JPH05259097A - 枚葉式ｃｖｄ装置 - Google Patents
枚葉式ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH05259097A JPH05259097A JP8990292A JP8990292A JPH05259097A JP H05259097 A JPH05259097 A JP H05259097A JP 8990292 A JP8990292 A JP 8990292A JP 8990292 A JP8990292 A JP 8990292A JP H05259097 A JPH05259097 A JP H05259097A
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- JP
- Japan
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- susceptor
- wafer
- chamber
- heater cover
- holding groove
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 サセプタ及びヒータカバー等に生成したＣＶ
Ｄ膜を除去し、除去したＣＶＤ膜を排出し、チャンバ内
を大気圧にすることなく、サセプタ及びヒータカバー等
を洗浄する。 【構成】 サセプタ３に保持溝１５を設け、この保持溝
１５に係脱してサセプタ３を保持，離脱するサセプタ保
持具１３の基部１３Ａをサセプタ移動治具１２に結合す
る。
Ｄ膜を除去し、除去したＣＶＤ膜を排出し、チャンバ内
を大気圧にすることなく、サセプタ及びヒータカバー等
を洗浄する。 【構成】 サセプタ３に保持溝１５を設け、この保持溝
１５に係脱してサセプタ３を保持，離脱するサセプタ保
持具１３の基部１３Ａをサセプタ移動治具１２に結合す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造に使用する枚
葉式ＣＶＤ装置に関する。
葉式ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の枚葉式ＣＶＤ装置の１例の
構成を示す縦断面図である。この従来装置は、ゲートバ
ルブ１１を開いてチャンバ１内を排気口１０に連結した
排気装置（図示せず）により排気し、ゲートバルブ９を
開けてウェーハ搬送口８からウェーハ２を搬送アーム
（図示せず）によりチャンバ１内に搬入し、ウェーハ上
下・サセプタ回転治具７を上動させて該治具７上に、搬
入されたウェーハ２を移載し、搬送アームをチャンバ１
外に引込めた後、ゲートバルブ９を閉じる。
構成を示す縦断面図である。この従来装置は、ゲートバ
ルブ１１を開いてチャンバ１内を排気口１０に連結した
排気装置（図示せず）により排気し、ゲートバルブ９を
開けてウェーハ搬送口８からウェーハ２を搬送アーム
（図示せず）によりチャンバ１内に搬入し、ウェーハ上
下・サセプタ回転治具７を上動させて該治具７上に、搬
入されたウェーハ２を移載し、搬送アームをチャンバ１
外に引込めた後、ゲートバルブ９を閉じる。
【０００３】移載後、ウェーハ上下・サセプタ回転治具
７を下動させてウェーハ２をサセプタ３上に移載し、Ｃ
ＶＤ膜を生成する際ウェーハ２上に、気相生長させるガ
スをウェーハ２の上方に設置されたガス噴出ノズル４よ
り供給してチャンバ１内を一定圧力に保ち、ヒータ５に
通電することによりウェーハ２をＣＶＤ膜生成に必要な
温度６００〜１０００℃に加熱し、ウェーハ上下・サセ
プタ回転治具７を回転しながら供給されたガスによりウ
ェーハ２上にＣＶＤ膜を生成する。
７を下動させてウェーハ２をサセプタ３上に移載し、Ｃ
ＶＤ膜を生成する際ウェーハ２上に、気相生長させるガ
スをウェーハ２の上方に設置されたガス噴出ノズル４よ
り供給してチャンバ１内を一定圧力に保ち、ヒータ５に
通電することによりウェーハ２をＣＶＤ膜生成に必要な
温度６００〜１０００℃に加熱し、ウェーハ上下・サセ
プタ回転治具７を回転しながら供給されたガスによりウ
ェーハ２上にＣＶＤ膜を生成する。
【０００４】このようにして１枚のウェーハ２上に膜が
生成されると、ウェーハ上下・サセプタ回転治具７を上
動させて成膜済ウェーハ２を該治具７に移載し、ゲート
バルブ９を開いてウェーハ搬送口８から搬送アーム７を
チャンバ１内に入れて該搬送アームに成膜済ウェーハ２
を移載した後、ウェーハ搬送口８より搬出し、以下同様
に次のウェーハ２を供給してＣＶＤ膜生成工程を継続す
る。
生成されると、ウェーハ上下・サセプタ回転治具７を上
動させて成膜済ウェーハ２を該治具７に移載し、ゲート
バルブ９を開いてウェーハ搬送口８から搬送アーム７を
チャンバ１内に入れて該搬送アームに成膜済ウェーハ２
を移載した後、ウェーハ搬送口８より搬出し、以下同様
に次のウェーハ２を供給してＣＶＤ膜生成工程を継続す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような構成と作
用をなす従来装置にあっては、ウェーハ２を加熱して膜
生成する時、サセプタ３及びヒータカバー６等も高温に
加熱されるので、その表面にＣＶＤ膜が生成され、ウェ
ーハ２を交換して膜生成を繰返す度毎にそれらに付着し
た膜は生長し、サセプタ３及びヒータカバー６等を汚損
し、又は剥れ落ちたりしてパーティクルとなってチャン
バ１内を汚染することになる。
用をなす従来装置にあっては、ウェーハ２を加熱して膜
生成する時、サセプタ３及びヒータカバー６等も高温に
加熱されるので、その表面にＣＶＤ膜が生成され、ウェ
ーハ２を交換して膜生成を繰返す度毎にそれらに付着し
た膜は生長し、サセプタ３及びヒータカバー６等を汚損
し、又は剥れ落ちたりしてパーティクルとなってチャン
バ１内を汚染することになる。
【０００６】従ってウェーハ２を一定枚数、例えば１０
０枚膜生成処理する度毎にチャンバ１内の雰囲気を大気
圧に戻し、サセプタ３及びヒータカバー６等を取出して
洗浄し、又チャンバ１内部の洗浄を行う必要がある。
０枚膜生成処理する度毎にチャンバ１内の雰囲気を大気
圧に戻し、サセプタ３及びヒータカバー６等を取出して
洗浄し、又チャンバ１内部の洗浄を行う必要がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明装置は、上記の課
題を解決するため、図１，図２に示すようにチャンバ１
内にヒータカバー６を設け、ヒータカバー６上に設置し
たサセプタ３上にウェーハ２を載置し、ウェーハ２の上
方にガス導入ノズル４を設置し、サセプタ３の下方から
ヒータ５によりウェーハ２を加熱する枚葉式ＣＶＤ装置
において、サセプタ３に保持溝１５を設け、この保持溝
１５に係脱してサセプタ３を保持，離脱するサセプタ保
持具１３の基部１３Ａを、サセプタ移動治具１２に結合
してなる。
題を解決するため、図１，図２に示すようにチャンバ１
内にヒータカバー６を設け、ヒータカバー６上に設置し
たサセプタ３上にウェーハ２を載置し、ウェーハ２の上
方にガス導入ノズル４を設置し、サセプタ３の下方から
ヒータ５によりウェーハ２を加熱する枚葉式ＣＶＤ装置
において、サセプタ３に保持溝１５を設け、この保持溝
１５に係脱してサセプタ３を保持，離脱するサセプタ保
持具１３の基部１３Ａを、サセプタ移動治具１２に結合
してなる。
【０００８】このような構成であるから、サセプタ移動
治具１２を作動することにより、サセプタ保持具１３を
サセプタ３の保持溝１５に係合させてサセプタ３を保持
した後、サセプタ上下移動治具１２Ａを回転してヒータ
カバー６上から持ち上げ、チャンバ１とガス噴出ノズル
４間に高周波電源１４を接続してチャンバ１内にプラズ
マを発生させ、サセプタ３及びヒータカバー６等をプラ
ズマ放電内に晒すことでプラズマエッチングによりサセ
プタ３及びヒータカバー６等に生成したＣＶＤ膜を除去
できることになる。
治具１２を作動することにより、サセプタ保持具１３を
サセプタ３の保持溝１５に係合させてサセプタ３を保持
した後、サセプタ上下移動治具１２Ａを回転してヒータ
カバー６上から持ち上げ、チャンバ１とガス噴出ノズル
４間に高周波電源１４を接続してチャンバ１内にプラズ
マを発生させ、サセプタ３及びヒータカバー６等をプラ
ズマ放電内に晒すことでプラズマエッチングによりサセ
プタ３及びヒータカバー６等に生成したＣＶＤ膜を除去
できることになる。
【０００９】常時、チャンバ１内を真空排気することに
より除去したＣＶＤ膜を排出し、チャンバ１内を大気圧
にすることなく、サセプタ３及びヒータカバー６等を洗
浄できることになる。
より除去したＣＶＤ膜を排出し、チャンバ１内を大気圧
にすることなく、サセプタ３及びヒータカバー６等を洗
浄できることになる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明装置の第１実施例の構成を示す
断面図である。図１において１はチャンバ、６はこのチ
ャンバ１内に設置したヒータカバー、３はこのヒータカ
バー６上に設置されたサセプタで、ヒータカバー６の直
径より大きな直径を有する。このサセプタ３の下面外縁
部には例えばリング状の保持溝１５が設けられている。
断面図である。図１において１はチャンバ、６はこのチ
ャンバ１内に設置したヒータカバー、３はこのヒータカ
バー６上に設置されたサセプタで、ヒータカバー６の直
径より大きな直径を有する。このサセプタ３の下面外縁
部には例えばリング状の保持溝１５が設けられている。
【００１１】サセプタ保持具１３の遊挿穴１６がヒータ
カバー６に嵌込まれ、遊挿穴１６の上面縁部にはサセプ
タ３の保持溝１５に係脱するリング状の嵌合溝１７が設
けられている。サセプタ保持具１３の基部１３Ａは、例
えばチャンバ１の内面に取付けた枢支部材１８に枢支さ
れ、軸部１９Ａをチャンバ１外に突出されたネジ部１９
にネジ結合されている。枢支部材１８，ネジ部１９と、
その軸部１９Ａに連結された回転駆動源（図示せず）は
サセプタ上下移動治具１２Ａを構成している。
カバー６に嵌込まれ、遊挿穴１６の上面縁部にはサセプ
タ３の保持溝１５に係脱するリング状の嵌合溝１７が設
けられている。サセプタ保持具１３の基部１３Ａは、例
えばチャンバ１の内面に取付けた枢支部材１８に枢支さ
れ、軸部１９Ａをチャンバ１外に突出されたネジ部１９
にネジ結合されている。枢支部材１８，ネジ部１９と、
その軸部１９Ａに連結された回転駆動源（図示せず）は
サセプタ上下移動治具１２Ａを構成している。
【００１２】サセプタ３上にヒータ５により加熱される
ウェーハ２が載置され、ウェーハ２の上方のチャンバ１
部分にガス噴出ノズル４が取付けられている。７はウェ
ーハ上下・サセプタ回転治具、８はウェーハ搬送口で、
ゲートバルブ９（図４参照）が設けられている。１０は
排気装置（図示せず）に連結された排気口で、ゲートバ
ルブ１１が設けられている。１４はチャンバ１とガス噴
出ノズル４間に接続した高周波電源である。
ウェーハ２が載置され、ウェーハ２の上方のチャンバ１
部分にガス噴出ノズル４が取付けられている。７はウェ
ーハ上下・サセプタ回転治具、８はウェーハ搬送口で、
ゲートバルブ９（図４参照）が設けられている。１０は
排気装置（図示せず）に連結された排気口で、ゲートバ
ルブ１１が設けられている。１４はチャンバ１とガス噴
出ノズル４間に接続した高周波電源である。
【００１３】上記構成の第１実施例においても図４に示
す従来装置と同様にウェーハ２上にＣＶＤ膜を生成する
ことができる。本発明においてはＣＶＤ膜生成時にサセ
プタ上下移動治具１２Ａのネジ部１９を回転駆動源によ
り回転してサセプタ保持具１３を下動させ、サセプタ３
より離脱させておくことで、サセプタ保持具１３は高温
になることはない。
す従来装置と同様にウェーハ２上にＣＶＤ膜を生成する
ことができる。本発明においてはＣＶＤ膜生成時にサセ
プタ上下移動治具１２Ａのネジ部１９を回転駆動源によ
り回転してサセプタ保持具１３を下動させ、サセプタ３
より離脱させておくことで、サセプタ保持具１３は高温
になることはない。
【００１４】ウェーハ２を一定枚数処理後、サセプタ３
及びヒータカバー６等にＣＶＤ膜が付着した場合は、ウ
ェーハ上下・サセプタ回転治具７を上動し、又サセプタ
上下移動治具１２Ａのネジ部１９を回転駆動源により回
転してサセプタ保持具１３を上動させ、サセプタ３に係
合保持してサセプタ３を持ち上げる。ＣＶＤ膜生成時サ
セプタ３の裏面及びヒータカバー６の表面など狭い隙間
においてもガスが入り込むため高温にさらされてＣＶＤ
膜が生成している。
及びヒータカバー６等にＣＶＤ膜が付着した場合は、ウ
ェーハ上下・サセプタ回転治具７を上動し、又サセプタ
上下移動治具１２Ａのネジ部１９を回転駆動源により回
転してサセプタ保持具１３を上動させ、サセプタ３に係
合保持してサセプタ３を持ち上げる。ＣＶＤ膜生成時サ
セプタ３の裏面及びヒータカバー６の表面など狭い隙間
においてもガスが入り込むため高温にさらされてＣＶＤ
膜が生成している。
【００１５】チャンバ１とガス噴出ノズル４間に高周波
電源１４を接続してチャンバ１内にプラズマを発生さ
せ、サセプタ３の表裏及びヒータカバー６の表面等をプ
ラズマ放電内に晒すことで、プラズマエッチングにより
サセプタ３及びヒータカバー６等に生成したＣＶＤ膜を
除去できることになる。
電源１４を接続してチャンバ１内にプラズマを発生さ
せ、サセプタ３の表裏及びヒータカバー６の表面等をプ
ラズマ放電内に晒すことで、プラズマエッチングにより
サセプタ３及びヒータカバー６等に生成したＣＶＤ膜を
除去できることになる。
【００１６】常時、チャンバ１内を真空排気することで
除去した膜を排出し、チャンバ１内を大気圧にすること
なく、サセプタ３及びヒータカバー６等を洗浄できるこ
とになる。
除去した膜を排出し、チャンバ１内を大気圧にすること
なく、サセプタ３及びヒータカバー６等を洗浄できるこ
とになる。
【００１７】図２は第２実施例の要部の構成を示す断面
図、図３は第２実施例におけるサセプタ保持具の平面図
である。この第２実施例は、サセプタ３の直径をヒータ
カバー６の直径より小さくし、サセプタ３の下面外縁部
に設けた保持溝１５に係脱するＵ字型アームによるサセ
プタ保持具１３の基部１３Ａを伸縮可能なロボットアー
ム１２Ｂに連結し、該ロボットアーム１２Ｂの基部をサ
セプタ上下移動治具１２Ａに結合してなる。サセプタ上
下移動治具１２Ａとロボットアーム１２Ｂはサセプタ移
動治具１２を構成する。なお、ロボットアーム１２Ｂを
伸縮する機構は図示していない。
図、図３は第２実施例におけるサセプタ保持具の平面図
である。この第２実施例は、サセプタ３の直径をヒータ
カバー６の直径より小さくし、サセプタ３の下面外縁部
に設けた保持溝１５に係脱するＵ字型アームによるサセ
プタ保持具１３の基部１３Ａを伸縮可能なロボットアー
ム１２Ｂに連結し、該ロボットアーム１２Ｂの基部をサ
セプタ上下移動治具１２Ａに結合してなる。サセプタ上
下移動治具１２Ａとロボットアーム１２Ｂはサセプタ移
動治具１２を構成する。なお、ロボットアーム１２Ｂを
伸縮する機構は図示していない。
【００１８】このような構成の第２実施例においてロボ
ットアーム１２Ｂを伸長してサセプタ保持具であるＵ字
型アーム１３をサセプタ３の保持溝１５に挿入し、サセ
プタ上下移動治具１２Ａによりロボットアーム１２Ｂ及
びＵ字型アーム１３を上動させてサセプタ３をヒータカ
バー６より持ち上げ、Ｕ字型アーム１３の伸縮によりサ
セプタ３を任意の位置に移動し、プラズマエッチングに
より上記第１実施例と同様にサセプタ３及びヒータカバ
ー６等を洗浄できることになる。
ットアーム１２Ｂを伸長してサセプタ保持具であるＵ字
型アーム１３をサセプタ３の保持溝１５に挿入し、サセ
プタ上下移動治具１２Ａによりロボットアーム１２Ｂ及
びＵ字型アーム１３を上動させてサセプタ３をヒータカ
バー６より持ち上げ、Ｕ字型アーム１３の伸縮によりサ
セプタ３を任意の位置に移動し、プラズマエッチングに
より上記第１実施例と同様にサセプタ３及びヒータカバ
ー６等を洗浄できることになる。
【００１９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、チャンバ
１内にヒータカバー６を設け、ヒータカバー６上に設置
したサセプタ３上にウェーハ２を載置し、ウェーハ２の
上方にガス導入ノズル４を設置し、サセプタ３の下方か
らヒータ５によりウェーハ２を加熱する枚葉式ＣＶＤ装
置において、サセプタ３に保持溝１５を設け、この保持
溝１５に係脱してサセプタ３を保持，離脱するサセプタ
保持具１３の基部１３Ａを、サセプタ移動治具１２に結
合してなるので、サセプタ３をサセプタ移動治具１２に
よりヒータカバー６上から移動し、サセプタ３及びヒー
タカバー６等をプラズマ放電内に晒すことで、プラズマ
エッチングによりサセプタ３及びヒータカバー６等に生
成したＣＶＤ膜を除去でき、常時、チャンバ１内を真空
排気することで除去した膜を排出でき、チャンバ１内を
大気圧にすることなく、サセプタ３及びヒータカバー６
等を洗浄することができる。
１内にヒータカバー６を設け、ヒータカバー６上に設置
したサセプタ３上にウェーハ２を載置し、ウェーハ２の
上方にガス導入ノズル４を設置し、サセプタ３の下方か
らヒータ５によりウェーハ２を加熱する枚葉式ＣＶＤ装
置において、サセプタ３に保持溝１５を設け、この保持
溝１５に係脱してサセプタ３を保持，離脱するサセプタ
保持具１３の基部１３Ａを、サセプタ移動治具１２に結
合してなるので、サセプタ３をサセプタ移動治具１２に
よりヒータカバー６上から移動し、サセプタ３及びヒー
タカバー６等をプラズマ放電内に晒すことで、プラズマ
エッチングによりサセプタ３及びヒータカバー６等に生
成したＣＶＤ膜を除去でき、常時、チャンバ１内を真空
排気することで除去した膜を排出でき、チャンバ１内を
大気圧にすることなく、サセプタ３及びヒータカバー６
等を洗浄することができる。
【００２０】又、定期的にサセプタ３及びヒータカバー
６等を洗浄することにより膜生成時のパーティクルの発
生を低減することができるばかりでなく、サセプタ３と
サセプタ保持具１３の係合位置合せが容易にでき、しか
もチャンバ１を閉じたまま、サセプタ３の移動ができ
る。
６等を洗浄することにより膜生成時のパーティクルの発
生を低減することができるばかりでなく、サセプタ３と
サセプタ保持具１３の係合位置合せが容易にでき、しか
もチャンバ１を閉じたまま、サセプタ３の移動ができ
る。
【図１】本発明装置の第１実施例の構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】第２実施例の要部の構成を示す断面図である。
【図３】第２実施例におけるサセプタ保持具の平面図で
ある。
ある。
【図４】従来の枚葉式ＣＶＤ装置の１例の構成を示す縦
断面図である。
断面図である。
１ チャンバ ２ ウェーハ ３ サセプタ ４ ガス導入ノズル ５ ヒータ ６ ヒータカバー ７ ウェーハ上下・サセプタ回転治具 ８ ウェーハ搬送口 １０ 排気口 １２ サセプタ移動治具 １２Ａ サセプタ上下移動治具 １２Ｂ ロボットアーム １３ サセプタ保持具（Ｕ字型アーム） １３Ａ 基部 １４ 高周波電源 １５ 保持溝 １６ 遊挿穴 １７ 嵌合溝
Claims (4)
- 【請求項１】 チャンバ（１）内にヒータカバー（６）
を設け、ヒータカバー（６）上に設置したサセプタ
（３）上にウェーハ（２）を載置し、ウェーハ（２）の
上方にガス導入ノズル（４）を設置し、サセプタ（３）
の下方からヒータ（５）によりウェーハ（２）を加熱す
る枚葉式ＣＶＤ装置において、サセプタ（３）に保持溝
（１５）を設け、この保持溝（１５）に係脱してサセプ
タ（３）を保持，離脱するサセプタ保持具（１３）の基
部（１３Ａ）を、サセプタ移動治具（１２）に結合して
なる枚葉式ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 サセプタ（３）の直径をヒータカバー
（６）の直径より大きくし、サセプタ（３）の下面外縁
部に保持溝（１５）を設け、サセプタ移動治具（１２）
をサセプタ上下移動治具（１２Ａ）とすることを特徴と
する請求項１の枚葉式ＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 サセプタ（３）の直径をヒータカバー
（６）の直径より小さくし、サセプタ（３）の下面外縁
部に保持溝（１５）を設け、サセプタ移動治具（１２）
はサセプタ保持具（１３）の基部（１３Ａ）を連結した
伸縮可能なロボットアーム（１２Ｂ）と、該ロボットア
ーム（１２Ｂ）の基部を結合したサセプタ上下移動治具
（１２Ａ）とよりなることを特徴とする請求項１の枚葉
式ＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 チャンバとガス噴出ノズル間に高周波電
圧を印加して、チャンバ内にプラズマを発生させ、チャ
ンバ内に生成したＣＶＤ膜を除去することができること
を特徴とする枚葉式ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8990292A JPH05259097A (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | 枚葉式ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8990292A JPH05259097A (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | 枚葉式ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259097A true JPH05259097A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13983663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8990292A Pending JPH05259097A (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | 枚葉式ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259097A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018508980A (ja) * | 2015-01-09 | 2018-03-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | リソグラフィオーバーレイ改善のための半導体アプリケーション用ゲートスタック材料 |
| US9991141B2 (en) | 2012-03-23 | 2018-06-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and heater cleaning method |
-
1992
- 1992-03-12 JP JP8990292A patent/JPH05259097A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9991141B2 (en) | 2012-03-23 | 2018-06-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and heater cleaning method |
| US10573542B2 (en) | 2012-03-23 | 2020-02-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heater cleaning method |
| JP2018508980A (ja) * | 2015-01-09 | 2018-03-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | リソグラフィオーバーレイ改善のための半導体アプリケーション用ゲートスタック材料 |
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