JP2013069603A - マイクロ波処理装置および被処理体の処理方法 - Google Patents

マイクロ波処理装置および被処理体の処理方法 Download PDF

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Abstract

【課題】マイクロ波処理装置において被処理体に対して均一な処理を行う。
【解決手段】マイクロ波処理装置１は、ウエハＷを収容する処理容器２と、マイクロ波導入装置３と、制御部８とを備えている。マイクロ波導入装置３は、マイクロ波を生成する複数のマグネトロン３１を有し、制御部８は、ウエハＷを処理するための状態が継続している間に、複数のマグネトロン３１の各々を任意に組み合わせた複数の組み合わせ毎に、且つ、各組み合わせ内で同期して、マイクロ波を生成する状態とマイクロ波を生成しない状態とが交互に複数回繰り返されるように、複数のマグネトロン３１を制御する。
【選択図】図６

Description

本発明は、マイクロ波を処理容器に導入して所定の処理を行うマイクロ波処理装置およびマイクロ波処理装置を用いた被処理体の処理方法に関する。
半導体デバイスの製造過程では、被処理基板である半導体ウエハに対して、成膜処理、エッチング処理、酸化拡散処理、改質処理、アニール処理等の種々の熱処理が施される。このような熱処理は、一般的には、加熱用のランプやヒータを備えた基板処理装置を用いて、半導体ウエハを加熱することによって行われる。
ところで、近年、半導体ウエハに対して熱処理を施す装置として、ランプやヒータの代りにマイクロ波を使用する装置が知られている。例えば、特許文献１には、マイクロ波エネルギーを使用して、硬化、焼きなまし（アニール）、膜形成を行う熱処理システムが記載されている。また、特許文献２には、表面に成膜材料層が形成された半導体ウエハに電磁波（マイクロ波）を照射することにより、成膜材料を加熱して薄膜を形成する熱処理装置が記載されている。このようなマイクロ波処理装置では、特に、不純物の拡散を抑制しながら浅い活性層を形成することや、格子欠損を修復することが可能であると言われている。
特許文献１に記載されたマイクロ波処理装置では、マイクロ波を生成するマイクロ波源として、複数のマグネトロンが設けられている。なお、特許文献１および２に記載されたようなマイクロ波処理装置ではないが、特許文献３には、複数のマグネトロン高周波発振部を備えたマイクロ波プラズマ放電処理装置が記載されている。
特表２００９−５１６３７５号公報 特開２０１０−１２９７９０号公報 特開２００５−２５９６３３号公報
ところで、処理容器に導入されたマイクロ波は、処理容器内において定在波を形成する。被処理体を処理するための状態が継続している間に、この定在波の腹と節の位置が固定されると、加熱むらが生じる等、被処理体に対して均一な処理が行われなくなるおそれがある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、被処理体に対して均一な処理を行うことを可能にするマイクロ波処理装置およびマイクロ波処理装置を用いた被処理体の処理方法を提供することにある。
本発明のマイクロ波処理装置は、
被処理体を収容する処理容器と、
被処理体を処理するためのマイクロ波を生成して処理容器に導入するマイクロ波導入装置と、
マイクロ波導入装置を制御する制御部とを備えている。
本発明の被処理体の処理方法は、
被処理体を収容する処理容器と、
被処理体を処理するためのマイクロ波を生成して処理容器に導入するマイクロ波導入装置とを備えたマイクロ波処理装置を用いて、被処理体を処理する方法である。
本発明のマイクロ波処理装置および被処理体の処理方法において、マイクロ波導入装置は、マイクロ波を生成する複数のマイクロ波源を有し、複数のマイクロ波を同時に処理容器に導入することが可能である。
本発明における制御部は、被処理体を処理するための状態が継続している間に、複数のマイクロ波源の各々を任意に組み合わせた複数の組み合わせ毎に、且つ、各組み合わせ内で同期して、マイクロ波を生成する状態とマイクロ波を生成しない状態とが交互に複数回繰り返されるように、複数のマイクロ波源を制御する。
本発明の被処理体の処理方法は、被処理体を処理するための状態が継続している間に、複数のマイクロ波源の各々を任意に組み合わせた複数の組み合わせ毎に、且つ、各組み合わせ内で同期して、マイクロ波を生成する状態とマイクロ波を生成しない状態とが交互に複数回繰り返されるように、複数のマイクロ波源を制御する。
本発明のマイクロ波処理装置において、制御部は、被処理体を処理するための状態が継続している間に、複数の組み合わせの各々に含まれるマイクロ波源の一部を入れ替えてもよい。同様に、本発明の被処理体の処理方法は、被処理体を処理するための状態が継続している間に、複数の組み合わせの各々に含まれるマイクロ波源の一部を入れ替えてもよい。
また、本発明のマイクロ波処理装置および被処理体の処理方法において、複数の組み合わせの各々に含まれるマイクロ波源の一部を入れ替える場合、マイクロ波導入装置は、複数のマイクロ波源として、第１ないし第４のマイクロ波源を有していてもよい。この場合、本発明における制御部は、被処理体を処理するための状態が継続している間に、第１ないし第４のマイクロ波源のうちの２つを含む第１の組み合わせに含まれる２つのマイクロ波源のうちの１つと、第１ないし第４のマイクロ波源のうちの他の２つを含む第２の組み合わせに含まれる２つのマイクロ波源のうちの１つと、を入れ替えてもよい。同様に、本発明の被処理体の処理方法は、被処理体を処理するための状態が継続している間に、第１ないし第４のマイクロ波源のうちの２つを含む第１の組み合わせに含まれる２つのマイクロ波源のうちの１つと、第１ないし第４のマイクロ波源のうちの他の２つを含む第２の組み合わせに含まれる２つのマイクロ波源のうちの１つと、を入れ替えてもよい。
また、本発明のマイクロ波処理装置および被処理体の処理方法において、複数のマイクロ波源が第１ないし第４のマイクロ波源を含んでいる場合、第１の組み合わせは、第１のマイクロ波源と、第３および第４のマイクロ波源のうちの一方とを含み、第２の組み合わせは、第２のマイクロ波源と、第３および第４のマイクロ波源のうちの他方とを含んでいてもよい。この場合、本発明における制御部は、被処理体を処理するための状態が継続している間に、第１の組み合わせに含まれる第３および第４のマイクロ波源のうちの一方と第２の組み合わせに含まれる第３および第４のマイクロ波源のうちの他方とを入れ替えてもよい。同様に、本発明の被処理体の処理方法は、被処理体を処理するための状態が継続している間に、第１の組み合わせに含まれる第３および第４のマイクロ波源のうちの一方と第２の組み合わせに含まれる第３および第４のマイクロ波源のうちの他方とを入れ替えてもよい。
また、本発明のマイクロ波処理装置および被処理体の処理方法において、複数のマイクロ波源が第１ないし第４のマイクロ波源を含んでいる場合、処理容器は、第１ないし第４のマイクロ波源の各々において生成されたマイクロ波を処理容器に導入する第１ないし第４のマイクロ波導入ポートを有し、第１ないし第４のマイクロ波導入ポートは、処理容器の上部に設けられ、且つ処理容器の上部において周方向に等間隔に配置されたものであってもよく、第１および第２の組み合わせは、それぞれ、第１ないし第４のマイクロ波導入ポートのうち周方向に隣接する２つによって導入される２つのマイクロ波を生成する２つのマイクロ波源を組み合わせたものであってもよい。
また、本発明のマイクロ波処理装置および被処理体の処理方法において、複数の組み合わせの各々に含まれるマイクロ波源の一部を入れ替える周期は、マイクロ波を生成する状態１回当たりの時間の１５０倍から５００倍の範囲内であってもよい。
また、本発明のマイクロ波処理装置および被処理体の処理方法において、マイクロ波は、被処理体に照射されて被処理体を処理するためのものであってもよい。
本発明のマイクロ波処理装置および被処理体の処理方法では、前述のように、被処理体を処理するための状態が継続している間に、複数の組み合わせ毎に、且つ、各組み合わせ内で同期して、マイクロ波を生成する状態とマイクロ波を生成しない状態とが交互に複数回繰り返されるようにすることにより、処理容器内に生じる定在波の状態を変化させることができる。これにより、本発明によれば、被処理体に対して均一な処理を行うことが可能になる。
本発明の一実施の形態に係るマイクロ波処理装置の概略の構成を示す断面図である。 本発明の一実施の形態におけるマイクロ波導入装置の高電圧電源部の概略の構成を示す説明図である。 本発明の一実施の形態におけるマイクロ波導入装置の高電圧電源部の回路構成の一例を示す回路図である。 図１に示した処理容器の天井部の上面を示す平面図である。 図１に示した制御部の構成を示す説明図である。 複数のマグネトロンの組み合わせを説明する説明図である。
［マイクロ波処理装置］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の一実施の形態に係るマイクロ波処理装置の概略の構成について説明する。図１は、本実施の形態に係るマイクロ波処理装置の概略の構成を示す断面図である。本実施の形態に係るマイクロ波処理装置１は、連続する複数の動作を伴って、例えば半導体デバイス製造用の半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と記す。）Ｗに対して、マイクロ波を照射して、成膜処理、改質処理、アニール処理等の所定の処理を施す装置である。
マイクロ波処理装置１は、被処理体であるウエハＷを収容する処理容器２と、処理容器２内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置３と、処理容器２内においてウエハＷを支持する支持装置４と、処理容器２内にガスを供給するガス供給装置５と、処理容器２内を減圧排気する排気装置６と、これらマイクロ波処理装置１の各構成部を制御する制御部８とを備えている。なお、処理容器２内にガスを供給する手段としては、ガス供給装置５の代りに、マイクロ波処理装置１の構成には含まれない外部のガス供給装置を使用してもよい。
＜処理容器＞
処理容器２は、例えば略円筒形状をなしている。処理容器２は、金属材料によって形成されている。処理容器２を形成する材料としては、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス等が用いられる。なお、処理容器２は、円筒形形状に限らず、例えば角筒形状をなしていてもよい。マイクロ波導入装置３は、処理容器２の上部に設けられ、処理容器２内に電磁波（マイクロ波）を導入するマイクロ波導入手段として機能する。マイクロ波導入装置３の構成については、後で詳しく説明する。
処理容器２は、板状の天井部１１および底部１３と、天井部１１と底部１３とを連結する側壁部１２と、天井部１１を上下に貫通するように設けられた複数のマイクロ波導入ポート１１ａと、側壁部１２に設けられた搬入出口１２ａと、底部１３に設けられた排気口１３ａとを有している。搬入出口１２ａは、処理容器２に隣接する図示しない搬送室との間でウエハＷの搬入出を行うためものである。処理容器２と図示しない搬送室との間には、ゲートバルブＧが設けられている。ゲートバルブＧは、搬入出口１２ａを開閉する機能を有し、閉状態で処理容器２を気密にシールすると共に、開状態で処理容器２と図示しない搬送室との間でウエハＷの移送を可能にする。
＜支持装置＞
支持装置４は、処理容器２内に配置された板状且つ中空のリフト板１５と、リフト板１５の上面から上方に延びる管状の複数の支持ピン１４と、リフト板１５の下面から底部１３を貫通して処理容器２の外部まで延びる管状のシャフト１６とを有している。シャフト１６は、処理容器２の外部において図示しないアクチュエータに固定されている。
複数の支持ピン１４は、処理容器２内においてウエハＷに当接してウエハＷを支持するためのものである。複数の支持ピン１４は、その上端部がウエハＷの周方向に並ぶように配置されている。また、複数の支持ピン１４、リフト板１５およびシャフト１６は、図示しないアクチュエータによってウエハＷを上下に変位させることができるように構成されている。
また、複数の支持ピン１４、リフト板１５およびシャフト１６は、排気装置６によってウエハＷを複数の支持ピン１４に吸着させることができるように構成されている。具体的には、複数の支持ピン１４およびシャフト１６は、それぞれリフト板１５の内部空間に連通する管状の形状を有している。また、複数の支持ピン１４の上端部には、ウエハＷの裏面を吸引するための吸着孔が形成されている。
複数の支持ピン１４およびリフト板１５は、誘電体材料によって形成されている。複数の支持ピン１４およびリフト板１５を形成する材料としては、例えば、石英、セラミックス等を用いることができる。
＜排気機構＞
マイクロ波処理装置１は、更に、排気口１３ａと排気装置６とを接続する排気管１７と、シャフト１６と排気管１７とを接続する排気管１８と、排気管１７の途中に設けられた圧力調整バルブ１９と、排気管１８の途中に設けられた開閉バルブ２０および圧力計２１とを備えている。排気管１８は、シャフト１６の内部空間に連通するように、シャフト１６に直接または間接的に接続されている。圧力調整バルブ１９は、排気口１３ａと排気管１７，１８の接続点との間に設けられている。
排気装置６は、ドライポンプ等の真空ポンプを有している。排気装置６の真空ポンプを作動させることにより、処理容器２の内部空間が減圧排気される。このとき、開閉バルブ２０を開状態にすることにより、ウエハＷの裏面を吸引して、ウエハＷを複数の支持ピン１４に吸着させて固定することができる。
＜ガス導入機構＞
マイクロ波処理装置１は、更に、処理容器２内においてウエハＷが配置される予定の位置の下方に配置されたシャワーヘッド部２２と、シャワーヘッド部２２と側壁部１２との間に配置された環状の整流板２３と、シャワーヘッド部２２とガス供給装置５とを接続する配管２４と、ガス供給装置５に接続され、処理容器２内に処理ガスを導入する複数の配管２５とを備えている。
シャワーヘッド部２２は、ウエハＷに対して比較的低温の処理が施される場合に、冷却ガスによってウエハＷを冷却するためのものである。シャワーヘッド部２２は、配管２４に連通するガス通路２２ａと、ガス通路２２ａに連通し、ウエハＷに向かって冷却ガスを噴出する複数のガス噴出孔２２ｂとを有している。図１に示した例では、複数のガス噴出孔２２ｂは、シャワーヘッド部２２の上面側に形成されている。シャワーヘッド部２２は、誘電率の小さい誘電体材料によって形成されている。シャワーヘッド部２２の材料としては、例えば、石英、セラミックス等を用いることができる。なお、シャワーヘッド部２２は、マイクロ波処理装置１における必須の構成要素ではなく、設けられていなくてもよい。
整流板２３は、整流板２３を上下に貫通するように設けられた複数の整流孔２３ａを有している。整流板２３は、処理容器２内においてウエハＷが配置される予定の領域の雰囲気を整流しながら排気口１３ａに向かって流すためのものである。
ガス供給装置５は、処理ガスまたは冷却ガスとして、例えば、Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｏ２、Ｈ２等のガスを供給できるように構成されている。なお、マイクロ波処理装置１において成膜処理が行われる場合には、ガス供給装置５は、成膜原料ガスを処理容器２内に供給する。
図示しないが、マイクロ波処理装置１は、更に、配管２４，２５の途中に設けられたマスフローコントローラおよび開閉バルブを備えている。シャワーヘッド部２２および処理容器２内に供給されるガスの種類や、これらのガスの流量等は、マスフローコントローラおよび開閉バルブによって制御される。
＜温度計測部＞
マイクロ波処理装置１は、更に、ウエハＷの表面温度を測定する複数の放射温度計２６と、複数の放射温度計２６に接続された温度計測部２７とを備えている。なお、図１では、ウエハＷの中央部の表面温度を測定する放射温度計２６を除いて、複数の放射温度計２６の図示を省略している。複数の放射温度計２６は、その上端部がウエハＷの裏面に接近するように、底部１３からウエハＷが配置される予定の位置に向かって延びている。
＜マイクロ波攪拌機構＞
マイクロ波処理装置１は、更に、処理容器２内においてウエハＷが配置される予定の位置の上方に配置され、複数の羽根によって構成されたスターラファン９１と、処理容器２の外部に設けられた回転モータ９３と、天井部１１を貫通してスターラファン９１と回転モータ９３とを接続する回転軸９２とを備えている。スターラファン９１は、回転することにより処理容器２内に導入されたマイクロ波を反射および撹拌するためのものである。スターラファン９１の羽根の数は、例えば４つである。スターラファン９１は、スターラファン９１に衝突したマイクロ波が熱に変換されたり吸収されたりしないように、誘電正接（ｔａｎδ）の小さな誘電材料によって形成されている。スターラファン９１を形成する材料としては、例えば金属やチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等よりなる複合セラミックスや、クオーツ、サファイア等を用いることができる。なお、スターラファン９１の配置は、図１に示した例に限られない。例えば、スターラファン９１は、処理容器２内においてウエハＷが配置される予定の位置の下方に配置されていてもよい。
＜制御部＞
マイクロ波処理装置１の各構成部は、それぞれ制御部８に接続されて、制御部８によって制御される。制御部８は、典型的にはコンピュータである。図５は、図１に示した制御部８の構成を示す説明図である。図５に示した例では、制御部８は、ＣＰＵを備えたプロセスコントローラ８１と、このプロセスコントローラ８１に接続されたユーザーインターフェース８２および記憶部８３とを備えている。
プロセスコントローラ８１は、マイクロ波処理装置１において、例えば温度、圧力、ガス流量、マイクロ波出力等のプロセス条件に関係する各構成部（例えば、マイクロ波導入装置３、支持装置４、ガス供給装置５、排気装置６、温度計測部２７等）を統括して制御する制御手段である。
ユーザーインターフェース８２は、工程管理者がマイクロ波処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードやタッチパネル、マイクロ波処理装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有している。
記憶部８３には、マイクロ波処理装置１で実行される各種処理をプロセスコントローラ８１の制御によって実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や、処理条件データ等が記録されたレシピ等が保存されている。プロセスコントローラ８１は、ユーザーインターフェース８２からの指示等、必要に応じて、任意の制御プログラムやレシピを記憶部８３から呼び出して実行する。これにより、プロセスコントローラ８１による制御下で、マイクロ波処理装置１の処理容器２内において所望の処理が行われる。
上記の制御プログラムおよびレシピは、例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ、ブルーレイディスク等のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用することができる。また、上記のレシピは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用することも可能である。
＜マイクロ波導入装置＞
次に、図１ないし図４を参照して、マイクロ波導入装置３の構成について詳しく説明する。図２は、マイクロ波導入装置３の高電圧電源部の概略の構成を示す説明図である。図３は、マイクロ波導入装置３の高電圧電源部の回路構成の一例を示す回路図である。図４は、図１に示した処理容器２の天井部１１の上面を示す平面図である。
前述のように、マイクロ波導入装置３は、処理容器２の上部に設けられ、処理容器２内に電磁波（マイクロ波）を導入するマイクロ波導入手段として機能する。図１に示したように、マイクロ波導入装置３は、マイクロ波を処理容器２に導入する複数のマイクロ波ユニット３０と、複数のマイクロ波ユニット３０に接続された高電圧電源部４０とを備えている。
（マイクロ波ユニット）
本実施の形態では、複数のマイクロ波ユニット３０の構成は全て同一である。各マイクロ波ユニット３０は、ウエハＷを処理するためのマイクロ波を生成するマグネトロン３１と、マグネトロン３１において生成されたマイクロ波を処理容器２に伝送する導波管３２と、マイクロ波導入ポート１１ａを塞ぐように天井部１１に固定された透過窓３３とを有している。マグネトロン３１は、本発明におけるマイクロ波源に対応する。
図４に示したように、本実施の形態では、処理容器２は、天井部１１において周方向に等間隔に配置された４つのマイクロ波導入ポート１１ａを有している。また、本実施の形態では、マイクロ波ユニット３０の数は４つである。以下、４つのマイクロ波ユニット３０のそれぞれのマグネトロン３１を互いに区別して表す場合には、符号３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄを付して表す。図４における上側のマイクロ波導入ポート１１ａは、例えばマグネトロン３１Ａによって生成されたマイクロ波を処理容器２に導入する。図４における下側のマイクロ波導入ポート１１ａは、例えばマグネトロン３１Ｂによって生成されたマイクロ波を処理容器２に導入する。図４における左側のマイクロ波導入ポート１１ａは、例えばマグネトロン３１Ｃによって生成されたマイクロ波を処理容器２に導入する。図４における右側のマイクロ波導入ポート１１ａは、例えばマグネトロン３１Ｄによって生成されたマイクロ波を処理容器２に導入する。
マグネトロン３１は、高電圧電源部４０によって供給される高電圧が印加される陽極および陰極を有している。また、マグネトロン３１としては、種々の周波数のマイクロ波を発振することができるものを用いることができる。マグネトロン３１によって生成されるマイクロ波は、被処理体の処理毎に最適な周波数を選択し、例えばアニール処理においては、２．４５ＧＨｚ、５．８ＧＨｚ等の高い周波数のマイクロ波であることが好ましく、５．８ＧＨｚのマイクロ波であることが特に好ましい。
導波管３２は、断面が矩形且つ環状の角筒状の形状を有し、処理容器２の天井部１１の上面から上方に延びている。マグネトロン３１は、導波管３２の上端部の近傍に接続されている。導波管３２の下端部は、透過窓３３の上面に接している。マグネトロン３１において生成されたマイクロ波は、導波管３２および透過窓３３を介して処理容器２内に導入される。
透過窓３３は、誘電体材料によって形成されている。透過窓３３の材料としては、例えば、石英、セラミックス等を用いることができる。
マイクロ波ユニット３０は、更に、導波管３２の途中に設けられたサーキュレータ３４、検出器３５およびチューナ３６と、サーキュレータ３４に接続されたダミーロード３７とを有している。サーキュレータ３４、検出器３５およびチューナ３６は、導波管３２の上端部側からこの順に設けられている。サーキュレータ３４およびダミーロード３７は、処理容器２からの反射波を分離するアイソレータを構成する。すなわち、サーキュレータ３４は、処理容器２からの反射波をダミーロード３７に導き、ダミーロード３７は、サーキュレータ３４によって導かれた反射波を熱に変換する。
検出器３５は、導波管３２における処理容器２からの反射波を検出するためのものである。検出器３５は、例えばインピーダンスモニタ、具体的には、導波管３２における定在波の電界を検出する定在波モニタによって構成されている。定在波モニタは、例えば、導波管３２の内部空間に突出する３本のピンによって構成することができる。定在波モニタによって定在波の電界の場所、位相および強さを検出することにより、処理容器２からの反射波を検出することができる。また、検出器３５は、進行波と反射波を検出することが可能な方向性結合器によって構成されていてもよい。
チューナ３６は、マグネトロン３１と処理容器２との間のインピーダンスを整合する機能を有している。チューナ３６によるインピーダンス整合は、検出器３５における反射波の検出結果に基づいて行われる。チューナ３６は、例えば、導波管３２の内部空間に出し入れすることができるように設けられた導体板によって構成することができる。この場合、導体板の、導波管３２の内部空間への突出量を制御することにより、反射波の電力量を調整して、マグネトロン３１と処理容器２との間のインピーダンスを調整することができる。
（高電圧電源部）
高電圧電源部４０は、マグネトロン３１に対してマイクロ波を生成するための高電圧を供給する。図２に示したように、高電圧電源部４０は、商用電源に接続されたＡＣ−ＤＣ変換回路４１と、ＡＣ−ＤＣ変換回路４１に接続されたスイッチング回路４２と、スイッチング回路４２の動作を制御するスイッチングコントローラ４３と、スイッチング回路４２に接続された昇圧トランス４４と、昇圧トランス４４に接続された整流回路４５とを有している。マグネトロン３１は、整流回路４５を介して昇圧トランス４４に接続されている。
ＡＣ−ＤＣ変換回路４１は、商用電源からの交流（例えば、三相２００Ｖの交流）を整流して所定の波形の直流に変換する回路である。スイッチング回路４２は、ＡＣ−ＤＣ変換回路４１によって変換された直流のオン・オフを制御する回路である。スイッチング回路４２では、スイッチングコントローラ４３によってフェーズシフト型のＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御またはＰＡＭ（Pulse Amplitude Modulation）制御が行われて、パルス状の電圧波形が生成される。昇圧トランス４４は、スイッチング回路４２から出力された電圧波形を所定の大きさに昇圧するものである。整流回路４５は、昇圧トランス４４によって昇圧された電圧を整流してマグネトロン３１に供給する回路である。
以下、図３を参照して、マイクロ波導入装置３が４つのマイクロ波ユニット３０（マグネトロン３１）を備えている場合の高電圧電源部４０の構成の一例について説明する。この例では、高電圧電源部４０は、１つのＡＣ−ＤＣ変換回路４１と、２つのスイッチング回路４２Ａ，４２Ｂと、１つのスイッチングコントローラ４３と、２つの昇圧トランス４４Ａ，４４Ｂと、２つの整流回路４５Ａ，４５Ｂとを有している。
ＡＣ−ＤＣ変換回路４１は、商用電源に接続された整流回路５１と、整流回路５１に接続された平滑回路５２と、スイッチング回路４２に接続された平滑回路５４と、平滑回路５２と平滑回路５４との間に設けられた力率改善のためのパワーＦＥＴ５３とを有している。整流回路５１は、２つの出力端を有している。平滑回路５２は、整流回路５１の２つの出力端に接続された２つの配線６１，６２の間に設けられたコンデンサによって構成されている。パワーＦＥＴ５３は、配線６１の途中に設けられている。平滑回路５４は、配線６１の途中に設けられたコイルと、配線６１，６２の間に設けられたコンデンサによって構成されている。
スイッチング回路４２Ａは、ＡＣ−ＤＣ変換回路４１によって変換された直流のオン・オフを制御すると共に、パルス状の電圧波形を生成して昇圧トランス４４Ａに対して正方向の電流と負方向の電流を出力する回路である。スイッチング回路４２Ａは、フルブリッジ回路（Ｈブリッジとも言う。）を構成する４つのスイッチングトランジスタ５５Ａ，５６Ａ，５７Ａ，５８Ａを有している。スイッチングトランジスタ５５Ａ，５６Ａは、直列に接続されて、配線６１に接続された配線６３ａと配線６２に接続された配線６４ａとの間に設けられている。スイッチングトランジスタ５７Ａ，５８Ａは、直列に接続されて、配線６３ａ，６４ａの間に設けられている。スイッチング回路４２Ａは、更に、スイッチングトランジスタ５５Ａ〜５８Ａに対してそれぞれ並列に接続された共振コンデンサを有している。
同様に、スイッチング回路４２Ｂは、ＡＣ−ＤＣ変換回路４１によって変換された直流のオン・オフを制御すると共に、パルス状の電圧波形を生成して昇圧トランス４４Ｂに対して正方向の電流と負方向の電流を出力する回路である。スイッチング回路４２Ｂは、フルブリッジ回路を構成する４つのスイッチングトランジスタ５５Ｂ，５６Ｂ，５７Ｂ，５８Ｂを有している。スイッチングトランジスタ５５Ｂ，５６Ｂは、直列に接続されて、配線６１に接続された配線６３ｂと配線６２に接続された配線６４ｂとの間に設けられている。スイッチングトランジスタ５７Ｂ，５８Ｂは、直列に接続されて、配線６３ｂ，６４ｂの間に設けられている。スイッチング回路４２Ｂは、更に、スイッチングトランジスタ５５Ｂ〜５８Ｂに対してそれぞれ並列に接続された共振コンデンサを有している。
スイッチングトランジスタ５５Ａ〜５８Ａ，５５Ｂ〜５８Ｂとしては、効率の観点から電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）を用いることができる。スイッチングトランジスタ５５Ａ〜５８Ａ，５５Ｂ〜５８Ｂに用いるＦＥＴとしては、ＭＯＳＦＥＴが好ましく、パワーＭＯＳＦＥＴが特に好ましい。また、ＭＯＳＦＥＴの代りに、ＭＯＳＦＥＴに比べて高耐圧であり、高パワー用に適しているＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を用いてもよい。
昇圧トランス４４Ａは、２つの入力端と２つの出力端とを有している。昇圧トランス４４Ａの２つの入力端の一方は、スイッチングトランジスタ５５Ａ，５６Ａの間に接続され、他方はスイッチングトランジスタ５７Ａ，５８Ａの間に接続されている。同様に、昇圧トランス４４Ｂは、２つの入力端と２つの出力端とを有している。昇圧トランス４４Ｂの２つの入力端の一方は、スイッチングトランジスタ５５Ｂ，５６Ｂの間に接続され、他方はスイッチングトランジスタ５７Ｂ，５８Ｂの間に接続されている。
整流回路４５Ａは、昇圧トランス４４Ａの２つの出力端の一方に接続された２つのダイオードと、２つの出力端の他方に接続された２つのダイオードとによって構成されている。マグネトロン３１Ａは、昇圧トランス４４Ａの２つの出力端にそれぞれ接続された２つのダイオードを介して昇圧トランス４４Ａに接続されている。マグネトロン３１Ｂは、昇圧トランス４４Ａの２つの出力端にそれぞれ接続された他の２つのダイオードを介して昇圧トランス４４Ａに接続されている。整流回路４５Ａの４つのダイオードは、昇圧トランス４４Ａからマグネトロン３１Ａに向かう電流の方向と昇圧トランス４４Ａからマグネトロン３１Ａに向かう電流の方向が逆方向になるように構成されている。
同様に、整流回路４５Ｂは、昇圧トランス４４Ｂの２つの出力端の一方に接続された２つのダイオードと、２つの出力端の他方に接続された２つのダイオードとによって構成されている。マグネトロン３１Ｃは、昇圧トランス４４Ｂの２つの出力端にそれぞれ接続された２つのダイオードを介して昇圧トランス４４Ｂに接続されている。マグネトロン３１Ｄは、昇圧トランス４４Ｂの２つの出力端にそれぞれ接続された他の２つのダイオードを介して昇圧トランス４４Ｂに接続されている。整流回路４５Ｂの４つのダイオードは、昇圧トランス４４Ｂからマグネトロン３１Ｃに向かう電流の方向と昇圧トランス４４Ｂからマグネトロン３１Ｄに向かう電流の方向が逆方向になるように構成されている。
［処理手順］
次に、ウエハＷに対してアニール処理を施す場合を例に挙げて、マイクロ波処理装置１における処理の手順について説明する。まず、例えばユーザーインターフェース８２から、マイクロ波処理装置１においてアニール処理を行うように、プロセスコントローラ８１に指令が入力される。次に、プロセスコントローラ８１は、この指令を受けて、記憶部８３またはコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に保存されたレシピを読み出す。次に、レシピに基づく条件によってアニール処理が実行されるように、プロセスコントローラ８１からマイクロ波処理装置１の各エンドデバイス（例えば、マイクロ波導入装置３、支持装置４、ガス供給装置５、排気装置６等）に制御信号が送出される。
次に、ゲートバルブＧが開状態にされて、図示しない搬送装置によって、ウエハＷが、ゲートバルブＧおよび搬入出口１２ａを通って処理容器２内に搬入される。ウエハＷは、支持ピン１４の上に載置される。次に、ゲートバルブＧが閉状態にされて、排気装置６によって、処理容器２内が減圧排気される。このとき、開閉バルブ２０が開状態にされて、ウエハＷの裏面が吸引されて、ウエハＷが支持ピン１４に吸着固定される。次に、ガス供給装置５によって、所定の流量の処理ガスおよび冷却ガスが導入される。処理容器２の内部空間は、排気量およびガス供給量を調整することによって、所定の圧力に調整される。
次に、高電圧電源部４０からマグネトロン３１に対して電圧を印加してマイクロ波を生成する。マグネトロン３１において生成されたマイクロ波は、導波管３２を伝搬し、次に、透過窓３３を透過して、処理容器２内におけるウエハＷの上方の空間に導入される。本実施の形態では、複数のマグネトロン３１において同時に複数のマイクロ波を生成し、複数のマイクロ波を同時に処理容器２内に導入する。なお、複数のマグネトロン３１において同時に複数のマイクロ波を生成する方法については、後で詳しく説明する。
処理容器２に導入された複数のマイクロ波は、ウエハＷの表面に照射されて、ジュール加熱、磁性加熱、誘導加熱等の電磁波加熱により、ウエハＷが迅速に加熱される。その結果、ウエハＷに対してアニール処理が施される。
プロセスコントローラ８１からマイクロ波処理装置１の各エンドデバイスにプラズマ処理を終了させる制御信号が送出されると、マイクロ波の生成が停止されると共に、処理ガスおよび冷却ガスの供給が停止されて、ウエハＷに対するアニール処理が終了する。次に、ゲートバルブＧが開状態にされて、図示しない搬送装置によって、ウエハＷが搬出される。
＜マイクロ波の生成方法＞
次に、図３を参照して、複数のマグネトロン３１において同時に複数のマイクロ波を生成する方法について詳しく説明する。スイッチング回路４２Ａ，４２Ｂでは、スイッチングコントローラ４３によってフェーズシフト型のＰＷＭ制御またはＰＡＭ制御が行われて、パルス状の電圧波形が生成される。フェーズシフト型のＰＷＭ制御の場合、スイッチングトランジスタ５５Ａ〜５８Ａ，５５Ｂ〜５８Ｂには、スイッチングコントローラ４３からそれぞれ位相（フェーズ）が制御されたゲートドライブ信号が入力される。スイッチング回路４２Ａ，４２Ｂは、これらの信号を合成してパルス状の電圧波形を生成する。
スイッチングトランジスタ５５Ａ，５８Ａにゲートドライブ信号を入力すると、昇圧トランス４４Ａから見たときに正方向（電圧が増加する方向）の電圧波形が生成されると共に、スイッチングトランジスタ５５Ａ、昇圧トランス４４Ａ、スイッチングトランジスタ５８Ａを順に経由する方向（正方向）に電流が流れる。これにより、昇圧トランス４４Ａの二次側（出力端側）では、マグネトロン３１Ａを経由する方向に電流が発生する。また、昇圧トランス４４Ａは、昇圧トランス４４Ａの二次側（出力端側）の電圧が所定の大きさになるように昇圧する。このようにして、マグネトロン３１Ａに対してマイクロ波を生成するための高電圧が供給されて、マグネトロン３１Ａにおいてマイクロ波が生成される。
スイッチングトランジスタ５６Ａ，５７Ａにゲートドライブ信号を入力すると、昇圧トランス４４Ａから見たときに負方向（電圧が減少する方向）の電圧波形が生成されると共に、スイッチングトランジスタ５７Ａ、昇圧トランス４４Ａ、スイッチングトランジスタ５６Ａを順に経由する方向（負方向）に電流が流れる。これにより、昇圧トランス４４Ａの二次側では、マグネトロン３１Ｂを経由する方向に電流が発生する。また、昇圧トランス４４Ａは、昇圧トランス４４Ａの二次側の電圧が所定の大きさになるように昇圧する。このようにして、マグネトロン３１Ｂに対してマイクロ波を生成するための高電圧が供給されて、マグネトロン３１Ｂにおいてマイクロ波が生成される。
スイッチングトランジスタ５５Ｂ，５８Ｂにゲートドライブ信号を入力すると、昇圧トランス４４Ｂから見たときに正方向の電圧波形が生成されると共に、スイッチングトランジスタ５５Ｂ、昇圧トランス４４Ｂ、スイッチングトランジスタ５８Ｂを順に経由する方向（正方向）に電流が流れる。これにより、昇圧トランス４４Ｂの二次側では、マグネトロン３１Ｃを経由する方向に電流が発生する。また、昇圧トランス４４Ｂは、昇圧トランス４４Ｂの二次側の電圧が所定の大きさになるように昇圧する。このようにして、マグネトロン３１Ｃに対してマイクロ波を生成するための高電圧が供給されて、マグネトロン３１Ｃにおいてマイクロ波が生成される。
スイッチングトランジスタ５６Ｂ，５７Ｂにゲートドライブ信号を入力すると、昇圧トランス４４Ｂから見たときに負方向の電圧波形が生成されると共に、スイッチングトランジスタ５７Ｂ、昇圧トランス４４Ｂ、スイッチングトランジスタ５６Ｂを順に経由する方向（負方向）に電流が流れる。これにより、昇圧トランス４４Ｂの二次側では、マグネトロン３１Ｄを経由する方向に電流が発生する。また、昇圧トランス４４Ｂは、昇圧トランス４４Ｂの二次側の電圧が所定の大きさになるように昇圧する。このようにして、マグネトロン３１Ｄに対してマイクロ波を生成するための高電圧が供給されて、マグネトロン３１Ｄにおいてマイクロ波が生成される。
本実施の形態では、スイッチングコントローラ４３は、マグネトロン３１Ａ〜３１Ｄにおいてパルス状にマイクロ波が生成されるように、スイッチング回路４２Ａ，４２Ｂを制御する。すなわち、スイッチングコントローラ４３は、マグネトロン３１Ａ〜３１Ｄがマイクロ波を生成する状態とマイクロ波を生成しない状態とを交互に複数回繰り返すように、スイッチング回路４２Ａのスイッチングトランジスタ５５Ａ〜５８Ａと、スイッチング回路４２Ｂのスイッチングトランジスタ５５Ｂ〜５８Ｂを制御する。本実施の形態では、特に、マグネトロン３１Ａ〜３１Ｄのうちの２つを含む組み合わせと、マグネトロン３１Ａ〜３１Ｄのうちの他の２つを含む組み合わせ毎に、且つ、各組み合わせ内で同期して、マイクロ波を生成する状態とマイクロ波を生成しない状態とが交互に複数回繰り返されるように、マグネトロン３１Ａ〜３１Ｄを制御する。このようにして、マグネトロン３１Ａ〜３１Ｄにおいて同時に２つマイクロ波が生成されて、２つのマイクロ波が同時に処理容器２に導入される。なお、スイッチングコントローラ４３は、制御部８のプロセスコントローラ８１によって制御される。また、マグネトロン３１Ａ〜３１Ｄの組み合わせの選択や、組み合わせる順番は、例えば制御部８の記憶部８３にレシピとして保存しておくことができる。
ところで、処理容器２に導入されたマイクロ波は、処理容器２内において定在波を形成する。ウエハＷを処理するための状態が継続している間に、この定在波の腹と節の位置が固定されると、加熱むらが生じる等、ウエハＷに対して均一な処理が行われなくなるおそれがある。これに対し、本実施の形態では、ウエハＷを処理するための状態が継続している間に、上記２つの組み合わせ毎に、且つ各組み合わせ内で同時に、マイクロ波を生成する状態とマイクロ波を生成しない状態とを交互に複数回繰り返すことにより、処理容器２内で生成する定在波の状態を変化させる。さらに、本実施の形態では、上記の組み合わせに含まれるマグネトロン３１の一部を入れ替えることにより、処理容器２内における定在波の状態をさらに確実に変化させる。以下、これについて、図６を参照して詳しく説明する。
図６は、複数のマグネトロン３１Ａ〜３１Ｄの組み合わせを説明する説明図である。図６は、図４に対応する。なお、図６では、各マイクロ波導入ポート１１ａによって導入されるマイクロ波を生成するマグネトロン３１Ａ〜３１Ｄの符号を、各マイクロ波導入ポート１１ａに付して表している。図６において、実線と破線は、同時にマイクロ波を生成するマグネトロン３１Ａ〜３１Ｄの組み合わせを表している。
前述のように、スイッチングコントローラ４３は、２つの組み合わせ毎に、各組み合わせ内で同時にマイクロ波を生成するように、マグネトロン３１Ａ〜３１Ｄを制御する。これにより、処理容器２には、同時に２つのマイクロ波が導入される。本実施の形態では、まず、マグネトロン３１Ａ，３１Ｃの組み合わせとマグネトロン３１Ｂ，３１Ｄの組み合わせにおいて、各組み合わせ内で同期させながら、組み合わせ毎に交互にマイクロ波を生成するように、マグネトロン３１Ａ〜３１Ｄを制御する（図６（ａ））。このように、上記組み合わせを一つの単位として、組み合わせ毎に交互にマイクロ波を生成させることで、処理容器２内で生成する定在波の状態が組み合わせ毎に異なるものとなる。より正確には、上記組み合わせ毎に異なる定在波が生成することとなる。
次に、マグネトロン３１Ｃとマグネトロン３１Ｄとを入れ替えて、マグネトロン３１Ａ，３１Ｄの組み合わせとマグネトロン３１Ｂ，３１Ｃの組み合わせにおいて、各組み合わせ内で同期させながら、組み合わせ毎に交互にマイクロ波を生成するように、マグネトロン３１Ａ〜３１Ｄを制御する（図６（ｂ））。これにより、処理容器２内に生じる定在波の状態をさらに変化させることができる。すなわち、マグネトロン３１Ｃ，３１Ｄを入れ替える前において、マグネトロン３１Ａ，３１Ｃの組み合わせに基づく定在波と、マグネトロン３１Ｂ，３１Ｄの組み合わせに基づく定在波では、位相が異なり、さらにマグネトロン３１Ｃ，３１Ｄを入れ替えた後において、マグネトロン３１Ａ，３１Ｄの組み合わせに基づく定在波と、マグネトロン３１Ｂ，３１Ｃの組み合わせに基づく定在波では、位相が異なるものとなる。このようにして、腹と節の位置が異なる定在波が順次発生するため、電界強度のむらを小さくし、ウエハＷ面内において電界強度を均一化することができる。
なお、マグネトロン３１Ｃ，３１Ｄの入れ替えは、ランダムに行ってもよいが、定期的に且つ繰り返し行うことが好ましい。マグネトロン３１Ｃ，３１Ｄを入れ替える周期は、例えばマイクロ波を生成する状態１回当たりの時間の１５０倍から５００倍の範囲内とすることが好ましい。マイクロ波を生成する状態１回当たりの時間は、例えば２０ミリ秒である。この場合、マグネトロン３１Ｃ，３１Ｄを入れ替える周期は、３秒から１０秒の範囲内になる。マグネトロン３１Ｃ，３１Ｄを入れ替える周期を上記のように設定することによって、偏った場所が過度に加熱され、処理むらやウエハそりを発生させない等の利点がある。
次に、本実施の形態に係るマイクロ波処理装置１およびマイクロ波処理装置１を用いたウエハＷの処理方法の効果について説明する。本実施の形態では、前述のように、まず、マグネトロン３１Ａ，３１Ｃの組み合わせとマグネトロン３１Ｂ，３１Ｄの組み合わせにおいて、組み合わせ毎に、且つ、各組み合わせ内で同期して、マイクロ波を生成する状態とマイクロ波を生成しない状態とが交互に複数回繰り返されるように、マグネトロン３１Ａ〜３１Ｄを制御する。このように、組み合わせ毎に交互にマイクロ波を生成させることで、処理容器２内には上記組み合わせ毎に異なる定在波が生成する。そしてさらに、本実施の形態では、同時にマイクロ波を生成するマグネトロン３１Ａ〜３１Ｄの２つの組み合わせに含まれるマグネトロン３１Ｃとマグネトロン３１Ｄとを入れ替える。つまり、マグネトロン３１Ａ〜３１Ｄ内で組み合わせを変える。これにより、本実施の形態によれば、処理容器２内に異なる状態の定在波、具体的には、腹と節の位置が異なる定在波が順次生成することになる。その結果、本発明によれば、ウエハＷに対して均一な処理を行うことが可能になる。
上記の説明は、マグネトロン３１Ｃ，３１Ｄの代りに、マグネトロン３１Ａとマグネトロン３１Ｂとを入れ替える場合にも当てはまる。マグネトロン３１Ａ，３１Ｂを入れ替える場合とマグネトロン３１Ｃ，３１Ｄを入れ替える場合のいずれにおいても、マグネトロン３１Ａ〜３１Ｄの各々を４通りのパターンで組み合わせることができる。
ところで、図３に示した例では、１つの昇圧トランス４４Ａに対して２つのマグネトロン３１Ａ，３１Ｂが接続されていると共に、１つの昇圧トランス４４Ｂに対して２つのマグネトロン３１Ｃ，３１Ｄが接続されている。この例では、マグネトロン３１Ａ，３１Ｂの組み合わせとマグネトロン３１Ｃ，３１Ｄの組み合わせのそれぞれにおいて同時にマイクロ波を生成することができないという制限がある。しかし、図示は省略するが、マグネトロン３１Ａ〜３１Ｄを、それぞれ別の昇圧トランスに接続することも可能である。この場合、マグネトロン３１Ａ〜３１Ｄの各々を２つずつ６通りのパターンで組み合わせることができ、処理容器２内に異なる状態の定在波をより多く形成することができる。さらに、この場合は、４つのマグネトロン３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄによる組み合わせは、２つずつに限らず、例えば、任意の１つと他の３つとの組み合わせであってもよい。また、他の組み合わせとともに、４つのマグネトロン３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄのすべてが同時にマイクロ波を生成する組み合わせが存在していてもよい。
また、上記の説明は、マイクロ波導入装置３が、例えば３つ、あるいは５つ以上のマグネトロン３１を有し、且つ３つ、あるいは５つ以上のマグネトロン３１の各々を任意に組み合わせた２つ以上の組み合わせを利用する場合にも当てはまる。すなわち、この場合、ウエハＷを処理するための状態が継続している間に、組み合わせ毎に交互にマイクロ波を生成するように、マグネトロン３１を制御することで、処理容器２内には組み合わせ毎に異なる定在波が生成する。さらに、各組み合わせに含まれるマグネトロン３１の一部を入れ替えることにより、処理容器２内に異なる状態の定在波を順次生成させることができる。
以下、本実施の形態におけるその他の効果について説明する。本実施の形態では、マイクロ波導入装置３は、複数のマグネトロン３１と複数の導波管３２とを有し、複数のマイクロ波を同時に処理容器２に導入することが可能である。本実施の形態によれば、各マグネトロン３１の出力が、ウエハＷに対して不足する場合であっても、複数のマイクロ波を同時に処理容器２に導入することにより、ウエハＷに対して処理を行うことが可能になる。
また、本実施の形態では、マイクロ波は、ウエハＷに照射されてウエハＷを処理するためのものである。これにより、本実施の形態によれば、プラズマ処理に比べて、ウエハＷに対して低温の加熱処理を行うことが可能である。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明のマイクロ波処理装置は、半導体ウエハを被処理体とする場合に限らず、例えば太陽電池パネルの基板やフラットパネルディスプレイ用基板を被処理体とするマイクロ波処理装置にも適用できる。
また、マイクロ波ユニット３０の数（マグネトロン３１の数）や、処理容器２に同時に導入されるマイクロ波の数は、実施の形態で説明した数に限られない。
１…マイクロ波処理装置、２…処理容器、３…マイクロ波導入装置、４…支持装置、５…ガス供給装置、６…排気装置、８…制御部、３０…マイクロ波ユニット、３１…マグネトロン、３２…導波管、３３…透過窓、３４…サーキュレータ、３５…検出器、３６…チューナ、３７…ダミーロード、４０…高電圧電源部、４１…ＡＣ−ＤＣ変換回路、４２…スイッチング回路、４３…スイッチングコントローラ、４４…昇圧トランス、４５…整流回路、８１…プロセスコントローラ、８２…ユーザーインターフェース、８３…記憶部、Ｗ…半導体ウエハ。

Claims (14)

  1. 被処理体を収容する処理容器と、
    前記被処理体を処理するためのマイクロ波を生成して前記処理容器に導入するマイクロ波導入装置と、
    前記マイクロ波導入装置を制御する制御部とを備えたマイクロ波処理装置であって、
    前記マイクロ波導入装置は、前記マイクロ波を生成する複数のマイクロ波源を有し、複数の前記マイクロ波を同時に前記処理容器に導入することが可能であり、
    前記制御部は、前記被処理体を処理するための状態が継続している間に、前記複数のマイクロ波源の各々を任意に組み合わせた複数の組み合わせ毎に、且つ、各組み合わせ内で同期して、前記マイクロ波を生成する状態と前記マイクロ波を生成しない状態とが交互に複数回繰り返されるように、前記複数のマイクロ波源を制御することを特徴とするマイクロ波処理装置。
  2. 前記制御部は、前記被処理体を処理するための状態が継続している間に、前記複数の組み合わせの各々に含まれるマイクロ波源の一部を入れ替えることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ波処理装置。
  3. 前記マイクロ波導入装置は、前記複数のマイクロ波源として、第１ないし第４のマイクロ波源を有し、
    前記制御部は、前記被処理体を処理するための状態が継続している間に、前記第１ないし第４のマイクロ波源のうちの２つを含む第１の組み合わせに含まれる２つのマイクロ波源のうちの１つと、前記第１ないし第４のマイクロ波源のうちの他の２つを含む第２の組み合わせに含まれる２つのマイクロ波源のうちの１つと、を入れ替えることを特徴とする請求項２に記載のマイクロ波処理装置。
  4. 前記第１の組み合わせは、前記第１のマイクロ波源と、前記第３および第４のマイクロ波源のうちの一方とを含み、
    前記第２の組み合わせは、前記第２のマイクロ波源と、前記第３および第４のマイクロ波源のうちの他方とを含み、
    前記制御部は、前記被処理体を処理するための状態が継続している間に、前記第１の組み合わせに含まれる前記第３および第４のマイクロ波源のうちの一方と前記第２の組み合わせに含まれる前記第３および第４のマイクロ波源のうちの他方とを入れ替えることを特徴とする請求項３に記載のマイクロ波処理装置。
  5. 前記処理容器は、前記第１ないし第４のマイクロ波源の各々において生成された前記マイクロ波を前記処理容器に導入する第１ないし第４のマイクロ波導入ポートを有し、
    前記第１ないし第４のマイクロ波導入ポートは、前記処理容器の上部に設けられ、且つ前記処理容器の上部において周方向に等間隔に配置されたものであり、
    前記第１および第２の組み合わせは、それぞれ、前記第１ないし第４のマイクロ波導入ポートのうち周方向に隣接する２つによって導入される２つのマイクロ波を生成する２つのマイクロ波源を組み合わせたものであることを特徴とする請求項３または４に記載のマイクロ波処理装置。
  6. 前記複数の組み合わせの各々に含まれるマイクロ波源の一部を入れ替える周期は、前記マイクロ波を生成する状態１回当たりの時間の１５０倍から５００倍の範囲内であることを特徴とする請求項２ないし５のいずれか１項に記載のマイクロ波処理装置。
  7. 前記マイクロ波は、前記被処理体に照射されて前記被処理体を処理するためのものであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載のマイクロ波処理装置。
  8. 被処理体を収容する処理容器と、
    前記被処理体を処理するためのマイクロ波を生成して前記処理容器に導入するマイクロ波導入装置とを備えたマイクロ波処理装置を用いて、前記被処理体を処理する方法であって、
    前記マイクロ波導入装置は、前記マイクロ波を生成する複数のマイクロ波源を有し、複数の前記マイクロ波を同時に前記処理容器に導入することが可能であり、
    前記被処理体を処理するための状態が継続している間に、前記複数のマイクロ波源の各々を任意に組み合わせた複数の組み合わせ毎に、且つ、各組み合わせ内で同期して、前記マイクロ波を生成する状態と前記マイクロ波を生成しない状態とが交互に複数回繰り返されるように、前記複数のマイクロ波源を制御することを特徴とする処理方法。
  9. 前記被処理体を処理するための状態が継続している間に、前記複数の組み合わせの各々に含まれるマイクロ波源の一部を入れ替えることを特徴とする請求項８に記載の処理方法。
  10. 前記マイクロ波導入装置は、前記複数のマイクロ波源として、第１ないし第４のマイクロ波源を有し、
    前記被処理体を処理するための状態が継続している間に、前記第１ないし第４のマイクロ波源のうちの２つを含む第１の組み合わせに含まれる２つのマイクロ波源のうちの１つと、前記第１ないし第４のマイクロ波源のうちの他の２つを含む第２の組み合わせに含まれる２つのマイクロ波源のうちの１つと、を入れ替えることを特徴とする請求項９に記載の処理方法。
  11. 前記第１の組み合わせは、前記第１のマイクロ波源と、前記第３および第４のマイクロ波源のうちの一方とを含み、
    前記第２の組み合わせは、前記第２のマイクロ波源と、前記第３および第４のマイクロ波源のうちの他方とを含み、
    前記被処理体を処理するための状態が継続している間に、前記第１の組み合わせに含まれる前記第３および第４のマイクロ波源のうちの一方と前記第２の組み合わせに含まれる前記第３および第４のマイクロ波源のうちの他方とを入れ替えることを特徴とする請求項１０に記載の処理方法。
  12. 前記処理容器は、前記第１ないし第４のマイクロ波源の各々において生成された前記マイクロ波を前記処理容器に導入する第１ないし第４のマイクロ波導入ポートを有し、
    前記第１ないし第４のマイクロ波導入ポートは、前記処理容器の上部に設けられ、且つ前記処理容器の上部において周方向に等間隔に配置されたものであり、
    前記第１および第２の組み合わせは、それぞれ、前記第１ないし第４のマイクロ波導入ポートのうち周方向に隣接する２つによって導入される２つのマイクロ波を生成する２つのマイクロ波源を組み合わせたものであることを特徴とする請求項１０または１１に記載の処理方法。
  13. 前記複数の組み合わせの各々に含まれるマイクロ波源を入れ替える周期は、前記マイクロ波を生成する状態１回当たりの時間の１５０倍から５００倍の範囲内であることを特徴とする請求項９ないし１２のいずれか１項に記載のマイクロ波処理装置。
  14. 前記マイクロ波は、前記被処理体に照射されて前記被処理体を処理するためのものであることを特徴とする請求項８ないし１３のいずれか１項に記載の処理方法。
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