JP2007335665A - パーティクル除去装置および露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は、レチクル等の基板あるいは静電チャックに付着したパーティクルを除去するパーティクル除去装置および露光装置に関し、基板あるいは静電チャックに付着したパーティクルを真空雰囲気内において容易に除去することを目的とする。
【解決手段】 基板に付着したパーティクルを真空雰囲気内において除去するパーティクル除去装置であって、前記基板を保持する保持手段と、前記基板に振動を付与する振動付与手段とを有することを特徴とする。また、前記基板はレチクルであり、前記保持手段にパターン面を下方に向けて保持されていることを特徴とする。
【選択図】 図7
【解決手段】 基板に付着したパーティクルを真空雰囲気内において除去するパーティクル除去装置であって、前記基板を保持する保持手段と、前記基板に振動を付与する振動付与手段とを有することを特徴とする。また、前記基板はレチクルであり、前記保持手段にパターン面を下方に向けて保持されていることを特徴とする。
【選択図】 図7
Description
本発明は、レチクル等の基板あるいは静電チャックに付着したパーティクルを除去するパーティクル除去装置および露光装置に関する。
レチクルのパターン面へのパーティクルの付着は、パターンの転写精度を低下させることになるため、EUV露光装置では、粒径50nm程度のパーティクルが問題となる。また、レチクルと静電チャックとの間に、粒径1μm以上のパーティクルが存在する場合には、レチクルの吸着時にレチクルを弾性変形させ、レチクルの平面度を低下させる。
従来、このようなパーティクルを真空雰囲気内で除去する方法として、熱泳動力を用いた熱泳動法、抗力を用いた希薄ガスジェット法が知られている。
特開平7−161639号公報
従来、このようなパーティクルを真空雰囲気内で除去する方法として、熱泳動力を用いた熱泳動法、抗力を用いた希薄ガスジェット法が知られている。
しかしながら、上述した方法では、レチクルあるいは静電チャックに付着したパーティクルを除去するためパーティクルの分子間力を超えるだけの力を発生させるためには、相当の温度勾配あるいは噴射流量が必要であり、温度や振動管理の厳しいレチクルステージの近傍に適用することが困難であるという問題があった。
本発明は、かかる従来の問題を解決するためになされたもので、基板あるいは静電チャックに付着したパーティクルを真空雰囲気内において容易に除去することができるパーティクル除去装置および露光装置を提供することを目的とする。
本発明は、かかる従来の問題を解決するためになされたもので、基板あるいは静電チャックに付着したパーティクルを真空雰囲気内において容易に除去することができるパーティクル除去装置および露光装置を提供することを目的とする。
第1の発明のパーティクル除去装置は、基板に付着したパーティクルを真空雰囲気内において除去するパーティクル除去装置であって、前記基板を保持する保持手段と、前記基板に振動を付与する振動付与手段とを有することを特徴とする。
第2の発明のパーティクル除去装置は、第1の発明のパーティクル除去装置において、前記基板はレチクルであり、前記保持手段にパターン面を下方に向けて保持されていることを特徴とする。
第2の発明のパーティクル除去装置は、第1の発明のパーティクル除去装置において、前記基板はレチクルであり、前記保持手段にパターン面を下方に向けて保持されていることを特徴とする。
第3の発明のパーティクル除去装置は、第2の発明のパーティクル除去装置において、前記基板は、前記基板を保護する保護カバーを介して前記保持手段に保持されていることを特徴とする。
第4の発明のパーティクル除去装置は、第1ないし第3のいずれか1の発明のパーティクル除去装置において、前記振動付与手段は、前記保持手段に配置される振動子を有することを特徴とする。
第4の発明のパーティクル除去装置は、第1ないし第3のいずれか1の発明のパーティクル除去装置において、前記振動付与手段は、前記保持手段に配置される振動子を有することを特徴とする。
第5の発明のパーティクル除去装置は、第2の発明のパーティクル除去装置において、前記保持手段は、前記基板を吸着する吸着面を下面に有する静電チャックであることを特徴とする。
第6の発明のパーティクル除去装置は、第5の発明のパーティクル除去装置において、前記振動付与手段は、前記静電チャックを振動する振動子を有することを特徴とする。
第6の発明のパーティクル除去装置は、第5の発明のパーティクル除去装置において、前記振動付与手段は、前記静電チャックを振動する振動子を有することを特徴とする。
第7の発明のパーティクル除去装置は、第5の発明のパーティクル除去装置において、前記静電チャックは前記基板の位置を微調整する微動テーブルの下面に固定され、前記振動付与手段は前記微動テーブルであることを特徴とする。
第8の発明のパーティクル除去装置は、静電チャックに付着したパーティクルを真空雰囲気内において除去するパーティクル除去装置であって、前記静電チャックを保持する保持手段と、前記静電チャックに振動を付与する振動付与手段とを有することを特徴とする。
第8の発明のパーティクル除去装置は、静電チャックに付着したパーティクルを真空雰囲気内において除去するパーティクル除去装置であって、前記静電チャックを保持する保持手段と、前記静電チャックに振動を付与する振動付与手段とを有することを特徴とする。
第9の発明のパーティクル除去装置は、第8の発明のパーティクル除去装置において、前記静電チャックは、基板を吸着する吸着面を下面に有することを特徴とする。
第10の発明のパーティクル除去装置は、第8または第9の発明のパーティクル除去装置において、前記振動付与手段は、前記静電チャックを振動する振動子を有することを特徴とする。
第10の発明のパーティクル除去装置は、第8または第9の発明のパーティクル除去装置において、前記振動付与手段は、前記静電チャックを振動する振動子を有することを特徴とする。
第11の発明のパーティクル除去装置は、第9の発明のパーティクル除去装置において、前記保持手段は前記基板の位置を微調整する微動テーブルであり、前記振動付与手段は前記微動テーブルであることを特徴とする。
第12の発明の露光装置は、第1ないし第11のいずれか1の発明のパーティクル除去装置を有することを特徴とする。
第12の発明の露光装置は、第1ないし第11のいずれか1の発明のパーティクル除去装置を有することを特徴とする。
本発明では、基板あるいは静電チャックに付着したパーティクルを真空雰囲気内において容易に除去することができる。
以下、本発明の実施形態を図面を用いて詳細に説明する。
(第1の実施形態)
図1は、本発明のパーティクル除去装置の第1の実施形態が配置されるEUV露光装置を示している。
露光チャンバ11には、レチクルステージ12が配置されている。露光チャンバ11の一側には、真空ロボット13が配置されるロボットチャンバ14が設けられている。ロボットチャンバ14の片側には、真空レチクルライブラリ15が設けられ、他側には、クリーンフィルタポッドオープナ(以下CFPオープナという)16が設けられている。露光チャンバ11、ロボットチャンバ14、真空レチクルライブラリ15およびCFPオープナ16は、真空雰囲気とされている。
(第1の実施形態)
図1は、本発明のパーティクル除去装置の第1の実施形態が配置されるEUV露光装置を示している。
露光チャンバ11には、レチクルステージ12が配置されている。露光チャンバ11の一側には、真空ロボット13が配置されるロボットチャンバ14が設けられている。ロボットチャンバ14の片側には、真空レチクルライブラリ15が設けられ、他側には、クリーンフィルタポッドオープナ(以下CFPオープナという)16が設けられている。露光チャンバ11、ロボットチャンバ14、真空レチクルライブラリ15およびCFPオープナ16は、真空雰囲気とされている。
ロボットチャンバ14の露光チャンバ11に対向する位置には、ロードロック室17が配置されている。ロードロック室17は、第2のゲートバルブ18を介してロボットチャンバ14に連通されている。また、第1のゲートバルブ19を介して大気中に連通されている。
ロードロック室17の外側には、第2の大気ロボット20を介してレチクルキャリアオープナ21が配置されている。レチクルキャリアオープナ21の外側には、第1の大気ロボット22を介して大気レチクルライブラリ23が配置されている。
ロードロック室17の外側には、第2の大気ロボット20を介してレチクルキャリアオープナ21が配置されている。レチクルキャリアオープナ21の外側には、第1の大気ロボット22を介して大気レチクルライブラリ23が配置されている。
上述した露光装置では、大気レチクルライブラリ23には、図2に示すように、露光に使用されるEUVL用のレチクル25が、レチクルキャリア26およびクリーンフィルタポッド(以下CFPという)27により2重に保護された状態で置かれている。CFP27は減圧雰囲気中においてレチクル25を保護する保護カバーとしての機能を有する。
大気レチクルライブラリ23に置かれたレチクルキャリア26は、第1の大気ロボット22によりレチクルキャリアオープナ21に搬送される。そして、レチクルキャリアIDリーダ28によりレチクルキャリア26が識別される。このレチクルキャリアオープナ21において、レチクルキャリア26が開かれCFP27が露出される。露出されたCFP27は温度補償ランプ29により2〜3℃程度昇温される。昇温されたCFP27は第2の大気ロボット20により、第1のゲートバルブ19のみが開いた状態のロードロック室17内に搬送される。なお、レチクルキャリアオープナ21からロードロック室17に至る順路は清浄雰囲気とされている。
大気レチクルライブラリ23に置かれたレチクルキャリア26は、第1の大気ロボット22によりレチクルキャリアオープナ21に搬送される。そして、レチクルキャリアIDリーダ28によりレチクルキャリア26が識別される。このレチクルキャリアオープナ21において、レチクルキャリア26が開かれCFP27が露出される。露出されたCFP27は温度補償ランプ29により2〜3℃程度昇温される。昇温されたCFP27は第2の大気ロボット20により、第1のゲートバルブ19のみが開いた状態のロードロック室17内に搬送される。なお、レチクルキャリアオープナ21からロードロック室17に至る順路は清浄雰囲気とされている。
ロードロック室17では、第1のゲートバルブ19および第2のゲートバルブ18を閉じた状態でCFP27ごと真空引きが行われる。ロードロック室17内が所定の真空状態になると、第2のゲートバルブ18のみが開かれ、CFP27が真空ロボット13により真空レチクルライブラリ15に搬送される。
真空レチクルライブラリ15には、例えば5枚程度のレチクル25がCFP27に収容された状態で保存される。レチクル25は温度調整機構(図示せず)により所定の温度に維持される。CFP27に収容された状態のレチクル25は、レチクルIDリーダ30により識別される。識別されたレチクル25は、真空ロボット13によりCFP27に収容された状態でCFPオープナ16に搬送される。
真空レチクルライブラリ15には、例えば5枚程度のレチクル25がCFP27に収容された状態で保存される。レチクル25は温度調整機構(図示せず)により所定の温度に維持される。CFP27に収容された状態のレチクル25は、レチクルIDリーダ30により識別される。識別されたレチクル25は、真空ロボット13によりCFP27に収容された状態でCFPオープナ16に搬送される。
CFPオープナ16では、CFP27が開かれレチクル25が露出される。
この実施形態では、図3に示すように、CFPオープナ16に搬送されたCFP27は、CFPステージ31上に載置される。CFP27は、上カバー部材(上蓋)32と下カバー部材(下蓋)33とからなる。そして、図4に示すように、CFPステージ31を下降させることにより、上カバー部材32の外周部が支持部材34の上端の係止部材35に係止されレチクル25が露出される。
この実施形態では、図3に示すように、CFPオープナ16に搬送されたCFP27は、CFPステージ31上に載置される。CFP27は、上カバー部材(上蓋)32と下カバー部材(下蓋)33とからなる。そして、図4に示すように、CFPステージ31を下降させることにより、上カバー部材32の外周部が支持部材34の上端の係止部材35に係止されレチクル25が露出される。
レチクル25は、図4に示すように下カバー部材33内にパターン面25aを下にして収容されている。また、下カバー部材33の底面33aに形成される突起部33bに支持されている。これにより、レチクル25のパターン面25aと下カバー部材33の底面33aとの間に空間部36が形成されている。
CFPステージ31には、レチクル25のパターン面25aに付着したパーティクルを除去するパーティクル除去装置37が配置されている。
CFPステージ31には、レチクル25のパターン面25aに付着したパーティクルを除去するパーティクル除去装置37が配置されている。
パーティクル除去装置37は、振動子38と、振動子駆動手段39とを有している。振動子38には圧電素子が使用されている。振動子38はCFPステージ31に配置されている。CFPステージ31の上面には凹部31aが形成され、凹部31a内に振動子38が収容されている。振動子38は、その上面がCFPステージ31の上面と同一面になるように凹部31aに固定されている。なお、振動子38をCFPステージ31内に埋設するようにしても良い。
振動子駆動手段39は、振動子38の圧電素子に電圧を印加して振動子38を上下方向に振動させる。なお、振動子38を水平方向にも振動可能にしても良い。この実施形態では、振動子駆動手段39は、振動子38を周波数0.1KHz、振幅100μm以下で振動させる。そして、レチクル25のパターン面25a等に付着した粒径100μm以下のパーティクルを除去する。
図4に示した状態で振動子駆動手段39を作動すると、振動子38が振動し、振動が下カバー部材33および突起部33bを介してレチクル25に伝達される。レチクル25の振動によりレチクル25のパターン面25aに付着したパーティクルPが分離し、レチクル25のパターン面25aと下カバー部材33の底面33aとの間の空間部36に落下する。落下したパーティクルPは、CFPオープナ16内が真空雰囲気であるため、大きく舞い上がることなく下カバー部材33の底面33aに滞在する。
パターン面25aに付着したパーティクルPが分離されたレチクル25は、図5に示すように、CFP27の下カバー部材33に収容された状態で、真空ロボット13の搬送アーム41によりレチクルステージ12に搬送される。レチクルステージ12には、静電チャック42が吸着面42aを下向きにして配置されている。そして、搬送アーム41により下カバー部材33を介してレチクル25を静電チャック42の吸着面42aに押圧した状態で、静電チャック42をオンすることによりレチクル25の上面が吸着面42aにチャックされる。
レチクル25のチャック後に、搬送アーム41は下カバー部材33をCFPオープナ16まで搬送し、図4に示したように下降位置にあるCFPステージ31上にレチクル25の載置されない下カバー部材33を載置する。なお、この搬送時には、下カバー部材33にレチクル25が載置されないため、下カバー部材33の底面33aに滞在するパーティクルPが、真空ポンプ(不図示)の排気による流れに吸引され除去される。そして、図6に示すように、CFPステージ31を上昇させることでCFP27の上カバー部材32と下カバー部材33とが密着し、上カバー部材32と下カバー部材33の内部が密閉される。閉じられたCFP27は、そのままの状態でCFPオープナ16内に露光中待機される。
露光が終了し、レチクルステージ12のレチクル25の交換を行う際には、図6に示したような状態で待機していたCFP27の上カバー部材32と下カバー部材33とを、CFPステージ31を下降させ下カバー部材33を下降することにより分離(図4でレチクル25が無い状態に対応)し、下カバー部材33を搬送アーム41によりレチクル25の交換位置まで搬送する。
そして、静電チャック42に吸着されているレチクル25の下方に下カバー部材33を位置させた状態(図5参照)で、静電チャック42からレチクル25を離脱する。
この状態で、搬送アーム41によりレチクル25をCFPオープナ16に搬送し、図4に示したように下降位置にあるCFPステージ31上に、レチクル25が収容される下カバー部材33を載置する。そして、CFPステージ31を上昇させることでCFP27の上カバー部材32と下カバー部材33とが密着(図3参照)し、CFP27内にレチクル25を保持した状態でCFP27が密閉される。
この状態で、搬送アーム41によりレチクル25をCFPオープナ16に搬送し、図4に示したように下降位置にあるCFPステージ31上に、レチクル25が収容される下カバー部材33を載置する。そして、CFPステージ31を上昇させることでCFP27の上カバー部材32と下カバー部材33とが密着(図3参照)し、CFP27内にレチクル25を保持した状態でCFP27が密閉される。
上述した実施形態では、CFPオープナ16のCFPステージ31にレチクル25を振動するパーティクル除去装置37を設けたので、レチクル25のパターン面25aに付着したパーティクルPを真空雰囲気内において容易,確実に除去することができる。
(第2の実施形態)
図7は、本発明のパーティクル除去装置の第2の実施形態を示している。この実施形態では本発明がレチクルステージ12に適用される。
(第2の実施形態)
図7は、本発明のパーティクル除去装置の第2の実施形態を示している。この実施形態では本発明がレチクルステージ12に適用される。
なお、この実施形態において第1の実施形態と同一の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
レチクルステージ12は、静電チャック42と、微動テーブル43と、粗動テーブル44とを有している。静電チャック42の下面には、レチクル25を吸着する吸着面42aが形成されている。静電チャック42の上面は微動テーブル43の下面に固定されている。微動テーブル43は水平方向(X,Y方向)および上下方向(Z方向)に微動可能とされている。そして、静電チャック42に吸着されるレチクル25の位置を微調整する。微動テーブル43の上面は粗動テーブル44の下面に固定されている。粗動テーブル44は水平方向(X,Y方向)および上下方向(Z方向)に粗動可能とされている。そして、静電チャック42に吸着されるレチクル25の位置を粗調整する。
レチクルステージ12は、静電チャック42と、微動テーブル43と、粗動テーブル44とを有している。静電チャック42の下面には、レチクル25を吸着する吸着面42aが形成されている。静電チャック42の上面は微動テーブル43の下面に固定されている。微動テーブル43は水平方向(X,Y方向)および上下方向(Z方向)に微動可能とされている。そして、静電チャック42に吸着されるレチクル25の位置を微調整する。微動テーブル43の上面は粗動テーブル44の下面に固定されている。粗動テーブル44は水平方向(X,Y方向)および上下方向(Z方向)に粗動可能とされている。そして、静電チャック42に吸着されるレチクル25の位置を粗調整する。
この実施形態では、静電チャック42には、静電チャック42の吸着面42aおよびレチクル25のパターン面25aに付着したパーティクルPを除去するパーティクル除去装置45が配置されている。
パーティクル除去装置45は、振動子38と、振動子駆動手段39とを有している。振動子38には圧電素子が使用されている。振動子38は静電チャック42に配置されている。静電チャック42の上面には凹部42bが形成され、凹部42b内に振動子38が収容されている。振動子38は、その上面が微動テーブル43の下面と同一面になるように凹部42bに固定されている。なお、振動子38を静電チャック42内に埋設し静電チャック42を振動するようにしても良い。また、微動テーブル43側に配置して静電チャック42または微動テーブル43を振動するようにしても良い。
パーティクル除去装置45は、振動子38と、振動子駆動手段39とを有している。振動子38には圧電素子が使用されている。振動子38は静電チャック42に配置されている。静電チャック42の上面には凹部42bが形成され、凹部42b内に振動子38が収容されている。振動子38は、その上面が微動テーブル43の下面と同一面になるように凹部42bに固定されている。なお、振動子38を静電チャック42内に埋設し静電チャック42を振動するようにしても良い。また、微動テーブル43側に配置して静電チャック42または微動テーブル43を振動するようにしても良い。
振動子駆動手段39は、振動子38の圧電素子に電圧を印加して振動子38を上下方向に振動させる。なお、振動子38を水平方向にも振動可能にしても良い。この実施形態では、振動子駆動手段39は、振動子38を周波数0.1KHz、振幅100μm以下で振動させる。そして、レチクル25のパターン面25aおよび静電チャック42の吸着面42aに付着した粒径100μm以下のパーティクルPを除去する。
この実施形態では、図8に示すように、静電チャック42にレチクル25を吸着していない状態で、振動子駆動手段39が作動される。この作動は静電チャック42にレチクル25を吸着する前に行われる。静電チャック42の電源をオフにした状態で振動子駆動手段39を作動すると、振動子38が振動し、静電チャック42の吸着面42aに付着したパーティクルPが分離し、静電チャック42の下方の空間に落下する。落下したパーティクルPは、レチクルステージ12が真空ポンプ(不図示)により排気されているため、真空ポンプにより吸引され除去される。これにより、静電チャック42の吸着面42aには、例えば粒径1μm以上のパーティクルPが存在することがなくなる。従って、レチクル25の吸着時にパーティクルPによりレチクル25が弾性変形することがなくなりレチクル25の平面度を確実に確保することができる。
また、この実施形態では、図7に示したように、静電チャック42にレチクル25を吸着した後に、振動子駆動手段39が作動される。振動子駆動手段39を作動すると、振動子38が振動し静電チャック42が振動する。静電チャック42の振動によりレチクル25が振動しレチクル25のパターン面25aに付着したパーティクルPが分離し、レチクル25の下方の空間に落下する。落下したパーティクルPは、レチクルステージ12が真空ポンプ(不図示)により排気されているため、真空ポンプにより吸引され除去される。
この実施形態では、レチクルステージ12に、静電チャック42を振動するパーティクル除去装置45を設けたので、静電チャック42の吸着面42aおよびレチクル25のパターン面25aに付着したパーティクルPを真空雰囲気内において容易,確実に除去することができる。
(第3の実施形態)
図9は、本発明のパーティクル除去装置の第3の実施形態を示している。この実施形態では本発明がレチクルステージ12に適用される。
(第3の実施形態)
図9は、本発明のパーティクル除去装置の第3の実施形態を示している。この実施形態では本発明がレチクルステージ12に適用される。
なお、この実施形態において第1または第2の実施形態と同一の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
この実施形態では、微動テーブル43を制御する制御手段46は、位置調整モードM1と、振動モードM2とを有している。制御手段46は、露光装置の全体を制御する主コントローラ47により制御され、主コントローラ47からの信号により位置調整モードM1または振動モードM2が選択される。位置調整モードM1が選択されている時には、制御手段46は微動テーブル43を駆動するボイスコイルモータ(不図示)を制御して微動テーブル43の位置を微調整する。振動モードM2が選択されている時には、制御手段46はボイスコイルモータ(不図示)により微動テーブル43を上下方向に振動し、静電チャック42の吸着面42aあるいはレチクル25のパターン面25aに付着したパーティクルPを除去する。なお、微動テーブル43を水平方向にも振動しても良い。
この実施形態では、微動テーブル43を制御する制御手段46は、位置調整モードM1と、振動モードM2とを有している。制御手段46は、露光装置の全体を制御する主コントローラ47により制御され、主コントローラ47からの信号により位置調整モードM1または振動モードM2が選択される。位置調整モードM1が選択されている時には、制御手段46は微動テーブル43を駆動するボイスコイルモータ(不図示)を制御して微動テーブル43の位置を微調整する。振動モードM2が選択されている時には、制御手段46はボイスコイルモータ(不図示)により微動テーブル43を上下方向に振動し、静電チャック42の吸着面42aあるいはレチクル25のパターン面25aに付着したパーティクルPを除去する。なお、微動テーブル43を水平方向にも振動しても良い。
振動モードM2では、制御手段46は、微動テーブル43を周波数1KHz以下、振幅1μm以下で振動させる。そして、レチクル25のパターン面25aあるいは静電チャック42の吸着面42aに付着した粒径1μm以上の比較的大きいパーティクルPを除去する。
この実施形態では、図10に示すように静電チャック42にレチクル25を吸着していない状態で振動モードM2が選択され、微動テーブル43が振動される。静電チャック42の電源をオフにした状態で微動テーブル43を振動すると、静電チャック42の吸着面42aに付着したパーティクルPが分離し、静電チャック42の下方の空間に落下する。落下したパーティクルPは、レチクルステージ12が真空ポンプ(不図示)により排気されているため、真空ポンプにより吸引され除去される。
この実施形態では、図10に示すように静電チャック42にレチクル25を吸着していない状態で振動モードM2が選択され、微動テーブル43が振動される。静電チャック42の電源をオフにした状態で微動テーブル43を振動すると、静電チャック42の吸着面42aに付着したパーティクルPが分離し、静電チャック42の下方の空間に落下する。落下したパーティクルPは、レチクルステージ12が真空ポンプ(不図示)により排気されているため、真空ポンプにより吸引され除去される。
また、この実施形態では、図9に示したように、静電チャック42にレチクル25を吸着した後に、振動モードM2が選択され、微動テーブル43が振動される。微動テーブル43を振動すると、静電チャック42およびレチクル25が振動しレチクル25のパターン面25aに付着したパーティクルPが分離し、レチクル25の下方の空間に落下する。落下したパーティクルPは、レチクルステージ12が真空ポンプ(不図示)により排気されているため、真空ポンプにより吸引され除去される。
この実施形態では、レチクルステージ12の微動テーブル43を制御する制御手段46に、微動テーブル43を振動する振動モードM2を設けたので、静電チャック42の吸着面42aおよびレチクル25のパターン面25aに付着したパーティクルPを真空雰囲気内において容易,確実に除去することができる。
(露光装置の実施形態)
図11は、図1の露光装置のEUV光リソグラフィシステムを模式化して示している。なお、この実施形態において上述した実施形態と同一の部材には、同一の符号を付している。
(露光装置の実施形態)
図11は、図1の露光装置のEUV光リソグラフィシステムを模式化して示している。なお、この実施形態において上述した実施形態と同一の部材には、同一の符号を付している。
この実施形態では、露光の照明光としてEUV光が用いられる。EUV光は0.1〜400nmの間の波長を持つもので、この実施形態では特に1〜50nm程度の波長が好ましい。投影像は像光学系システム101を用いたもので、ウエハW上にレチクル25によるパターンの縮小像を形成するものである。
ウエハW上に照射されるパターンは、レチクルステージ12の下側に静電チャック42を介して配置されている反射型のレチクル25により決められる。この反射型のレチクル25は、上述した実施形態の真空ロボット13によって搬入および搬出される(真空ロボット13の図示は省略する)。また、ウエハWはウエハステージ103の上に載せられている。典型的には、露光はステップ・スキャンによりなされる。
ウエハW上に照射されるパターンは、レチクルステージ12の下側に静電チャック42を介して配置されている反射型のレチクル25により決められる。この反射型のレチクル25は、上述した実施形態の真空ロボット13によって搬入および搬出される(真空ロボット13の図示は省略する)。また、ウエハWはウエハステージ103の上に載せられている。典型的には、露光はステップ・スキャンによりなされる。
露光時の照明光として使用するEUV光は大気に対する透過性が低いので、EUV光が通過する光経路は、適当な真空ポンプ107を用いて真空に保たれた真空チャンバ106に囲まれている。またEUV光はレーザプラズマX線源によって生成される。レーザプラズマX線源はレーザ源108(励起光源として作用)とキセノンガス供給装置109からなっている。レーザプラズマX線源は真空チャンバ110によって取り囲まれている。レーザプラズマX線源によって生成されたEUV光は真空チャンバ110の窓111を通過する。
レーザ源108は紫外線以下の波長を持つレーザ光を発生させるものであって、例えば、YAGレーザ、エキシマレーザが使用される。レーザ源108からのレーザ光は集光され、ノズル112から放出されたキセノンガス(キセノンガス供給装置109から供給されている)の流れに照射される。キセノンガスの流れにレーザ光を照射するとレーザ光がキセノンガスを十分に暖め、プラズマを生じさせる。レーザで励起されたキセノンガスの分子が低いエネルギ状態に落ちる時、EUV光の光子が放出される。
放物面ミラー113は、キセノンガス放出部の近傍に配置されている。放物面ミラー113はプラズマによって生成されたEUV光を集光する。放物面ミラー113は集光光学系を構成し、ノズル112からのキセノンガスが放出される位置の近傍に焦点位置がくるように配置されている。EUV光は放物面ミラー113の多層膜で反射し、真空チャンバ110の窓111を通じて集光ミラー114へと達する。集光ミラー114は反射型のレチクル25へとEUV光を集光、反射させる。EUV光は集光ミラー114で反射され、レチクル25の所定の部分を照明する。すなわち、放物面ミラー113と集光ミラー114はこの装置の照明システムを構成する。
レチクル25は、EUV光を反射する多層膜とパターンを形成するための吸収体パターン層を持っている。レチクル25でEUV光が反射されることによりEUV光は「パターン化」される。パターン化されたEUV光は投影システム101を通じてウエハWに達する。
この実施形態の像光学システム101は、凹面第1ミラー115a、凸面第2ミラー115b、凸面第3ミラー115c、凹面第4ミラー115dの4つの反射ミラーからなっている。各ミラー115a〜115dにはEUV光を反射する多層膜が備えられている。
この実施形態の像光学システム101は、凹面第1ミラー115a、凸面第2ミラー115b、凸面第3ミラー115c、凹面第4ミラー115dの4つの反射ミラーからなっている。各ミラー115a〜115dにはEUV光を反射する多層膜が備えられている。
レチクル25により反射されたEUV光は第1ミラー115aから第4ミラー115dまで順次反射されて、レチクルパターンの縮小(例えば、1/4、1/5、1/6)された像を形成する。像光学系システム101は、像の側(ウエハWの側)でテレセントリックになるようになっている。
レチクル25は可動のレチクルステージ12によって少なくともX−Y平面内で支持されている。ウエハWは、好ましくはX,Y,Z方向に可動なウエハステージ103によって支持されている。ウエハW上のダイを露光するときには、EUV光が照明システムによりレチクル25の所定の領域に照射され、レチクル25とウエハWは像光学系システム101に対して像光学システム101の縮小率に従った所定の速度で動く。このようにして、レチクルパターンはウエハW上の所定の露光範囲(ダイに対して)に露光される。
レチクル25は可動のレチクルステージ12によって少なくともX−Y平面内で支持されている。ウエハWは、好ましくはX,Y,Z方向に可動なウエハステージ103によって支持されている。ウエハW上のダイを露光するときには、EUV光が照明システムによりレチクル25の所定の領域に照射され、レチクル25とウエハWは像光学系システム101に対して像光学システム101の縮小率に従った所定の速度で動く。このようにして、レチクルパターンはウエハW上の所定の露光範囲(ダイに対して)に露光される。
露光の際には、ウエハW上のレジストから生じるガスが像光学システム101のミラー115a〜115dに影響を与えないように、ウエハWはパーティション116の後ろに配置されることが望ましい。パーティション116は開口116aを持っており、それを通じてEUV光がミラー115dからウエハWへと照射される。パーティション116内の空間は真空ポンプ117により真空排気されている。このように、レジストに照射することにより生じるガス状のゴミがミラー115a〜115dあるいはレチクル25に付着するのを防ぐ。それゆえ、これらの光学性能の悪化を防いでいる。
この実施形態の露光装置では、上述したパーティクル除去装置によりレチクル25および静電チャック42に付着したパーティクルPを除去するようにしたので、露光精度を向上することができる。
(実施形態の補足事項)
以上、本発明を上述した実施形態によって説明してきたが、本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下のような形態でも良い。
(実施形態の補足事項)
以上、本発明を上述した実施形態によって説明してきたが、本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下のような形態でも良い。
(1)上述した第1の実施形態では、CFPステージ31においてパーティクルPの除去を行った例について説明したが、別途、パーティクルPを除去する専用のステージ等を設けても良い。
(2)上述した実施形態では、CFPステージ31またはレチクルステージ12の一方でパーティクルPの除去を行った例について説明したが、CFPステージ31とレチクルステージ12の両方でパーティクルPの除去を行うようにしても良い。
(2)上述した実施形態では、CFPステージ31またはレチクルステージ12の一方でパーティクルPの除去を行った例について説明したが、CFPステージ31とレチクルステージ12の両方でパーティクルPの除去を行うようにしても良い。
(3)上述した実施形態では、圧電素子を用いて振動子38を構成した例について説明したが、例えば励歪素子等を用いて振動子を構成しても良い。
(4)上述した実施形態では、CFPステージ31あるいは静電チャック42に1つの振動子38を配置した例について説明したが、複数の振動子38を配置しても良い。例えば、図12に示すように矩形状の静電チャック42の4つの側面にそれぞれ振動子38を配置し水平方向に振動することにより、静電チャック42の吸着面42aの全面を確実に振動することができる。
(4)上述した実施形態では、CFPステージ31あるいは静電チャック42に1つの振動子38を配置した例について説明したが、複数の振動子38を配置しても良い。例えば、図12に示すように矩形状の静電チャック42の4つの側面にそれぞれ振動子38を配置し水平方向に振動することにより、静電チャック42の吸着面42aの全面を確実に振動することができる。
(5)上述した第1の実施形態では、下カバー部材33の突起部33bにレチクル25を単に載置した例について説明したが、例えば、図13に示すようにレチクル25の側面をバネ部材48を介して下カバー部材33の突起部33cに押圧するようにしても良い。これにより、レチクル25が大きく移動することがなくなり、突起部33bとの間の摩擦により新たな異物が発生することを防止することができる。
(6)上述した実施形態では、EUV光を用いた露光装置の例を説明したが、真空雰囲気内で露光を行う露光装置に広く適用することができる。
(7)上述した第1の実施形態、第2の実施形態、および第3の実施形態は、一つのシステムの中で組み合わせて使用しても良い。
(7)上述した第1の実施形態、第2の実施形態、および第3の実施形態は、一つのシステムの中で組み合わせて使用しても良い。
12:レチクルステージ、25:レチクル、25a:パターン面、33:下カバー部材、38:振動子、39:振動子駆動手段、37,45:パーティクル除去装置、42:静電チャック、43:微動テーブル、46:制御手段、P:パーティクル。
Claims (12)
- 基板に付着したパーティクルを真空雰囲気内において除去するパーティクル除去装置であって、
前記基板を保持する保持手段と、
前記基板に振動を付与する振動付与手段と、
を有することを特徴とするパーティクル除去装置。 - 請求項1記載のパーティクル除去装置において、
前記基板はレチクルであり、前記保持手段にパターン面を下方に向けて保持されていることを特徴とするパーティクル除去装置。 - 請求項2記載のパーティクル除去装置において、
前記基板は、前記基板を保護する保護カバーを介して前記保持手段に保持されていることを特徴とするパーティクル除去装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載のパーティクル除去装置において、
前記振動付与手段は、前記保持手段に配置される振動子を有することを特徴とするパーティクル除去装置。 - 請求項2記載のパーティクル除去装置において、
前記保持手段は、前記基板を吸着する吸着面を下面に有する静電チャックであることを特徴とするパーティクル除去装置。 - 請求項5記載のパーティクル除去装置において、
前記振動付与手段は、前記静電チャックを振動する振動子を有することを特徴とするパーティクル除去装置。 - 請求項5記載のパーティクル除去装置において、
前記静電チャックは前記基板の位置を微調整する微動テーブルの下面に固定され、前記振動付与手段は前記微動テーブルであることを特徴とするパーティクル除去装置。 - 静電チャックに付着したパーティクルを真空雰囲気内において除去するパーティクル除去装置であって、
前記静電チャックを保持する保持手段と、
前記静電チャックに振動を付与する振動付与手段と、
を有することを特徴とするパーティクル除去装置。 - 請求項8記載のパーティクル除去装置において、
前記静電チャックは、基板を吸着する吸着面を下面に有することを特徴とするパーティクル除去装置。 - 請求項8または請求項9記載のパーティクル除去装置において、
前記振動付与手段は、前記静電チャックを振動する振動子を有することを特徴とするパーティクル除去装置。 - 請求項9記載のパーティクル除去装置において、
前記保持手段は前記基板の位置を微調整する微動テーブルであり、前記振動付与手段は前記微動テーブルであることを特徴とするパーティクル除去装置。 - 請求項1ないし請求項11のいずれか1項記載のパーティクル除去装置を有することを特徴とする露光装置。
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US9209052B2 (en) | 2013-02-08 | 2015-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing apparatus and device manufacturing method using substrate distortion correction |
JP2019129246A (ja) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN112965334A (zh) * | 2021-02-04 | 2021-06-15 | 江苏高光半导体材料有限公司 | 一种amoled用的掩膜版制作方法及掩膜版 |
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2006
- 2006-06-15 JP JP2006166260A patent/JP2007335665A/ja not_active Withdrawn
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