JP2009302185A - 処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】真空室において収集したパーティクルを効果的に除去する処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置のロードロック室26内にウエハ載置台18に載置されたウエハ8Aから熱泳動によってパーティクルPを収集する集塵体40aを設け、集塵体40aからパーティクルを除去する手段として亜音速のガスを集塵体40aとウエハ載置台18との間の密閉された空間H2に流して集塵体に付着したパーティクルPをガスと共にロードロック室26の外部に回収する。
【選択図】図2
【解決手段】処理装置のロードロック室26内にウエハ載置台18に載置されたウエハ8Aから熱泳動によってパーティクルPを収集する集塵体40aを設け、集塵体40aからパーティクルを除去する手段として亜音速のガスを集塵体40aとウエハ載置台18との間の密閉された空間H2に流して集塵体に付着したパーティクルPをガスと共にロードロック室26の外部に回収する。
【選択図】図2
Description
本発明は、処理装置及びその真空室のクリーニング方法に関する。
ロードロック室は、大気圧環境に配置された基板収納部から基板を受け取って真空環境で処理する処理室に搬入する、あるいは処理済の基板を処理室から受け取って基板収納部に搬出する。この場合の処理室とはExtreme Ultraviolet(EUV)露光装置の露光室やプラズマ処理室である。このように、処理室やロードロック室は原理的に又は一時的に真空又は減圧状態を必要とする。このため、本出願では処理室やロードロック室を「真空室」と呼ぶ場合がある。
ロードロック室は、内部空間の雰囲気を大気圧環境と真空環境との間で置換する。具体的には、基板を処理室に搬入する際には雰囲気を大気圧環境から真空環境に雰囲気を置換し(排気)、基板収納部に搬出する際には真空環境から大気圧環境へと雰囲気を置換する(給気)。ロードロック室はゲートバルブを介して処理室と接続され、基板搬送機構を有する。
しかし、給排気時には、ゲートバルブや基板搬送機構から発生するパーティクル(微粒子)が巻き上げられるため、これが基板に付着することを低減又は防止する手段が必要となる。そこで、熱泳動力(Thermophoretic Force)を利用して基板へのパーティクル付着を低減する方法が提案されている。かかる方法は、特許文献1に記載されているように、基板を保持する保持部を周辺温度より高い温度に加熱すると共に、周辺温度よりも低い温度に維持された低温粒子収集器によりパーティクルを収集する。
特登録2886521
しかし、パーティクルを収集しても、それが再浮遊する前にこれを効果的に除去して処理装置のダウンタイムを短縮する必要がある。
そこで、本発明は、真空室において収集したパーティクルを効果的に除去する処理装置及びその真空室のクリーニング方法を提供することを例示的な目的とする。
本発明の一側面としての処理装置は、真空環境下で基板を処理する処理装置であって、内部空間としての第1の空間を有し、基板が搬入及び搬出される真空室と、前記真空室内で前記基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部に支持された前記基板に対向し、パーティクルを収集することができるパーティクル収集面を有する集塵体と、前記集塵体と前記基板支持部の一方を他方に対して移動する駆動部と、前記集塵体と前記基板支持部との間に形成される第2の空間を前記第1の空間内の他の空間から隔離して密閉する密閉保持部と、前記第2の空間にガスを供給して前記集塵体に収集されたパーティクルを移動するガス供給手段と、前記第2の空間から前記ガスと前記パーティクルを回収する回収手段と、を有することを特徴とする。
本発明の別の側面としてのクリーニング方法は、真空環境下で基板を処理する処理室と、処理室に対して前記基板を受け渡しすると共に雰囲気が置換される真空室と、を有する処理室の前記真空室のクリーニング方法であって、前記真空室内に設置され、パーティクルを収集した集塵体と、前記基板を支持する基板支持部との一方を他方に近づくように移動して前記集塵体と前記基板支持部との間に密閉された空間を形成するステップと、前記空間にガスを供給するステップと、前記空間を排気して前記ガスと前記パーティクルを回収するステップと、を有し、前記クリーニング方法は前記基板が前記処理室で処理されている間に行われることを特徴とする。
本発明によれば、真空室において収集したパーティクルを効果的に除去する処理装置及びその真空室のクリーニング方法を提供することができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例を説明する。なお、本実施例は、真空環境下で基板を処理する処理装置としてEUV露光装置を使用するが、本発明の処理装置はこれに限定されるものではない。
図1は実施例1の露光装置(処理装置)の概略断面図である。図1において、1は励起レーザーであり、YAG固体レーザー等を用いる。励起レーザー1は、光源の発光点となる光源材料をガス化、液化又は噴霧ガス化させたポイントに向けてレーザー光を照射して、光源材料原子をプラズマ励起することにより発光させる。2は露光用光源の光源発光部で、内部は真空に維持された構造を持ち、2Aは露光用光源の発光ポイントである。2Bは光源ミラーで、発光ポイント2Aからの全球面光を発光方向に揃え集光反射するために、発光ポイント2Aを中心に半球面状のミラーとして配置される。発光ポイント2Aには、発光元素として液化Xe、液化Xe噴霧体又はXeガスを不図示のノズルにより噴出させ、かつ、励起レーザー1からの光が照射される。
3は、光源発光部2と接続された露光室(処理室)である。露光室3は排気ユニット(真空ポンプ)4Aにより真空環境下に維持される(即ち、減圧可能に構成される)。このように、露光室3は、EUV露光に適した減圧環境又は真空環境を維持することが可能な真空室である。5は光源発光部2からの露光光を導入して成形する照明光学系で、ミラー5A〜5Dにより構成され、露光光を均質化し、かつ整形する。6はレチクルステージで、レチクルステージ上の可動部には、露光パターンの反射原版であるレチクル(原版)6Aが静電吸着保持されている。
7はレチクル6Aから反射した露光パターンを縮小投影する投影光学系であり、レチクル6Aにより反射された露光パターンをミラー7A〜7Eに順次反射し最終的に規定の縮小倍率比でウエハ(基板)8A上に縮小投影する。8はウエハステージで、レチクルパターンを露光するSi基板であるウエハ8Aを露光位置に位置決めするために、XYZの各軸方向、X軸及びY軸回りのチルト、Z軸回りの回転方向の6軸駆動可能に位置決め制御される。
9は支持体でレチクルステージ6を床に対して支持する。10は支持体で投影光学系7を床に対して支持する。11は支持体でウエハステージ8を床に対して支持する。また、レチクルステージ6と投影光学系7との間、投影光学系7とウエハステージ8との間の相対位置を位置計測し連続的に維持する制御ユニット(不図示)が設けられている。また、支持体9乃至11には、床からの振動を絶縁するマウント(不図示)が設けられている。
16は大気側のウエハ搬送ユニット17Aにより搬送されたウエハ8Aを一旦装置内部に保管するウエハストッカーである。ウエハストッカー16は複数枚のウエハ8Aを保管する。ウエハストッカー16から露光処理するウエハ8Aを選定し、真空室内(ロードロック室26内)に設置されたウエハ載置台(基板支持部)18へ搬送する。40は後述する集塵体であり、ウエハ8A及びウエハ載置台18の周囲を囲い、パーティクルを収集する。20Dはウエハストッカー16がある空間とロードロック室26を連結するゲートバルブで、ロードロック室26が大気圧の状態の時に開閉する。20Eも同じくロードロック室26と露光室3とを連結するゲートバルブで、ロードロック室26が真空の状態の時に開閉する。ウエハ8Aの真空搬送が可能なウエハ搬送ユニット17Bにより、ウエハ載置台18から露光室(処理室)内の不図示のウエハメカプリアライメント温調器へ搬送する。ウエハメカプリアライメント温調器はウエハ8Aの回転方向の送り込み粗調整を行うと同時に、ウエハ温度を露光室の基準温度に温調する。ウエハ搬送ユニット17Bは、ウエハメカプリアライメント温調器にてアライメントと温調されたウエハ8Aをウエハステージ8に送り込む。
ウエハ8Aを露光室3から搬出する工程はロード手順と逆になる。
27はデバイス工場の中でレチクルカセットを搬送するために用いられるミニエンバイロメントであるSMIFポッドである。31はSMIFポッドの中に保持されているレチクルカセットであり、SMIFインデクサ34によりSMIFポッドが開閉されると同時に露光装置内にレチクルカセット31は引き込まれレチクル搬送ユニット14Aにより搬送可能となる。24はレチクルカセット31を大気雰囲気から真空雰囲気へ変換させるためのロードロック室であり、内部にカセット保持ユニット28を備える。
20Aはレチクルカセット31が存在する空間とロードロック室24とを連結するゲートバルブで、ロードロック室24が大気圧の状態の時に開閉する。レチクル6AをSMIFインデクサ34からロードロック室24の保持ユニットへ搬入するゲート開閉機構である。20Bも同じくゲートバルブで、ロードロック室24が真空の状態での時に開閉する。20Cも同じくゲートバルブであり、露光室3へレチクル6Aを搬送するときのみ開閉する。
12は装置外部から一旦装置内部にレチクル6Aをレチクルカセット31に入れた状態で保管するレチクルストッカーで、異なるパターンおよび異なる露光条件に合わせたレチクル6Aが多段に保管されている。
14Aはロードロック室24からレチクルストッカー12へレチクルカセット31を搬送するレチクル搬送ユニットである。レチクル搬送ユニット14Bはレチクル搬送室13に配置され、レチクルストッカー12から使用するレチクルを選択してレチクルカセット31をカセット上蓋とカセット下皿とに分離する蓋明け機構13Aへ搬送する。また、レチクル搬送ユニット14Bは蓋開け機構13Aにより分離された状態のカセット下皿をレチクルステージ6端部に設けられたレチクルアライメントスコープ15に搬送する。これにより、投影光学系7の筐体に設けられたアライメントマーク15Aに対してレチクル6A上をXYZ軸回転方向に微動してアライメントする。
アライメントを終了したレチクル6Aはカセット下皿から直接レチクルステージ6上にチャッキングされる。このときアライメント部のカセット支持部とレチクルステージ6の相対位置を近接すべくカセット支持部の上昇或いはレチクルステージの下降の少なくとも一方が行われる。また、そのときにレチクル6Aとレチクルステージ6の傾き調整も行われる。レチクルステージ6にレチクル6Aを受け渡した後空のカセット下皿はレチクル搬送ユニット14Bによって蓋開け機構13Aまで引き戻され、蓋を閉めたのち空のままレチクルストッカー12に保管される。
図2は実施例1のロードロック室26の概略断面図であり、集塵体40aがウエハ載置台18の表面を囲った状態の図である。図2ではウエハ8Aはウエハ載置台18の上面18aから除去されている。ウエハ8Aは図2の紙面に垂直な方向に移動する。ロードロック室26は、断面矩形形状を有する。ロードロック室26は、開口部26aと、開口部26bと、内側の天井面26c及び底面26dと、側面の開口部26eと、開口部26fと、を有する。ロードロック室26は、内部空間(第1の空間)H1を有しており、基板が搬入及び搬出される真空室である。
開口部26aは、ロードロック室26の上部中央部に設けられ、後述する駆動部50aのピストン52が挿入及び固定される。ピストン52と開口部26aを規定する面(円筒面又はその他の形状でもよい)との間の空間は、後述するガス供給部55から供給されるガスの流路である。
開口部26bは、ロードロック室26の底部中央に設けられ、ウエハ載置台18が挿入及び固定される。
開口部26eは、ロードロック室26の側部中央に設けられ、ゲートバルブ20Fを介して排気ユニット4Dに接続される。排気ユニット4Dは、ゲートバルブ20Fと開口部26eを介してロードロック室26の内部空間H1(第1の空間内)を排気して内部空間H1を真空又は減圧環境に維持する排気ユニットとして機能する。内部空間H1は、図1に示すように、排気ユニット4Bによっても排気されるために、内部空間H1を排気する機能を排気ユニット4Bにより行ってもよい。
開口部26fは、ロードロック室26の底部の開口部26bの近傍に設けられる。開口部26eには、配管21が取り付けられ、配管21には流量制御バルブ22が設けられている。配管21の一端はロードロック室26の空間H2(もし集塵体40が上昇すれば内部空間H1)に接続し、配管21の他端は排気ユニット4Dに接続される。排気ユニット4Dは、配管21を介して図2に示す集塵体40aとウエハ載置台18との間の空間H2を排気する排気ユニットとして機能する。配管21と排気ユニット4Dは空間H2からガスとパーティクルを回収する回収手段として機能する。なお、空間H2を排気する機能を排気ユニット4Bに持たせて排気ユニット4Dを省略してもよい。
また、ロードロック室26は、ロードロック室内の圧力を検出する不図示の圧力センサが設けられている。必要があれば、内部空間H1の圧力を検出する圧力センサと空間H2の圧力を検出する圧力センサを別個に設けてもよい。また、ロードロック室26には給気ユニット66が接続されている。給気ユニット66は、流量制御バルブ68が設けられた配管67を介してロードロック室26に接続されており、配管67のロードロック室26における出口にはフィルタ69が取り付けられている。フィルタ69は、給気時にパーティクルPが給気ユニット66から導入されることを防止する。このように、ロードロック室26は、排気ユニット4B及び4Dによって内部空間H1が排気又は減圧され、給気ユニット66によって内部空間H1が給気又は加圧可能に構成され、内部空間H1の雰囲気を真空環境と大気圧環境との間で置換する。なお、図2では、作図の便宜上、配管67とフィルタ69を内部空間H1の集塵体40aの外部の空間にのみ接続しているが、空間H2にも接続されているものとする。
ウエハ載置台18はウエハ8Aを支持することができる。ウエハ載置台18はロードロック室26の開口部26bに嵌合してロードロック室26の内部に突出した状態でロードロック室26に固定されているが、ロードロック室26の底面26d上に固定されてもよい。ウエハ載置台18は、上面18aと側面18bを有し、断面矩形形状を有する。上面18aは集塵体40aの底面42に対向し、底面42に垂直な方向(Z方向)において底面42から微小距離Iだけ離れている。集塵体のクリーニング処理ステップ時に微小距離Iは、1mm以下に設定される。側面18bは集塵体40aの内側面44に対向してガスとパーティクルの回収に適した一定距離だけ離れている。これらの距離は、ガスの流速を所定の温度と圧力条件下で亜音速に維持するために必要な条件である。
ウエハ載置台18の内部には配管62aが配設されている。配管62aはウエハ載置台18から外部に突出し、その端部には第1の温度制御部23aが取り付けられている。温度制御部23aは、配管62aに熱媒体を循環させることによってウエハ載置台18の全面を均等に温度制御することができる。ウエハ載置台18は、第1の温度制御部23aによって第1の温度、例えば、室温(23℃)に温調されている。第1の温度はウエハ載置台18に搬送されるウエハ8Aの温度と同じ温度である。第1の温度制御部23aは、ウエハ載置台18の温度を検出する不図示の温度センサと、設定温度を記憶する不図示のメモリを有する。また、第1の温度制御部23aは、温度検出部による検出結果とメモリの設定温度とを比較してウエハ載置台18の温度が設定温度になるように熱媒体の温度や流量を制御する不図示の制御部を更に有する。
集塵体40aは、主として真空室としてのロードロック室26の雰囲気が置換される際に、ウエハ8Aの近傍の空間に浮遊しているパーティクルPを熱泳動力を利用して収集する機能を有する。集塵体40aは、上面41、底面42及び43、内側面44、密閉保持部45、開口部46、中空部47a、ガス吹き出し孔48aを有し、断面U字形状を有する。集塵体40aは、ロードロック室26の内部空間H1に配置される。集塵体40aは、ウエハ載置台18の上部に配置され、駆動部50aによって鉛直方向(V方向)に沿って移動可能に構成されている。図2は、集塵体40aが最下位置にある状態を示す断面図である。
上面41は、集塵体40aの上部のロードロック室26の天井面26cに対向する面である。集塵体40aの上部を含む内部には配管64aが配設されている。配管64aは集塵体40aから外部に突出し、その端部には第2の温度制御部23bが取り付けられている。この結果、集塵体40aの温度は第2の温度制御部23bによって制御される。なお、集塵体40aの温度を第2の温度制御部23bによって制御できる限り、配管64aの位置は限定されない。第2の温度制御部23bは、集塵体40aのウエハ8Aの表面に対向する底面42の温度を第2の温度、例えば、13℃に温調している。このように、本実施例は、集塵体40aの底面42の温度をウエハ8A及びウエハ載置台18の温度よりも10℃低く温度制御されている。この温度差により、ウエハ近傍空間に浮遊するパーティクルPに熱泳動力が作用し、パーティクルPは集塵体40aに移動してウエハ表面への付着を防止又は低減することができる。図2は、このようにして集塵体40aの底面42にパーティクルPが収集されてウエハ8Aが搬出された状態を示している。第2の温度制御部23bは、集塵体40aの温度を検出する不図示の温度センサと、設定温度を記憶する不図示のメモリを有する。また、第2の温度制御部23bは、温度検出部による検出結果とメモリの設定温度とを比較して集塵体40aの温度が設定温度になるように熱媒体の温度や流量を制御する不図示の制御部を更に有する。第1の温度制御部23aと第2の温度制御部23bは集塵体40aとウエハ載置台18の温度を制御する温度制御手段を構成する。
底面42は、ウエハ載置台18に支持されたウエハ8Aに対向し、ロードロック室の雰囲気を置換する際に発生し得るパーティクルを収集するパーティクル収集面である。底面42は、ウエハ8A又はウエハ載置台18の上面18aを覆うことができ、図2においては、ウエハ載置台18の上面18aから微小距離Iだけ離れている。微小距離Iは、パーティクルPが移動するのに十分大きく、ガスが所定速度(本実施例では亜音速)に到達するのに十分な間隔である。底面42はウエハ載置台18の上面18aよりも大きく、ウエハ載置台18側からパーティクルPが底面42に移動する上で好ましい。
底面43はロードロック室26の底面26dに対向し、底面42よりも低い位置に設けられている。Z方向において、底面42と底面43の間にはウエハ載置台18が突出可能に構成されている。このような底面42と底面43に高低差を設けることによって集塵体40aはウエハ載置台18の周りに内部空間H1から隔離された断面U字形状の空間(第2の空間)H2を形成することができる。空間H2を内部空間内の他の空間(例えば、図2において内部空間H1で集塵体40aの外部の空間)から隔離することによって空間H2に閉じ込めたパーティクルPが内部空間H1に逃げることを防止することができる。
内側面44は、底面42に対して90度下向きに配置されている。
密閉保持部45は、底面43と底面26dの間をシールする。密閉保持部45はOリングなどから構成され、開口部26fが密閉保持部45よりも内側となるように配置される。本実施例では、密閉保持部45は、底面43に固定されるが、空間H2の密閉状態が維持される限り、底面26dに固定されてもよい。密閉保持部45により、図2に示す状態では、集塵体40aとウエハ載置台18との間に空間H2が形成される。空間H2は、集塵体40aが底面42に収集したパーティクルPを除去するための空間である。空間H2は、ウエハ載置台18の上面18aと側面18bと、集塵体40aの底面42及び43、内側面44及び密閉保持部45により規定される。
開口部46は、集塵体40aの上部中央に設けられている。本実施例の配管64aは開口部46を避けて集塵体40aの上部に配設されるが、上述したように、その配置は限定されない。
中空部47aは、集塵体40aの内部に設けられ、開口部46に接続される。中空部47aは、開口部46よりも広い。中空部47aを広く確保することによって後述するガス量を増加することができる。一方、開口部46を中空部47aと同じ広さにすると後述する接続部53cの取り付けが困難になったり、集塵体40aの剛性が低下したりする。
一又は複数の(図2では3つの)ガス吹き出し孔48aは、集塵体40aの下部中央部を貫通し、V方向に延びているため、ガスを底面42に垂直なZ方向(V方向)に吹き出す。各ガス吹き出し孔48aは中空部47aに接続されると共に空間H2に接続される。図2において、空間H2に示された矢印は、ガスが開口部46、中空部47a、ガス吹き出し孔48aを通る際の経路を示している。
駆動部50aは、集塵体40aをV方向に沿って移動する。図2に示す最下位置において、集塵体40aの底面42はウエハ載置台18及びウエハ8Aを覆う。この状態では、密閉保持部45が底面43と底面26dの間をシールして空間H2を形成する。ウエハ8Aを移動する際には、駆動部50aは集塵体40aを図示しない最上位置に移動する。この状態では空間H2は内部空間H1に開放される。
駆動部50aは、シリンダ部51、ピストン52、ピストン52の両側に取り付けられた接続部53a〜53c、ベローズ54を有する。
シリンダ部51は、中空円筒の容器の内部にモータなどから構成された図示しない上下駆動部を含んでいる。ピストン52は、シリンダ部51内の図示しない上下駆動部に固定された接続部53aを介してV方向に駆動される。接続部53bは、ロードロック室26の天井面26cの開口部26aの周りに固定されている。接続部53bには、開口部26aに接続された図示しない貫通穴が設けられている。接続部53cは、集塵体40aの上面41の開口部46の周りに固定されている。接続部53cには、開口部46に接続されている図示しない貫通穴が設けられている。ベローズ54は、接続部53bと53cの間でピストン52の周りに設けられる。ピストン52とベローズ54の間がガス供給部55から供給されるガスの流路である。ベローズ54は、蛇腹形状を有し、ピストン52が移動してもピストン52とベローズ54の間の空間が内部空間H1に開放しないように維持している。この結果、ガスはピストン52とベローズ54の間の空間から内部空間H1には漏れず、空間H2のみにガスを供給してその他の空間は真空状態に維持することが可能になる。
駆動部50aのシリンダ部51aの側部にはガス供給部55が接続されている。ガス供給部55は、図2に示すように、接続部53aが最下位置に移動したときでもシリンダ部51aの内部にガスを供給することができる。ベローズ54、開口部46、中空部47、ガス吹き出し孔48aは、ガス供給部55から供給されるガスを空間H2に供給して集塵体40aの底面42に収集されたパーティクルPを移動するガス供給手段を構成する。ガス供給手段は、別の実施例では、ウエハ載置台18に設けられる。即ち、ガス供給手段は、集塵体40aとウエハ載置台18の一方に設けられればよい。
ガスの種類は問わないが、本実施例では乾燥空気か不活性ガスを使用する。ガスは、矢印で示すように、開口部26aとピストン52の間の空間、接続部53bの貫通穴、ピストン52とベローズ54の間の空間、接続部53cの貫通穴を通って集塵体40aの開口部46から集塵体40aの内部に供給される。その後、ガスは、開口部46、中空部47a、ガス吹き出し孔48aから空間H2に供給され、その後、配管21から排気ユニット4Dに向かって排気される。
以下、図3〜図6を参照して、露光装置の動作について説明する。図3は、図4に関係する部分の露光装置の制御系のブロック図である。なお、制御系はメモリを含む制御部60を有し、制御部60には第1の温度制御部23a、第2の温度制御部23b、ガス供給部55の不図示の開閉弁、駆動部50a、排気ユニット4D、給気ユニット66が接続されている。不図示のメモリには、図4〜図6に示す制御フローが格納される。制御部60は、図4〜図6に示す制御フローに従って各部を制御する。
ここで、図4は、実施例1のウエハ8Aの処理のフローチャートである。図4において、「S」はステップを表す。
まず、ガス供給部55を閉口してガスが供給されない状態に設定する(S102)。次に、駆動部50aにより集塵体40aを最上位置に配置する(S104)。次に、給気ユニット66によってロードロック室26は大気開放(給気)される(S106)。なお、初期状態でS102〜S106が満足されていればこれらのステップは省略されてもよい。
次に、ウエハ載置台18の温度を第1の温度制御部23aを介して第1の温度(例えば、23℃)に制御し、集塵体40aの温度を第2の温度制御部23bを介して第2の温度(例えば、13℃)に制御する(S108)。ウエハ載置台18の温度よりも低い温度に集塵体40aの温度を設定することによって熱泳動力を利用してウエハ8AにパーティクルPが付着することを防止することができる。
次に、ゲートバルブ20Dを開け、ウエハストッカー16からロードロック室26にウエハ8Aをウエハ搬送ユニット17Aにより搬送する(S110)。ウエハ8Aの搬送後にゲートバルブ20Dを閉じる。
次に、駆動部50aは集塵体40aをウエハ載置台18及びウエハ8Aに近づける(S112)。S112は、ウエハ載置台18をV方向に移動可能に構成し、集塵体40aを固定してウエハ載置台18を集塵体40aに向かって移動してもよいし、両者をV方向に移動可能に構成して互いに近づくように移動してもよい。即ち、集塵体40aとウエハ載置台18の一方を他方に対して近づくように移動すれば足りる。本実施例では、集塵体40aの底面42とウエハ8Aの表面とのZ方向における距離を1mm程度とし、両者の間の空間の温度勾配が40[K/cm]となるように集塵体40aを温調、位置制御する。
ロードロック室26の内部空間H1の圧力が大気圧の時、例えば直径0.1μm以下のパーティクルPは重力落下せず、気流、ブラウン運動により浮遊している。直径0.1μmより大きいパーティクルは重力方向(図2ではZ方向下向き)に移動しウエハ8Aに付着するがウエハ8Aは集塵体40aによって囲われているため、ウエハ8Aへ付着する確率は低減する。空間H2に浮遊するパーティクルと内部空間H1内で集塵体40aの外側の空間に浮遊するパーティクルの密度が同じである場合、空間H2の体積と内部空間H1内で集塵体40aの外側の空間の体積比が大きいほど防塵効果は大きくなる。
次に、排気ユニット4B及び4Dにより内部空間H1及び空間H2の圧力が大気圧の状態から排気する(S114)。排気工程における圧力(例えば、10Pa以上10000Pa以下の範囲の圧力)と圧力維持の時間(例えば、10秒以上600秒以下の時間)については、特願2008−075897号に記載された方法を利用して行うことができる。これにより、直径0.1μm以下のパーティクルPを効果的に収集することができる。
次に、駆動部50aは、集塵体40aをウエハ載置台18及びウエハ8Aから離れる適当な位置(本実施例では最上位置)に移動する(S116)。次に、ゲートバルブ20Eを開け、ロードロック室26から露光室3のウエハステージ8にウエハ8Aをウエハ搬送ユニット17Bにより搬送する(S118)。ウエハ8Aの搬送後にゲートバルブ20Eを閉じる。この工程ではロードロック室26に浮遊しているパーティクルは殆ど無いため、搬送してもウエハ8Aに付着する可能性は低い。
次に、露光室3で露光処理を行い、ロードロック室26でクリーニング処理を行う(S120)。露光処理では、EUV光を利用してステップアンドスキャン方式により原版パターンをウエハ8Aに露光する。ウエハ8AにはパーティクルPが付着していないので高精度な露光を行うことができる。
次に、図5を参照して、クリーニング処理の詳細について説明する。図5は、クリーニング処理の詳細を説明するためのフローチャートである。クリーニング処理は、ウエハ8Aの露光処理と平行して行われる。まず、図2に示すように、駆動部50aが集塵体40aをウエハ載置台18に最接近させて空間H2を形成する(S132)。なお、この時、本実施例では、S108の温度制御効果が維持されているが、維持されていなければS108と同様の温度制御を再度実行する。
次に、ガス供給部55を開口してガスをガス吹き出し孔48aから噴出させる(S134)。これにより、空間H2にガス流が発生する。ガスは、ウエハ載置台18の中心部付近から端面に向かって放射状に流れる。この時、集塵体40aの底面42に熱泳動力によって付着していたパーティクルPは、ガス分子との衝突によって、集塵体40aの底面42との熱泳動力による結合状態が切れ、ガスが流れる方向に沿って下流側の配管21まで移動する。空間H2に流れるガスの流速が速いほど、パーティクルPに衝突した時に与える運動エネルギーは大きくなり、効果的にパーティクルPを除去することができる。例えば、微小距離Iが0.1mmの時にガス供給部55から約10■/sのガスを供給すると、空間H2のガス流は亜音速(マッハ数で0.3から0.8)となり、底面42に吸着したパーティクルPが底面42から離脱するのに十分な力を得ることができる。なお、パーティクルPの底面42における吸着力を弱めるために、クリーニング時に底面42を加熱してもよい。その場合、パーティクルPがウエハ載置台18に熱泳動力により付着しないように集塵体40aを加熱する温度はウエハ載置台18の温度よりも小さく設定される。これにより、ガスの流速を亜音速よりも弱めることができる。
その後、ガス供給部55を閉口する(S136)。排気ユニット4DはS114から動作中であるから、ガス供給部55がガスを止めると空間H2を真空引きすることができる。真空引き完了の判断は時間で決めてもよいし、上述した不図示の圧力センサによって空間の圧力を監視して判断してもよい。
次に、駆動部50aは、集塵体40aをウエハ載置台18及びウエハ8Aから離れる適当な位置(ウエハ8Aの搬送が可能な位置、本実施例では最上位置)に移動する(S138)。これにより、集塵体40aのクリーニング処理が完了する。
集塵体40aのクリーニング処理は、ロードロック室26がアイドル(処理待ち)状態であればいつでも実行可能である。本実施例は、空間H2と集塵体40aの外側の内部空間H1は密閉保持部45により隔離している。このため、ロードロック室26の集塵体40aの外側の内部空間H1の真空状態を維持したまま大気開放することなく、集塵体40aのクリーニング処理を行うことができる。所謂in−situクリーニングが可能であり、露光装置のダウンタイムを大幅に低減することができる。
次に、図6を参照して、露光後のウエハ8Aの搬送処理について説明する。図6は、露光後のウエハ搬送処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
まず、ゲートバルブ20Eを開けて露光室3からロードロック室26にウエハ8Aをウエハ搬送ユニット17Bにより搬送する(S142)。S142の時点では集塵体40aはクリーニング済みである。なお、この時もS108の温度制御は維持されているものとする。次に、駆動部50aは集塵体40aをウエハ載置台18及びウエハ8Aに近づける(S144)。
次に、給気ユニット66を介して内部空間H1及び空間H2の圧力を大気圧の状態に給気する(S146)。給気工程における圧力(例えば、10Pa以上10000Pa以下の範囲の圧力)と圧力維持の時間(例えば、10秒以上600秒以下の時間)については、特願2008−075897号に記載された方法を利用して行うことができる。これにより、直径0.1μm以下のパーティクルPを効果的に収集することができる。
次に、駆動部50aが集塵体40aをウエハ載置台18及びウエハ8Aから離れるように移動する(S148)。次に、ロードロック室26からウエハ8Aをウエハストッカー16にウエハ搬送ユニット17Aにより搬送する(S150)。露光室3の内部空間は清浄であり、パーティクルPがウエハ8Aに付着している確率は低い。しかし、必要があれば、次の露光待ちのウエハ8Aをウエハストッカー16からロードロック室26に導入する前に集塵体40aのクリーニングを行ってもよい。
図7は、実施例2のロードロック室26の概略断面図である。なお、図7は、給気系の図示を省略している。本実施例は集塵体40aの代わりに集塵体40bを使用している点で実施例1とは異なる。集塵体40bは、中空部47aとガス吹き出し孔48aの代わりに、中空部47bとガス吹き出し孔48bを有する点で集塵体40aと相違する。中空部47bは断面U字形状を有し、その空間H2における出口はガス吹き出し孔48bとなっている。このように、本実施例では、ガス吹き出し孔48bは内側面44に設けられ、ガスの吹き出し方向は底面42と略同じ高さでこれに略平行になっている点で実施例1と異なる。このため、空間H2に吹き出すガスと部材との衝突が少なく流速を保ったまま安定してパーティクルPを除去することができる。また、集塵体40bのクリーニング処理は、集塵体40aを40bと読み替える以外は、図5と同じである。
図8は、実施例3のロードロック室26の概略断面図である。なお、図8は、給気系の図示を省略している。本実施例は集塵体40aの代わりに集塵体40cを使用し、ウエハ載置台18の代わりにウエハ載置台19を使用し、駆動部50aの代わりに駆動部50cを使用している点で実施例1とは異なる。本実施例においては、集塵体40aはV方向に移動せずに固定され、駆動部50cはウエハ載置台19をV方向に移動する。密閉保持部45はウエハ載置台19の上面19aに固定されている。図8において、ウエハ載置台19が駆動部50cによって駆動され、集塵体40cの間に微小空間H3を形成する。
ウエハ載置台19の内部には配管62cが配設されている。配管62cはウエハ載置台19から外部に突出し、その端部には第1の温度制御部23aが取り付けられている。また、ウエハ載置台19の底面19bとロードロック室26の底面26dとの間には配管62cの周りにベローズ63aが取り付けられている。ベローズ63aは、配管62cからパーティクルが発生してロードロック室26の内部に放出されることを防止する。ウエハ載置台19の上面19aには一又は複数の吸引孔19cが設けられている。吸引孔19cはガスとパーティクルPを吸引するための孔である。複数の吸引孔19cの少なくとも一つは貫通して配管21に接続されている。ウエハ載置台19の底面19bとロードロック室26の底面26dとの間にはベローズ63bが取り付けられている。ガスとパーティクルPはベローズ63bを介して配管21に回収される。
集塵体40cの上部を含む内部には配管64cが配設されている。配管64cは集塵体40cから外部に突出し、その端部には第2の温度制御部23bが取り付けられている。また、集塵体40cとロードロック室26の内側面との間には配管64cの周りにベローズ65が取り付けられている。ベローズ65は、配管64cからパーティクルが発生してロードロック室26の内部に放出されることを防止する。集塵体40cは、中空部47aを有し、中空部47aは中空円筒部材49の一端と接続されており、中空円筒部材49の他端にはガス供給部55が取り付けられている。中空円筒部材49の一端は集塵体40cの上部中央の開口部に固定され、他端はロードロック室26の開口部26aに固定される。
ウエハ載置台19は、駆動部50cにより集塵体40cに向かって移動し、集塵体40cとの微小空間H3を形成した時、密閉保持部45によって、空間H3とロードロック室26内の空間H1とは隔離される。パーティクルPを移動させるガスは、ガス供給部55から供給され、中空部47aとガス吹き出し孔48aを経由し、ウエハ載置台19の中心部から端面に向かって放射状に流れる。その後、ガスは、ウエハ載置台19の内部を通り、パーティクルPと共に配管21に回収される。実施例1と同様に、集塵体40cとウエハ載置台19との微小距離Iを維持すれば亜音速のガス流が発生するため、パーティクルを除去する効果を得ることができる。
また、集塵体40cのクリーニング処理は、集塵体40aを40cと読み替えると共に移動対象がウエハ載置台19であるために以下のようになる。即ち、S132は、「移動部50cがウエハ載置台19を集塵体40cに接近(上昇)」となり、S138は、「移動部50cがウエハ載置台19を集塵体40cから離れるように移動(下降)」となる。
なお、デバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)は、前述のいずれかの実施例の露光装置を使用して感光剤を塗布した基板(ウエハ、ガラスプレート等)を露光する工程と、その基板を現像する工程と、他の周知の工程と、を経ることにより製造される。このように、前述のいずれかの実施例の露光装置を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
3 露光室
4D 排気ユニット
8A ウエハ(基板)
18、19 ウエハ載置台(基板支持部)
23a 第1の温度制御部
23b 第2の温度制御部
26 ロードロック室(真空室)
40a〜40c 集塵体
48a、48c ガス吹き出し孔
50a、50c 駆動部
55 ガス供給部
60 制御部
H1 第1の空間
H2 第2の空間
P パーティクル
4D 排気ユニット
8A ウエハ(基板)
18、19 ウエハ載置台(基板支持部)
23a 第1の温度制御部
23b 第2の温度制御部
26 ロードロック室(真空室)
40a〜40c 集塵体
48a、48c ガス吹き出し孔
50a、50c 駆動部
55 ガス供給部
60 制御部
H1 第1の空間
H2 第2の空間
P パーティクル
Claims (9)
- 真空環境下で基板を処理する処理装置であって、
内部空間としての第1の空間を有し、基板が搬入及び搬出される真空室と、
前記真空室内で前記基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部に支持された前記基板に対向し、パーティクルを収集するパーティクル収集面を有する集塵体と、
前記集塵体と前記基板支持部の一方を他方に対して移動する駆動部と、
前記集塵体と前記基板支持部との間に形成される第2の空間を前記第1の空間内の他の空間から隔離して密閉する密閉保持部と、
前記第2の空間にガスを供給して前記集塵体に収集されたパーティクルを移動するガス供給手段と、
前記第2の空間から前記ガスと前記パーティクルを回収する回収手段と、
を有することを特徴とする処理装置。 - 前記第2の空間を流れるガスの速度は亜音速であることを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 前記駆動部が前記一方を前記他方に対して移動して前記第2の空間を形成したときの前記集塵体のパーティクル収集面と前記基板支持部との間の前記パーティクル収集面に垂直な方向の距離は1mm以下である請求項2に記載の処理装置。
- 前記ガス供給手段は、前記集塵体と前記基板支持部の一方に設けられ、前記ガス供給部から供給されるガスを前記第2の空間に前記パーティクル収集面に垂直な方向に吹き出すガス吹き出し孔を有することを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記ガス供給手段は、前記集塵体と前記基板支持部の一方に設けられ、前記ガス供給部から供給されるガスを前記第2の空間に前記パーティクル収集面に平行にかつ同じ高さで吹き出すガス吹き出し孔を有することを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記集塵体の前記パーティクル収集面の温度を基板支持部の温度よりも低くなるように前記集塵体と前記基板支持部の温度を制御する温度制御手段を更に有することを特徴とする請求項1〜5のうちいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記温度制御手段は、前記集塵体の前記パーティクル収集面の温度を前記パーティクルを収集したときの前記パーティクル収集面の温度よりも高くなるように設定することを特徴とする請求項6に記載の処理装置。
- 請求項1〜7のうちいずれか一項に記載の処理装置を使用して基板を露光するステップと、
露光された基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。 - 真空環境下で基板を処理する処理室と、処理室に対して前記基板を受け渡しすると共に雰囲気が置換される真空室と、を有する処理室の前記真空室のクリーニング方法であって、
前記真空室内に設置され、パーティクルを収集した集塵体と、前記基板を支持する基板支持部との一方を他方に近づくように移動して前記集塵体と前記基板支持部との間に密閉された空間を形成するステップと、
前記空間にガスを供給するステップと、
前記空間を排気して前記ガスと前記パーティクルを回収するステップと、
を有し、
前記クリーニング方法は前記基板が前記処理室で処理されている間に行われることを特徴とするクリーニング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008152863A JP2009302185A (ja) | 2008-06-11 | 2008-06-11 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2008152863A JP2009302185A (ja) | 2008-06-11 | 2008-06-11 | 処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009302185A true JP2009302185A (ja) | 2009-12-24 |
Family
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Family Applications (1)
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JP2008152863A Pending JP2009302185A (ja) | 2008-06-11 | 2008-06-11 | 処理装置 |
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Country | Link |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012151304A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Canon Inc | エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法 |
US9472430B2 (en) | 2013-02-14 | 2016-10-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate storage container and exposure apparatus |
KR20210027456A (ko) | 2018-07-12 | 2021-03-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 클리닝 방법 및 기판 처리 장치 |
-
2008
- 2008-06-11 JP JP2008152863A patent/JP2009302185A/ja active Pending
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