JP5657059B2 - マイクロ波加熱処理装置および処理方法 - Google Patents
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Description
前記被処理体を加熱処理するためのマイクロ波を生成して前記処理容器に導入するマイクロ波導入装置と、
前記処理容器内で被処理体に当接してこれを保持する保持部と、
前記保持部によって保持された状態の被処理体の下方に配置され、前記マイクロ波導入装置によって前記処理容器内に導入された前記マイクロ波の定在波の位相を変化させる位相調節部と、
を備えている。
基部と、
前記基部から放射状に延びるアーム部と、
前記アーム部に固定され、被処理体に接触してこれを支持する支持部材と、
を備えていてもよく、
前記位相調節部は、前記基部に形成された凹部であってもよい。
前記被処理体を加熱処理するためのマイクロ波を生成して前記処理容器に導入するマイクロ波導入装置と、
前記処理容器内で被処理体に当接してこれを保持する保持部と、
前記保持部によって保持された状態の被処理体の下方に配置され、前記マイクロ波導入装置によって前記処理容器内に導入された前記マイクロ波の定在波の位相を変化させる位相調節部と、
を備えたマイクロ波加熱処理装置を用いて前記被処理体を加熱処理するものである。
まず、図1を参照して、本発明の第1の実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置の概略の構成について説明する。図1は、本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置の概略の構成を示す断面図である。本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置1は、連続する複数の動作を伴って、例えば半導体デバイス製造用の半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」と記す。)Wに対して、マイクロ波を照射して加熱処理を施す装置である。
処理容器2は、金属材料によって形成されている。処理容器2を形成する材料としては、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス等が用いられる。
マイクロ波導入装置3は、処理容器2の上部に設けられ、処理容器2内に電磁波(マイクロ波)を導入するマイクロ波導入手段として機能する。マイクロ波導入装置3の構成については、後で詳しく説明する。
支持装置4は、処理容器2の底部13のほぼ中央を貫通して処理容器2の外部まで延びる管状のシャフト14と、シャフト14の上端に装着された保持部としてのホルダ15とを有している。ホルダ15は、シャフト14の上端に装着された基部15aと、この基部15aからほぼ水平方向に放射状に設けられた複数(本実施の形態では3本)のアーム部15bと、各アーム部15bに着脱可能に装着された支持ピン16とを有している。複数の支持ピン16は、処理容器2内においてウエハWの裏面に当接してウエハWを支持する。複数の支持ピン16は、その上端部がウエハWの周方向に並ぶように配置されている。各支持ピン16は、アーム部15bに着脱可能に装着されている。なお、アーム部15b、支持ピン16の数は、ウエハWを安定して支持できればよく、特に限定されない。ホルダ15および複数の支持ピン16は、誘電体材料によって形成されている。これらを形成する誘電体材料としては、例えば、石英、セラミックス等を用いることができる。
排気装置6は、例えば、ドライポンプ等の真空ポンプを有している。マイクロ波加熱処理装置1は、更に、排気口13aと排気装置6とを接続する排気管21と、排気管21の途中に設けられた圧力調整バルブ22と、を備えている。排気装置6の真空ポンプを作動させることにより、処理容器2の内部空間が減圧排気される。なお、マイクロ波加熱処理装置1は、大気圧での処理も可能であり、その場合は、真空ポンプは不要である。排気装置6としてドライポンプ等の真空ポンプを用いる替わりに、マイクロ波加熱処理装置1が設置される施設に設けられた排気設備を用いることも可能である。
マイクロ波加熱処理装置1は、更に、処理容器2内にガスを供給するガス供給機構5を備えている。ガス供給機構5は、図示しないガス供給源を備えたガス供給装置5aと、ガス供給装置5aに接続され、処理容器2内に処理ガスを導入する複数の配管23と、を備えている。複数の配管23は、処理容器2の側壁部12に接続されている。
マイクロ波加熱処理装置1は、更に、処理容器2内の複数の支持ピン16の周囲において、側壁部12との間に、枠状をした整流板24を備えている。整流板24は、整流板24を上下に貫通するように設けられた複数の整流孔24aを有している。整流板24は、処理容器2内においてウエハWが配置される予定の領域の雰囲気を整流しながら排気口13aに向かって流すためのものである。整流板24は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス等の金属材料によって形成されている。なお、整流板24は、マイクロ波加熱処理装置1における必須の構成要素ではなく、設けなくてもよい。
図示は省略するが、マイクロ波加熱処理装置1は、更に、ウエハWの表面温度を測定する複数の放射温度計と、これらの放射温度計に接続された温度計測部とを備えている。
本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1では、処理容器2内において、天井部11、側壁部12及び整流板24で区画される空間がマイクロ波放射空間S1を形成している。このマイクロ波放射空間S1には、天井部11に設けられた複数のマイクロ波導入ポート10からマイクロ波が放射される。処理容器2の天井部11、側壁部12及び整流板24は、いずれも金属材料によって形成されているため、マイクロ波を反射し、マイクロ波放射空間S1内に散乱させ定在波が生成される。また、処理容器2内に導入されたマイクロ波は、底部13とウエハWとの間の空間S2にも定在波を生成させる。
次に、図2から図8を参照して、定在波の位相を変化させる手段としての位相調節部について詳細に説明する。まず、図2は、本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1における位相調節部7の周辺の構成を拡大して示す要部断面図である。位相調節部7は、マイクロ波導入装置3によって処理容器2内に導入されたマイクロ波の定在波の位相を変化させる。位相調節部7は、ウエハWの径方向におけるマイクロ波の放射を均一化しやすくする観点から、支持ピン16によって保持された状態のウエハWの下方に配置することが好ましい。具体的には、位相調節部7の少なくとも一部分、好ましくは全体を、支持ピン16によって保持された状態のウエハWと上下に重なるように配置する。
次に、図1、図9及び図10を参照して、マイクロ波導入装置3の構成について説明する。図9は、マイクロ波導入装置3の高電圧電源部の概略の構成を示す説明図である。図10は、図1に示した処理容器2の天井部11の上面を示す平面図である。
本実施の形態では、複数のマイクロ波ユニット30の構成は全て同一である。各マイクロ波ユニット30は、ウエハWを処理するためのマイクロ波を生成するマグネトロン31と、マグネトロン31において生成されたマイクロ波を処理容器2に伝送する導波管32と、マイクロ波導入ポート10を塞ぐように天井部11に固定された透過窓33とを有している。マグネトロン31は、本発明におけるマイクロ波源に対応する。
高電圧電源部40は、マグネトロン31に対してマイクロ波を生成するための高電圧を供給する。図9に示したように、高電圧電源部40は、商用電源に接続されたAC−DC変換回路41と、AC−DC変換回路41に接続されたスイッチング回路42と、スイッチング回路42の動作を制御するスイッチングコントローラ43と、スイッチング回路42に接続された昇圧トランス44と、昇圧トランス44に接続された整流回路45とを有している。マグネトロン31は、整流回路45を介して昇圧トランス44に接続されている。
マイクロ波加熱処理装置1の各構成部は、それぞれ制御部8に接続されて、制御部8によって制御される。制御部8は、典型的にはコンピュータである。図11は、図1に示した制御部8の構成を示す説明図である。図11に示した例では、制御部8は、CPUを備えたプロセスコントローラ81と、このプロセスコントローラ81に接続されたユーザーインターフェース82および記憶部83とを備えている。
次に、本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置1の作用効果について説明する。上記のとおり、マイクロ波加熱処理装置1は、位相調節部7を備えている。各マイクロ波導入ポート10から処理容器2内に導入されたマイクロ波は、処理容器2の底部13とウエハWとの間の空間S2に定在波を生成させる。本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置1では、空間S2もしくは空間S2に臨む位置に、定在波の位相を変化させる位相調節部7を設けたことによって、空間S2における定在波の位相を変化させることができる。また、補助部材としての嵌合プレートを用いることによって、例えばマイクロ波導入ポート10の配置や数を変更した場合でも、それに応じて、空間S2における定在波の位相を最適化できる。従って、ウエハWの面内、特に、ウエハWの径方向におけるマイクロ波の放射を均一化することが可能になり、均一な加熱処理が実現される。なお、空間S2の定在波の状態を変化させることにより、結果的には空間S1における定在波の位相も変化させている。
次に、マイクロ波加熱処理装置1においてウエハWに対して加熱処理を施す際の処理の手順について説明する。まず、例えばユーザーインターフェース82から、マイクロ波加熱処理装置1において加熱処理を行うように、プロセスコントローラ81に指令が入力される。次に、プロセスコントローラ81は、この指令を受けて、記憶部83またはコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に保存されたレシピを読み出す。次に、レシピに基づく条件によって加熱処理が実行されるように、プロセスコントローラ81からマイクロ波加熱処理装置1の各エンドデバイス(例えば、マイクロ波導入装置3、支持装置4、ガス供給装置5a、排気装置6等)に制御信号が送出される。
次に、図12〜図14を参照して、本発明の第2の実施の形態のマイクロ波加熱処理装置について説明する。図12は、本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置1Aの概略の構成を示す断面図である。図13及び図14は、本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1Aにおける位相調節部の周辺の構成を拡大して示す要部断面図である。本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置1Aは、連続する複数の動作を伴って、例えばウエハWに対して、マイクロ波を照射して加熱処理を施す装置である。以下の説明では、第1の実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1との相違点を中心に説明し、図12から図14において、第1の実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1Aの位相調節部7Aは、処理容器2の底部13において、処理容器2内の空間S2に突没可能に装着された可動部材としての可動ブロック71と、この可動ブロック71を昇降変位させる変位駆動部73と、を備えている。変位駆動部73は、例えばボールねじ、ラック&ピニオン、エアシリンダ、油圧シリンダなどの駆動機構を備えている。
次に、図15〜図17を参照して、本発明の第3の実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1Bについて説明する。図15は、本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置1Bの概略の構成を示す断面図である。図16及び図17は、本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1Bにおける位相調節部の周辺の構成を拡大して示す要部断面図である。本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置1Bは、連続する複数の動作を伴って、例えばウエハWに対して、マイクロ波を照射して加熱処理を施す装置である。以下の説明では、第1の実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1との相違点を中心に説明し、図15から図17において、第1の実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1Bの位相調節部7Bは、処理容器2の底部13において、処理容器2内の空間S2に突没可能に装着された可動部材としての可動筒75と、この可動筒75を昇降変位させる変位駆動部73と、底部13の下面に処理容器2の外側から装着された固定板77A,77Bと、を備えている。固定板77Aは、可動筒75を挿通可能な開口部77aを有する金属製の半筒状部材である。固定板77Bは、可動筒75を挿通可能な開口部77bを有する金属製の半筒状部材である。固定板77A,77Bは、それぞれ図示しない螺子等の固定手段で底部13に固定されている。なお、変位駆動部73の構成は、第2の実施の形態と同様である。
次に、図18及び図19を参照して、本発明の第3の実施の形態のマイクロ波加熱処理装置の変形例について説明する。図18及び図19は、本変形例のマイクロ波加熱処理装置1Bにおける位相調節部の周辺の構成を拡大して示す要部断面図である。本変形例のマイクロ波加熱処理装置1Bの位相調節部7Bは、処理容器2の底部13において、処理容器2内の空間S2に突没可能に装着された可動部材としての可動筒75と、この可動筒75を昇降変位させる変位駆動部73と、底部13の下面に処理容器2の外側から装着された固定板79A,79Bと、を備えている。固定板79Aは、可動筒75を挿通可能な開口部79aと、凸部79cとを有する金属製の半筒状部材である。固定板79Bは、可動筒75を挿通可能な開口部79bと、凸部79dとを有する金属製の半筒状部材である。固定板79A,79Bは、それぞれ図示しない螺子等の固定手段で底部13に固定されている。凸部79c,79dは、共に処理容器2内の空間S2に突出しており、位相調節部7Bにおける凸部を形成している。
次に、図20〜図22を参照して、本発明の第4の実施の形態のマイクロ波加熱処理装置について説明する。図20は、本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置1Cの概略の構成を示す断面図である。図21は、ホルダ15Aの全体を示す斜視図である。また、図22は、ホルダ15Aの基部15aの断面図である。本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置1Cは、連続する複数の動作を伴って、例えばウエハWに対して、マイクロ波を照射して加熱処理を施す装置である。以下の説明では、第1の実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1との相違点を中心に説明し、図20から図22において、第1の実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1Cの位相調節部7Cは、支持装置4Aに設けられている。位相調節部7Cは、ホルダ15Aの基部15aに形成された凹部15cを備えている。凹部15cは、円形の窪みである。位相調節部7Cは、マイクロ波導入装置3によって処理容器2内に導入されたマイクロ波の定在波の位相を変化させる。すなわち、位相調節部7Cは、支持ピン16によって保持された状態のウエハWの中央付近の直下に位置しており、ウエハWの下方おけるマイクロ波の定在波の位相を変化させる。
4つのマイクロ波導入ポート10の配置を変更した以外は、図1に示したマイクロ波加熱処理装置1と同様の構成のマイクロ波加熱処理装置を使用し、ウエハWの加熱処理を行った。この試験は、処理容器2内に40L/min(slm)の窒素ガスを導入しながら、各マイクロ波導入ポート10からそれぞれ1250Wのパワーでマイクロ波を導入し、5分間かけてウエハWの加熱処理を実施した。また、比較例として、底部13がフラットな平面である以外は、図1に示したマイクロ波加熱処理装置1と同様の構成のマイクロ波加熱処理装置を使用し、同様の条件でウエハWの加熱処理を行った。
第4の実施の形態(図20〜図22)と同様の構成のマイクロ波加熱処理装置1Cにおいて、不純物としてヒ素をドープしたシリコンウエハを加熱処理する場合を想定したシミュレーションを実施した。凹部15cの深さは25mmに設定した。比較例として、位相調節部7C(凹部15c)を有しない以外は、図20〜図22に示したマイクロ波加熱処理装置1Cと同様の構成のマイクロ波加熱処理装置を使用し、同様の条件でウエハWの加熱処理を行う場合のシミュレーションを行った。シミュレーションでは、ウエハWの面内におけるシート抵抗値のばらつきを評価した。その結果、本発明のマイクロ波加熱処理装置1Cを使用したシミュレーションでは、シリコンウエハ面内のシート抵抗値の標準偏差が1.0%であったのに対し、比較例では1.9%であった。本シミュレーション結果から、位相調節部7Cを備えた本発明のマイクロ波加熱処理装置を用いることによって、ウエハWの面内で均一な加熱が可能であることが確認できた。
Claims (7)
- 上壁、底壁及び側壁を有し、被処理体を収容する処理容器と、
前記被処理体を加熱処理するためのマイクロ波を生成して前記処理容器に導入するマイクロ波導入装置と、
前記処理容器内で被処理体に当接してこれを保持する保持部と、
前記保持部によって保持された状態の被処理体の下方に配置され、前記マイクロ波導入装置によって前記処理容器内に導入された前記マイクロ波の定在波の位相を変化させる位相調節部と、
を備え、
前記保持部は、
基部と、
前記基部から延びるアーム部と、
前記アーム部に設けられ、被処理体に接触してこれを支持する支持部と、
を備えており、
前記位相調節部は、前記基部に形成された凹部であるマイクロ波加熱処理装置。 - 前記基部が誘電体によって形成されている請求項1に記載のマイクロ波加熱処理装置。
- 前記保持部によって支持された被処理体を水平方向に回転させる回転機構をさらに備えた請求項1又は2に記載のマイクロ波加熱処理装置。
- 前記保持部が被処理体を支持する高さ位置を可変に調節する高さ位置調節機構をさらに備えた請求項1から3のいずれか1項に記載のマイクロ波加熱処理装置。
- 前記処理容器の上壁は、前記マイクロ波導入装置において生成された前記マイクロ波を前記処理容器に導入する複数のマイクロ波導入ポートを有している請求項1から4のいずれか1項に記載のマイクロ波加熱処理装置。
- 前記アーム部は、前記基部から放射状に延びていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のマイクロ波加熱処理装置。
- 前記支持部は、前記アーム部に固定されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のマイクロ波加熱処理装置。
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US20100065758A1 (en) * | 2008-09-16 | 2010-03-18 | Tokyo Electron Limited | Dielectric material treatment system and method of operating |
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KR101559022B1 (ko) * | 2010-12-21 | 2015-10-08 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 기판 열처리 기구 |
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