JP5982758B2 - マイクロ波照射装置 - Google Patents
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Description
本発明の関連技術によれば、被処理体に対してマイクロ波を照射しつつ放射温度計で被処理体の温度を測定し、この測定値に基づいて加熱手段とガス冷却手段とを制御することにより被処理体の温度を調整することができる。
本発明によれば、被処理体に対してマイクロ波を照射しつつ放射温度計で被処理体の温度を測定し、この測定値に基づいてガス冷却手段を制御することにより被処理体の温度を調整することができる。
本発明の他の関連技術によれば、被処理体に対してマイクロ波を照射しつつ放射温度計で被処理体の温度を測定し、この測定値に基づいて加熱手段を制御することにより被処理体の温度を調整することができる。
本発明の更に他の関連技術によれば、被処理体に対してマイクロ波を効率的に照射しつつ被処理体を効率的に冷却することができる。
図示するように、このマイクロ波照射装置2は、アルミニウム、アルミニウム合金又はステンレス等により内部が断面円形に成形された筒体状の処理容器4を有している。この処理容器4内には、円板状になされた支持機構としての支持台6が、円筒状になされた支柱8により容器底部より起立されて設けられている。上記支持台6及び支柱8は、アルミニウム、アルミニウム合金又はステンレス等の金属により形成されている。
次に本発明のマイクロ波照射装置の第2実施例について説明する。半導体ウエハWの処理態様によっては、ウエハWの温度をそれ程高くする必要はなく、マイクロ波照射による加熱量で十分に目標とする温度滞域までウエハ温度を昇温できる場合がある。このような場合には、先の第1実施例で用いた加熱手段16を不要にすることができる。図4はこのような本発明に係るマイクロ波照射装置の第2実施例を示す構成図である。尚、図4において、先の図1乃至図3に示した部分と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。
次に本発明のマイクロ波照射装置の第3実施例について説明する。半導体ウエハWの処理態様によっては、プロセス温度が比較的高くウエハWの温度をガス冷却手段を用いて冷却する必要はなく、加熱手段の制御で十分に目標とする温度にウエハ温度を制御できる場合がある。このような場合には、先の第1実施例で用いたガス冷却手段104を不要にすることができる。図5はこのような本発明に係るマイクロ波照射装置の第3実施例を示す構成図である。尚、図5において、先の図1乃至図3に示した部分と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。
次に、ガス冷却手段(処理ガス導入手段)の変形例について説明する。先に説明した第1〜第3実施例においては、ガス冷却手段104或いは処理ガス導入手段106は、同心円状に配置された2本の分散管112A、112B(図3参照)を有していたが、これに限定されず、ノズルを用いてもよい。図6はガス冷却手段(処理ガス導入手段)の変形例を示す図である。尚、図6において先に説明した図と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。
次に、本発明のマイクロ波照射装置の第4実施例について説明する。半導体ウエハの処理態様によっては、先の第2実施例と同様に、例えば下地膜等を熱的に保護する目的でウエハWのプロセス温度を低く抑えたい場合がある。このような場合には、第1実施例で用いた加熱手段16は不要になると共に、マイクロ波照射による加熱量でもウエハ温度はかなり上昇するので、プロセス中にはウエハを効率的に冷却する必要がある。
4 処理容器
6 支持台
10 支持ピン
12 チャック用密閉空間
14 真空チャック機構
16 加熱手段
18 発光素子ユニット
22 加熱電源
38 真空排気系
64 放射温度計
66 プローブライン
68 温度測定部
70 温度制御部
72 マイクロ波導入手段
74 マイクロ波ユニット
86 マイクロ波発生器
92 撹拌機
94 撹拌プロペラ
104 ガス冷却手段
106 処理ガス導入手段
110 シャワーヘッド部
132 リフトピン
134 リフタ機構
136 ガス冷却手段
138 真空チャック機構
140 リフト板
142 昇降ロッド
144 アクチュエータ
150 吸引孔
152 吸引通路
158 冷却ガス噴射箱
160 ガス拡散室
162 ガス噴射孔
164 ピン挿通管
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (8)
- 被処理体に対してマイクロ波を照射して処理をするマイクロ波照射装置において、
前記被処理体を収容する処理容器と、
前記被処理体を支持する支持機構と、
前記処理容器内へ処理ガスを導入する処理ガス導入手段と、
前記処理容器内へマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、
前記支持機構の上方に設置されたシャワーヘッド部を有して前記被処理体を冷却ガスにより冷却するガス冷却手段と、
前記被処理体の温度を測定する放射温度計と、
前記放射温度計の測定値に基づいて前記ガス冷却手段を制御することにより前記被処理体の温度を調整する温度制御部とを備え、
前記シャワーヘッド部から前記被処理体の被処理面に向けてシャワー状に冷却ガスを供給しながら前記マイクロ波を導入するように構成したことを特徴とするマイクロ波照射装置。 - 前記ガス冷却手段と前記ガス導入手段とは兼用されていることを特徴とする請求項1記載のマイクロ波照射装置。
- 前記処理容器内の天井部には、前記マイクロ波導入手段より導入されるマイクロ波を撹拌する撹拌機が設けられていることを特徴とする請求項1又は2記載のマイクロ波照射装置。
- 前記撹拌機と前記支持機構との間には、誘電体よりなる仕切板が設けられていることを特徴とする請求項3記載のマイクロ波照射装置。
- 前記仕切板の周辺部には、前記仕切板で仕切られた上下の空間を連通するための連通孔が形成されていることを特徴とする請求項4記載のマイクロ波照射装置。
- 前記被処理体は、前記支持機構上に複数の支持ピンを介して支持されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のマイクロ波照射装置。
- 前記支持ピンは中空になされており、前記被処理体の裏面を吸着するチャック機構として形成されていることを特徴とする請求項6記載のマイクロ波照射装置。
- 前記支持機構の下部は、前記チャック機構の一部を形成するために真空引きされたチャック用密閉空間として形成されていると共に、前記チャック用密閉空間と前記支持ピンとは連通されていることを特徴とする請求項7記載のマイクロ波照射装置。
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