JP2020010001A - クリーニング方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
CVD(Chemical Vapor Deposition)やエッチング装置において、プロセス起因の生成物がステージに付着し、それらがパーティクルとなりウェハプロセス時に飛散し、ウェハ上に付着(パーティクル汚染)することがある。そこで、従来からステージ上に付着したパーティクルを除去するクリーニング方法が知られている。
本明細書において「衝撃波」とは、圧力及び温度が不連続な波が、超音速で静止気体中を伝わる現象をいう。図2(a)に示すモデルでは、中空の物体L内をある速度で流れる、所定温度及び所定圧力の高圧ガスが、任意の位置で静止気体(速度=0)になるとき、圧力及び温度が不連続な波が生じ、衝撃波となって超音速で静止気体中を伝わる様子が模式的に示されている。図2(b)に示す例では、軸対称のガス管153内を超音速の高圧ガスが噴流し、ガス孔154からガス管153内の圧力よりも低圧の空間に吐出する。このときガスの流れにほぼ垂直に衝撃波SWが発生する。発生した衝撃波は、垂直衝撃波又はマッハディスクともいう。
質量Flux(kg/m2s)=ガス密度(kg/m3)×垂直方向のガス流速(m/s)・・・(1)
図3(d)のA3に示すように、4×10−5秒後にはArガスの流れの先端の質量Fluxのピーク値が次第に高くなり、5.9×10−5秒後には、図3(e)に示す垂直衝撃波SWがステージまで到達した。それ以降の6×10−5秒後、6.2×10−5秒後、6.5×10−5秒後には、図3(f)〜(h)に示すように、所定値以上の質量Fluxの垂直衝撃波SWがステージに当たり、ステージ上のパーティクルが剥離された。
一実施形態に係る成膜装置100について、図5及び図6を参照しながら説明する。図5は、一実施形態に係る成膜装置100の縦断面の一例を示す図である。図6は、図5の成膜装置を平面視した図である。本実施形態に係る成膜装置100は、回転しながら複数枚のウェハWを同時に成膜可能な装置である。
<第1実施形態>
まず、第1実施形態に係るクリーニング方法の一例について、図7を参照しながら説明する。図7は、第1実施形態に係るクリーニング方法の一例を示すフローチャートである。第1実施形態に係るクリーニング方法は、制御部103により制御される。
次に、第2実施形態に係るクリーニング方法の一例について、図8を参照しながら説明する。図8は、第2実施形態に係るクリーニング方法の一例を示すフローチャートである。本処理が開始されると、制御部103は、回転テーブル2とシャワーヘッドSHの間の距離が最適になるように回転テーブル2を調整した後、回転テーブル2を回転させる(ステップS9)。
次に、第3実施形態に係るクリーニング方法の一例について、図9を参照しながら説明する。図9は、第3実施形態に係るクリーニング方法の一例を示すフローチャートである。本処理が開始されると、制御部103は、回転テーブル2とシャワーヘッドSHの間の距離が最適になるように、回転テーブル2を調整し、回転テーブル2を回転させる(ステップS9)。
Arガスを間欠的に供給するための成膜装置100のガスラインの一例について、図10を参照しながら説明する。図10は、比較例及び一実施形態に係る成膜装置のガスラインの一例を示す図である。
第1実施形態〜第3実施形態に係るクリーニング方法では、少なくとも第2工程及び第3工程を実行する間、回転テーブル2を回転させ、真空容器1内を連続して排気する。その状態でインジェクタ31、41、42のガス孔からN2ガスを供給する。
ガスノズル56、57(図12?図14)の形状と、ガスの噴射の状態を示すシミュレーションの結果の一例について、図15及び図16を参照しながら説明する。図15はシミュレーションに用いたノズルの形状を示す図である。図16は、図15のガスノズルの各形状とガスの噴射のシミュレーション結果の一例を示す図である。
2 回転テーブル
4 凸状部
5 突出部
7 ヒータユニット
10 搬送アーム
11 天板
12 容器本体
15 搬送口
21 コア部
24 凹部(基板載置部)
31 インジェクタ
41、42 インジェクタ
55 ガス供給管
56 ガスノズル
100 成膜装置
103 制御部
610 第1の排気口
620 第2の排気口
600 排気口
640 真空ポンプ
SH シャワーヘッド
V3 バルブ
Claims (20)
- チャンバ内のステージに付着した汚染物を除去するクリーニング方法であって、
前記チャンバ内を所定の真空圧力に設定する第1工程と、
前記ステージに向けて衝撃波を形成する第1のガスを供給する第2工程と、
前記ステージに向けて衝撃波を形成しない第2のガスを供給する第3工程と、
を有するクリーニング方法。 - 前記第2工程は、
前記第1のガスを間欠的に供給し、衝撃波を形成する、
請求項1に記載のクリーニング方法。 - 前記第2工程と前記第3工程とを並行して実行する、
請求項1又は2に記載のクリーニング方法。 - 前記第2工程と前記第3工程とを交互に実行する、
請求項1又は2に記載のクリーニング方法。 - 前記ステージは回転可能であり、
前記第2工程及び前記第3工程を実行する間、前記ステージを回転する、
請求項1〜4のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記第2工程及び前記第3工程を実行する間、前記チャンバ内を排気する、
請求項1〜5のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記第2工程は、
前記チャンバの天井部に設けられたシャワーヘッドから前記第1のガスを供給する、
請求項1〜6のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記第2工程は、
前記シャワーヘッドと前記ステージの間の距離を調整した後に実行される、
請求項7に記載のクリーニング方法。 - 前記シャワーヘッドに繋がるガス供給管を開閉するバルブを前記チャンバの直上の位置に設け、
前記第2工程は、
前記バルブを開き、前記ガス供給管から前記シャワーヘッド内に前記第1のガスを供給する、
請求項7又は8に記載のクリーニング方法。 - 前記第3工程は、
前記ステージの上方にて径方向に設けられたインジェクタから前記第2のガスを供給する、
請求項1〜9のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記第3工程は、
前記ステージの中央又は前記チャンバの側壁に設けられたガスノズルから前記第2のガスを供給する、
請求項1〜10のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記ガスノズルは、ガス口に向かって広がるテーパー状を有する、
請求項11に記載のクリーニング方法。 - 前記ガスノズルのガス孔が真下に位置する角度を0°とし、前記ガス孔の角度θは、円周方向に−90°<θ<90°を満たす位置に形成される、
請求項11又は12に記載のクリーニング方法。 - 前記ガスノズルを前記チャンバの中央に設けたガス供給管の外周内壁に配置し、前記チャンバの中央よりも外側に設けられた1つ又は複数の排気口から前記第2のガスを排気する第4工程を有する、
請求項11〜13のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記ガスノズルを前記チャンバの側壁に配置し、前記チャンバの中央又は前記ステージの下方に設けられた1つ又は複数の排気口から前記第2のガスを排気する第4工程を有する、
請求項11〜13のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記第1のガスは、大気圧以上のガスである、
請求項1〜15のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記第2工程は、
前記第1のガスを供給するガス供給管内の圧力を前記チャンバ内の圧力に対して5倍以上にした状態で前記第1のガスを供給する、
請求項1〜16のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記ステージの上に複数の基板を保持する基板載置部が形成され、
前記クリーニング方法を実行した後の前記ステージを回転しながら前記基板載置部に載置された複数の基板を同時に処理する、
請求項1〜17のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - 前記第1のガス及び前記第2のガスは、不活性ガスである、
請求項1〜18のいずれか一項に記載のクリーニング方法。 - チャンバ内に基板を載置するステージと、前記チャンバ内に第1のガスを供給する第1ガス供給管と、前記チャンバ内に第2のガスを供給する第2ガス供給管と、制御部とを有する基板処理装置であって、
前記制御部は、
前記チャンバ内を所定の真空圧力に設定し、
前記ステージに向けて衝撃波を形成する第1のガスを供給し、
前記ステージに向けて衝撃波を形成しない第2のガスを供給するように制御する基板処理装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023286369A1 (ja) * | 2021-07-16 | 2023-01-19 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
WO2024048316A1 (ja) * | 2022-09-01 | 2024-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007165648A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置のクリーニング方法,基板処理装置,プログラム,プログラムを記録した記録媒体 |
JP2008053661A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2008159787A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Tokyo Electron Ltd | 真空装置のクリーニング方法、真空装置の制御装置および制御プログラムを記憶した記憶媒体 |
JP2009123723A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置または真空処理方法 |
JP2011135003A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2018093121A (ja) * | 2016-12-06 | 2018-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3327492B2 (ja) * | 1993-09-30 | 2002-09-24 | 忠弘 大見 | 基体表面からの気相ゴミ除去装置及び除去方法並びにプロセス装置及びプロセスライン |
JP3189113B2 (ja) * | 1995-03-15 | 2001-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JP3790627B2 (ja) * | 1998-02-13 | 2006-06-28 | 住友重機械工業株式会社 | 表面洗浄方法及び装置 |
KR100328640B1 (ko) * | 1999-06-21 | 2002-03-20 | 오자와 미토시 | 표면세정방법 및 장치 |
US20020096195A1 (en) * | 2001-01-04 | 2002-07-25 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for critical flow particle removal |
US6578369B2 (en) * | 2001-03-28 | 2003-06-17 | Fsi International, Inc. | Nozzle design for generating fluid streams useful in the manufacture of microelectronic devices |
JP4754196B2 (ja) * | 2003-08-25 | 2011-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧処理室内の部材清浄化方法および基板処理装置 |
US7846257B2 (en) * | 2005-12-14 | 2010-12-07 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning substrate processing apparatus, substrate processing apparatus, program and recording medium having program recorded therein |
US20080154410A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning vacuum apparatus, device for controlling vacuum apparatus, and computer-readable storage medium storing control program |
JP2009302185A (ja) | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Canon Inc | 処理装置 |
JP5031013B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2012-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜装置のクリーニング方法、プログラム、プログラムを記憶するコンピュータ可読記憶媒体 |
WO2010091365A2 (en) * | 2009-02-08 | 2010-08-12 | Ap Solutions, Inc. | Plasma source with integral blade and method for removing materials from substrates |
JP5107285B2 (ja) * | 2009-03-04 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体 |
JP2015026745A (ja) | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
JP6311236B2 (ja) | 2013-08-20 | 2018-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置 |
JP6321509B2 (ja) * | 2014-09-24 | 2018-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板載置ユニットの製造方法 |
JP6339004B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | パージ方法 |
US20190055648A1 (en) * | 2016-01-06 | 2019-02-21 | Toshiba Mitsubishi-Electric Insustrial Systems Cor | Gas supply apparatus |
JP6832154B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2021-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | パージ方法 |
JP7042689B2 (ja) * | 2018-05-23 | 2022-03-28 | 東京エレクトロン株式会社 | サセプタのドライクリーニング方法及び基板処理装置 |
JP2020077750A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び成膜方法 |
-
2018
- 2018-07-12 JP JP2018132558A patent/JP7038618B2/ja active Active
-
2019
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007165648A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置のクリーニング方法,基板処理装置,プログラム,プログラムを記録した記録媒体 |
JP2008053661A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2008159787A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Tokyo Electron Ltd | 真空装置のクリーニング方法、真空装置の制御装置および制御プログラムを記憶した記憶媒体 |
JP2009123723A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置または真空処理方法 |
JP2011135003A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2018093121A (ja) * | 2016-12-06 | 2018-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023286369A1 (ja) * | 2021-07-16 | 2023-01-19 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
WO2024048316A1 (ja) * | 2022-09-01 | 2024-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210027456A (ko) | 2021-03-10 |
WO2020013014A1 (ja) | 2020-01-16 |
KR102584068B1 (ko) | 2023-09-27 |
US11517943B2 (en) | 2022-12-06 |
US20210268556A1 (en) | 2021-09-02 |
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CN112385017A (zh) | 2021-02-19 |
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