JP5647651B2 - マイクロ波処理装置の洗浄方法 - Google Patents
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Description
10 マイクロ波処理装置
11 チャンバ
12 マイクロ波導入機構
13 支持機構
14 ガス導入機構
15 排気機構
Claims (4)
- 被処理体を収容する処理容器と、前記処理容器内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入ユニットと、前記処理容器内にガスを導入するガス導入ユニットとを備えるマイクロ波処理装置の洗浄方法であって、
洗浄用の被処理体を前記処理容器内に搬入する搬入ステップと、
前記ガス導入ユニットから前記処理容器内に前記ガスを導入すると共に前記処理容器内に導入された前記ガスを前記処理容器内から排出するガス導入ステップと、
前記処理容器内に前記マイクロ波を導入して、前記処理容器内にプラズマを発生させることなく前記処理容器内を加熱することにより、前記処理容器内で剥離した物質を前記処理容器内に形成された前記ガスの流れによって前記処理容器内から排出するマイクロ波導入ステップと、
前記洗浄用の被処理体を前記処理容器内から搬出する搬出ステップと、を有することを特徴とするマイクロ波処理装置の洗浄方法。 - 前記搬入ステップと、前記ガス導入ステップと、前記マイクロ波導入ステップと、前記搬出ステップとからなる一連の工程を繰り返すことを特徴とする請求項1記載のマイクロ波処理装置の洗浄方法。
- 前記マイクロ波導入ステップにおいて前記処理容器内に導入される前記マイクロ波の出力値は、半導体デバイス製造用の被処理体にマイクロ波を用いた処理を施す際に前記処理容器内に導入される前記マイクロ波の出力値よりも大きいことを特徴とする請求項1又は2記載のマイクロ波処理装置の洗浄方法。
- 前記洗浄用の被処理体が吸収する前記マイクロ波の量は、半導体デバイス製造用の被処理体が吸収する前記マイクロ波の量よりも少ないことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のマイクロ波処理装置の洗浄方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012177083A JP5647651B2 (ja) | 2012-08-09 | 2012-08-09 | マイクロ波処理装置の洗浄方法 |
US13/960,037 US20140041682A1 (en) | 2012-08-09 | 2013-08-06 | Method for cleaning microwave processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012177083A JP5647651B2 (ja) | 2012-08-09 | 2012-08-09 | マイクロ波処理装置の洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014036142A JP2014036142A (ja) | 2014-02-24 |
JP5647651B2 true JP5647651B2 (ja) | 2015-01-07 |
Family
ID=50065250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012177083A Expired - Fee Related JP5647651B2 (ja) | 2012-08-09 | 2012-08-09 | マイクロ波処理装置の洗浄方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140041682A1 (ja) |
JP (1) | JP5647651B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5801374B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-10-28 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、プログラム、及び基板処理装置 |
JP2016225579A (ja) * | 2015-06-04 | 2016-12-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
CN107574422B (zh) * | 2017-09-06 | 2019-03-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体生产设备及其清洗方法 |
TWI692049B (zh) * | 2018-08-16 | 2020-04-21 | 江德明 | 晶圓表面檢測前處理裝置及應用其之晶圓表面檢測設備 |
JP7499105B2 (ja) | 2020-08-03 | 2024-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のクリーニング方法及びプラズマ処理装置 |
WO2023148861A1 (ja) * | 2022-02-02 | 2023-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のクリーニング方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5240555A (en) * | 1992-04-16 | 1993-08-31 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for cleaning semiconductor etching machines |
JP3254482B2 (ja) * | 1994-03-31 | 2002-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法 |
WO2005074016A1 (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置の処理室清浄化方法、基板処理装置、および基板処理方法 |
JP4885025B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-02-29 | 三菱重工業株式会社 | 真空処理装置および真空処理装置の運転方法 |
JP4918452B2 (ja) * | 2007-10-11 | 2012-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
JP2013159826A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
-
2012
- 2012-08-09 JP JP2012177083A patent/JP5647651B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2013
- 2013-08-06 US US13/960,037 patent/US20140041682A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140041682A1 (en) | 2014-02-13 |
JP2014036142A (ja) | 2014-02-24 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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