CN108660513A - 一种减少晶片缺陷的设备及方法 - Google Patents

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CN108660513A CN201710193119.9A CN201710193119A CN108660513A CN 108660513 A CN108660513 A CN 108660513A CN 201710193119 A CN201710193119 A CN 201710193119A CN 108660513 A CN108660513 A CN 108660513A
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Abstract

本发明提供一种减少晶片缺陷的设备及方法，该设备包括腔体、加热装置以及微波发生器；其中，腔体包括中空的内腔，用于放置待处理晶片于工作面上；腔体外壁上设置与内腔相连通的进气口和出气口；加热装置沿工作面的延展方向均匀布设在腔体的外周；腔体的侧壁上、高于工作面的位置上设置有与内腔相连通的至少一微波口，微波发生器通过微波口与内腔相连通。设备中的微波发生器与加热装置相结合，能够进行多次、不同条件的退火步骤，在退火工艺中，晶片中的原子进行重新排列从而消除晶片中的空位和氧化诱生层错，减少晶片中的缺陷，提高晶片质量；而且，微波辅助退火的方式能够有效降低退火温度，避免高温引起的晶片翘曲，进一步保证晶片质量。

Description

一种减少晶片缺陷的设备及方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种减少晶片缺陷的设备及方法。
背景技术
晶片，尤其是硅晶片，是制造半导体集成电路的基础。硅晶片通常利用直拉法(英文：Czochral-ski method，简称：CZ)从多晶硅熔体中提拉制备单晶硅，然后将单晶硅切割成硅晶片。
然而，目前使用CZ法制备的硅晶片中通常存在包括自间隙原子和空位的本征缺陷。根据Voronkov的晶体生长理论，上述本征缺陷受到拉晶速率和固液界面的轴向温度梯度的影响，由于相同构造的CZ生长炉轴向温度梯度的分布基本固定，因此拉晶速率直接决定着本征缺陷的浓度。如果拉晶速度较高，则制备出的硅单晶直径方向区域内会存在较高浓度的空位缺陷，这种区域被称为空位富集区。如果减少拉晶速度，则于硅单晶结晶周边产生氧化诱生层错缺陷(英文：Oxidation-Induced Stacking Faults，简称：OSF)，该区域称为OSF区。如果进一步减少拉晶速度，则会出现空位或自间隙原子平衡的中性区域，该区域中的本征缺陷均在饱和浓度以下，因此不会成为缺陷；而且，此中性区域可以被区分为空位较多的空位中性区(英文：Neutral region of Vacancy dominant，简称Nv)和自间隙原子较多的自间隙原子中性区(英文：Neutral region of Interstitial dominant，简称Ni)。如果拉晶速度很低，则自间隙原子达到过饱和，此区域被称为自间隙原子富集区。由于硅晶片中存在缺陷，当半导体集成电路的尺寸逐渐缩小、集成度不断提高时，这些缺陷很容易导致集成电路的性能下降，严重影响其质量。
因此，如何减少硅晶片的缺陷，提高硅晶片质量，进而保证集成电路的性能是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种减少晶片缺陷的设备及方法，用于解决现有技术中晶片质量差的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种减少晶片缺陷的设备，该设备至少包括括腔体、加热装置以及微波发生器，其中：
所述腔体包括中空的内腔，用于放置待处理晶片、并使所述待处理晶片处于工作面上；所述腔体外壁上还设置有与所述内腔相连通的进气口和出气口；
所述加热装置沿所述工作面的延展方向均匀布设在所述腔体的外周；
所述腔体的侧壁上、高于所述工作面的位置上设置有与所述内腔相连通的至少一微波口，所述微波发生器通过所述微波口与所述内腔相连通。
可选地，所述腔体上均匀设置有多个微波口，且所述多个微波口与多个微波发生器一一对应连接。
可选地，所述腔体为方形腔体，所述腔体沿工作面方向的截面为正方形；每个所述方形腔体的边角上设置至少一个微波口，且每个所述边角上微波口的数量相等。
可选地，所述腔体包括石英腔。
可选地，所述加热装置包括红外灯，所述红外灯设置于所述腔体的顶面和底面外侧。
可选地，所述加热装置还包括氙灯，所述氙灯设置于所述腔体的顶面和底面外侧，且所述氙灯分布于相应的红外灯之间；位于所述腔体顶面外侧的氙灯和位于所述腔体底面外侧的氙灯之间存在角度。
可选地，所述角度为90°。
可选地，所述微波发生器包括磁控管腔，所述磁控管腔与所述微波口相连通；所述磁控管腔包括Al腔或不锈钢腔。
本发明还提供一种减少晶片缺陷的方法，所述方法至少包括以下步骤：
提供一待处理晶片，所述待处理晶片至少包括空位中性区和/或氧化诱生层错区；
在氧气氛围中，使用加热装置对待处理晶片进行第一退火，所述第一退火包括在第一温度下持续第一时间；
在惰性气体氛围中，同时使用微波发生器和加热装置对待处理晶片进行第二退火，所述第二退火包括在第二温度下持续第二时间；其中，所述第二温度大于或等于第一温度。
可选地，所述第一温度介于1000℃至1200℃，所述第二温度介于1030℃至1230℃。
可选地，所述第一时间和所述第二时间相等，且所述第一时间和所述第二时间均介于10s至30s。
可选地，所述微波发生器的微波频率介于300MHz至500GHz，功率介于4kW/cm2至10kW/cm2。
可选地，进行第一退火的氧气氛围为纯氧气氛；进行第二退火的惰性气体氛围包括纯氩气气氛，或氩气与氨气的混合气体气氛
如上所述，本发明的减少晶片缺陷的设备及方法，具有以下有益效果：该设备包括腔体、加热装置以及微波发生器；其中，所述腔体包括中空的内腔，用于放置待处理晶片、并使所述待处理晶片处于工作面上；所述腔体外壁上还设置有与所述内腔相连通的进气口和出气口；所述加热装置沿所述工作面的延展方向均匀布设在所述腔体的外周；所述腔体的侧壁上、高于所述工作面的位置上设置有与所述内腔相连通的至少一微波口，所述微波发生器通过所述微波口与所述内腔相连通。该设备中的微波发生器与加热装置相结合，能够进行多次、不同工艺的退火步骤，在退火工艺过程中，晶片中的原子进行重新排列从而消除晶片中的空位和氧化诱生层错，减少晶片中的缺陷，提高晶片质量；而且，微波辅助退火的方式能够有效降低退火温度，避免高温引起的晶片翘曲，进一步保证晶片质量。
附图说明
图1显示为本发明实施例提供的一种减少晶片缺陷的设备的结构示意图。
图2显示为本发明实施例提供的另一种减少晶片缺陷的设备的结构示意图。
图3显示为本发明实施例提供的再一种减少晶片缺陷的设备的结构示意图。
图4显示为本发明实施例提供的一种减少晶片缺陷的方法的流程示意图。
元件标号说明
1 腔体
11 进气口
12 出气口
13 微波口
131 第一微波口
132 第二微波口
133 第三微波口
134 第四微波口
2 加热装置
21 红外灯
22 氙灯
3 微波发生器
30 磁控管腔
31 第一微波发生器
32 第二微波发生器
33 第三微波发生器
34 第四微波发生器
4 待处理晶片
S1～S3 步骤
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
参见图1，为本发明实施例提供的一种减少晶片缺陷的设备的结构示意图，如图1所示，该设备包括腔体1、加热装置2和微波发生器3。
其中，所述腔体1包括中空的内腔，所述内腔用于放置待处理晶片4，所述待处理晶片4至少包括空位中性区和/或氧化诱生层错区，并使所述待处理晶片4处于工作面上。在具体实施时，可以使用托盘(图中未示出)等装置盛放待处理晶片4，将所述待处理晶片4送入到腔体1内的内腔内；而且，所述工作面可以理解为待处理晶片4进行处理工艺时所位于的平面，例如所述工作面可以为平行于所述腔体1的顶面或底面的平面，或者所述工作面可以为与所述腔体1的顶面或底面成一角度的平面，当所述待处理晶片4位于所述工作面时，该设备能够对待处理晶片4进行均匀加热。另外，所述腔体1可以选用石英腔。
由于对待处理晶片4进行处理时，可能需要通入氧气或者惰性气体等，所述腔体1的外壁上还设置有与所述内腔相连通的进气口11和出气口12；上述气体从进气口11进入内腔，然后从出气口12排出。在一示例性实施例中，所述进气口11和所述出气口12均设置于所述腔体1的底部；当然，所述进气口11和所述出气口12的设置方式仅是一示例性实施例，所述进气口11和所述出气口12可以设置于所述腔体1的任意位置，在本发明实施例中不做限定。
所述加热装置2沿所述工作面的延展方向均匀布设在所述腔体1的外周。在一种实施情况下，所述加热装置2可以为红外灯21，当所述工作面平行于所述腔体1的顶面或底面时，所述红外灯21可以均匀设置在所述腔体1的顶面外侧，以及均匀设置在所述腔体1的底面外侧；处于腔体1顶面外侧的红外灯21以固定间距均匀布设，处于腔体1底面外侧的红外灯21同样以固定间距均匀布设；而且，处于腔体1顶面外侧的红外灯21，与处于腔体1底面外侧的红外灯21相互对称设置；通过上述的红外灯21的设置方式，当待处理晶片4处于工作面上时，红外灯21能够对待处理晶片4进行均匀加热。
所述腔体1的侧壁上、高于所述工作面的位置上设置有与所述内腔相连通的微波口13，微波发生器3通过所述微波口13与所述内腔相连通。一示例性实施例中，所述腔体1的侧壁上设置有1个微波口13，所述微波口13设置在靠近腔体1顶面的侧壁上、高出所述工作面一固定距离；所述微波发生器3还包括磁控管腔30，所述磁控管腔30与所述微波口13相连通，而且，在具体实施时，所述磁控管腔包括Al腔或不锈钢腔，用于传导微波。通过设置所述微波口13和所述微波发生器3，所述微波发生器3能够对待处理晶片4的表面进行微波辐射。
由上述实施例的描述可见，本发明实施例提供的一种减少晶片缺陷的设备，包括包括腔体1、加热装置2以及微波发生器3；其中，所述腔体1包括中空的内腔，用于放置待处理晶片4、并使所述待处理晶片4处于工作面上；所述腔体1外壁上还设置有与所述内腔相连通的进气口11和出气口12；所述加热装置2沿所述工作面的延展方向均匀布设在所述腔体1的外周；所述腔体1的侧壁上、高于所述工作面的位置上设置有与所述内腔相连通的至少一微波口13，所述微波发生器3通过所述微波口13与所述内腔相连通。该设备的进气口11和出气口12可以向内腔中通入氧气或惰性气体等气体，并在相应气体氛围中，使用加热装置2对硅片实施退火工艺；而且，该设备中的微波发生器3与加热装置2相结合，能够进行多次、不同工艺的退火步骤，在退火工艺过程中，晶片中的原子进行重新排列从而消除晶片中的空位和氧化诱生层错，减少晶片中的缺陷，提高晶片质量。
实施例二
参见图2，为本发明实施例提供的另一种减少晶片缺陷的设备的结构示意图，如图2所示，该设备包括腔体1、加热装置2和微波发生器3；所述腔体1包括中空的内腔，用于放置待处理晶片4、并使所述待处理晶片4处于工作面上；所述腔体1外壁上还设置有与所述内腔相连通的进气口11和出气口12；所述加热装置2沿所述工作面的延展方向均匀布设在所述腔体1的外周；所述腔体1的侧壁上、高于所述工作面的位置上设置有与所述内腔相连通的至少一微波口13，所述微波发生器3通过所述微波口13与所述内腔相连通。本发明实施例与实施例一的不同之处在于，所述腔体1上均匀设置有多个微波口13，且所述多个微波口13与多个微波发生器3一一对应连接。
在一示例性实施例中，所述腔体1为方形腔体，所述腔体1沿工作面方向的截面为正方形；在每个所述方形腔体的边角上设置至少一个微波口13，且每个所述边角上的微波口13的数量相等，例如，所述方形腔体包括4个边角，每个边角上可以设置1个微波口13；在本发明实施例中，所述方形腔体上每个边角位置均设置1个微波口13，形成4个均匀分布的微波口13，即第一微波口131、第二微波口132、第三微波口133和第四微波口134；第一微波发生器31通过第一微波口131与所述内腔相连通，第二微波发生器32通过第二微波口132与所述内腔相连通，第三微波发生器33通过第三微波口133与所述内腔相连通，第四微波发生器34通过第四微波口134与所述内腔相连通。
在另一示例性实施例中，所述第一微波口131、所述第二微波口132、所述第三微波口133和所述第四微波口134中的任意多个可以连接到相同的微波发生器3。在第一种实施情况下，该设备可以包括1个微波发生器3，所述1个微波发生器3可以通过磁控管腔30和波导等装置连接到第一微波口131、第二微波口132、第三微波口133和第四微波口134。在第二种实施情况下，该设备可以包括2个微波发生器，例如第一微波发生器31和第二微波发生器32，第一微波发生器31通过磁控管腔30和波导等装置与第一微波口131和第三微波口133相连通，第二微波发生器32通过磁控管腔30和波导装置与第二微波口132和第四微波口134相连通。
当然，需要说明的是，所述腔体1的形状可以为任意其他形状，而并不局限于方形腔体；而且，所述微波口13的设置方式也并不局限于设置于边角，同样可以设置于侧壁上；设置于每个边角上的微波口13的个数可以为2个、3个或者其他任意多个；与微波口13对应连接的微波发生器3的个数也可以为任意多个，在本发明实施例中也不做限定。本发明实施例与实施例一相同之处，可参见实施例一，在此不再赘述。
由上述实施例的描述可见，本发明实施例提供的一种减少晶片缺陷的设备，通过设置多个微波口13，以及与所述多个微波口13一一对应连接的微波发生器3，多个微波发生器3能够同时对待处理晶片4进行微波辐射，提高退火效率；而且，多个微波发生器3的均匀设置能够有效增强辐射的均匀性，使待处理晶片4受热均匀。
实施例三
参见图3，为本发明实施例提供的再一种减少晶片缺陷的设备的结构示意图，如图3所示，该设备包括腔体1、加热装置2以及微波发生器3。本发明实施例与实施例一的不同之处在于，该设备中的加热装置2包括红外灯21和氙灯22。其中，所述氙灯22设置于所述腔体1的顶面和底面外侧，且所述氙灯22分布于相应的红外灯21之间；另外，如图3所示的俯视图中，位于所述腔体1顶面外侧的氙灯22，与位于所述腔体1底面外侧的氙灯22之间存在角度α；在一示例性实施例中，该角度α可以为90°。本发明实施例与实施例一的相同之处可以参见实施例一，在此不再赘述。
由上述实施例的描述可见，本发明实施例提供的减少晶片缺陷的设备，通过设置氙灯22，氙灯22与红外灯21相互结合，在对待处理晶片4实施退火工艺时，能够提高加热效率；而且，通过设置氙灯22之间的角度，能够使得氙灯22发出的光均匀照射到待处理晶片4上，进一步提高加热的均匀性。
与上述减少晶片缺陷的设备的装置实施例相对应，本发明实施例还提供一种减少晶片缺陷的方法。
参见图4，为本发明实施例提供的一种减少晶片缺陷的方法的流程示意图，如图4所示，该方法包括以下步骤：
步骤S1：提供一待处理晶片4，所述待处理晶片4至少包括空位中性区和/或氧化诱生层错区；
步骤S2：在氧气氛围中，使用加热装置2对待处理晶片4进行第一退火，所述第一退火包括在第一温度下持续第一时间；
步骤S3：在惰性气体氛围中，同时使用微波发生器3和加热装置2对待处理晶片4进行第二退火，所述第二退火包括在第二温度下持续第二时间；其中，所述第二温度大于第一温度。
下面结合具体实施例详细描述减少晶片缺陷的方法。
在步骤S1中，将待处理晶片4送入到减少晶片缺陷的设备的内腔中，并使待处理晶片4处于工作面；所述待处理晶片4至少包括空位中性区和/或氧化诱生层错区。
在步骤S2中，对待处理晶片4进行第一退火，第一退火在氧气氛围中进行，其中，所述氧气氛围可以理解为纯氧气氛，因此第一退火可以理解为快速热氧化退火(英文：RapidThermal Oxidation，简称：RTO)；使用加热装置2对待处理晶片4进行加热，在具体实施时，可以使用红外灯21和氙灯22中的任意一种或两种组合，对待处理晶片4进行加热。所述第一退火使得待处理晶片4在第一温度下退火第一时间，其中，所述第一温度介于1000℃至1200℃，所述第一时间介于10s至30s；在一示例性实施例中，所述第一退火的第一温度可以为1180℃或者1200℃，所述第一时间可以为10s。
在步骤S3中，对待处理晶片4进行第二退火，第二退火为快速热退火(英文：RapidThermalAnnealing，简称：RTA)。所述第二退火在惰性气体氛围中进行，所述惰性气体氛围包括氩气气氛，或氩气与氨气的混合气体气氛。所述第二退火使用微波发生器3和加热装置2同时对待处理晶片4进行加热，在具体实施时，可以使用红外灯21与微波发生器3相结合，氙灯22与微波发生器3相结合，以及红外灯21、氙灯22和微波发生器3相结合的方式对待处理晶片4进行加热；其中，所述微波发生器3的微波频率介于300MHz至500GHz，功率介于4kW/cm2至10kW/cm2，一示例性实施例中，所述微波频率可以为100GHz，所述功率可以为7kW/cm2。第二退火使得待处理晶片4在第二温度中持续第二时间；所述第二温度大于或等于所述第一温度，所述第二温度可以介于1030℃至1230℃，所述第二时间可以介于10s至30s；一示例性实施例中，所述第二温度可以为1200℃，所述第二时间可以为10s。
本发明实施例还对第一退火和第二退火不同条件的组合进行了对比，详细对比结果如表一所示。
表一：
如表一所示，与时间相关电介质击穿(英文：Time Dependent DielectricBreakdown，简称：TDDB)结果用于衡量晶片的质量。在第一示例中，第一退火为RTO，在纯氧氛围中使用包括红外灯21和/或氙灯22加热待处理晶片4，退火温度为1200℃，退火时间为10s；第二退火为RTA，在氩气和氨气混合气氛中，使用红外灯21和/或氙灯22加热待处理晶片4，退火温度为1250℃，退火时间为10s；第一示例得到的晶片的TDDB结果为100％。
在第二示例中，第一退火为RTO，在纯氧氛围中使用包括红外灯21和/或氙灯22加热待处理晶片4，退火温度为1180℃，退火时间为10s；第二退火为RTA，在氩气和氨气混合气氛中，使用红外灯21和/或氙灯22加热待处理晶片4，退火温度为1200℃，退火时间为10s；第二示例得到的晶片的TDDB结果为89％。
在第三示例中，在第一示例中，第一退火为RTO，在纯氧氛围中使用包括红外灯21和/或氙灯22加热待处理晶片4，退火温度为1180℃，退火时间为10s；第二退火为RTA，在氩气和氨气混合气氛中，使用红外灯21和/或氙灯22，以及微波发生器3微波辅助加热待处理晶片4，退火温度为1200℃，退火时间为10s；第三示例得到的晶片的TDDB结果为100％。
通过表一所示的结果，第一示例和第三示例均能够得到质量较高的晶片，第二示例得到的晶片质量较差；第二示例与第一示例的区别之处在于，降低了第一退火的第一温度和第二退火的第二温度，可见，降低退火温度会影响晶片中缺陷的处理效果；第三示例与第一示例的区别之处在于，降低所述第一温度和第二温度的同时，使用了微波辅助加热，可见，通过微波辅助加热的方式，在降低退火工艺温度的同时，能够得到高质量的晶片，而且较低的退火温度能够防止高温引起的晶片翘曲。因此，本发明实施例能够有效提高晶片质量。
由上述实施例的描述可见，本发明实施例提供的一种减少晶片缺陷的方法，包括提供一待处理晶片4，所述待处理晶片4至少包括空位中性区和/或氧化诱生层错区；在氧气氛围中，使用加热装置2对待处理晶片4进行第一退火，所述第一退火包括在第一温度下持续第一时间；在惰性气体氛围中，同时使用微波发生器3和加热装置2对待处理晶片4进行第二退火，所述第二退火包括在第二温度下持续第二时间；其中，所述第二温度大于或等于第一温度。通过对待处理晶片4进行两次退火，能够促进原子的重新排列，从而有效消除待处理晶片4中的缺陷；而且，通过第二退火通过微波退火的方式，能在很短的时间内均匀加热待处理晶片4，提高原子运动的活性，进而提高退火效率；另外，两次退火在较低的温度下进行，还能够避免退火高温所引起的晶片翘曲，提高晶片质量。
综上所述，本发明实施例提供的减少晶片缺陷的设备及方法，该设备中设置了红外灯21和/或氙灯22等加热装置2，以及微波发生器3；使用加热装置2进行第一退火，使用加热装置2与微波发生器3相结合的方式进行第二退火，两次退火相结合能够有效去除晶片中的缺陷；而且，通过微波辅助退火的方式，能够降低退火温度，进一步保证晶片质量。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (13)

1.一种减少晶片缺陷的设备，其特征在于，所述设备至少包括腔体、加热装置以及微波发生器，其中：
所述腔体包括中空的内腔，用于放置待处理晶片、并使所述待处理晶片处于工作面上；
所述腔体外壁上还设置有与所述内腔相连通的进气口和出气口；
所述加热装置沿所述工作面的延展方向均匀布设在所述腔体的外周；
所述腔体的侧壁上、高于所述工作面的位置上设置有与所述内腔相连通的至少一微波口，所述微波发生器通过所述微波口与所述内腔相连通。
2.根据权利要求1所述的减少晶片缺陷的设备，其特征在于，所述腔体上均匀设置有多个微波口，且所述多个微波口与多个微波发生器一一对应连接。
3.根据权利要求2所述的减少晶片缺陷的设备，其特征在于，所述腔体为方形腔体，所述腔体沿工作面方向的截面为正方形；每个所述方形腔体的边角上设置至少一个微波口，且每个所述边角上微波口的数量相等。
4.根据权利要求1所述的减少晶片缺陷的设备，其特征在于，所述腔体包括石英腔。
5.根据权利要求1所述的减少晶片缺陷的设备，其特征在于，所述加热装置包括红外灯，所述红外灯设置于所述腔体的顶面和底面外侧。
6.根据权利要求5所述的减少晶片缺陷的设备，其特征在于，所述加热装置还包括氙灯，所述氙灯设置于所述腔体的顶面和底面外侧，且所述氙灯分布于相应的红外灯之间；位于所述腔体顶面外侧的氙灯和位于所述腔体底面外侧的氙灯之间存在角度。
7.根据权利要求6所述的减少晶片缺陷的设备，其特征在于，所述角度为90°。
8.根据权利要求1所述的减少晶片缺陷的设备，其特征在于，所述微波发生器包括磁控管腔，所述磁控管腔与所述微波口相连通；所述磁控管腔包括Al腔或不锈钢腔。
9.使用如权利要求1至8任一所述的设备减少晶片缺陷的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：
提供一待处理晶片，所述待处理晶片至少包括空位中性区和/或氧化诱生层错区；
在氧气氛围中，使用加热装置对待处理晶片进行第一退火，所述第一退火包括在第一温度下持续第一时间；
在惰性气体氛围中，同时使用微波发生器和加热装置对待处理晶片进行第二退火，所述第二退火包括在第二温度下持续第二时间；其中，所述第二温度大于或等于第一温度。
10.根据权利要求9所述的减少晶片缺陷的方法，其特征在于，所述第一温度介于1000℃至1200℃，所述第二温度介于1030℃至1230℃。
11.根据权利要求9所述的减少晶片缺陷的方法，其特征在于，所述第一时间和所述第二时间相等，且所述第一时间和所述第二时间均介于10s至30s。
12.根据权利要求9所述的减少晶片缺陷的方法，其特征在于，所述微波发生器的微波频率介于300MHz至500GHz，功率介于4kW/cm2至10kW/cm2。
13.根据权利要求9所述的减少晶片缺陷的方法，其特征在于，进行第一退火的氧气氛围为纯氧气氛；进行第二退火的惰性气体氛围包括纯氩气气氛，或氩气与氨气的混合气体气氛。
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