JP4780202B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
2 被処理基板
3 基板保持台
3a セラミック層
3b アルミニウムベース
3c,3d 内部電極
3h 伝熱ガス導入穴
5 突き上げ機構
5a 突き上げピン
5b 突き上げピン昇降空間
5c 歯車機構
5d マグネットカップリング
5e 回転モーター
5f 回転軸
6 直流電源
7 プラズマ生成用交流電極
8a Heガスの供給機構
8c Heガス圧力調整機構
8d 開閉バルブ
8e 流量コントローラ
8f 開閉バルブ
8p 圧力計
8v 絞り弁
9a,9b ハウジング
20 真空排気装置
20a 開閉弁
20b 排気口
30 エッチングガス導入装置
31 ガス導入口
40 高周波フィルター
50 押さえリング
Claims (3)
- 真空室と、真空室内を排気する排気装置と、上記真空室内に配置される静電吸着用内部電極と、上記電極に300kHz以上1MHz以下のプラズマ生成用の高周波電力を印加する電源と、上記電極に基板を昇降可能に載置するための基板突き上げ機構と、上記電極と上記基板との間に伝熱ガスを供給し、上記基板の温度を制御する基板冷却機構と、上記基板と直接接触しかつ前記電極を包囲する静電吸着用のセラミック層と上記セラミック層の下層に配置されるアルミニウム製ベース部とで構成される基板保持台と、を有するプラズマ処理装置であって、上記突き上げ機構の上記基板を昇降させる突き上げピンの昇降空間と、上記伝熱ガスを上記基板保持台に設けられた複数の穴に供給するガス溜まり空間とを上記ベース部の下層に設けられた第1と第2の導電性部材によって包囲し、かつ、前記第1と第2の導電性部材は何れも電気的に接地されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 50Pa以上3000Pa以下までの圧力範囲内に調整した上記伝熱ガスにより、上記基板の温度を制御してプラズマ処理する請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 1Pa以下の圧力領域で上記真空室内にプラズマを生成してプラズマ処理する請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
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