CN108735623A - 用以处理晶圆的装置 - Google Patents

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Abstract

一种用以处理晶圆的装置，包含：处理腔室、晶圆支撑、发热源与可动装置。晶圆支撑是位于处理腔室内。发热源是位于处理腔室内。可动装置接触发热源，其中相对于晶圆支撑，可动装置为可动的。

Description

用以处理晶圆的装置
技术领域
本揭露实施例是有关于一种用以处理晶圆的装置，且特别是有关于一种用以处理晶圆的装置与方法。
背景技术
集成电路(integrated circuit，IC)的制造可透过增加在半导体装置中形成的集成电路的密度来驱动。此举是透过实施较为先进的设计规则，以允许形成更大密度的集成电路装置来实现的。尽管如此，诸如晶体管这样的集成电路装置的密度的增加也增加了处理具有缩小的特征尺寸的半导体装置的复杂度。
发明内容
本揭露提出一种用以处理晶圆的装置，包含：处理腔室、晶圆支撑、发热源与可动装置。晶圆支撑是位于处理腔室内。发热源是位于处理腔室内。可动装置接触发热源，其中相对于晶圆支撑，可动装置为可动的。
为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或减少。
图1A是绘示根据本揭露的一些实施例的用以处理晶圆的装置的侧视图；
图1B是绘示于图1A中的发热源与可动装置的组合图；
图1C是绘示根据本揭露的一些实施例的用以处理晶圆的方法的操作流程图；
图2A是绘示根据本揭露的一些实施例的用以处理晶圆的装置的侧视图；
图2B是绘示于图2A中的发热源与可动装置的组合图；
图2C是绘示根据本揭露的一些实施例的用以处理晶圆的方法的操作流程图；
图3是绘示根据本揭露的一些实施例的用以处理晶圆的装置的发热源、可动装置、球状关节的组合的侧视图；
图4A是绘示根据本揭露的一些实施例的用以处理晶圆的装置的顶视图；
图4B是绘示于图4A中的用以处理晶圆的装置的侧视图；
图4C是绘示于图4B中的发热源、可动装置与可旋转轴的组合图；
图4D是绘示根据本揭露的一些实施例的用以处理晶圆的方法的操作流程图；
图5是绘示根据本揭露的一些实施例的用以处理晶圆的装置的发热源、可动装置、水平调整装置的组合的侧视图。
具体实施方式
以下的揭露提供了许多不同的实施例或例子，以实施所提供标的的不同特征。以下描述的构件与安排的特定例子，以简化本揭露。当然，这些仅仅是例子而不是用以限制本揭露。例如，在说明中，第一特征形成在第二特征的上方或之上，这可能包含第一特征与第二特征以直接接触的方式形成的实施例，这也可以包含额外特征可能形成在第一特征与第二特征之间的实施例，这使得第一特征与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭露可能会在各种例子中重复参考数字及/或文字。此重复是为了简明与清晰的目的，但本身并非用以指定所讨论的各种实施例及/或架构之间的关系。
再者，在此可能会使用空间相对用语，例如“底下(beneath)”、“下方(below)”、“较低(lower)”、“上方(above)”、“较高(upper)”等等，以方便说明如附图所绘示的一元件或一特征与另一(另一些)元件或特征的关系。这些空间上相对的用语除了涵盖在附图中所绘示的方向，也欲涵盖装置在使用或操作中不同的方向。设备可能以不同方式定位(例如旋转90度或在其他方位上)，而在此所使用的空间上相对的描述同样也可以有相对应的解释。
请参照图1A，是绘示根据本揭露的一些实施例的用以处理晶圆102的装置100A的侧视图。装置100A包含进气口104、出气口106、气阀108、真空帮浦109、处理腔室110、托板112、晶圆支撑114、外壳116、透明板119、电路板120、温度侦测器122、控制器124、多个发热源130与多个可动装置140。在一些实施例中，装置100A用以在晶圆102上执行热制程(例如退火制程)。
进气口104、出气口106、气阀108与真空帮浦109连接至处理腔室110。在一些实施例中，在透过进气口104来引导处理气体之前，处理腔室110内的压力降至负压(sub-atmospheric pressure)。在一些实施例中，处理腔室110通过过气阀108与真空帮浦109的组合透过出气口106排气来抽真空。
托板112与晶圆支撑114是于处理腔室110内。晶圆支撑114设置于托板112上且用以固持晶圆102。在一些实施例中，晶圆支撑114具有环形结构用以固持晶圆102的边缘。在一些实施例中，托板112具有反射板用以反射辐射。
外壳116与透明板119是于处理腔室110内。外壳116连接至处理腔室110内的电路板120。将发热源130的阵列固持在封装于水冷不锈钢外壳116中的管状不锈钢套管118中。举例来说，外壳116具有多个套管118。透明板119连接至外壳116且设置于托板112与套管118之间。在一些实施例中，透明板119为光学透明板，例如石英板，用以作为石英窗。温度侦测器122是于处理腔室110内且设置于晶圆支撑114附近，用以侦测处理腔室110内的晶圆支撑114附近的温度。控制器124、电路板120与温度侦测器122电性耦合。
发热源130与可动装置140设置于外壳116的套管118内，其中多个可动装置140各自接触且各自连接至多个发热源130。在一些实施例中，介于晶圆102与至少一发热源130之间的垂直距离小于介于晶圆102与连接至该至少一发热源130的可动装置140之间的垂直距离。意即，相较于连接至至少一发热源130的可动装置140，该至少一发热源130更接近晶圆102。
在一些实施例中，外壳116具有分别设置在套管118内的加压源和多个通道，其中加压源连接至通道以引导导热气体，例如氦，进入通道，从而冷却发热源130与可动装置140。
在一些实施例中，至少一发热源130与连接至该至少一发热源130的相应的可动装置140是线性地设置。举例来说，至少一发热源130与连接至该至少一发热源130的相应的可动装置140是沿着第一方向D1设置。在一些实施例中，发热源130是沿着第二方向D2设置以形成阵列，其中第一方向D1与第二方向D2实质上相互垂直。
设置发热源130以通过辐射来提供热能。在一些实施例中，至少一发热源130包含灯座132与具有插头136的灯源134。透过将插头136插入至灯座132，以使灯源134以连接至灯座132。意即，灯源134部分地嵌入于灯座132内。灯座132与灯源134是沿着第一方向D1设置。在一些实施例中，至少一灯源132为卤素灯，例如钨丝卤素灯、石英卤素灯或石英碘灯。
透过相应的灯座132，发热源130与电路板120电性耦合，且通过电路板120发射辐射以电性驱动灯源134。意即，当驱动灯源134时，灯源134可作为热提供者，例如发热源130，以通过透明板119来施加热能至晶圆102。
可动装置140各自连接至相应的发热源130，且相对于晶圆支撑114，可动装置140是可动的。在一些实施例中，配置至少一可动装置140以使相应的一发热源130移动，例如旋转移动、平移移动或其组合。此外，可动装置140与电路板120电性耦合，且可通过电路板120来电性驱动可动装置140。意即，当驱动可动装置140时，可动装置140能够使相应的发热源130移动。
请参照图1B，是绘示于图1A中的发热源130与可动装置140的组合图。对图1B而言，为了易于理解，图1B中绘示了于图1A中所绘示的第一方向D1与第二方向D2。可动装置140包含定子142与连接至定子142的举升销144。
可动装置140的举升销144透过接触且连接至灯座132来与发热源130接触。在一些实施例中，定子142、举升销144、灯座132与灯源134实质上排成一线，因此举升销144设置于定子142与灯座132之间。举例来说，定子142、举升销144、灯座132与灯源134沿着第一方向D1依序设置。此外，在灯座132、灯源134、定子142与举升销144的组合中，相邻的两个元件彼此接触。举例来说，举升销144的两相对端各自接触定子142与灯座132的端面。
定子142相对于晶圆支撑114是固定的(见图1A)，且举升销144是可动地收纳于定子142内。意即，可动装置140的定子142作为相对于晶圆支撑114而固定的固定件(见图1A)，且举升销144相对于固定件是伸缩可动的。在一些实施例中，可动装置140是具有接触发热源130的杆材的步进马达。具体而言，举升销144作为步进马达的杆材。
发热源130悬挂在可动装置140的举升销144上，且举升销144相对于定子142的底端连接至灯座132。因为发热源130是透过与举升销144接触的灯座132来与举升销144接触，当举升销144移动时，发热源130随之平移移动。以不同的方式来解释，发热源130透过举升销144来沿着第一方向D1或与第一方向D1相反的方向水平移动，这使得发热源130能够沿着线A1移动。意即，可动装置140可透过举升销144来作为邻接发热源130的致动器。所以，发热为的位置是可调的。
请回到图1A。可动装置140分别邻接热提供者130，且至少一发热源130的位置是可调的。所以，介于晶圆102与至少一发热源130的灯源134之间的垂直距离也是可调的。意即，发热源130相对于托板112或晶圆支撑114是可动的，且相对于晶圆102也是可动的。
在一些实施例中，当至少一发热源130的灯源134通过相应的可动装置140而被抬升时，介于晶圆102与灯源134之间的垂直距离增加。相应地，因为介于晶圆102与灯源134之间的垂直距离的增加，晶圆102从灯源134所接收的热通量减少，从而也减缓了晶圆102的温度的上升。
在一些实施例中，随着至少一发热源130的灯源134透过相应的可动装置140而降低时，介于晶圆102与灯源134之间的垂直距离减少。相应地，因为介于晶圆102与灯源134之间的垂直距离的减少，晶圆102从灯源134所接收的热通量增加，从而也加快了晶圆102的温度的上升。
在一些实施例中，控制器124透过电路板120来驱动发热源130与可动装置140的操作。举例来说，使用者可操作控制器124来控制发热源130与可动装置140的参数，例如高度、功率、温度或其组合。在一些实施例中，单独地驱动可动装置140，因此多个发热源130可与晶圆102分别具有不同的高度。
除此之外，在一些实施例中，控制器124用以接收温度信息且传输驱动信号至电路板120，其中温度信息是从温度侦测器122所获得。在一些实施例中，随着控制器124从温度侦测器122所接收得温度信息，一旦通过温度侦测器122所侦测得的温度值大于预定温度值，代表晶圆102的温度可能大于期望值。相应地，一旦通过温度侦测器122所侦测得的温度值大于预定温度值，控制器124将会传输驱动信号至电路板120，以便驱动至少一可动装置140。接着，抬升至少一发热源130，使得晶圆102从灯源134所接收的热通量减少。所以，因为晶圆102所接收的热通量的减少，减缓了晶圆102的温度的上升。
在一些实施例中，随着控制器124从温度侦测器122所接收得温度信息，一旦通过温度侦测器122所侦测得的温度值小于预定温度值，代表晶圆102的温度可能小于期望值。相应地，一旦通过温度侦测器122所侦测得的温度值低于预定温度值，控制器124将会传输驱动信号至电路板120，以便驱动至少一可动装置140。接着，至少一发热源130向下移动，使得晶圆102从灯源134所接收的热通量增加。所以，因为晶圆102所接收的热通量的增加，加快了晶圆102的温度的上升。
请参照图1C，是绘示根据本揭露的一些实施例的用以处理晶圆的方法的操作S10-S40的流程图。在一些实施例中，装置100A用以加热晶圆，以便在晶圆上执行退火制程。方法从操作S10开始，将晶圆传递进入处理腔室。方法接着为操作S20，透过进气口来将处理气体引导至处理腔室内。方法接着为操作S30，驱动至少一热提供者来施加热能于晶圆。方法接着为操作S40，相对于晶圆来水平移动热提供者。在一些实施例中，于操作S40，热提供者的水平移动是通过至少一可动装置所造成。在一些实施例中，于操作S40，介于晶圆与热提供者之间的距离可调，以便减缓或加快晶圆的温度的上升。举例来说，随着通过可动装置以相对于晶圆来抬升热提供者，减缓了晶圆的温度的上升。或者，随着通过可动装置以相对于晶圆来将热提供者向下移动，加快了晶圆的温度的上升。
请参照图2A，是绘示根据本揭露的一些实施例的用以处理晶圆的装置100B的侧视图。如图1A与图2A所绘示，绘示于图1A的装置100A的灯源134向下发射辐射，绘示于图2A的装置100B的灯源134向上照射辐射。
如图2A所示，装置100B包含处理腔室110、环形外延113、晶圆支撑114、外壳116、透明板119、电路板120、温度侦测器122、控制器124、反射板126、出入口127、多个发热源130与多个可动装置140。在一些实施例中，装置100B用以在晶圆102上执行热制程(例如退火制程)。关于图2A中所绘示的装置100B的细节，与相似于图1A中所绘示的装置100A者，在此不再重复。
环形外延113与晶圆支撑114是于处理腔室110内。在一些实施例中，晶圆支撑114设置于环形外延113上，且透过晶圆支撑114来固持晶圆102。在一些实施例中，晶圆支撑114具有环形结构用以固持晶圆102的边缘，且晶圆支撑114为与晶圆102接触的热导体。晶圆支撑114是介于外壳116与反射板126之间，其中反射板126具有面向晶圆102的反射面。出入口127连接至处理腔室110以便于晶片102的进入与排出。在一些实施例中，出入口127耦接至传递腔室(图未示)或负载锁定室(图未示)，且可选择性地利用阀门，例如狭缝阀(图未示)，来密封。
发热源130与可动装置140设置于外壳116的套管118内。在一些实施例中，晶圆支撑114是介于反射板126与至少一发热源130以及可动装置140之间。在一些实施例中，至少一发热源130与连接至该至少一发热源130的相应的可动装置140是沿着第一方向D1设置。在一些实施例中，发热源130是沿着第二方向D2设置以形成阵列，其中第一方向D1与第二方向D2实质上相互垂直。
设置发热源130以通过辐射来提供热能。在一些实施例中，至少一发热源130包含灯座132与具有插头136的灯源134，其中透过将插头136插入至灯座132，以使灯源134以连接至灯座132，且灯座132与灯源134是沿着第一方向D1设置。在图2A所绘示的装置100B中，随着电路板120驱动灯源134，灯源134朝向托板112与反射板126发射辐射。在一些实施例中，托板112吸收了辐射，所以托板112的温度增加。因为托板112为热导体，当托板112的温度高于晶圆102的温度，托板112增加了晶圆102的温度。在一些实施例中，到达反射板126的辐射从反射板126的反射面朝向晶圆102而反射，从而因为辐射而增加了晶圆102的温度。
参照图2B，是绘示于图2A中的发热源130与可动装置140的组合图。对图2B而言，为了易于理解，图2B中绘示了于图2A中所绘示的第一方向D1与第二方向D2。可动装置140包含定子142与连接至定子142的举升销144，其中灯源134、灯座132、定子142与举升销144沿着第一方向D1依序设置排列为一线。此外，在灯座132、灯源134、定子142与举升销144的组合中，相邻的两个元件彼此接触。
定子142相对于晶圆支撑114是固定的(见图2A)，且举升销144是伸缩可动地收纳于定子142内。所以，发热源130能够沿着线A2移动，且发热源130的位置是可调的。
请回到图2A。可动装置140分别邻接热提供者130，且至少一发热源130的位置是可调的。所以，因为至少一发热源130的位置是可调的，介于晶圆102与至少一发热源130的灯源134之间的垂直距离也是可调的。
在一些实施例中，当至少一发热源130的灯源134通过相应的可动装置140而被抬升时，介于托板112与灯源134之间的垂直距离减少。相应地，因为介于托板112与灯源134之间的垂直距离的减少，托板112从灯源134所接收的热通量增加，从而也加快了晶圆102与托板112的温度的上升。此外，当至少一发热源130的灯源134通过相应的可动装置140而被抬升时，介于反射板126与灯源134之间的垂直距离减少。相应地，因为介于反射板126与灯源134之间的垂直距离的减少，从反射板126反射的辐射增加，从而也加快了晶圆102的温度的上升。
在一些实施例中，当至少一发热源130的灯源134通过相应的可动装置140而向下移动时，介于托板112与灯源134之间的垂直距离增加。相应地，因为介于托板112与灯源134之间的垂直距离的增加，托板112从灯源134所接收的热通量减少，从而也减缓了晶圆102与托板112的温度的上升。此外，当至少一发热源130的灯源134通过相应的可动装置140而向下移动时，介于反射板126与灯源134之间的垂直距离被调整而增加。相应地，因为介于反射板126与灯源134之间的垂直距离的增加，从反射板126反射的辐射减少，从而也减缓了晶圆102的温度的上升。
请参照图2C，是绘示根据本揭露的一些实施例的用以处理晶圆的方法的操作S50-S80的流程图。在一些实施例中，装置100B用以加热晶圆，以便在晶圆上执行退火制程。方法从操作S50开始，将晶圆传递进入处理腔室。方法接着为操作S60，将处理气体引导至处理腔室内。方法接着为操作S70，透过辐射来驱动至少一热提供者以向上施加热能。方法接着为操作S80，相对于晶圆来水平移动热提供者。在一些实施例中，于操作S50，是透过出入口来将晶圆传递进入处理腔室。在一些实施例中，于操作S50，是透过出入口来将处理气体引导进入处理腔室。在一些实施例中，于操作S80，介于晶圆与热提供者之间的距离可调，以便减缓或加快晶圆的温度的上升。举例来说，随着通过可动装置以相对于晶圆来抬升热提供者，加快了晶圆的温度的上升。或者，随着通过可动装置以相对于晶圆来将热提供者向下移动，减缓了晶圆的温度的上升。
请参照图3，是绘示根据本揭露的一些实施例的发热源130、可动装置140、球状关节160的组合的侧视图。如图3所示，装置更可包含连接至可动装置140的球状关节160。球状关节160包含连接元件162与承球插座164。连接元件162具有于承球插座164中的球形端163。球状关节160允许可动装置140在多于两个平面中摆动。意即，利用球状关节160，发热源130与可动装置140能够从垂直方向倾斜。因为发热源130可以从垂直方向倾斜，所以在晶圆上通过发热源130所提供的辐射的面积和分布是可调的。
请参照图4A与图4B，图4A是绘示根据本揭露的一些实施例的用以处理晶圆102的装置100C的顶视图，且图4B是绘示于图4A中的装置100C的侧视图。装置100C的至少一可动装置140用以旋转相应于该至少一可动装置140的装置100C的发热源130。
装置100C包含包含进气口104、出气口106、预热环107、处理腔室110、托板支撑111、托板112、温度侦测器122、控制器124、多个支架128、多个发热源130、多个可动装置140、多个枢轴146、上罩148与下罩150。在一些实施例中，装置100C用以在晶圆102上执行热制程(例如磊晶制程)。关于图4A或图4B中所绘示的装置100C的细节，与相似于图1A中所绘示的装置100A者，在此不再重复。
进气口104与出气口106连接至处理腔室110。在一些实施例中，当出气口106适用于从处理腔室排出处理气体时，进气口104适用于提供处理气体进入处理腔室110。所以，层流可在处理位置中通过晶圆102的上表面。此外，预热环107可移除地设置在处理腔室100内且靠近进气口104。预热环107环绕处理腔室110的内部体积设置，且当晶圆102在处理位置中时，预热环107外接晶圆102。在处理期间，加热预热环107，且当处理气体透过进气口104进入处理腔室110时，预热环107便于预热处理气体。
托板支撑111与托板112是于处理腔室110内，其中，透过托板支撑111来固持托板112。在一些实施例中，托板支撑111是由光学透明材料，例如石英，所制成。托板112用以收纳且固持晶圆102。在一些实施例中，托板112是由碳化硅或以碳化硅涂布的石墨所制成。在一些实施例中，为了在处理期间便于旋转晶圆102，托板支撑111是可旋转的。举例来说，当执行磊晶制程时，由托板支撑111所固持的托板112收纳且固持待磊晶涂布的晶圆102，且接着托板支撑111便于晶圆102的旋转。支架128是于处理腔室110内且连接至处理腔室100的内壁与底部。在一些实施例中，支架128是环形的。
发热源130与可动装置140是于处理腔室110内。可动装置140分别由支架128所固持，且发热源130分别接触且连接至可动装置140。在一些实施例中，托板112是介于晶圆102与第一组的发热源130之间。在一些实施例中，晶圆102是介于托板112与第二组的发热源130之间。意即，当晶圆102是于处理腔室110的中间部分时，第一组的发热源130设置于处理腔室110的底部附近，且第二组的发热源130设置于处理腔室110的顶部附近。
在一些实施例中，至少一发热源130与连接至该至少一发热源130的相应的可动装置140是沿着第一方向D1设置。在一些实施例中，发热源130沿着曲线设置。举例来说，发热源130沿着环状方向DC以形成环状阵列，其中第一方向D1与环状方向DC实质上彼此垂直。在一些实施例中，装置100C具有多个环状阵列，其中部分的环状阵列在处理腔室110的底部附近，且其他的环状阵列在处理腔室110的顶部附近。
发热源130用以通过辐射来发射热能，其中部分的发射源130向上发射辐射，且其他的发射源130向下发射辐射。在一些实施例中，至少一发热源130包含灯座132与具有插头136的灯源134。透过将插头136插入至灯座132来使灯源134连接至灯座132，且灯座132与灯源134是沿着第二方向D2设置，其中第一方向D1与第二方向D2实质上彼此垂直。此外，枢轴146各自连接且固定于支架128与发热源130的灯座132。在一些实施例中，发热源130用于磊晶制程。举例来说，于磊晶制程的期间，透过进气口104来将处理气体引导进入处理腔室110，且接着透过发热源130来促进在晶圆102上的处理气体的热分解，从而在晶圆102上形成磊晶层。
请参照图4C，是绘示于图4B中的发热源130、可动装置140与枢轴146的组合图。对图4C而言，为了易于理解，图4C中绘示了于图4A与图4B中所绘示的第一方向D1与第二方向D2。可动装置140包含定子142与举升销144。可动装置140的举升销144透过灯座132接触且连接至发热源130，其中举升销144与灯座132的侧表面接触。在一些实施例中，灯座132、举升销144与定子142实质上依序排成一线，因此举升销144设置在灯座132与定子142。举例来说，灯座132、举升销144与定子142依序沿着第一方向D1设置。
定子142相对于晶圆支撑114是固定的(见图4A)，且举升销144是伸缩可动地收纳于定子142内。此外，在一些实施例中，当驱动举升销144以相对于定子142移动时，定子142的位置是固定的。
举升销144是介于枢轴146与灯源134之间，且枢轴146沿着第三方向D3延伸，其中第三方向D3实质上垂直于第一方向D1与第二方向D2。意即，枢轴146的轴线方向实质上垂直于第一方向D1。再者，当举升销144为步进马达的输出轴时，步进马达的输出轴与枢轴146具有不同的轴线方向。具体而言，步进马达的输出轴与枢轴146具有实质上彼此垂直的轴线方向。
因为发热源130透过灯座132连接至枢轴146，当举升销144向上移动时，发热源130。以不同的方式来解释，发热源130绕着枢轴146旋转。当移动举升销144来推着发热源130时，发热源130能够沿着曲线A3旋转，因此发热源130能够以顺时针方向或逆时针方向旋转。所以，发热源130的灯座132相对于枢轴146旋转。
上罩148与下罩150连接且插入至处理腔室100的内壁，其中晶圆102与托板112是介于上罩148与下罩150之间。在一些实施例中，第一组的发热源130通过上罩148的中心部分来朝向晶圆发射辐射，且第二组的发热源130通过下罩150的底部部分来朝向晶圆发射辐射。在一些实施例中，上罩148的中心部分与下罩150的底部部分是由光学透明材料，例如石英，所制成，以便引导且不吸收发热源130所发出的辐射。在一些实施例中，上罩148具有环绕中心部分的周围的周边部分，且下罩150具有环绕底部部分的周围的周边部分，且上罩148与下罩150的周边部分是插入至处理腔室110的内壁。
请回到图4A与图4B。因为旋转发热源130，灯源134能够以不同的方向定向。以不同的方式来解释，晶圆102上的辐射的照射区域是可调的。相应地，晶圆102上的辐射分布也是可调的。此外，在一些实施例中，温度侦测器122提供侦测到的温度信息给控制器124，且控制器124驱动可动装置140以旋转对应的发热源130，以便调整晶圆102上的辐射的分布。
请参照图4D，是绘示根据本揭露的一些实施例的用以处理晶圆的方法的操作S90-S120的流程图。在一些实施例中，装置100C用以加热晶圆，以便在晶圆上执行磊晶制程。方法从操作S90开始，将晶圆传递进入处理腔室。方法接着为操作S100，将处理气体引导至处理腔室内。方法接着为操作S110，驱动至少一热提供者来透过辐射向上施加热能。方法接着为操作S120，相对于晶圆来旋转热提供者。在一些实施例中，于操作S120，热提供者的旋转是通过至少一可动装置所造成。在一些实施例中，于操作S120，热提供者能够以不同方向来定向，使得晶圆上的辐射的照射区域是可调的。
请参照图5，是绘示根据本揭露的一些实施例的发热源130、可动装置140、水平调整装置170的组合的侧视图。如图5所示，装置还包含固持发热源130与可动装置140的水平调整装置170。水平调整装置170包含基板172与抬升装置174。抬升装置174设置于支架128上(见图4B)且相对于托板112(见图4B)是可动的。抬升装置174可为具有接触基板172的输出杆的步进马达。基板172与可动装置140以及发热源130接触。抬升装置174可沿着线176来移动基板172。意即，基板172可相对于托板112(见图4B)来移动，所以发热源130与可动装置140也可相对于托板112(见图4B)来移动。利用水平调整装置170，发热源130能够上移与下移，使得发热源130的垂直高度是可调的。相应地，晶圆从发热源130所接收的热通量也是可调的。
如上所述，装置用以在晶圆上执行热制程，且包含于处理腔室内的发热源与可动装置。可动装置接触且连接至发热源，且用以使发热源移动。当发热源移动时，晶圆所接收的热通量或晶圆上辐射的分布改变，使得晶圆的温度的上升速度可控制且可调。
根据本揭露的一些实施例，用以处理晶圆的装置包含处理腔室、晶圆支撑、发热源与可动装置。晶圆支撑是位于处理腔室内。发热源是位于处理腔室内。可动装置接触发热源，其中相对于晶圆支撑，可动装置为可动的。
根据本揭露的一些实施例，其中上述发热源包含灯座以及灯源，灯源部分地嵌入于灯座内，其中可动装置接触灯座。
根据本揭露的一些实施例，其中上述可动装置包含定子以及举升销，定子相对于晶圆支撑是固定的，举升销可动地收纳于定子内，其中举升销的一端接触灯座。
根据本揭露的一些实施例，其中上述灯源与灯座沿着与举升销的可动方向实质上平行的方向设置。
根据本揭露的一些实施例，其中上述举升销接触灯座的端面。
根据本揭露的一些实施例，其中上述灯源与灯座沿着与举升销的可动方向实质上垂直的方向设置。
根据本揭露的一些实施例，其中上述举升销接触灯座的侧表面。
根据本揭露的一些实施例，其中上述用以处理晶圆的装置还包含连接灯座的枢轴。
根据本揭露的一些实施例，其中上述用以处理晶圆的装置还包含水平调整装置，水平调整装置包含基座以及升降装置，基座接触可动装置与发热源，其中相对于晶圆支撑，升降装置为可动的。
根据本揭露的一些实施例，其中上述可动装置包含步进马达，步进马达具有接触发热源的输出杆。
根据本揭露的一些实施例，其中上述用以处理晶圆的装置还包含连接发热源的枢轴。
根据本揭露的一些实施例，其中上述用以处理晶圆的装置还包含连接可动装置的球状关节。
根据本揭露的一些实施例，用以处理晶圆的装置包含处理腔室、晶圆支撑、至少一发热源与至少一致动器。晶圆支撑是位于处理腔室内。发热源是位于处理腔室内。致动器是位于处理腔室内，且致动器具有邻接发热源的举升销。
根据本揭露的一些实施例，其中上述致动器包含定子，定子相对于晶圆支撑是固定的，其中相对于定子，举升销是可动的。
根据本揭露的一些实施例，其中上述举升销是介于定子与发热源之间。
根据本揭露的一些实施例，其中上述用以处理晶圆的装置还包含连接致动器的球状关节。
根据本揭露的一些实施例，其中上述用以处理晶圆的装置还包含固持该发热源与该致动器的水平调整装置。
根据本揭露的一些实施例，用以处理晶圆的方法包含以下步骤。将晶圆传递进入处理腔室。通过发热源来将热能施加于晶圆。相对于晶圆来移动发热源。
根据本揭露的一些实施例，其中移动发热源包含旋转发热源。
根据本揭露的一些实施例，其中移动发热源包含线性地移动发热源。
以上概述了数个实施例的特征，因此熟悉此技艺者可以更了解本揭露的态样。熟悉此技艺者应了解到，其可轻易地把本揭露当作基础来设计或修改其他的制程与结构，借此实现和在此所介绍的这些实施例相同的目标及/或达到相同的优点。熟悉此技艺者也应可明白，这些等效的建构并未脱离本揭露的精神与范围，并且他们可以在不脱离本揭露精神与范围的前提下做各种的改变、替换与变动。

Claims (1)

1.一种用以处理晶圆的装置，其特征在于，包含：
一处理腔室；
一晶圆支撑，是位于该处理腔室内；
一发热源，是位于该处理腔室内；以及
一可动装置，接触该发热源，其中相对于该晶圆支撑，该可动装置为可动的。
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