KR102267913B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102267913B1
KR102267913B1 KR1020190076976A KR20190076976A KR102267913B1 KR 102267913 B1 KR102267913 B1 KR 102267913B1 KR 1020190076976 A KR1020190076976 A KR 1020190076976A KR 20190076976 A KR20190076976 A KR 20190076976A KR 102267913 B1 KR102267913 B1 KR 102267913B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing
housing
processing space
unit
Prior art date
Application number
KR1020190076976A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210002196A (ko
Inventor
최영섭
이영훈
서용준
이복규
박미소
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020190076976A priority Critical patent/KR102267913B1/ko
Priority to US16/912,762 priority patent/US11923219B2/en
Priority to CN202010608751.7A priority patent/CN112151416A/zh
Publication of KR20210002196A publication Critical patent/KR20210002196A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102267913B1 publication Critical patent/KR102267913B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/04—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by a combination of operations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는 초임계 상태의 유체로 기판을 처리하는 처리공간을 가지는 공정챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과; 상기 처리 공간으로 상기 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과; 상기 처리 공간에서 상기 지지유닛에 놓인 기판과 대향되게 배치되는 필러 부재와; 상기 처리 공간 내의 상태를 측정하는 측정 유닛을 포함하되, 상기 측정 유닛은 상기 필러 부재의 내부에 제공된다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼와 같은 기판으로부터 제조한다. 구체적으로, 반도체 소자는 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정 등을 수행하여 기판의 상부면에 미세한 회로 패턴을 형성하여 제조된다.
기판은 상기의 공정들을 수행하면서 상기 회로 패턴이 형성된 상부면에 각종 이물질이 오염될 수 있음에 따라, 이물질을 제거하기 위하여 세정 공정을 수행할 수 있다.
최근에는 기판을 세정하는 공정에 초임계 유체가 사용된다. 일 예에 의하면, 세정 공정은 이소프로필알코올(isopropyl alcohol; 이하, IPA)을 통해 기판의 상부면을 세정한 다음, 이산화탄소(CO2)를 초임계 상태로 기판의 상부면에 공급하여 기판에 남아 있는 IPA를 제거하는 방식으로 진행될 수 있다.
세정 장치에서 초임계 유체가 사용되면, 프로세스가 종료되기 전까지는 세정 장치 내부의 상태를 알 수 없기 때문에 초임계 유체의 공급량, 배기량 및 프로세스 시간 등의 조건을 조절하는데 어려움이 따른다. 초임계 공정은 내부 압력 변화에 따라 초임계 유체의 온도, 밀도가 변화하고 초임계 유체의 온도 분포에 따라 패턴 리닝 현상이나 파티클의 거동이 달라진다. 또한, 유체의 온도분포에 따라 공정 성능이 크게 좌우되므로 이에 대한 측정 방법 마련이 필요하다.
본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리시 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리시 챔버 내부의 상태를 모니터링 하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리시 최적의 프로세스 조건을 검출하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는 초임계 상태의 유체로 기판을 처리하는 처리공간을 가지는 공정챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과; 상기 처리 공간으로 상기 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과; 상기 처리 공간에서 상기 지지유닛에 놓인 기판과 대향되게 배치되는 필러 부재와; 상기 처리 공간 내의 상태를 측정하는 측정 유닛을 포함하되, 상기 측정 유닛은 상기 필러 부재의 내부에 제공된다.
일 실시 예에 있어서, 상기 측정 유닛은 온도 센서를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 측정 유닛은, 상기 온도 센서들이 어레이로 제공된 보드를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 온도 센서는 하나 이상의 어레이로 제공되고, 상기 기판과 대향하는 면에 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 필러 부재의 하우징은 제1 재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 측정 유닛은, 통신 모듈을 더 포함하고,
제1 재질의 하우징와 상기 하우징에 설치되며 무선 통신 신호의 전달이 가능한 제2 재질의 투과창을 포함하되, 상기 제1 재질은 상기 제2 재질보다 열전달율이 높은 것일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 하우징은 홀이 형성되고, 상기 투과창은 상기 홀에 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 재질은 금속 재질이고, 상기 제2 재질은 수지 재질일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 재질은 PEEK, 폴리아마이드, PTFE 중 어느 하나 이상일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 필러 부재은, 상부가 개방된 내부 공간을 가지며, 제1 재질의 하우징과; 상기 내부 공간의 상부를 덮는 제2 재질의 상부 부재와; 상기 상부 부재와 상기 하우징 사이에 제공되는 무선 통신 신호의 전달이 가능한 제3 재질의 투과창을 포함하고, 상기 제1 재질과 상기 제2 재질은 상기 제3 재질보다 열전달율이 높은 것일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 재질과 상기 제2 재질은 금속 재질일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 재질과 상기 제2 재질은 동일 재질일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제3 재질은 PEEK, 폴리아마이드, PTFE 중 어느 하나 이상일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제3 재질은 수지 재질일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 측정 유닛은, 하나 이상의 센서와; 상기 센서에 전력을 제공하는 배터리와; 상기 센서로부터 측정된 신호를 외부로 전송하는 통신 모듈을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 통신 모듈은 상기 투과창에 인접하게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 공정챔버는, 상기 지지유닛이 설치되는 상부 바디와; 상기 필러 부재가 설치되며, 상기 상부 바디와 함께 상기 처리공간을 제공하는 하부 바디와; 상기 상부 바디와 상기 하부 바디 중 어느 하나를 다른 하나에 대해 상대 이동시키는 구동기와; 처리 유체를 상기 처리 공간으로 공급하며 상기 상부 바디에 제공되는 상부 공급 라인과; 처리 유체를 상기 처리 공간으로 공급하며 상기 하부 바디에 제공되는 하부 공급 라인을 포함하고, 상기 기판은 패턴면이 상부를 향하도록 지지되고, 상기 필러 부재은 하부 공급 라인과 상기 기판 사이에 위치될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 지지유닛은 상기 기판의 저면 가장자리 영역을 지지하도록 제공되고, 상기 필러 부재는, 상기 처리 공간에서 상기 지지유닛의 아래에 위치될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 측정 유닛은, 하나 이상의 센서와; 상기 하나 이상의 센서에서 측정된 정보 값을 저장하는 메모리를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 측정 유닛은, 상기 하나 이상의 센서에 전력을 제공하는 배터리를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 하우징의 외부에 노출되며, 상기 메모리와 연결되어 상기 메모리 내 데이터를 외부로 전송 가능한 커넥터를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 측정 유닛은 장치의 자세를 측정하는 레벨링 센서를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 측정 유닛은, 압력 센서를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리시 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리시 챔버 내부의 상태를 모니터링 할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리시 최적의 프로세스 조건을 검출할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 세정 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 세정 장치의 필러 부재의 제1 실시예에 따른 단면을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 세정 장치의 필러 부재의 제1 실시예에 따른 분해 사시도를 보여주는 도면이다.
도 6은 측정 유닛(1110)을 간략히 도시한 도면이다.
도 7은 도 3의 세정 장치의 필러 부재의 제2 실시예에 따른 단면을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 3의 세정 장치의 필러 부재의 제3 실시예에 따른 단면을 보여주는 도면이다.
도 9는 도 3의 세정 장치의 필러 부재의 제4 실시예에 따른 단면을 보여주는 도면이다.
도 10은 측정 유닛(1410)을 간략히 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 시스템를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 시스템은 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20), 그리고 제어기(30)를 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.
인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다.
용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진이동할 수 있다.
처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 장치(300), 액 처리 장치(400), 그리고 세정 장치(500)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 장치(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 세정 장치(500)는 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 공정을 수행한다. 반송 장치(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 장치(400), 그리고 세정 장치(500) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 장치(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 장치(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 세정 장치(500)는 반송 장치(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 세정 장치(500)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 장치(300)의 일단에 위치될 수 있다.
일 예에 의하면, 액 처리 장치(400)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되고, 세정 장치(500)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되며, 액 처리 장치(400)들은 세정 장치(500)들보다 버퍼 유닛(200)에 더 가까운 위치에 배치될 수 있다. 반송 장치(300)의 일측에서 액 처리 장치(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. 또한, 반송 장치(300)의 일측에서 세정 장치(500)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 C X D(C, D는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수)개가 제공될 수 있다. 상술한 바와 달리, 반송 장치(300)의 일측에는 액 처리 장치(400)들만 제공되고, 그 타측에는 세정 장치(500)들만 제공될 수 있다.
반송 장치(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 장치(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진이동할 수 있다.
버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 장치(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.
도 2는 도 1의 액 처리 장치(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 장치(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 액 공급 유닛(460), 그리고 승강 유닛(480)을 가진다. 하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.
컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리 된다. 지지 유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.
일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 전 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. 일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.
지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다. 지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다. 척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.
일 예에 의하면, 액 공급 유닛(460)은 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)을 가진다. 제1노즐(462)은 제1액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제1액은 기판(W) 상에 잔존하는 막이나 이물을 제거하는 액일 수 있다. 제2노즐(464)은 제2액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제2액은 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제2액은 제1액에 비해 제3액에 더 잘 용해되는 액일 수 있다. 제2액은 기판(W) 상에 공급된 제1액을 중화시키는 액일 수 있다. 또한, 제2액은 제1액을 중화시키고 동시에 제1액에 비해 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 제2액은 물일 수 있다. 제3노즐(466)은 제3액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제3액은 세정 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제3액은 제2액에 비해 세정 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 제3액은 유기용제일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다. 일 예에 의하면, 초임계 유체는 이산화탄소일 수 있다. 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 서로 상이한 아암(461)에 지지되고, 이들 아암(461)들은 독립적으로 이동될 수 있다. 선택적으로 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 동일한 아암에 장착되어 동시에 이동될 수 있다.
승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 전 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
도 3은 도 1의 세정 장치(500)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 일 실시예에 의하면, 세정 장치(500)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 액을 제거한다. 세정 장치(500)는 바디(520), 지지체(미도시), 유체 공급 유닛(560), 그리고 필러 부재(1000)를 가진다.
바디(520)는 세정 공정이 수행되는 처리 공간(502)을 제공한다. 바디(520)는 상체(522, upper body)와 하체(524, lower body)를 가지며, 상체(522)와 하체(524)는 서로 조합되어 상술한 처리 공간(502)을 제공한다. 상체(522)는 하체(524)의 상부에 제공된다. 상체(522)는 그 위치가 고정되고, 하체(524)는 실린더와 같은 구동부재(590)에 의해 승하강될 수 있다. 하체(524)가 상체(522)로부터 이격되면 처리 공간(502)이 개방되고, 이 때 기판(W)이 반입 또는 반출된다. 공정 진행시에는 하체(524)가 상체(522)에 밀착되어 처리 공간(502)이 외부로부터 밀폐된다. 세정 장치(500)는 히터(570)를 가진다. 일 예에 의하면, 히터(570)는 바디(520)의 벽 내부에 위치된다. 히터(570)는 바디(520)의 내부공간 내로 공급된 유체가 초임계 상태를 유지하도록 바디(520)의 처리 공간(502)을 가열한다. 처리 공간(502)의 내부는 초임계 유체에 의한 분위기가 형성된다.
지지체(미도시)는 바디(520)의 처리 공간(502) 내에서 기판(W)을 지지한다. 지지체(미도시)는 고정 로드(미도시)와 거치대(미도시)를 가진다. 고정 로드(미도시)는 상체(522)의 저면으로부터 아래로 돌출되도록 상체(522)에 고정 설치된다. 고정 로드(미도시)는 그 길이방향이 상하 방향으로 제공된다. 고정 로드(미도시)는 복수 개 제공되며 서로 이격되게 위치된다. 고정 로드(미도시)들은 이들에 의해 둘러싸인 공간으로 기판(W)이 반입 또는 반출될 때, 기판(W)이 고정 로드(미도시)들과 간섭하지 않도록 배치된다. 각각의 고정 로드(미도시)에는 거치대(미도시)가 결합된다. 거치대(미도시)는 고정 로드(미도시)의 하단으로부터 고정 로드(미도시)들에 의해 둘러싸인 공간을 향하는 방향으로 연장된다. 상술한 구조로 인해, 바디(520)의 처리 공간(502)으로 반입된 기판(W)은 그 가장자리 영역이 거치대(미도시) 상에 놓이고, 기판(W)의 상면 전체 영역, 기판(W)의 저면 중 중앙 영역, 그리고 기판(W)의 저면 중 가장자리 영역의 일부는 처리 공간(502)으로 공급된 세정 유체에 노출된다. 일 예에 있어서 기판은 패턴면이 상부를 향하도록 지지된다.
유체 공급 유닛(560)은 바디(520)의 처리 공간(502)으로 세정 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 세정 유체는 초임계 상태로 처리 공간(502)으로 공급될 수 있다. 이와 달리 세정 유체는 가스 상태로 처리 공간(502)으로 공급되고, 처리 공간(502) 내에서 초임계 상태로 상변화될 수 있다. 일 예에 의하면, 유체 공급 유닛(560)은 메인 공급 라인(562), 상부 공급 라인(564), 그리고 하부 공급 라인(566)을 가진다. 상부 공급 라인(564)과 하부 공급 라인(566)은 메인 공급 라인(562)으로부터 분기된다. 상부 공급 라인(564)은 상체(522)에 결합되어 지지체(540)에 놓인 기판(W)의 상부에서 세정 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 상부 공급 라인(564)은 상체(522)의 중앙에 결합된다. 하부 공급 라인(566)은 하체(524)에 결합되어 지지체(540)에 놓인 기판(W)의 하부에서 세정 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 하부 공급 라인(566)은 하체(524)의 중앙에 결합될 수 있다. 하체(524)에는 배기 유닛(550) 이 결합된다. 하부 공급 라인(566)이 하체(524)의 중앙에 결합되는 경우, 배기 유닛(550)의 배기 포트(미도시)는 하체(524)의 중앙으로부터 편향되게 위치될 수 있다. 바디(520)의 처리 공간(502) 내의 초임계 유체는 배기 유닛(550) 을 통해서 바디(520)의 외부로 배기된다.
바디(520)의 처리 공간(502) 내에는 필러 부재(1000)가 배치될 수 있다. 필러 부재(1000)는 설정 볼륨을 가지는 원통 또는 원뿔 등의 형상으로 제공될 수 있다. 필러 부재(1000)는 바디(520)의 저면으로부터 상부로 이격되도록 지지대(1001)에 의해 지지된다. 지지대(1001)는 로드 형상으로 제공될 수 있다. 지지대(1001)는 서로 간에 일정 거리 이격되도록 복수 개가 배치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 필러 부재(1000)는 하부 공급 라인(566)의 공급 포트(미도시) 및 배기 유닛(550) 의 배기 포트(미도시)와 중첩되도록 제공될 수 있다. 필러 부재(1000)는 하부 공급 라인(566)을 통해서 공급된 세정 유체가 기판(W)을 향해 직접 토출되어 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 4는 도 3의 세정 장치의 필러 부재의 제1 실시예에 따른 단면을 보여주는 도면이고, 도 5는 도 3의 세정 장치의 필러 부재의 제1 실시예에 따른 분해 사시도를 보여주는 도면이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 필러 부재(1100)는 상부 부재(1101)와 투과창(1102)과 하부 부재(1103)으로 이루어지는 하우징과, 측정 유닛(1110)을 포함한다.
상부 부재(1101)는 하우징의 상면을 이룬다. 상부 부재(1101)는 금속 재질로 제공된다. 금속 재질은 열 전도성이 높은 것이 바람직하다. 또한 초임계 유체의 고온 고압 상태에서 견딜 수 있는 재질이다. 금속 재질은 스테인레스 스틸인 것이 바람직하다.
투과창(1102)은 하우징의 측벽을 이룬다. 투과창(1102)은 수지 재질로 제공된다. 수지 재질은 무선 통신이 투과한 재질인 것이 바람직하다. 수지 재질은 PEEK, 폴리아마이드, PTFE 중 어느 하나 이상일 수 있다.
하부 부재(1103)는 하우징의 하면을 이룬다. 하부 부재(1103)는 금속 재질로 제공된다. 초임계 유체의 고온 고압 상태에서 견딜 수 있는 재질이다. 금속 재질은 스테인레스 스틸인 것이 바람직하다.
상부 부재(1101)는 투과창(1102)보다 열 전달율이 높은 재질로 선택되는 것이 바람직하다.
측정 유닛(1110)은 보드(1111), 온도 센서(1112)를 포함하는 온도 센서 어레이, 모듈 디바이스(1113), 그리고 배터리(1120)를 포함한다.
보드(1111)는 회로 보드일 수 있다. 온도 센서 어레이는 상부 부재(1101)에 인접하여 회로 보드(1111)에 온도 센서(1112)가 어레이를 이루어 배치된다. 온도 센서(1112)는 상부 부재(1101)에 인접하여 챔버 내부에서 기판(W)에 전달되는 온도 영향을 간접적으로 측정한다. 온도 센서 어레이는 보드(1111)가 생략되고 온도 센서(1112) 개개가 각각 상부 부재(1101)에 결합되게 제공할 수도 있다.
도 6은 측정 유닛(1110)을 간략히 도시한 도면이다.
측정 유닛(1110)은 온도 센서 어레이, 모듈 디바이스(1113), 배터리(1120)를 포함한다. 측정 유닛(1110)의 각 구성은 상호간에 연결될 수 있다. 센싱 디바이스(1113)는 모듈 디바이스(1114), 레벨링 센서(1115), 압력 센서(1116), 그리고 통신 모듈(1117)을 포함할 수 있다.
프로세서 모듈(1114)은, 온도 센서 어레이, 통신 모듈(1117), 레벨링 센서(1115), 압력 센서(1116)를 제어할 수 있다. 프로세서 모듈(1114)은 온도 센서 어레이의 보드(1111)에 포함될 수도 있다.
온도 센서 어레이는 처리 공간 내의 기판 주변의 온도를 상부 부재(1101)에 인접하게 배치됨으로써, 상부 부재(1101)를 통해 전달되는 온도로부터 간접적으로 측정한다. 상부 부재(1101)는 열 전달율이 높고 빠른 것이 적당하다.
레벨링 센서(1115)는 세정 장치(500)의 자세를 측정할 수 있다. 예컨대 세정 장치(500)가 크게 흔들리는 경우 레벨링 센서(1115)에 의해 측정될 수 있다.
압력 센서(1116)는 필러 부재(1100)의 내부 압력 변화를 측정함으로써, 챔버 내부의 압력을 간접적으로 측정할 수 있다.
통신 모듈(1117)은 온도 센서 어레이, 레벨링 센서(1115), 압력 센서(1116)에서 센싱된 온도 정보, 장치의 자세 정보, 내부 압력 정보를 통신하여 외부의 장치로 전달할 수 있다. 통신 모듈(1117)은 실시간으로 정보를 전달하거나, 저장된 정보를 전달할 수 있다. 저장된 정보를 전달하는 경우 측정 유닛(1110)은 메모리(미도시)를 더 포함할 수 있다.
배터리(1120)는 모듈 디바이스(1113) 또는 온도 센서 어레이에 전력을 제공할 수 있다.
도 7은 도 3의 세정 장치의 필러 부재의 제2 실시예에 따른 단면을 보여주는 도면이다. 도 7에서 도 4 내지 도 6과 인출 번호가 동일한 구성은 도 4 내지 도 6의 설명으로 대체한다.
일 예에 있어서, 필러 부재(1200)의 하우징(1201)은 뒤집어진 원뿔대 형상으로 제공될 수 있다. 도시하지 않았으나 하우징(1201)은 원통 형상으로 제공될 수 있다. 도시하지 않았으나, 하우징(1201)은 기판(W)의 형상에 따라 평면이 상이하게 제공될 수 있다.
하우징(1201)은 금속 재질로 제공된다. 금속 재질은 열 전도성이 높은 것이 바람직하다. 또한 초임계 유체의 고온 고압 상태에서 견딜 수 있는 재질이다. 금속 재질은 스테인레스 스틸인 것이 바람직하다.
하우징(1201)의 일 부분에는 투과창(1202)이 제공된다. 투과창(1102)은 수지 재질로 제공된다. 수지 재질은 무선 통신 신호가 투과한 재질인 것이 바람직하다. 수지 재질은 PEEK, 폴리아마이드, PTFE 중 어느 하나 이상일 수 있다. 일 예에 있어서, 하우징(1201)의 상면 일부분에 홀이 형성되고, 상기 홀에 투과창(1202)이 제공될 수 있다.
설명의 편의상 투과창(1202)은 과도하게 크게 도시되었으나, 투과창(1202)은 무선 통신 신호가 투과되어 전달될 수 있는 정도이면 충분하다.
도 8은 도 3의 세정 장치의 필러 부재의 제3 실시예에 따른 단면을 보여주는 도면이다. 도 8에서 도 4 내지 도 6과 인출 번호가 동일한 구성은 도 4 내지 도 6의 설명으로 대체한다.
필러 부재(1300)의 하우징(1301)은 뒤집어진 원뿔대 형상으로 제공될 수 있다. 도시하지 않았으나 하우징(1301)은 원통 형상으로 제공될 수 있다. 도시하지 않았으나, 하우징(1301)은 기판(W)의 형상에 따라 평면이 상이하게 제공될 수 있다.
하우징(1301)은 수지 재질로 제공된다. 수지 재질은 무선 통신 신호가 투과한 재질인 것이 바람직하다. 수지 재질은 PEEK, 폴리아마이드, PTFE 중 어느 하나 이상일 수 있다. 일 예에 있어서, 하우징(1301)은 무선 통신 신호가 투과 가능하되 열 전달율도 금속과 유사하거나 그에 상응하는 정도로 높은 재질로 선택되는 것이 바람직하다.
도 9는 도 3의 세정 장치의 필러 부재의 제4 실시예에 따른 단면을 보여주는 도면이다. 도 9에서 도 4 내지 도 6과 인출 번호가 동일한 구성은 도 4 내지 도 6의 설명으로 대체한다.
필러 부재(1400)의 하우징(1401)은 뒤집어진 원뿔대 형상으로 제공될 수 있다. 도시하지 않았으나 하우징(1401)은 원통 형상으로 제공될 수 있다. 도시하지 않았으나, 하우징(1401)은 기판(W)의 형상에 따라 평면이 상이하게 제공될 수 있다.
하우징(1401)은 금속 재질로 제공된다. 금속 재질은 열 전도성이 높은 것이 바람직하다. 또한 초임계 유체의 고온 고압 상태에서 견딜 수 있는 재질이다. 금속 재질은 스테인레스 스틸인 것이 바람직하다. 하우징(1401)은 내부에 측정 유닛(1410)을 내장시킨 뒤 일체로 제공되는 것이 바람직하다. 하우징(1401)은 외부로 노출되는 커넥터(1413)를 포함한다.
도 10은 측정 유닛(1410)을 간략히 도시한 도면이다.
측정 유닛(1410)은 메모리(1419)를 포함할 수 있다. 메모리(1419)는 커넥터(1413)에 연결될 수 있다. 커넥터(1413)는 메모리(1419)와 연결되어 메모리(1419) 내 데이터를 외부로 전송 가능하다.
도시하지 않았으나, 모듈 디바이스는 센서들과 통신 모듈과 프로세서 모듈 중 어느 하나의 구성만을 포함하는 것으로 충분할 수 있다. 센서들과 통신 모듈과 프로세서 모듈은 모듈 디바이스 형태로 제공되지 않고 각각 별개의 구성으로 제공되어도 좋다. 배터리가 모듈 디바이스에 포함될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
1100, 1200, 1300, 1400 : 필러 부재

Claims (23)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    초임계 상태의 유체로 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 공정챔버와;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과;
    상기 처리 공간으로 상기 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과;
    상기 처리 공간에서 상기 지지유닛에 놓인 기판과 대향되게 배치되는 금속 재질의 하우징을 포함하는 필러 부재와;
    상기 처리 공간 내의 상태를 측정하는 측정 유닛을 포함하되,
    상기 측정 유닛은 상기 필러 부재의 상기 하우징의 내부에 제공되고,
    상기 측정 유닛은:
    상기 기판과 대응되는 영역의 상기 기판과 마주보는 면에 어레이로 제공되고, 상기 기판과 대향하는 면에 제공되는 복수개의 온도 센서들과;
    상기 복수개의 온도 센서들에 전력을 제공하는 배터리와;
    상기 하나 이상의 센서에서 측정된 정보 값을 저장하는 메모리를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    초임계 상태의 유체로 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 공정챔버와;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과;
    상기 처리 공간으로 상기 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과;
    상기 처리 공간에서 상기 지지유닛에 놓인 기판과 대향되게 배치되는 금속 재질의 하우징을 포함하는 필러 부재와;
    상기 처리 공간 내의 상태를 측정하는 측정 유닛을 포함하되,
    상기 측정 유닛은 상기 필러 부재의 상기 하우징의 내부에 제공되고,
    상기 측정 유닛은:
    상기 기판과 대응되는 영역의 상기 기판과 마주보는 면에 어레이로 제공되고, 상기 기판과 대향하는 면에 제공되는 복수개의 온도 센서들과;
    상기 복수개의 온도 센서들에 전력을 제공하는 배터리와;
    상기 복수개의 온도 센서로부터 측정된 신호를 외부로 전송하는 통신 모듈을 포함하고,
    상기 필러 부재는:
    상기 하우징에 설치되며 무선 통신 신호의 전달이 가능한 제2 재질의 투과창을 포함하되,
    상기 금속 재질은 상기 제2 재질보다 열전달율이 높은 것인 기판 처리 장치.
  3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 측정 유닛은,
    상기 복수개의 온도 센서들이 제공된 보드를 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제2 항에 있어서,
    상기 하우징은 홀이 형성되고, 상기 투과창은 상기 홀에 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제2 재질은 수지 재질인 기판 처리 장치.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 제2 재질은 PEEK, 폴리아마이드, PTFE 중 어느 하나 이상인 기판 처리 장치.
  10. 제2 항에 있어서,
    상기 하우징은 상부가 개방된 내부 공간을 가지며,
    상기 필러 부재는:
    상기 내부 공간의 상부를 덮는 제2 재질의 상부 부재와;
    상기 상부 부재와 상기 하우징 사이에 제공되는 무선 통신 신호의 전달이 가능한 제3 재질의 투과창을 포함하고,
    상기 하우징의 금속 재질과 상기 제2 재질은 상기 제3 재질보다 열전달율이 높은 것인 기판 처리 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 재질은 금속 재질인 기판 처리 장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 재질은 상기 하우징과 동일한 금속 재질인 기판 처리 장치.
  13. 제10 항 내지 제12 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 제3 재질은 PEEK, 폴리아마이드, PTFE 중 어느 하나 이상인 기판 처리 장치.
  14. 제10 항 내지 제12 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 제3 재질은 수지 재질인 기판 처리 장치.
  15. 삭제
  16. 제2 항에 있어서,
    상기 통신 모듈은 상기 투과창에 인접하게 제공되는 기판 처리 장치.
  17. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 공정챔버는,
    상기 지지유닛이 설치되는 상부 바디와;
    상기 필러 부재가 설치되며, 상기 상부 바디와 함께 상기 처리 공간을 제공하는 하부 바디와;
    상기 상부 바디와 상기 하부 바디 중 어느 하나를 다른 하나에 대해 상대 이동시키는 구동기와;
    처리 유체를 상기 처리 공간으로 공급하며 상기 상부 바디에 제공되는 상부 공급 라인과;
    처리 유체를 상기 처리 공간으로 공급하며 상기 하부 바디에 제공되는 하부 공급 라인을 포함하고,
    상기 기판은 패턴면이 상부를 향하도록 지지되고,
    상기 필러 부재는 하부 공급 라인과 상기 기판 사이에 위치되는 기판 처리 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 지지유닛은 상기 기판의 저면 가장자리 영역을 지지하도록 제공되고,
    상기 필러 부재는,
    상기 처리 공간에서 상기 지지유닛의 아래에 위치되는 기판 처리 장치.
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 제1 항에 있어서,
    상기 하우징의 외부에 노출되며, 상기 메모리와 연결되어 상기 메모리 내 데이터를 외부로 전송 가능한 커넥터를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  22. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 측정 유닛은 장치의 자세를 측정하는 레벨링 센서를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  23. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 측정 유닛은,
    압력 센서를 더 포함하는 기판 처리 장치.

KR1020190076976A 2019-06-27 2019-06-27 기판 처리 장치 KR102267913B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190076976A KR102267913B1 (ko) 2019-06-27 2019-06-27 기판 처리 장치
US16/912,762 US11923219B2 (en) 2019-06-27 2020-06-26 Apparatus for treating substrate
CN202010608751.7A CN112151416A (zh) 2019-06-27 2020-06-29 用于处理基板的装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190076976A KR102267913B1 (ko) 2019-06-27 2019-06-27 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210002196A KR20210002196A (ko) 2021-01-07
KR102267913B1 true KR102267913B1 (ko) 2021-06-23

Family

ID=73888459

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190076976A KR102267913B1 (ko) 2019-06-27 2019-06-27 기판 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11923219B2 (ko)
KR (1) KR102267913B1 (ko)
CN (1) CN112151416A (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102532567B1 (ko) * 2020-12-31 2023-05-16 세메스 주식회사 기판형 센서, 및 약액의 탄착점 및 타력 측정 방법
KR102596286B1 (ko) * 2021-03-15 2023-11-01 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
WO2023153222A1 (ja) * 2022-02-08 2023-08-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
CN114999970B (zh) * 2022-08-02 2022-10-18 苏州汇创芯精密智能装备有限公司 一种含压力反馈的自重压合装置及压合系统

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017131306A1 (ko) * 2016-01-26 2017-08-03 엘지전자 주식회사 플렉서블 센서 모듈 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5650082A (en) * 1993-10-29 1997-07-22 Applied Materials, Inc. Profiled substrate heating
US6244121B1 (en) * 1998-03-06 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system
KR100791864B1 (ko) * 1999-08-05 2008-01-07 동경 엘렉트론 주식회사 세정 기구, 세정 시스템, 처리 기구 및 세정 방법
KR20040082170A (ko) * 2003-03-18 2004-09-24 주식회사 씨에스 이엔지 개선된 구조를 갖는 초임계 유체를 이용한 초정밀 세정장치
KR100780383B1 (ko) 2006-07-26 2007-11-29 이규옥 반도체공정장비 원격제어시스템 및 그 방법
US8150242B2 (en) * 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Use of infrared camera for real-time temperature monitoring and control
KR101874901B1 (ko) * 2011-12-07 2018-07-06 삼성전자주식회사 기판 건조 장치 및 방법
KR102297374B1 (ko) * 2014-11-03 2021-09-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101623411B1 (ko) * 2014-11-03 2016-05-24 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102411946B1 (ko) * 2015-07-08 2022-06-22 삼성전자주식회사 초임계 유체를 이용한 기판 처리장치와 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판처리 방법
KR20180006716A (ko) * 2016-07-11 2018-01-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102010264B1 (ko) 2016-10-10 2019-08-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 그리고 이의 공정 유체 모니터링 장치 및 모니터링 방법
KR102603528B1 (ko) * 2016-12-29 2023-11-17 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템
KR101885100B1 (ko) 2016-12-30 2018-09-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10204807B2 (en) * 2017-04-25 2019-02-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for processing wafer
KR20190001754A (ko) 2017-06-28 2019-01-07 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101983326B1 (ko) * 2017-09-29 2019-05-29 에이피시스템 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017131306A1 (ko) * 2016-01-26 2017-08-03 엘지전자 주식회사 플렉서블 센서 모듈 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN112151416A (zh) 2020-12-29
US11923219B2 (en) 2024-03-05
US20200411344A1 (en) 2020-12-31
KR20210002196A (ko) 2021-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102267913B1 (ko) 기판 처리 장치
US11804386B2 (en) Transfer unit, and apparatus and method for treating substrate
US10529595B2 (en) Apparatus and method for treating substrate and measuring the weight of the remaining liquid on the substrate
JP7346536B2 (ja) 温度変化が伴われる雰囲気に提供される基板支持部材の水平測定用基板型センサー、これを利用した水平測定方法、及び非一時的コンピュータ読出し媒体
KR102042789B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102375625B1 (ko) 기판 처리 장치 및 토출량 측정 방법
KR102149485B1 (ko) 약액공급유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법
KR102662724B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102247680B1 (ko) 유체 공급유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치
KR102250369B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN114695172A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
KR102532567B1 (ko) 기판형 센서, 및 약액의 탄착점 및 타력 측정 방법
JP4757499B2 (ja) 処理装置および処理方法
CN110223944A (zh) 晶圆清洗机台及其晶圆清洗方法
JP7270713B2 (ja) 基板処理装置及びこれに提供されるフィラー部材
US20230178387A1 (en) Apparatus and method of treating substrate
KR102584512B1 (ko) 버퍼 유닛 및 온도 변화가 수반되는 기판 지지 부재의 수평 측정용 기판형 센서의 보관 방법
KR102360937B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20200122763A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230103289A (ko) 기판 처리 장치
KR102629496B1 (ko) 홈 포트 및 기판 처리 장치
KR102586016B1 (ko) 기판 처리 장치, 지지 유닛 및 지지 유닛의 결합 방법
KR102584514B1 (ko) 기판 반송 장치, 기판 처리 장치 및 방법
KR20060102032A (ko) 기판 처리 시스템 및 로드 포트에 용기를 로딩하는 방법
JP2023183383A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant