷嘴沿与所述加热器的升降方向交叉的方向而向所述外壳的外表面喷出干燥用气体。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012068083A JP5963298B2 (ja) | 2012-03-23 | 2012-03-23 | 基板処理装置およびヒータ洗浄方法 |
JP2012068082A JP5999625B2 (ja) | 2012-03-23 | 2012-03-23 | 基板処理方法 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104205305A true CN104205305A (zh) | 2014-12-10 |
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---|---|---|---|
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---|---|
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TW (2) | TWI584367B (zh) |
WO (1) | WO2013140955A1 (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104694891A (zh) * | 2015-03-24 | 2015-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种去离子水供给装置 |
CN107615456A (zh) * | 2015-06-12 | 2018-01-19 | 株式会社Jet | 基板处理装置以及基板处理方法 |
CN107799438A (zh) * | 2016-08-29 | 2018-03-13 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置和喷嘴清洗方法 |
CN108701609A (zh) * | 2016-03-25 | 2018-10-23 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法及基板处理装置 |
CN108735623A (zh) * | 2017-04-25 | 2018-11-02 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用以处理晶圆的装置 |
CN110087784A (zh) * | 2016-12-28 | 2019-08-02 | 修谷鲁开发股份有限公司 | 异物除去装置和异物除去方法 |
CN112997277A (zh) * | 2018-11-16 | 2021-06-18 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理装置的清洗方法 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10707099B2 (en) | 2013-08-12 | 2020-07-07 | Veeco Instruments Inc. | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
JP6222818B2 (ja) * | 2013-09-10 | 2017-11-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6270270B2 (ja) | 2014-03-17 | 2018-01-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6363876B2 (ja) * | 2014-05-21 | 2018-07-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6326387B2 (ja) * | 2015-03-19 | 2018-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
US20170084470A1 (en) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and cleaning method of processing chamber |
KR101927699B1 (ko) | 2016-10-31 | 2018-12-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101958637B1 (ko) * | 2016-11-24 | 2019-03-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2018107338A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 株式会社Sumco | ウェーハの洗浄方法 |
US11342215B2 (en) | 2017-04-25 | 2022-05-24 | Veeco Instruments Inc. | Semiconductor wafer processing chamber |
KR102548592B1 (ko) * | 2018-01-23 | 2023-06-28 | 에이씨엠 리서치 (상하이), 인코포레이티드 | 기판 세정 방법 및 장치 |
JP7126927B2 (ja) * | 2018-11-16 | 2022-08-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7372079B2 (ja) * | 2019-08-21 | 2023-10-31 | 株式会社Screenホールディングス | 加熱部材の清浄方法および基板処理装置 |
CN113448186B (zh) * | 2020-03-27 | 2024-05-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆处理装置及晶圆处理方法 |
JP2022146507A (ja) * | 2021-03-22 | 2022-10-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20230102300A (ko) * | 2021-12-30 | 2023-07-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11102884A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および周辺部材の洗浄方法 |
CN1460289A (zh) * | 2001-03-28 | 2003-12-03 | 大见忠弘 | 等离子体处理装置以及半导体制造装置 |
JP2004259734A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN1985357A (zh) * | 2004-07-15 | 2007-06-20 | 东京毅力科创株式会社 | 基板加热装置和基板加热方法 |
TW201133593A (en) * | 2009-12-18 | 2011-10-01 | J E T Co Ltd | Substrate treatment device |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05243166A (ja) | 1992-02-26 | 1993-09-21 | Nec Corp | 半導体基板の気相成長装置 |
JPH05259097A (ja) | 1992-03-12 | 1993-10-08 | Kokusai Electric Co Ltd | 枚葉式cvd装置 |
US5379784A (en) | 1993-01-23 | 1995-01-10 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for cleaning conveyor chuck |
JP2921781B2 (ja) * | 1993-01-23 | 1999-07-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JPH0831878A (ja) | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Toshiba Corp | 半田実装装置 |
JPH09186127A (ja) | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Shiii & I:Kk | 半導体ウェハーの洗浄・乾燥方法および装置 |
JP3166065B2 (ja) | 1996-02-08 | 2001-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JPH11135469A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
JPH11283949A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JP2000279899A (ja) | 1999-03-29 | 2000-10-10 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置及びその方法 |
JP3348695B2 (ja) | 1999-06-04 | 2002-11-20 | 日本電気株式会社 | 半導体ウェーハ上のフォトレジスト除去方法及び除去装置 |
JP2001077011A (ja) | 1999-09-08 | 2001-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置、その洗浄方法、および光源ユニット |
JP2001156049A (ja) | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Seiko Epson Corp | 有機物剥離装置及び有機物剥離方法 |
JP4033709B2 (ja) | 2002-05-17 | 2008-01-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法及びその装置 |
AU2003281895A1 (en) * | 2002-12-05 | 2004-06-23 | Unaxis Balzers Ag | Method and apparatus for control of layer thicknesses |
JP2005093926A (ja) | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Trecenti Technologies Inc | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006012881A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5080885B2 (ja) * | 2007-07-19 | 2012-11-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法 |
JP2010003845A (ja) | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Sumco Corp | 半導体ウェーハのエッチング装置及び方法 |
JP5401255B2 (ja) | 2008-11-05 | 2014-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置、洗浄方法、および記憶媒体 |
JP2011074521A (ja) | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Teijin Techno Products Ltd | 無機粒子含有芳香族ポリアミド繊維、および無機粒子含有芳香族ポリアミドドープの製造方法 |
-
2013
- 2013-02-25 US US14/386,685 patent/US9991141B2/en active Active
- 2013-02-25 WO PCT/JP2013/054808 patent/WO2013140955A1/ja active Application Filing
- 2013-02-25 CN CN201380015581.XA patent/CN104205305B/zh active Active
- 2013-02-25 KR KR1020147026096A patent/KR101925173B1/ko active IP Right Grant
- 2013-03-11 TW TW104116979A patent/TWI584367B/zh active
- 2013-03-11 TW TW102108439A patent/TWI490938B/zh active
-
2018
- 2018-04-30 US US15/966,569 patent/US10573542B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11102884A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および周辺部材の洗浄方法 |
CN1460289A (zh) * | 2001-03-28 | 2003-12-03 | 大见忠弘 | 等离子体处理装置以及半导体制造装置 |
JP2004259734A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN1985357A (zh) * | 2004-07-15 | 2007-06-20 | 东京毅力科创株式会社 | 基板加热装置和基板加热方法 |
TW201133593A (en) * | 2009-12-18 | 2011-10-01 | J E T Co Ltd | Substrate treatment device |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104694891A (zh) * | 2015-03-24 | 2015-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种去离子水供给装置 |
CN107615456A (zh) * | 2015-06-12 | 2018-01-19 | 株式会社Jet | 基板处理装置以及基板处理方法 |
CN107615456B (zh) * | 2015-06-12 | 2020-10-20 | 株式会社Jet | 基板处理装置以及基板处理方法 |
CN108701609A (zh) * | 2016-03-25 | 2018-10-23 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法及基板处理装置 |
CN108701609B (zh) * | 2016-03-25 | 2023-03-24 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法及基板处理装置 |
CN107799438A (zh) * | 2016-08-29 | 2018-03-13 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置和喷嘴清洗方法 |
CN107799438B (zh) * | 2016-08-29 | 2021-06-11 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置和喷嘴清洗方法 |
CN110087784A (zh) * | 2016-12-28 | 2019-08-02 | 修谷鲁开发股份有限公司 | 异物除去装置和异物除去方法 |
CN110087784B (zh) * | 2016-12-28 | 2022-03-18 | 修谷鲁开发股份有限公司 | 异物除去装置和异物除去方法 |
CN108735623A (zh) * | 2017-04-25 | 2018-11-02 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用以处理晶圆的装置 |
US10861721B2 (en) | 2017-04-25 | 2020-12-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for processing wafer |
CN108735623B (zh) * | 2017-04-25 | 2021-10-15 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用以处理晶圆的装置与方法 |
CN112997277A (zh) * | 2018-11-16 | 2021-06-18 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理装置的清洗方法 |
CN112997277B (zh) * | 2018-11-16 | 2024-04-09 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理装置的清洗方法 |
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