CN104081285B - 衬底保持器和制造衬底保持器的方法 - Google Patents

衬底保持器和制造衬底保持器的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104081285B
CN104081285B CN201380007834.9A CN201380007834A CN104081285B CN 104081285 B CN104081285 B CN 104081285B CN 201380007834 A CN201380007834 A CN 201380007834A CN 104081285 B CN104081285 B CN 104081285B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
knuckle
substrate holder
liquid
patterning devices
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201380007834.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104081285A (zh
Inventor
R·拉法雷
S·唐德斯
N·坦凯特
N·德齐奥姆基纳
Y·卡瑞德
E·罗登伯格
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of CN104081285A publication Critical patent/CN104081285A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104081285B publication Critical patent/CN104081285B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B22F10/20—Direct sintering or melting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/062—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/34—Laser welding for purposes other than joining
    • B23K26/342—Build-up welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/354—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by melting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/18—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine for positioning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y10/00—Processes of additive manufacturing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y80/00—Products made by additive manufacturing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70416—2.5D lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B22F10/20—Direct sintering or melting
    • B22F10/25—Direct deposition of metal particles, e.g. direct metal deposition [DMD] or laser engineered net shaping [LENS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B22F10/20—Direct sintering or melting
    • B22F10/28—Powder bed fusion, e.g. selective laser melting [SLM] or electron beam melting [EBM]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B22F10/60—Treatment of workpieces or articles after build-up
    • B22F10/66—Treatment of workpieces or articles after build-up by mechanical means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/25—Process efficiency

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

用于光刻设备的对象保持器具有主体，该主体具有表面。在该表面上或在薄膜叠层的孔径中形成用于支撑对象的多个突节。通过激光烧结形成突节中的至少一个。通过激光烧结形成的突节中的至少一个可以是先前通过激光烧结或另一方法形成的损坏突节的修复。

Description

衬底保持器和制造衬底保持器的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年2月3日提交的美国临时申请61/594,857、2012年4月9日提交的美国临时申请61/621,648和2012年4月9日提交的美国临时申请61/621,660的权益，在此通过引用将上述申请整体并入本文。
技术领域
本发明涉及衬底保持器、光刻设备、器件制造方法和制造衬底保持器的方法。
背景技术
光刻设备是将期望的图案应用到衬底上、通常应用到衬底的目标部分上的机器。可以在例如集成电路(IC)的制造中使用光刻设备。在该情形中，可以使用备选地称为掩模或掩模版的构图设备来产生待形成于IC的各个层上的电路图案。该图案可以转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或若干个裸片的部分)上。图案的转移典型地是成像在衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上的过孔。通常，单一衬底将包含相继构图的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进机和所谓的扫描仪，在步进机中通过将整个图案一次曝光于目标部分上来辐射每个目标部分，在扫描仪中通过在给定方向(“扫描”方向)中通过辐射束扫描图案、同时与该方向平行或反平行地同步扫描衬底来辐射每个目标部分。也可以通过将图案印制在衬底上，来将图案从构图设备转移到衬底。
已经提出在具有相对高折射率的液体(例如水)中浸没光刻投影设备中的衬底，使得填充在衬底和投影系统的最终元件之间的空间。在一个实施例中，液体是蒸馏水，但可以使用另一液体。将参照液体描述本发明的实施例。然而，另一流体可以是合适的，特别是润湿流体、非压缩性流体和/或具有比空气更高折射率、理想地比水更高折射率的流体。排除气体之外的流体是特别期望的。这样做的目的在于实现更小特征的成像，因为曝光辐射在液体中将具有更短波长。(液体的效果也可以视为增加系统的有效数值孔径(NA)并且增加焦深)。提出了其它浸没液体，包括具有悬置在其中的固体颗粒(例如石英)的水或具有纳米颗粒悬置物(具有高达10nm的最大尺寸的颗粒)的液体。悬置的颗粒可以具有或可以不具有与其中它们悬置于其中的液体类似或相同的折射率。可能合适的其它液体包括碳氢化合物，诸如芳香烃、氟代烃和/或水溶液。
发明内容
在常规光刻设备中，可以通过衬底保持器支撑待曝光的衬底，该衬底保持器继而由衬底台支撑。衬底保持器通常是在尺寸和形状上对应于衬底的平坦刚性盘(但它可以具有不同的尺寸或形状)。它具有突出的阵列，该突出称为突节(burl)或凸斑(pimple)，从至少一侧突出。在一个实施例中，衬底保持器具有在两个相对侧上的突出阵列。在这种情况下，当衬底保持器置于衬底台上时，衬底保持器的主体保持在衬底台之上的小距离，而衬底保持器的一侧上的突节的端部位于衬底台的表面上。类似地，当衬底停留在衬底保持器的相对侧上的突节的顶部上时，衬底与衬底保持器间隔开。这样做的一个目的在于，帮助防止可能存在于衬底台或衬底保持器上的颗粒(即，诸如灰尘颗粒的污染颗粒)使衬底保持器或衬底畸变。由于突节的总表面区域仅是衬底或衬底保持器的总区域的一小部分，所以很可能任意颗粒将位于突节之间并且其存在将不具有任何影响。
由于在高生产量的光刻设备的使用中由衬底经历的高加速度，不足以允许衬底简单地停留在衬底保持器的突节上。它被原位夹持。已知原位夹持衬底的两种方法——真空夹持和静电夹持。在真空夹持中，在衬底保持器和衬底之间并且可选地在衬底台和衬底保持器之间的空间部分地排空，使得衬底通过其上的气体或液体的更高压力原位保持。然而，真空夹持可能并不可行，其中衬底或衬底保持器附近的环境和/或束路径保持在低或非常低的压力处，例如极紫外(EUV)辐射光刻。在这种情况下，产生跨衬底(或衬底保持器)的足够大的压力差来夹持它可能是不可能的。因此在这种环境中(或在其它环境中)使用静电夹持。在静电夹持中，设置在衬底台和/或衬底保持器上的电极提升到高电位，例如10V到5000V，并且静电力吸附衬底。因而，突节的另一目的在于使衬底、衬底保持器和衬底台间隔开，以便实现静电夹持。
可以在光刻设备内的各种其它位置中使用突节，其它位置例如在诸如掩模之类的构图设备的支撑物中、在构图设备操控装置或衬底的夹持器中和/或掩模版夹中。不同位置中的突节可以具有关于它们的尺寸和其它物理性质中的一种或多种的不同的要求。可以适用制造的不同方法。在许多情况下，对一个或多个突节的损坏可能使整个组分的替换成为必需。
例如期望提供用于在光刻设备中使用的对象保持器和制造具有该突节的对象保持器的方法，该保持器例如具有不同形状、尺寸和/或组分的突节。
根据本发明的一个方面，提供有一种制造用于在光刻设备中使用的对象保持器的方法，该方法包括：提供具有表面的主体；以及在所述表面上形成多个突节，所述突节从所述表面突出并且具有支撑对象的端表面，其中形成所述突节的至少一个的至少一部分包括激光烧结。
根据本发明的一个方面，提供有一种用于在光刻设备中使用的对象保持器，该对象保持器包括：具有表面的主体；以及多个突节，设置在所述表面上并且具有支撑对象的端表面，其中通过激光烧结形成所述突节的至少一个的至少一部分。
根据本发明的一个方面，提供有一种光刻设备，包括：支撑结构，配置成支撑构图设备；投射系统，布置成将通过所述构图设备构图的束投射到衬底上；以及衬底保持器，布置成保持所述衬底，所述衬底保持器如本文所述的那样。
附图说明
现在将参照所附示意图，仅通过示例的方式描述本发明的实施例，在附图中对应的参考标号指示对应的部分，并且其中：
图1描绘了根据本发明一个实施例的光刻设备；
图2和图3描绘了用于在光刻投影设备中使用的液体供给系统；
图4描绘了用于在光刻投影设备中使用的另一液体供给系统；
图5以截面描绘了在本发明的一个实施例中可以用作浸没液体供给系统的阻挡部件；
图6描绘了根据本发明的一个实施例的光刻设备；
图7是设备4100的更具体视图；
图8是图6和图7的设备的源收集器设备SO的更具体视图；
图9以截面描绘了根据本发明的一个实施例的衬底台和衬底保持器；
图10A至图10E描绘了在根据本发明的一个实施例的制造衬底保持器的方法中的步骤；
图11描绘了根据本发明的一个实施例的衬底保持器；
图12描绘了根据本发明的一个实施例的用于构图设备的支撑结构；
图13以平面描绘了根据本发明实施例的支撑结构的一部分；
图14以截面描绘了图13的支撑结构；
图15描绘了根据本发明的一个实施例的衬底操控器和夹持器；
图16描绘了根据本发明的一个实施例的衬底台；
图17A至图17C描绘了根据本发明的一个实施例的修复衬底保持器的方法中的步骤；以及
图18A至图18C描绘了根据本发明的一个实施例的修复衬底保持器的方法中的步骤。
具体实施方式
图1示意性地描绘了根据本发明的一个实施例的光刻设备。该设备包括：
-照明系统(照明器)IL，配置成调节辐射束B(例如UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，构造成支撑构图设备(例如掩模)MA并连接到第一定位器PM，该第一定位器PM配置成根据特定参数准确地定位构图设备；
-衬底台(例如晶片台)WT，构造成保持衬底(例如抗蚀剂涂覆晶片)W并连接到第二定位器PW，该第二定位器PW配置成根据特定参数准确地定位衬底；以及
-投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，配置成通过构图设备MA将赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个裸片)上。
照明系统可以包括各种类型的光学组件，诸如用于引导、成形或控制辐射的折射、反射、磁性、电磁、静电或其它类型的光学组件，或其任意组合。
支撑结构MT保持构图设备。支撑结构MT以取决于构图设备的定向、光刻设备的设计和诸如构图设备是否保持在真空环境中之类的其它条件的方式保持构图设备。支撑结构MT可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持构图设备。支撑结构MT可以是框或台，例如可以根据需要固定或可移动。支撑结构MT可以确保构图设备例如关于投影系统处于期望的位置处。本文的术语“掩模版”或“掩模”的任意使用可以认为与更通用术语“构图设备”同义。
本文使用的术语“构图设备”应广泛解释为指代可以用于在其截面中利用图案赋予辐射束的任意设备，使得在衬底的目标部分中创建图案。应注意，例如，如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则赋予辐射束的图案可以不精确地对应于衬底目标部分中的期望图案。通常，赋予辐射束的图案将对应于在目标部分中创建的器件(诸如集成电路)中的具体功能层。
构图设备可以是透射的或反射的。构图设备的示例包括掩模、可编程镜面阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是熟知的，并且包括诸如二元、交替相移和衰减相移之类的掩模类型以及各种混合掩模类型。可编程镜面阵列的示例采用小的镜面的矩阵布置，每个镜面可以单独倾斜以便反射在不同方向进来的辐射束。倾斜的镜面在由镜面矩阵反射的辐射束中赋予图案。
本文使用的术语“投影系统”应广泛解释为涵盖任意类型的系统，适当地针对所使用的曝光辐射或诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素，包括折射、反射、反折射、磁性、电磁和静电光学系统或其任意组合。本文的术语“投影透镜”的使用可以认为是与更通用的术语“投影系统”同义。
如本文描绘的那样，设备是透射型的(例如采用透射掩模)。备选地，设备可以是反射型的(例如采用上述类型的可编程镜面阵列或采用反射掩模)。
光刻设备可以是具有诸如衬底平台或衬底台的两个或更多衬底支撑结构和/或两个或更多用于构图设备的支撑结构的类型。在具有多个衬底平台的设备中，所有衬底平台可以是等同的且可互换的。在一个实施例中，多个衬底平台中的至少一个特别适于曝光步骤，并且多个衬底平台中的至少一个特别适于测量或制备步骤。在本发明的实施例中，多个衬底平台中的一个或多个由测量平台替换。测量平台包括诸如传感器检测器和/或传感器系统的目标之类的一个或多个传感器系统中的至少一部分，但不支撑衬底。代替用于构图设备的衬底平台或支撑结构，测量平台可定位于投影束中。在这样的设备中，可以并行使用附加平台，或可以在一个或多个平台上执行制备步骤，而一个或多个其它平台用于曝光。
参照图1，照明器IL接收来自辐射源SO的辐射束。例如当该源是准分子激光器时，该源和光刻设备可以是单独的实体。在这样的情况下，该源不被认为形成光刻设备的一部分，并且辐射束借助于束传递系统BD从源SO到达照明器IL，该束传递系统BD例如包括适合的引导镜面和/或扩束器。在其它情况下，例如当该源是汞灯时，该源可以是光刻设备的一体化部分。如果需要，则源SO和照明器IL与束传递系统BD一起可以被称为辐射系统。
照明器IL可以包括调整器AM，该调整器AM被配置成调整辐射束的角度强度分布。一般而言，可以调整照明器的光瞳面中的强度分布的至少外和/或内辐射范围(分别统称为σ-外和σ-内)。此外，照明器IL可以包括各种其它组件，诸如积分器IN和聚光器CO。照明器可以用于调节辐射束、在其截面中具有期望的均匀性和强度分布。类似于源SO，照明器IL可以被认为或可以不被认为形成光刻设备的一部分。例如，照明器IL可以是光刻设备的一体化部分或可以是与光刻设备分开的实体。在后一情况中，光刻设备可以被配置成允许照明器IL安装在其上。可选地，照明器IL可拆卸并且可以(例如由光刻设备制造商或另一供给商)分开提供。
辐射束B入射在构图设备(例如掩模)MA上，该构图设备MA保持在支撑结构(例如掩模台)MT上，辐射束B由构图设备构图。行进通过构图设备MA之后，辐射束B穿过投影系统PS，投影系统PS将束聚集在衬底W的目标部分C上。根据本发明的实施例，衬底W通过衬底保持器被保持在衬底台WT上，并且如下面进一步描述衬底W。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如干涉设备、线性编码器或电容式传感器)，可以准确地移动衬底台WT，例如以便在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后或者在扫描期间，可以使用第一定位器PM和另一位置传感器(图1中未明确示出)来关于辐射束B的路径准确地定位构图设备MA。通常，可以借助于形成第一定位器PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(细定位)，实现支撑结构MT的移动。类似地，可以使用形成第二定位器PM的一部分的长行程模块和短行程模块，实现衬底台WT的移动。在步进机(与扫描仪相对)的情况下，支撑结构MT可以仅连接到短行程致动器或可以被固定。可以使用构图设备对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来将构图设备MA和衬底W对准。尽管所示衬底对准标记占据专用目标部分，但它们可以位于目标位置之间的空间中(这些已知为划片线对准标记)。类似地，在其中在构图设备MA上设置多于一个的裸片的情形中，可以在裸片之间定位构图设备对准标记。
可以在以下模式中的至少一种中使用所示设备：
1.在步进模式中，支撑结构MT和衬底台WT保持基本静止，而赋予辐射束的整个图案一次(即单一静态曝光)投影到目标部分C上。然后在X和/或Y方向中移位衬底台WT，使得可以露出不同的目标部分C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制在单一静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，同步扫描支撑结构MT和衬底台WT，同时将赋予辐射束的图案投影到目标部分C上(即单一动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以由投影系统PS的(去)放大和图像反转特性确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸在单一动态曝光中限制目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描动作的长度确定目标部分的高度(在扫描方向上)。
3.在另一模式中，支撑结构MT保持基本静止，从而保持可编程构图设备，并且在赋予辐射束的图案投影到目标部分C上的同时移动或扫描衬底台WT。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在扫描期间在衬底台WT的每次移动之后或者在相继辐射脉冲之间，根据需要更新可编程构图设备。该操作模式可以容易地应用于利用可编程构图设备的无掩模光刻，诸如上述类型的可编程镜面阵列。
也可以采用上述使用模式或完全不同的使用模式上的组合和/或变化。
在许多光刻设备中，使用液体供给系统IH将流体(特别是液体)设置在投影系统的最终元件之间，以实现更小特征的成像和/或增加设备的有效NA。下面进一步参照这样的浸没设备描述本发明的实施例，但可以等同地实施在非浸没设备中。用于在投影系统的最终元件和衬底之间提供液体的布置可以分类为至少两个总类。这些是浴器型布置和所谓的局部浸没系统。在浴器型布置中，基本整个衬底和可选地衬底台的一部分浸没在液体浴中。局部浸没系统使用液体供给系统，其中液体仅提供到衬底的局部区域。在后一类中，由液体填充的空间在平面中小于衬底的顶表面，并且填充有液体的区域相对于投影系统保持基本静止，同时衬底在该区域下方移动。本发明实施例涉及的另一布置是液体不受限的全润湿溶液。在该布置中，衬底的基本整个顶表面和衬底台的全部或部分覆盖在浸没液体中。覆盖至少衬底的液体的深度是小的。该液体可以是衬底上的液体膜，诸如薄膜。
在图2至图5中图示了四种不同类型的局部液体供给系统。图2至图5的任意液体供给设备可以在不受限系统中使用；然而，密封特征并不存在、不激活、不像正常那样有效或另外不太有效地将液体仅密封到局部区域。
针对局部浸没系统提出的布置之一在于，液体供给系统使用液体受限系统仅在衬底的局部区域上以及投影系统的最终元件和衬底之间提供液体(衬底通常具有比投影系统的最终元件更大的表面区域)。已经提出为此布置的一种方式在PCT专利申请公开No.WO99/49504中公开。如图2和图3所示，理想地沿着衬底相对于最终元件的移动方向，通过至少一个入口将液体供给到衬底上，并且在投影系统下方通过之后通过至少一个出口去除。也就是，随着在-X方向在元件下方扫描衬底，在元件的+X侧处供给液体并且在-X侧处接纳液体。
图2示意性地示出了其中经由入口供给液体并通过连接到低压源的出口在元件的另一侧上接纳该液体的布置。衬底W上方的箭头图示了液体流动方向，并且衬底W下方的箭头图示了衬底台的移动方向。在图2的图示中，相对于最终元件沿着衬底的移动方向供给液体，但不是必需是这种情况。定位在最终元件周围的入口和出口的各种定向和数目是可能的，图3图示了一个示例，其中在最终元件周围以规则图案设置在任一侧上具有出口的四组入口。液体供给和液体恢复设备中的箭头指示液体流动方向。
图4示出了具有局部液体供给系统的另一浸没光刻溶液。通过投影系统PS任一侧上的两个凹槽入口供给液体，并通过从入口辐射地向外布置的多个分立入口去除液体。入口和出口可以布置在其中心中具有孔的板中并且投影束投影通过该板。通过投影系统PS的一侧上的一个凹槽入口供给液体并且通过投影系统PS的另一侧上的多个分立出口去除液体，使得液体薄膜在投影系统PS和衬底W之间流动。选择使用的入口和出口的哪个组合可以取决于衬底W的移动方向(入口和出口的另一组合是不激活的)。在图4的截面图中，箭头图示了液体流入入口和流出出口的方向。
已经提出的另一布置在于，提供具有液体受限部件的液体供给系统，该液体受限部件沿着投影系统的最终元件和衬底台之间的空间的边界的至少一部分延伸。图5中图示了这样的布置。液体受限部件相对于投影系统在XY平面中基本静止，但在Z方向上(在光学轴方向上)可能存在一些相对移动。在液体受限部件和衬底的表面之间形成密封。在一个实施例中，在液体受限部件与衬底表面之间形成密封并且该密封可以是非接触密封，诸如气体密封。在美国专利申请公开No.US 2004-0207824中公开了这样的系统。
流体操控结构12包括液体受限部件，并且在投影系统PS的最终元件和衬底W之间的空间11中至少部分地包含液体。对衬底W的非接触密封16可以形成在投影系统的图像场周围，使得将液体被限制在衬底W表面和投影系统PS的最终元件之间的空间内。该空间至少部分地由定位在下方并围绕投影系统PS的最终元件的流体操控结构12形成。液体通过液体入口13进入投影系统下方的空间中以及流体操控结构12内。可以通过液体出口13去除液体。流体操控结构12可以在投影系统的最终元件上方延伸一些。液体水平面上升至最终元件上方，使得提供液体的缓冲。在一个实施例中，流体操控结构12具有内部周界，该内部周界在上端处紧密地符合投影系统或其最终元件的形状并且例如可以是圆化的。在底部处，内部周界紧密符合图像场的形状，例如矩形，但不是必需是这样的情况。
在一个实施例中，通过气体密封16将液体包含在空间11中，在使用期间，气体密封16形成在流体操控结构12的底部与衬底W的表面之间。气体密封由气体例如空气、合成空气、N2或另一惰性气体形成。气体密封中的气体在压力下经由入口15提供到流体操控结构12与衬底W之间的空隙。空气经由出口14引出。布置气体入口15上的过压、出口14上的真空水平和空隙的几何形状，使得向内存在限制液体的高速气体流16。流体操控结构12和衬底W之间的液体上的气体力包含空间11中的液体。入口/出口可以是围绕空间11的环形凹槽。环形凹槽可以是连续的或不连续的。气体流16有效地包含空间11中的液体。在美国专利申请公开No.US 2004-0207824中公开了这样的系统。
图5的示例是局部区域布置，其中液体任意一次仅提供到衬底W的顶表面的局部区域。其它布置是可能的，包括流体操控系统，该流体操控系统利用单一相位提取器或两个相位提取器，例如美国专利申请公开No.US 2006-0038968中所公开的那样。
另一可能的布置是根据气体阻力原理工作的布置。所谓的气体阻力原理例如在美国专利申请公开No.US 2008-0212046、No.US2009-0279060和No.US 2009-0279062中已经描述。在该系统中，提取孔布置成理想地具有拐角的形状。拐角可以与步进或扫描方向对准。与具有垂直于扫描方向对准的两个出口的流体操控结构相比，这减小了在步进或扫描方向上针对给定速度的在流体操控结构表面中两个开口之间的弯液面上的力。
在US 2008-0212046中还公开了一种在主要液体获取特征外辐射地定位的气体刀。气体刀捕获通过主要液体获取特征的任意液体。这样的气体刀可以存在于所谓的气体阻力原理布置(如US2008-0212046中公开的)、单一或两个相位提取器布置(诸如在美国专利申请公开No.US 2009-0262318公开的)或者任意其它布置中。
许多其它类型的液体供给系统是可能的。本发明既不限于任意具体类型的液体供给系统，也不限于浸没光刻。本发明可以等同地适用于任意光刻中。在EUV光刻设备中，束路径基本真空并且不使用上述浸没布置。
图1所示的控制系统500控制光刻设备的总体操作，特别是执行下面进一步描述的优化工艺。控制系统500可以实施为适当编程的通用计算机，该通用计算机包括中央处理单元以及易失性和非易失性存储装置。可可选地，控制系统可以进一步包括一个或多个输入和输出设备，诸如去往光刻设备的各种部分的键盘和屏幕、一个或多个网络连接和/或一个或多个接口。可以理解，控制计算机和光刻设备之间的一对一关系不是必需的。在本发明的一个实施例中，一个计算机可以控制多个光刻设备。在本发明的一个实施例中，可以使用多个联网的计算机来控制一个光刻设备。控制系统500还可以配置成控制光刻单元或簇中的一个或多个相关联的工艺设备和衬底操控设备，光刻设备形成该光刻单元或簇的一部分。控制系统500还可以配置成从属于光刻单元或簇的监控系统和/或工厂的总体控制系统。
图6示意性描绘了包括源收集器设备SO的EUV光刻设备4100。该设备包括：
-照明系统(照明器)EIL，配置成调节辐射束B(例如EUV辐射)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，构造成支撑构图设备(例如掩模或掩模版)MA并连接到第一定位器PM，该第一定位器PM配置成准确地定位构图设备；
-衬底台(例如晶片台)WT，构造成保持衬底(例如抗蚀剂涂覆晶片)W并连接到第二定位器PW，该第二定位器PW配置成准确地定位衬底；以及
-投影系统(例如反射投影系统)PS，配置成通过构图设备MA将赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个裸片)上。
EUV光刻设备的这些基本组件在功能上类似于图1的光刻设备的对应组件。下面的描述主要覆盖不同的区域并且省略相同组件方面的重复描述。
在EUV光刻设备中，期望使用真空或低压环境，因为气体可以吸收过多辐射。因此可以借助于真空壁和一个或多个真空泵将真空环境提供到整个束路径。
参照图6，EUV照明器EIL接收来自源收集器设备SO的极紫外辐射束。用于产生EUV辐射的方法包括但不一定限于，利用EUV范围中的一个或多个发射线将具有至少一种元素例如氙、锂或锡的材料转换成等离子体态。在这样一种方法中，通常称为激光等离子体(“LPP”)的等离子体可以通过利用激光束辐射燃料诸如具有期望线发射元素的材料的滴、流或簇来产生。源收集器设备SO可以是包括激光器的EUV辐射系统的一部分，在图6中未示出，以提供激发燃料的激光束。所得到的等离子体发出输出辐射，例如EUV辐射，该输出辐射是使用布置在源收集器设备中的辐射收集器收集的。例如当使用CO2激光器提供用于燃料激发的激光束时，激光器和源收集器设备可以是单独的实体。
在这样的情况下，激光器不被认为是形成光刻设备的一部分，并且辐射束借助于束传递系统从激光器传递到源收集器设备，该束传递系统包括例如合适的引导晶面和/或扩束器。在其它情况下，例如当源是放电产生的等离子体EUV发生器(通常称为DPP源)时，源可以是源收集器设备的一体化部分。
EUV照明器EIL可以包括调整器，用于调整辐射束EB的强度角分布。一般而言，可以调整照明器的光瞳面中的强度分布的至少外和/或内辐射范围(分别统称为σ-外和σ-内)。此外，EUV照明器EIL可以包括各种其它组件，诸如琢面场和光瞳镜面设备。EUV照明器EIL可以用于调节辐射束EB，以在其截面中具有期望的均匀性和强度分布。
辐射束EB入射在构图设备(例如掩模)MA上，该构图设备MA保持在支撑结构(例如掩模台)MT上，并且辐射束EB通过构图设备构图。在从构图设备(例如掩模)MA反射之后，辐射束EB穿过投影系统PS，该投影系统PS将该束聚焦在衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器PS2(例如干涉设备、线性编码器或电容性传感器)，可以准确地移动衬底台WT，例如使得在辐射束EB的路径中定位不同的目标部分C。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器PS1可以用于相对于辐射束EB的路径准确地定位构图设备(例如掩模)MA。构图设备(例如掩模)MA和衬底W可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2对准。
所示设备可以使用与图1的设备相同的模式。
图7更详细地示出了EUV设备4100，包括源收集器设备SO、EUV照明系统EIL和投影系统PS。源收集器设备SO构造和布置成使得可以在源收集器设备SO的包封结构4220中保持真空环境。EUV辐射发出等离子体4210可以由放电等离子体源形成。EUV辐射可以通过气体或蒸汽产生，例如Xe气体、Li蒸汽或Sn蒸汽，其中创建等离子体4210以发出在电磁频谱的EUV范围中的辐射。例如通过引起至少部分离子化的等离子体的放电来创建等离子体4210。针对辐射的有效产生，可能需要例如Xe、Li、Sn蒸汽或任意其它合适气体或蒸汽的10Pa的分压。在一个实施例中，提供激发的锡(Sn)的等离子体来产生EUV辐射。
等离子体4210发出的辐射经由可选的气体屏障和/或污物陷阱4230(在一些情况下也称为污物屏障或铝箔陷阱)来从源腔室4211进入收集腔室4212。该气体屏障和/或污物陷阱4230定位在源腔室4211中的开口中或定位在该源腔室4211中的开口后面。污物陷阱4230可以包括沟道结构。污物陷阱4230也可以包括气体屏障或气体屏障和沟道结构的组合。本文进一步指出的污物陷阱或污物屏障4230至少包括沟道结构，如本领域已知的那样。
收集腔室4212可以包括辐射收集器CO，其可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧4251和下游辐射收集器侧4252。穿过收集器CO的辐射可以通过光栅频谱过滤器4240反射以聚焦在虚拟源点IF。虚拟源点IF通常称为中间焦点，并且源收集器设备布置成使得中间焦点IF位于包封结构4220中的开口4221处或该开口4221附近。虚拟源点IF是辐射发射等离子体4210的图像。
随后，辐射穿过照明系统IL，该照明系统IL可以包括琢面场镜面设备422和琢面光瞳镜面设备424，该设备422和424被布置成在构图设备MA处提供期望的辐射束421的角度分布以及在构图设备MA处的期望的辐射强度均匀性。在辐射束421在由支撑结构MT保持的构图设备MA处的反射之后，形成经构图的束426并且经由反射元件428、430由投影系统PS将经构图的束426成像到由衬底平台或衬底台WT保持的衬底W上。
比示出更多的元件通常可以存在于光学单元IL和投影系统PS中。取决于光刻设备的类型，可以可选地存在光栅频谱过滤器4240。可以存在比图中所示更多的镜面，例如可以存在与图7所示不同的存在于投影系统PS中的1至6个附加反射元件。
图7所示的收集器光学元件CO被描绘为具有掠入射反射器4253、4254和4255的嵌套收集器，仅作为收集器(或收集器镜面)的示例。掠入射反射器4253、4254和4255轴向对称布置在光学轴O周围，并且该类型的光学收集器CO优选地与通常称为DPP源的放电产生的等离子体源组合使用。
备选地，源收集器设备SO可以是图8所示的LPP辐射系统的一部分。激光器LA被布置成将激光能量沉积成燃料，诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)，从而创建具有几十eV的电子温度的高离子化等离子体4210。在这些离子的去激发和复合期间产生的能量辐射从等离子体发出、由近垂直入射光学收集器CO收集并聚焦到包封结构4220中的开口4221上。
图9描绘了根据本发明一个实施例的衬底保持器。它可以被保持在衬底台WT的凹陷内并支撑衬底W。衬底保持器100的主体具有平板形式，例如形状和尺寸基本对应于衬底W的盘。衬底保持器例如可以由Si、SiC、SiSiC、氮化铝(AlN)、零膨胀系数微晶玻璃(Zerodur)、堇青石(cordierite)或一些其它合适陶瓷或玻璃陶瓷材料形成。至少在顶侧上，在一个实施例中在两侧上，衬底保持器具有通常称为突节的突出106。在一个实施例中，衬底保持器是衬底台的一体化部分并且在下表面上不具有突节。在图9中该突节未按比例示出。通过如下所述的激光烧结形成突节中的一些或全部。
在一个实践实施例中，可以存在跨衬底保持器分布的例如宽度(例如直径)200mm、300mm或450mm的数百或数千个突节，例如多于10000或多于40000。突节的末端具有小面积，例如少于1mm2。因而衬底保持器100的一侧上的所有突节的总面积低于衬底保持器的总表面积的约10％，例如从1％到3％。由于突节布置，高可能性的是，可能位于衬底、衬底保持器或衬底台的表面上的任意颗粒将落入突节之间并且因此将不导致衬底或衬底保持器的变形。
突节布置可以形成图案和/或可以具有周期性布置。突节布置可以是规则的或者可以根据期望变化以提供衬底W和衬底台WT上的力的适当分布。突节在平面上可以具有任意形状，但在平面上通常为圆形。突节在它们整个高度上可以具有相同形状和尺寸但通常为锥形。突节从衬底保持器100的主体100a的表面的其余部分突出的距离在从约1μm到约5mm的范围内，理想地从约5μm到约250μm的范围内。衬底保持器100的主体100a的厚度可以在约1mm到约50mm的范围内，理想地在约5mm到约20mm的范围内，典型地为10mm。
有利地，突节可以形成有非常一致的尺寸。理想地，不同突节高度之间的差异非常小。可以形成短的突节(例如短于20μm，短于15μm，短于5μm，或短于3μm)。更短的突节是有利的，因为它们增加衬底和衬底保持器之间的热传递。远离突节的衬底保持器的顶部与衬底保持器上的衬底的支撑表面之间的间隙小于具有更大高度的支撑。这样小的间隙便于热从温度调节元件(例如加热器)传递到支撑衬底。最小突节高度由薄膜叠层的总高度的变化以及衬底和衬底保持器的不平坦量确定。在一个实施例中，突节高度大于或等于1μm或2μm。
突节可以具有小于或等于0.5mm的宽度(例如直径)。在一个实施例中，突节具有在从约200μm到约500μm的范围内的宽度(例如直径)。突节之间的间距在约1.5mm到约3mm之间。
此外，本发明的一个实施例允许针对衬底保持器使用更宽范围的材料。在本发明实施例中可以使用不适于形成突节或衬底保持器的先前方法的材料。在一个实施例中，可以使用无法容易被加工的诸如堇青石、低CTE玻璃陶瓷之类的材料来形成突节。堇青石具有用于在衬底保持器中使用的良好特性。例如，堇青石具有约140Gpa的高杨氏模量和约4W/mK的低热导率。
由于稳定的制造方法，根据本发明一个实施例制造的衬底保持器可以具有长使用寿命时间。本发明的实施例可以呈现期望的耐磨性，例如良好的抗磨性，并且因此呈现特定污物的低产生率。有利地，本发明的一个实施例可以避免涂覆衬底保持器的需要。
根据本发明的一个实施例的衬底保持器可以具有在一个表面或两个表面上形成的薄膜组件110。薄膜组件可以具有从约2nm到约100μm的范围内的层厚度。这样的薄膜组件可以具有一个或多个层。每个层可以通过包括化学气相沉积、物理气相沉积(例如溅射)、浸渍涂覆、旋转涂覆和/或喷涂的工艺形成。在一个实施例中，形成在衬底保持器上的组件包括薄膜叠层，即包括多个薄膜层。下面进一步描述这样的组件。尽管在本描述中提及的是形成在衬底保持器的顶表面上的薄膜叠层，但薄膜叠层可以形成在衬底保持器的下表面上，或衬底保持器下方的衬底台上，或衬底台或衬底保持器的任意其它薄膜上，包括一体化衬底保持器和衬底台的表面。
待形成在衬底台上的电气或电子组件包括例如电极、电阻性加热器和/或传感器，诸如(非限制性列举)应变传感器、磁传感器、压力传感器、电容性传感器或温度传感器。加热器和传感器可以用于局部地控制和/或监视衬底保持器和/或衬底的温度。这种局部的控制和/或监视可以减小不希望的衬底保持器或衬底中的温度差异和应力或引发期望的衬底保持器或衬底中的温度差异和应力。理想地，加热器和传感器形成在彼此相同的区域上、周围和/或上方。期望控制衬底的温度和/或应力，以便减少或消除诸如由衬底的局部膨胀或冷缩导致的覆盖误差之类的成像误差。例如，在浸没光刻设备中，残余浸没液体(例如水)在衬底上的蒸发会引起局部化冷却，可以向液体所在的表面施加热负载，并且因而引起衬底的收缩。相反，在曝光期间通过投影束递送到衬底的能量可以引起显著加热并因此引起衬底的膨胀。
在一个实施例中，待形成的组件是静电夹的电极。在静电夹持中，提供在衬底台和/或衬底保持器上的电极被提升到高电位，例如从10V到5000V。衬底可以接地或浮置。由电极产生的电场中的静电力将衬底吸附到衬底台和/或保持器，以提供夹持力。这在下面进一步进行描述。
可以提供一个或多个电连接来将衬底保持器上的电气或电子组件连接到电压源(为方便起见未示出)。如果组件是静电夹，衬底上的电极具有去往电压源的电连接。组件可以在衬底支撑的顶表面上。电连接的至少一部分可以通过衬底支撑的主体，如2011年11月3日提交的美国专利申请No.US 61/555,359中所述的那样，该专利的全部内容在此通过引用并入本文。
在一个实施例中，一个或多个局部加热器101由控制器103控制，以向衬底保持器100和衬底W提供期望的热量，从而控制衬底W的温度。一个或多个温度传感器102连接到控制器104，该控制器104监视衬底保持器100和/或衬底W的温度。在共同未决的美国专利申请公开No.US 2012-0013865中描述了使用一个或多个加热器和温度传感器局部地控制衬底温度的布置，该文献的全部内容在此通过引用并入本文。可以修改其中描述的布置以利用这里描述的电容性加热器和温度传感器。包括其组件和其制造方法的薄膜叠层的其它细突节在2012年2月23日提交的美国专利申请No.US13/403,706和2012年4月9日提交的共同未决的美国专利申请No.US 61/621,648中给出，上述文献的全部内容在此通过引用并入本文。
用于在常规(例如DUV)光刻设备(例如浸没光刻设备)中使用的衬底保持器理想地设置有一个或多个薄膜温度传感器和/或一个或多个薄膜加热器。可以在衬底保持器中、衬底保持器上和/或衬底保持器下方提供其它形式的传感器和/或加热器。
用于在EUV光刻设备中使用的衬底保持器理想地设置有薄膜静电夹和可选的一个或多个薄膜温度传感器和/或一个或多个薄膜加热器。可以在衬底保持器中、衬底保持器上和/或衬底保持器下方提供其它形式的传感器和/或加热器。
如前所述，可以使用激光烧结来形成突节。该方法在图10A至图10E中图示，并且开始于形成衬底保持器的主体400的期望形状的平板。可以通过另一技术预先形成该平板。在一个实施例中，该板由SiSiC形成，但可以使用一个或多个其它材料诸如InvarTM、ZerodurTM、ULETM、熔融硅石、堇青石、氮化硼、氮化硅、氮化铝(AlN)和/或SiC。期望地，该板的表面400a接地和/或被抛光到期望的平坦程度。在一个实施例中，例如利用臭氧清洗该表面，但可以省略该步骤。在一个实施例中，处理表面400a以例如通过施加底料(primer)层促进一个或多个随后层的粘附，但可以省略该步骤。在板上，施加隔离层410以将待形成于其上方的一个或多个金属层与衬底保持器的主体隔离。在一个实施例中，隔离层410改进平坦度。隔离层410可以由如上所述通过旋涂或喷涂施加的BCB或通过PECVD工艺施加的SiO2或其它合适材料制成。在隔离层的顶部上，例如通过PVD涂覆金属层440，以达到图10A所示的情形。
然后，例如通过光刻和选择性刻蚀(例如湿法刻蚀)对金属层进行构图，以限定期望的图案，从而形成期望组件，例如电极、传感器或加热器。该步骤也去除其中将在随后步骤中形成突节的区域中的金属层。在该阶段，衬底保持器如图10B中所示。
在构图后的金属层之上，涂覆隔离或介电层450，并且在期望突节的位置中形成通向主体或基层(即通过隔离层二者)的开口。衬底保持器现在如图10C所示。可选地，例如利用臭氧清洗主体400的表面的露出区域400b，和/或例如通过底料层的涂覆处理主体400的表面的露出区域400b，以促进将在随后形成的突节的粘附。
现在，在通过薄膜叠层的开口中通过激光烧结工艺形成突节406。可以与突节并行地形成衬底保持器上的其它结构，例如真空环。也可以在突节之间形成一个或多个突出，这些突出比突节更短但具有更大的面积。这样的突出改善衬底和衬底保持器之间的热传递。这样的突出例如可以是比突节406更短的10μm或更多。存在两种类型的激光烧结方法，这两种方法都是可使用的。
在第一方法中，向将形成突节的区域施加薄层粉末。然后，使用一个或多个激光束来选择性地烧结其中将形成突节的区域中的粉末。当这些完成时，施加并选择性地加热和烧结另一薄层粉末。重复这些，使得逐层构建突节。在一个实施例中，每个层具有在从1μm到1.5μm的范围内的厚度。由于可以在每层改变烧结图案，所以可以构建突节具有任意期望的形状和/或剖面。在该方法中，可以在大面积上施加粉末并且同时或并行地形成多个突节。备选地，可以向更小面积涂施加末并且独立地形成每个突节。该工艺的其它细突节可以在http://laz.htwm.de/43_rapidmicro/55_Ver％C3％B6ffentlichungen/Laser％20micro％20sintering％20-％20a％20quality％20leap％20through％20improvement％20of％20powder％20packing.Pdf处公开的A Streek等人的“Laser microsintering-a quality leap through improvement of powder packing”中找到。
在第二方法中，在将形成突节的区域之上，在惰性气体中喷射粉末，同时一个或多个激光束辐射待形成突节的精确位置。粉末选择性地粘附到激光束辐射的位置。通过适当地移位辐射点，可以构建期望剖面的突节。该工艺的其它细突节可以在http://laz.htwm.de/43_rapidmicro/55_Ver％C3％B6ffentlichungen/Micro clad 10.pdf处公开的S.Kloetar等人的“MICRO-CLADDING USING A PULSED FIBRE LASER AND SCANNER”中找到。
关于其它烧结技术，激光烧结通过部分地熔融粉末颗粒而工作，使得它们在冷却时粘附在一起。激光烧结具有的优势在于，激光束的受控施加允许对发生烧结的地方进行空间控制。在上述两个方法中，可以将粉末预加热到接近相关熔点的温度，使得需要激光束施加更少的能量来完成烧结。在烧结技术中可以使用各种各样的材料。粉末可以由单一材料形成，例如诸如钛之类的金属、诸如硅之类的半导体或诸如熔融硅石、堇青石和/或氮化铝之类的陶瓷。在一个实施例中，粉末由两个或多个组分制成。一种组分具有相对低的熔点，其被熔融以形成其中嵌入另一微粒组分的基质。粉末的基质形成组分可以提供为单独的颗粒或另一材料的颗粒上的涂层。基质形成复合物可以是上述单一材料中的任意一种。微粒组分可以是选择如下组的一个或多个组分，该组包括立方氮化硼、氮化硅、碳化硅、氮化钛、碳化钛和/或金刚石，例如金刚石状碳(DLC)。烧结工艺可以在惰性气氛或真空中执行，以帮助防止烧结或在受控气氛中的材料的化学变化，以促进化学变化。
因而，可以从广泛范围的材料中选择将形成突节的材料，以提供期望的特性，诸如对衬底保持器的基体材料的粘附强度。期望地，突节由与衬底保持器的主体材料相同的材料制成或由与衬底保持器的主体材料可兼容的材料制成。例如，通常期望突节完好地键合到衬底主体的基材，以便提供使用中的寿命和强健性。在一些应用中，期望突节具有高热导率以辅助衬底的温度调节。在其它应用中，低热导率可以是期望的，以便隔离衬底。可以通过材料选择实现的其它有关特性的突节包括导电性、介电强度和耐磨性。
用于形成突节的激光烧结技术通常导致如图10D中所示突节的粗糙上表面。如果这样，则期望执行最终抛光步骤，使得向图10E所示的突节提供光滑上表面。在一些情况下，例如如果利用粗粒研磨液执行最终抛光，则可能期望首先利用附加涂层保护薄膜叠层。然而，这通常不是必需的，例如在薄膜叠层仅包含用于夹持目的的电极的情况下。
激光烧结工艺的另一优势在于，它允许突节的成分在其高度上变化。因此可以制造如图11所示的具有一个或多个不同成分和/或特性的层或部分的突节。例如，突节的下部406a可以由完好键合到衬底保持器的基体材料的材料形成，而突节的上部406b由例如具有改善的耐磨性的材料形成。(注意，可以使用与突节不同的技术制成基体)例如，可以在突节的上部406b中包括诸如金刚石状碳(DLC)之类的金刚石的颗粒以改善耐磨性。备选地，金刚石颗粒(例如DLC)可以包括在下部406a中以改善热导率。在一个实施例中，突节形成有多于两个的分立层。在一个实施例中，突节形成有通过其高度的至少一部分在成分、含量或材料特性上的逐步变化。
也可以在与突节形成的表面基本平行的方向上改变将烧结的粉末的成分。在烧结的粉末层方法中，这可以通过在施加的每层粉末内变化粉末的成分来实现。在粉末喷射方法中，这可以通过与激光辐射点的移动时间同步地变化喷射粉末的成分来实现。可选地除了高度方向上的变化之外，在与其形成表面基本平行的方向上变化突节的材料成分可以允许突节的一个或多个机械和其它特性例如刚度上的精细控制。
本发明实施例的优势在于，突节在三个方向上可以形成有几乎任意形状。在一个实施例中，突节在其整个高度上具有恒定截面。在一个实施例中，突节远离衬底保持器的主体地锥形化。在一个实施例中，突节的截面随高度变化。在一个实施例中，突节具有与衬底保持器的主体表面基本平行的截面，该截面选自包括圆形、方形、矩形、椭圆形、菱形和“跑道”或“体育场”形状的组。“跑道”或“体育场”形状具有通过曲线(例如半圆形)接合的两个直的平行侧。
在一个实施例中，仅在衬底保持器的一侧上提供薄膜叠层。在一个实施例中，在衬底保持器上提供无薄膜叠层。在一个实施例中，在衬底保持器的两侧上提供薄膜叠层。在一个实施例中，在衬底保持器的两侧上提供突节。如果在衬底保持器的两侧上提供突节，则在两侧上使用形成突节的相同方法不是必需。
在期望设备组件和待操控对象之间的受控接触的情况下，可以采用本发明的实施例来在光刻设备中的其它组件上形成突节。
图12示出了作为用于构图设备的支撑结构(例如支撑掩模MA的掩模台MT)的本发明实施例。与衬底台形成对比，掩模台的主体500设置有通孔501，用于投影束B的通过。掩模MA由通过激光烧结在掩模台500上形成的突节区域502支撑。使用突节支撑掩模MA具有与使用突节支撑衬底台或保持器上的衬底类似的功能。例如，突节可以防止或减少掩模由于在掩模和支撑掩模的表面之间存在颗粒而失准或扭曲的机会。突节可以允许使用真空和/或静电夹持技术将掩模夹持到掩模台或其它支撑结构。由于在大部分光刻设备中，投影系统PS减小投影图像4或5因子，在操作的扫描模式中，在比衬底台大4或5倍的速度和加速度下移动掩模。因此，应施加相当更大的夹持力。期望地，以使得在掩模中不产生或产生最小应力的方式在支撑结构上保持掩模。突节的使用可以有助于该目的。
在图12中，示出突节提供在孔径501的任一侧的分立区域中。在一个实施例中，可以在完全围绕孔径的连续区域中或提供在孔径周围隔开的多个位置中提供突节。可以在实施例的构造中确定突节的精确位置。例如在掩模台或掩模操控设备上用于支撑掩模的突节可以具有从100μm到1μm的直径，理想地为300μm到500μm。突节在平面中可以具有细长形，诸如椭圆形或矩形。
在一个实施例中，在掩模或掩模版的夹子上通过激光烧结形成突节。该夹子可以是例如ULE-Zeodur-ULE或薄膜叠层-Zerodur-薄膜叠层的分层结构。这样的夹子可以具有约10mm的厚度。突节可以具有从2mm到10mm的间距。
图13在平面中描绘了根据本发明实施例的构图设备的支撑结构，例如掩模或掩模版。图14描绘了沿图13的线XX的截面中的相同支撑结构。支撑结构包括支撑部件512，通过片簧513在主体510之上支撑该支撑部件512。支撑部件512的上表面具有由突节106的区域围绕的中心凹陷515。中心凹陷515经由导管516连接到低压(例如真空)源517。
当诸如掩模MA之类的构图设备放置在支撑部件512上并且减小中心凹陷515中的压力时，将构图设备安全地夹持在原位。借助于片簧513，完好地限定支撑部件512在与构图设备MA的表面基本垂直的方向上的位置。然而，支撑部件512允许在与构图设备MA的表面基本平行的至少一个方向上移动。这意味着它帮助确保在构图设备MA中没有出现或出现最少应力。这样的应力是不希望的，因为它们可能使构图设备MA限定的图案扭曲。通过激光烧结形成的突节106在支撑部件512上的设置帮助确保准确定位构图设备MA。
图15图示了根据本发明的一个实施例的衬底输送臂或夹持器600。衬底输送臂600由一个或多个致动器(未示出)确定。衬底输送臂600用于在例如加载仓和预对准平台之间、在预对准平台和衬底台之间和/或在衬底台和卸载仓之间传递衬底。在光刻单元的轨道(track)部分中可以使用类似的输送设备，或者可以使用类似的输送设备移动构图设备(例如掩模)。衬底输送臂600包括在基本水平面中间隔开的成对的指状物或尖状物(prong)601。每个尖状物601的上表面或其部分设置有具有通过激光烧结形成的突节的区域602。在衬底输送臂上使用突节可以具有与上述相同的优势中的一个或多个优势，也就是，例如实现真空和/或静电夹持技术的使用以及/或者防止微粒使衬底扭曲。
图16示出本发明的其中衬底保持器与衬底台WT集成的一个实施例。保持器WT具有主体700，在主体700中形成有其内可以容纳衬底W的凹陷701。凹陷701的下表面设置有由上述激光烧结形成的突节106。确定凹陷701的深度和突节106的高度，以帮助确保衬底W的上表面与主体700的上表面基本共面。以此方式，由于将执行至衬底W上的曝光，所以设置在衬底台WT中的诸如传输图像传感器TIS的一个或多个传感器可以在基本相同的垂直位置处进行测量。
本发明实施例的优势在于，可以在比先前已知的形成突节的方法更广泛的表面上可靠且准确地形成突节。因而，可以在将不适于通过先前的技术设置突节的组件上设置突节，该先前的技术诸如材料去除技术，例如放电加工(EDM)。
另一优势在于，这里描述的方法可以单独地或综合地用于修复突节。下面将描述根据本发明实施例的修复突节的两种方法。这些方法可以用于修复通过任意方法形成的突节，而不只是通过激光烧结形成的突节。
在根据本发明实施例的修复方法中，修复各个突节，在图17A至图17C中图示了该方法的步骤。如图17A所示，对象保持器800具有多个突节801和损坏突节802。损坏突节802具有例如由磨损或物理损坏引起的粗糙上表面802a。损坏突节进一步向下研磨，以提供如图17B所示的光滑表面802b。在该工艺期间可以提供临时保护涂层来覆盖未损伤的突节801。如果希望，可以将研磨表面802b例如利用臭氧清洗和/或例如通过施加底料进行预处理。接下来使用如上所述的激光烧结技术将突节重建成其原始形状和/或高度(或不同的希望形状和/或高度)。这可以涉及将修复的突节803建造成高于最终设计高度的高度并且向回抛光到匹配未损伤突节801的高度的水平面，如图17C所示。
在另一修复方法中，同时修复对象保持器900上的多个突节901，该方法的步骤在图18A至图18C中描绘。该方法特别适用于对象保持器的周期性复原，以考虑磨损性，而不是解决损坏的孤立事件。该方法也可以用于调整突节的高度以适应变化的操作参数，例如待曝光的衬底的厚度变化。
在本实施例的方法中，图18A所示的突节901的上表面可以可选地例如使用臭氧进行清洗或例如通过施加底料来进行制备。然后通过如上所述的激光烧结工艺，在突节901上构建附加层902。在一个实施例中，附加层902具有范围从1μm至5μm的厚度，理想地为2μm至3μm。在大多数情况下，这将提供图18B所示的粗糙上表面902a，其处于比突节的最终期望高度更高的高度上。然后向回抛光突节以提供顶表面902b在期望高度上的期望平坦度和期望粗糙度，如图18C所示。
除了提供修复突节的方法的直接好处，即损坏组件不总是需要替换，修复技术的存在能够使得突节直接形成在如下组件上，对于该组件，在损坏一个或多个突节的事件中将经济地不期望替换该组件。
本发明的实施例有利地实现在光刻设备的组件上使用突节，该组件诸如衬底台、构图设备的支撑结构、掩模台、晶片操控器、掩模操控器、夹持器、预对准平台、轨道中的处理设备、衬底操控机器人、调节板、衬底调节单元和/或传感器底座。不管对象将保持或安装在哪里的精确位置处，都可以使用根据本发明实施例制造的突节，该对象诸如衬底、构图设备、光学元件或传感器。可以安装在根据本发明实施例形成的突节上的传感器可以包括传输图像传感器和/或干涉差传感器。
本发明实施例的优势在于，它可以比诸如放电加工之类的减成法技术更准确地形成突节。利用本发明的实施例，可以可靠且准确地形成突节。在制造工艺中丢失或损坏的任意突节可以容易地添加或修复。在实施例中，可以由与其上形成的突节不同的技术制成主体。
如将认识到的那样，上述特征中的任意特征可以与任意其它特征一起使用，并且不仅仅是本申请覆盖的明确描述的那些组合。
尽管在本文中可以具体涉及光刻设备在IC制造中的使用，但应理解的是，这里描述的光刻设备可以具有在制造具有微尺度或者甚至纳米尺度特征的组件中的其它应用，诸如针对磁畴存储器、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的集成光学系统、制导和检测模式的制造。本领域技术人员将认识到，在这种备选应用的上下文中，可以将术语“晶片”或“裸片”的任意使用考虑为分别与更通用术语“衬底”或“目标部分”同义。这里提及的衬底可以在曝光前或后，例如在轨道(典型地向衬底涂覆抗蚀剂层并显影曝光的抗蚀剂的工具)、度量工具和/或检查工具中进行处理。在适用的情况下，这里的公开内容可以适用于这样以及其它的衬底处理工具。此外，可以将衬底处理多次，例如以便创建多层IC，所以本文使用的术语衬底也可以指代已经包含多个处理层的衬底。
本文使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如具有约365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)。
在上下文允许的情况下，术语“透镜”可以指代各种类型的光学组件的任意一种或任意组合，包括折射和反射光学组件。
尽管上面已经描述了本发明的特定实施例，但将认识到的是，除了上述方式，可以以其它方式实施至少这里所述设备操作方法形式的本发明。例如，至少设备操作方法形式的本发明实施例可以采用包含一个或多个序列的机器可读指令的一个或多个计算机程序或者其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式，上述一个或多个序列的机器可读指令描述上述操作设备的方法。此外，该机器可读指令可以在两个或更多计算机程序中实现。该两个或更多计算机程序可以存储在一个或更多不同存储器和/或数据存储介质上。
当通过位于光刻设备的至少一个组件内的一个或多个计算机处理器读取该一个或多个计算机程序时，这里描述的任意控制器可以单独或组合地操作。控制器可以单独或组合地具有用于接收、处理和发送信号的任意合适配置。一个或更多的多处理器配置成与控制器中的至少一个通信。例如，每个控制器可以包括用于执行计算机程序的一个或多个处理器，该计算机程序包括用于上述操作设备方法的机器可读指令。控制器可以包括用于存储这种计算机程序的数据存储介质和/或用以接收这种介质的硬件。所以控制器可以根据一个或多个计算机程序的机器可读指令操作。
本发明的实施例可以适用于具有300mm或450mm或任意其它尺寸的宽度(例如直径)的衬底。
不管浸没液体仅在衬底的局部表面区域上以浴器形式设置，还是不受限于衬底和/或衬底台上，本发明的一个或多个实施例都可以适用于任意浸没光刻设备，特别是上述那些类型，但不排除其它类型。在不受限布置中，浸没液体可以在衬底和/或衬底台的表面上流动，所以衬底台和/或衬底的基本整个未覆盖表面浸湿。在这样的未受限浸没系统中，液体供给系统可以不限制浸没液体，或者可以提供浸没液体限制的比例，但基本不完整限制浸没液体。
应广泛解释这里预期的液体供给系统。在特定实施例中，其可以是将液体提供到投影系统与衬底和/或衬底台之间的空间中的结构的机制或组合。它可以包括将液体提供到该空间中的一个或多个结构、一个或多个液体入口、一个或多个气体入口、一个或多个气体出口和/或一个或多个液体出口的组合。在一个实施例中，空间的表面可以是衬底和/或衬底台的一部分，或者空间的表面可以完全覆盖衬底和/或衬底台的表面，或者该空间可以包封衬底和/或衬底台。液体供给系统可以可选地进一步包括用于控制液体的位置、数量、质量、形状、流速或任意其它特征的一个或多个元件。
在本发明的第一方面中，提供有一种制造用于在光刻设备中使用的对象保持器的方法，该方法包括：提供具有表面的主体；以及在所述表面上形成多个突节，所述突节从所述表面突出并且具有支撑对象的端表面，其中形成所述突节的至少一个突节的至少一部分包括激光烧结。
激光烧结可以包括：向所述表面施加粉末层；以及利用辐射束选择性地辐射所述粉末层，以便在辐射位置处引起所述粉末的至少部分熔融。在一个实施例中，激光烧结可以包括：辐射在所述表面上的位置；以及在所述辐射位置处喷射粉末。
主体可以由与至少一个突节不同的材料形成。至少一个突节可以包括选自包括以下的组中的至少一种材料：Ti、Si、熔化的石英、堇青石、类金刚石碳、SiC、SiO2、AlN、TiN和CrN。至少一个突节由基质材料和嵌入在所述基质材料中的颗粒形成。基质材料可以包括选自包括以下的组中的至少一种材料：Ti、Si、熔化的石英、堇青石、类金刚石碳、SiC、SiO2、AlN、TiN和CrN。颗粒可以包括选自包括以下的组中的至少一种材料：立方氮化硼、氮化硅、碳化硅、氮化钛、碳化钛和金刚石。
至少一个突节可以包括第一材料的第一层和第二材料的第二层，所述第二材料不同于所述第一材料。第一材料和所述第二材料在性质或组分上可以是不同的。
在一个实施例中，所述对象是衬底或构图设备。在所述表面上设置薄膜叠层，所述多个突节与所述薄膜叠层相比从所述表面更进一步突出。
在本发明的第二方面，提供有一种修复用于在光刻设备中使用的具有突节的对象保持器的方法，该方法包括：制备待修复的突节；通过激光烧结向待修复的突节施加材料层；以及抛光该材料层。
在本发明的第三方面中，提供有一种用于在光刻设备中使用的对象保持器，所述对象保持器包括：具有表面的主体；以及多个突节，设置在所述表面上并且具有支撑对象的端表面，其中所述突节的至少一个的至少一部分通过激光烧结形成。
在一个实施例中，主体由与突节的部分的不同材料形成。至少一个突节包括选自包括以下的组中的至少一种材料：Ti、Si、熔化的石英、堇青石、类金刚石碳、SiC、SiO2、AlN、TiN和CrN。至少一个突节由基质材料和嵌入在所述基质材料中的颗粒形成。基质材料可以包括选自包括以下的组中的至少一种材料：Ti、Si、熔化的石英、堇青石、类金刚石碳、SiC、SiO2、AlN、TiN和CrN。颗粒可以包括选自包括以下的组中的至少一种材料：立方氮化硼、氮化硅、碳化硅、氮化钛、碳化钛和金刚石。
至少一个突节可以包括第一材料的第一层和第二材料的第二层，所述第二材料不同于所述第一材料。第一材料和所述第二材料在性质或组分上可以是不同的。至少一个突节可以具有与表面基本平行的基本恒定的截面。至少一个突节可以远离该表面锥形化。至少一个突节的基本平行于该表面的截面可以选自包括以下的组：圆形、方形、矩形、椭圆形、菱形和“跑道”或“体育场”形状。主体可以包括选自包括以下的组中的至少一种材料：微晶玻璃、堇青石、SiC、SiSiC、AlN、殷钢、陶瓷和玻璃陶瓷。
对象保持器构造和布置成支撑作为对象的选自以下的至少一个：衬底、构图设备、传感器和光学元件。在一个实施例中，对象是衬底并且对象保持器是衬底保持器。衬底保持器可以具有基本等于200mm、300mm或450mm的直径。对象可以是构图设备，并且对象保持器是构图设备的支撑结构。对象保持器可以是掩模版夹。对象保持器可以是衬底夹持器。薄膜叠层可以设置在表面上，与薄膜叠层相比多个突节进一步从该表面突出。
在本发明的第四方面中，提供有一种光刻设备，包括：支撑结构，配置成支撑构图设备；投射系统，布置成将通过所述构图设备构图的束投射到衬底上；以及衬底保持器，布置成保持所述衬底，所述衬底保持器是根据本发明第三方面的特征的衬底保持器。
光刻设备可以包括衬底台，并且其中衬底保持器集成到衬底台中。
在本发明的第五方面中，提供有一种用于在光刻设备中使用的台，该台包括：主体，具有表面；多个突节，在该表面上并且具有支撑对象例如衬底的端表面，其中突节是通过激光烧结形成的。
在本发明的第六方面中，提供有一种光刻设备，包括：支撑结构，配置成支撑构图设备；投射系统，布置成将通过所述构图设备构图的束投射到衬底上；以及根据本发明第五方面的台。
在本发明的第七方面，提供有一种使用光刻设备的器件制造方法，该方法包括：在将衬底保持在衬底保持器上的同时，将通过构图设备构图的束投影到衬底上，其中衬底保持器包括：具有表面的主体；以及在该表面上比过去具有支撑衬底的端表面的多个突节，其中突节是通过激光烧结形成的。
上面的描述旨在于图示，而不进行限制。因而，本领域技术人员将明白的是，可以在不偏离下面列出的权利要求的范围的情况下，对所述本发明进行修改。

Claims (15)

1.一种制造用于在光刻设备中使用的对象保持器的方法，所述方法包括：
提供具有平坦表面的主体；以及
在所述平坦表面上形成多个突节，所述突节从所述平坦表面突出并且具有支撑对象的端表面，其中形成所述突节的至少一个突节的至少一部分包括激光烧结，并且所述至少一个突节包括第一材料的第一层和第二材料的第二层，所述第二材料不同于所述第一材料，并且所述至少一个突节形成有通过其高度的至少一部分在成分、含量或材料特性上的逐步变化。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光烧结包括：
向所述平坦表面施加粉末层；以及
利用辐射束选择性地辐射所述粉末层，以便在辐射位置处引起所述粉末的至少部分熔融。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光烧结包括：
辐射在所述表面上的位置；以及
在所辐射的位置处喷射粉末。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述主体由与所述至少一个突节不同的材料形成。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述主体由与所述至少一个突节相同的材料形成。
6.根据权利要求1至5中任一个所述的方法，其中所述至少一个突节包括选自包括以下的组中的至少一种材料：Ti、Si、熔化的石英、堇青石、类金刚石碳、SiC、SiO2、AlN、TiN和CrN。
7.根据权利要求1至5中任一个所述的方法，其中所述至少一个突节由基质材料和嵌入在所述基质材料中的颗粒形成。
8.根据权利要求1至5中任一个所述的方法，其中所述第一材料和所述第二材料在性质或组分上是不同的。
9.根据权利要求1至5中任一个所述的方法，其中所述对象是衬底或构图设备。
10.根据权利要求1至5中任一个所述的方法，其中在所述表面上设置薄膜叠层，所述多个突节与所述薄膜叠层相比从所述表面更进一步突出。
11.一种用于在光刻设备中使用的对象保持器，所述对象保持器包括：
具有平坦表面的主体；以及
多个突节，设置在所述表面上并且具有支撑对象的端表面，
其中所述突节的至少一个突节的至少一部分通过激光烧结形成，并且所述至少一个突节包括第一材料的第一层和第二材料的第二层，所述第二材料不同于所述第一材料，并且所述至少一个突节形成有通过其高度的至少一部分在成分、含量或材料特性上的逐步变化。
12.根据权利要求11所述的对象保持器，其中所述对象保持器构造并布置成支撑作为所述对象的选自以下的至少一种：衬底、构图设备、传感器和光学元件。
13.根据权利要求11或12所述的对象保持器，其中在所述平坦表面上设置薄膜叠层，所述多个突节与所述薄膜叠层相比从所述平坦表面更进一步突出。
14.根据权利要求11所述的对象保持器，其中所述对象保持器至少为以下中的一种：衬底的衬底保持器；构图设备的支撑结构；掩模版的掩模版夹；或衬底的衬底夹持器。
15.一种光刻设备，包括：
支撑结构，配置成支撑构图设备；
投射系统，布置成将通过所述构图设备构图的束投射到衬底上；以及
衬底保持器，布置成保持所述衬底，所述衬底保持器是根据权利要求14的衬底保持器。
CN201380007834.9A 2012-02-03 2013-01-17 衬底保持器和制造衬底保持器的方法 Active CN104081285B (zh)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261594857P 2012-02-03 2012-02-03
US61/594,857 2012-02-03
US201261621648P 2012-04-09 2012-04-09
US201261621660P 2012-04-09 2012-04-09
US61/621,648 2012-04-09
US61/621,660 2012-04-09
PCT/EP2013/050826 WO2013113569A1 (en) 2012-02-03 2013-01-17 Substrate holder and method of manufacturing a substrate holder

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104081285A CN104081285A (zh) 2014-10-01
CN104081285B true CN104081285B (zh) 2017-06-13

Family

ID=47561633

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811239416.3A Active CN109298602B (zh) 2012-02-03 2013-01-17 衬底保持器和光刻装置
CN201380007715.3A Pending CN104272190A (zh) 2012-02-03 2013-01-17 衬底保持器和光刻装置
CN201811325912.0A Pending CN109254501A (zh) 2012-02-03 2013-01-17 衬底支架、光刻装置、器件制造方法和制造衬底保持器的方法
CN201380007834.9A Active CN104081285B (zh) 2012-02-03 2013-01-17 衬底保持器和制造衬底保持器的方法
CN201811326560.0A Pending CN109375474A (zh) 2012-02-03 2013-01-17 衬底支架、光刻装置、器件制造方法和制造衬底保持器的方法

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811239416.3A Active CN109298602B (zh) 2012-02-03 2013-01-17 衬底保持器和光刻装置
CN201380007715.3A Pending CN104272190A (zh) 2012-02-03 2013-01-17 衬底保持器和光刻装置
CN201811325912.0A Pending CN109254501A (zh) 2012-02-03 2013-01-17 衬底支架、光刻装置、器件制造方法和制造衬底保持器的方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811326560.0A Pending CN109375474A (zh) 2012-02-03 2013-01-17 衬底支架、光刻装置、器件制造方法和制造衬底保持器的方法

Country Status (7)

Country Link
US (12) US9507274B2 (zh)
EP (4) EP3683627A1 (zh)
JP (7) JP6085616B2 (zh)
KR (1) KR101652782B1 (zh)
CN (5) CN109298602B (zh)
NL (2) NL2010139A (zh)
WO (2) WO2013113568A2 (zh)

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2007768A (en) 2010-12-14 2012-06-18 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
EP2490073B1 (en) 2011-02-18 2015-09-23 ASML Netherlands BV Substrate holder, lithographic apparatus, and method of manufacturing a substrate holder
NL2008630A (en) 2011-04-27 2012-10-30 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
NL2009487A (en) 2011-10-14 2013-04-16 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
NL2009858A (en) 2011-12-27 2013-07-01 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
EP3683627A1 (en) * 2012-02-03 2020-07-22 ASML Netherlands B.V. Substrate holder and lithographic apparatus
US9939737B2 (en) * 2013-01-22 2018-04-10 Asml Netherlands B.V. Electrostatic clamp
EP3129833B1 (en) 2014-04-09 2018-05-02 ASML Netherlands B.V. Apparatus for cleaning an object
US9726987B2 (en) 2014-04-17 2017-08-08 Nikon Corporation Positioning system using surface pattern recognition and interpolation
US11061338B2 (en) 2014-04-17 2021-07-13 Nikon Corporation High-resolution position encoder with image sensor and encoded target pattern
US10812695B2 (en) 2015-09-14 2020-10-20 Nikon Corporation Three-dimensional positioning system using surface pattern recognition and interpolation
TWI656596B (zh) * 2014-08-26 2019-04-11 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司 靜電夾具及其製造方法
JP2017537480A (ja) 2014-11-23 2017-12-14 エム キューブド テクノロジーズＭ Ｃｕｂｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ウェハピンチャックの製造及び補修
EP3262677A1 (en) * 2015-02-23 2018-01-03 M Cubed Technologies Inc. Film electrode for electrostatic chuck
TWI647787B (zh) * 2015-04-02 2019-01-11 日商愛發科股份有限公司 吸附方法及真空處理方法
WO2016164498A1 (en) * 2015-04-06 2016-10-13 M Cubed Technologies, Inc. Article having diamond-only contact surfaces
US9682441B2 (en) * 2015-06-01 2017-06-20 Caterpillar Inc. Laser polishing system and method for metal face seal
DE102015211017B4 (de) * 2015-06-16 2017-06-14 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Verfahren zum hauptzeitparallelen Entladen eines freigeschnittenen Werkstückteils, zugehörige Laserschneidmaschine und Computerprogrammprodukt
US10453734B2 (en) 2015-07-02 2019-10-22 Asml Netherlands B.V. Substrate holder, a lithographic apparatus and method of manufacturing devices
EP3334560B1 (en) 2015-08-14 2023-09-13 M Cubed Technologies Inc. Method for removing contamination from a chuck surface
WO2017030873A1 (en) 2015-08-14 2017-02-23 M Cubed Technologies, Inc. Wafer chuck featuring reduced friction support surface
US10953513B2 (en) 2015-08-14 2021-03-23 M Cubed Technologies, Inc. Method for deterministic finishing of a chuck surface
WO2017030874A1 (en) 2015-08-14 2017-02-23 M Cubed Technologies, Inc. Machine for finishing a work piece, and having a highly controllable treatment tool
CN109791363B (zh) 2016-07-06 2021-01-08 Asml荷兰有限公司 衬底保持器和制造衬底保持器的方法
US20180019139A1 (en) * 2016-07-12 2018-01-18 Ayar Labs, Inc. Wafer-Level Etching Methods for Planar Photonics Circuits and Devices
WO2018022670A1 (en) * 2016-07-26 2018-02-01 M Cubed Technologies, Inc. Methods for masking a pin chuck, and articles made thereby
EP3364247A1 (en) 2017-02-17 2018-08-22 ASML Netherlands B.V. Methods & apparatus for monitoring a lithographic manufacturing process
KR102206687B1 (ko) * 2017-06-26 2021-01-22 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 기판 유지 부재
JP7096031B2 (ja) * 2017-06-26 2022-07-05 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材
CN107275276B (zh) * 2017-07-12 2019-09-03 成都海威华芯科技有限公司 一种适于半导体行业的晶圆夹具制作方法
US10646960B2 (en) * 2017-10-03 2020-05-12 Lawrence Livermore National Security, Llc Compact absorptivity measurement system for additive manufacturing
EP3707559B1 (en) 2017-11-08 2023-04-19 ASML Netherlands B.V. A substrate holder and a method of manufacturing a device
WO2019096554A1 (en) * 2017-11-20 2019-05-23 Asml Netherlands B.V. Substrate holder, substrate support and method of clamping a substrate to a clamping system
JP7164605B2 (ja) 2017-12-13 2022-11-01 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置で使用するための基板ホルダ
US10921718B2 (en) 2017-12-15 2021-02-16 Nikon Corporation Two-dimensional position encoder
US11520241B2 (en) 2017-12-20 2022-12-06 Asml Holding N.V. Lithography supports with defined burltop topography
WO2019236104A1 (en) * 2018-06-08 2019-12-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Powder layer former
US11101617B2 (en) 2018-07-16 2021-08-24 Ayar Labs, Inc. Wafer-level handle replacement
JP7150510B2 (ja) * 2018-07-30 2022-10-11 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
US11426818B2 (en) 2018-08-10 2022-08-30 The Research Foundation for the State University Additive manufacturing processes and additively manufactured products
CN109049445B (zh) * 2018-09-19 2023-09-08 河北科技大学 一种高精度光纤环圈固化封装设备和处理工艺
CN113302556A (zh) * 2018-12-28 2021-08-24 Asml荷兰有限公司 用于光刻设备的衬底保持器和制造衬底保持器的方法
NL2024815A (en) * 2019-02-19 2020-08-27 Asml Holding Nv Laser roughening: engineering the roughness of the burl top
WO2020177971A1 (en) * 2019-03-01 2020-09-10 Asml Netherlands B.V. Object holder comprising an electrostatic clamp
DE102019108855B4 (de) * 2019-04-04 2020-11-12 Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. Elektrostatische Haltevorrichtung mit einer Schichtverbund-Elektrodeneinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
CN111817529A (zh) * 2019-04-11 2020-10-23 三赢科技（深圳）有限公司 复合镜座的制作方法、音圈马达及电子产品
WO2020232222A1 (en) * 2019-05-16 2020-11-19 Dragonfly Energy Corp. Systems and methods for dry powder coating layers of an electrochemical cell
NL2025510A (en) * 2019-05-24 2020-11-30 Asml Holding Nv Lithographic apparatus, substrate table, and method
KR102261935B1 (ko) * 2019-09-25 2021-06-07 (주)탑나노시스 작업 스테이지 수선 방법
KR102338512B1 (ko) * 2019-10-30 2021-12-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2023508199A (ja) * 2019-12-26 2023-03-01 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． ウェハクランプの硬いバールの製造および改修
US11942878B2 (en) * 2020-04-01 2024-03-26 Bvw Holding Ag Microstructured field effect device
CN112643206A (zh) * 2020-12-29 2021-04-13 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 基于铬膜辅助的飞秒激光诱导超规整纳米光栅的方法
DE102021102154A1 (de) 2021-01-29 2022-08-04 Markus Brzeski Verfahren zur additiven Fertigung von 3D-Objekten aus thermoplastischem Kunststoff
US11747741B2 (en) * 2021-03-05 2023-09-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate stage, substrate processing system using the same, and method for processing substrate
DE102021115970A1 (de) 2021-06-21 2022-12-22 Asml Netherlands B.V. Haltevorrichtung zur Bauteil-Halterung und Verfahren zur Herstellung der Haltevorrichtung
DE102021206512A1 (de) 2021-06-24 2022-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Ausbilden einer Noppenstruktur, Haltevorrichtung zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils, sowie EUV-Lithographiesystem
EP4174576A1 (en) * 2021-10-29 2023-05-03 ASML Netherlands B.V. Clamp for holding an object and method
EP4220302A1 (en) 2022-01-27 2023-08-02 ASML Netherlands B.V. System for holding an object in a semiconductor manufacturing process, lithographic apparatus provided with said system and method

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5182170A (en) * 1989-09-05 1993-01-26 Board Of Regents, The University Of Texas System Method of producing parts by selective beam interaction of powder with gas phase reactant
US5583736A (en) * 1994-11-17 1996-12-10 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Micromachined silicon electrostatic chuck
US6046426A (en) * 1996-07-08 2000-04-04 Sandia Corporation Method and system for producing complex-shape objects
WO2001045882A2 (en) * 1999-11-16 2001-06-28 Triton Systems, Inc. Laser fabrication of discontinuously reinforced metal matrix composites
US6307620B1 (en) * 1999-04-27 2001-10-23 Canon Kabushiki Kaisha Substrate holding apparatus, substrate transfer system, exposure apparatus, coating apparatus, method for making a device, and method for cleaning a substrate holding section
CN1580956A (zh) * 2003-08-12 2005-02-16 Asml荷兰有限公司 光刻装置和装置调节方法
CN1971430A (zh) * 2005-11-08 2007-05-30 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
TW201133696A (en) * 2009-08-12 2011-10-01 Varian Semiconductor Equipment Platen to control charge accumulation

Family Cites Families (142)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6059104B2 (ja) 1982-02-03 1985-12-23 株式会社東芝 静電チヤツク板
US4551192A (en) * 1983-06-30 1985-11-05 International Business Machines Corporation Electrostatic or vacuum pinchuck formed with microcircuit lithography
FR2592747B1 (fr) 1986-01-08 1988-03-18 Alsthom Onduleur a double resonance
JPH0719831B2 (ja) * 1986-10-13 1995-03-06 日本電信電話株式会社 静電チヤツク
JPH03187240A (ja) 1989-12-18 1991-08-15 Nikon Corp 静電チヤツク
JPH04103750A (ja) * 1990-08-22 1992-04-06 Nippon Steel Corp 耐摩耗被覆層の形成方法
US5368947A (en) 1991-08-12 1994-11-29 The Penn State Research Foundation Method of producing a slip-resistant substrate by depositing raised, bead-like configurations of a compatible material at select locations thereon, and a substrate including same
JP3258042B2 (ja) 1991-08-21 2002-02-18 キヤノン株式会社 ウエハチャック
JP3095514B2 (ja) 1992-01-29 2000-10-03 キヤノン株式会社 基板保持盤
JP3250290B2 (ja) * 1992-12-28 2002-01-28 株式会社日立製作所 ウエハチャック
JPH0719831A (ja) 1993-06-18 1995-01-20 Fujitsu General Ltd 画像認識処理装置
US6033475A (en) 1994-12-27 2000-03-07 Tokyo Electron Limited Resist processing apparatus
JPH08227933A (ja) 1995-02-20 1996-09-03 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置
JPH0992703A (ja) 1995-09-22 1997-04-04 Hitachi Ltd コレットおよびそのコレットを取り付けた移送装置
JP3319693B2 (ja) 1995-10-30 2002-09-03 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JPH09148379A (ja) * 1995-11-22 1997-06-06 Taiyo Yuden Co Ltd 突起電極形成方法
US5838529A (en) 1995-12-22 1998-11-17 Lam Research Corporation Low voltage electrostatic clamp for substrates such as dielectric substrates
JPH09199574A (ja) * 1996-01-23 1997-07-31 Sumitomo Metal Ind Ltd セラミックス製ウエハ保持台及びその製造方法
JPH09270327A (ja) 1996-03-29 1997-10-14 Tokin Corp 電子部品及びその製造方法
JPH09283605A (ja) * 1996-04-09 1997-10-31 Canon Inc 基板の吸着保持装置およびその製造方法
US5751537A (en) 1996-05-02 1998-05-12 Applied Materials, Inc. Multielectrode electrostatic chuck with fuses
DE69703770T2 (de) 1996-08-14 2001-07-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Besichtigungslösung auf Polysilazan-Basis für die Isolierung mit einer Zwischenschicht
FR2774931B1 (fr) * 1998-02-19 2000-04-28 Arnaud Hory Procede de prototypage rapide par frittage laser de poudre et dispositif associe
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US6122564A (en) 1998-06-30 2000-09-19 Koch; Justin Apparatus and methods for monitoring and controlling multi-layer laser cladding
JP4275862B2 (ja) * 1998-09-28 2009-06-10 エレメント シックス リミテッド ダイヤモンド複合体の製法
US6709747B1 (en) 1998-09-28 2004-03-23 Skeleton Technologies Ag Method of manufacturing a diamond composite and a composite produced by same
JP2000174105A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体ウエハの保持装置
JP2000202626A (ja) * 1999-01-20 2000-07-25 Daido Steel Co Ltd 硬質肉盛層付きＡｌ系構造体及びそれに用いる肉盛用複合材料
TW594426B (en) 1999-06-11 2004-06-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, integrated circuit manufacturing method and integrated circuit made thereby
ATE344404T1 (de) * 1999-12-07 2006-11-15 Jurid Werke Gmbh Trägerplatte für reibmaterialblöcke für bremsbeläge für schienen- und schienenungebundene fahrzeuge
JP2001237303A (ja) 2000-02-22 2001-08-31 Sumitomo Metal Ind Ltd ウェハ用真空チャックおよびその製造方法
JP4700819B2 (ja) * 2000-03-10 2011-06-15 キヤノン株式会社 基板保持装置、半導体製造装置および半導体デバイス製造方法
JP4753460B2 (ja) 2000-08-16 2011-08-24 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック及びその製造方法
US6495802B1 (en) 2001-05-31 2002-12-17 Motorola, Inc. Temperature-controlled chuck and method for controlling the temperature of a substantially flat object
DE10157647C5 (de) * 2001-11-26 2012-03-08 Cl Schutzrechtsverwaltungs Gmbh Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Werkstücken in einer Laser-Materialbearbeitungsanlage oder einer Stereolitographieanlage
EP1359466A1 (en) * 2002-05-01 2003-11-05 ASML Netherlands B.V. Chuck, lithographic projection apparatus, method of manufacturing a chuck and device manufacturing method
JP4061131B2 (ja) * 2002-06-18 2008-03-12 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着装置
JP2004022859A (ja) 2002-06-18 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
US7092231B2 (en) 2002-08-23 2006-08-15 Asml Netherlands B.V. Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method
US20040055709A1 (en) * 2002-09-19 2004-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same
CN100470367C (zh) 2002-11-12 2009-03-18 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
JP3813932B2 (ja) * 2003-02-03 2006-08-23 株式会社東芝 化合物半導体多層膜のドライエッチング方法
EP1475666A1 (en) 2003-05-06 2004-11-10 ASML Netherlands B.V. Substrate holder for lithographic apparatus
US20050042881A1 (en) * 2003-05-12 2005-02-24 Tokyo Electron Limited Processing apparatus
EP2738792B1 (en) 2003-06-13 2015-08-05 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP1491953A1 (en) 2003-06-23 2004-12-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2005029401A (ja) 2003-07-08 2005-02-03 Iwasaki Electric Co Ltd 光源用反射鏡および光源ユニット
EP1498777A1 (en) 2003-07-15 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Substrate holder and lithographic projection apparatus
JP4565915B2 (ja) 2003-07-23 2010-10-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ投影装置及び物品保持器
US7072165B2 (en) 2003-08-18 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. MEMS based multi-polar electrostatic chuck
EP1510868A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005136025A (ja) 2003-10-29 2005-05-26 Trecenti Technologies Inc 半導体製造装置、半導体装置の製造方法及びウエハステージ
DE602004032100D1 (de) 2003-11-05 2011-05-19 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Vorrichtungs-Halteverfahren
US7019820B2 (en) * 2003-12-16 2006-03-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7245357B2 (en) 2003-12-15 2007-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7824498B2 (en) * 2004-02-24 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Coating for reducing contamination of substrates during processing
ITPR20040018A1 (it) 2004-03-09 2004-06-09 Sig Technology Ag Macchina etichettatrice con dispositivo di saldatura ad ultrasuoni per realizzare una etichetta tubolare in film termoretraibile e procedimento di saldatura.
US7524735B1 (en) 2004-03-25 2009-04-28 Novellus Systems, Inc Flowable film dielectric gap fill process
US7133120B2 (en) 2004-05-04 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, article support member, and method
US8368870B2 (en) 2004-06-21 2013-02-05 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7050147B2 (en) 2004-07-08 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Method of adjusting a height of protrusions on a support surface of a support table, a lithographic projection apparatus, and a support table for supporting an article in a lithographic apparatus
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7244311B2 (en) * 2004-10-13 2007-07-17 Lam Research Corporation Heat transfer system for improved semiconductor processing uniformity
US7532310B2 (en) * 2004-10-22 2009-05-12 Asml Netherlands B.V. Apparatus, method for supporting and/or thermally conditioning a substrate, a support table, and a chuck
US7327439B2 (en) 2004-11-16 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9557656B2 (en) * 2004-12-01 2017-01-31 Nikon Corporation Stage apparatus and exposure apparatus
US7371022B2 (en) * 2004-12-22 2008-05-13 Sokudo Co., Ltd. Developer endpoint detection in a track lithography system
EP1919665A1 (en) 2005-07-22 2008-05-14 TDY Industries, Inc. Composite materials
EP1770443B1 (en) 2005-09-28 2016-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing apparatus and exposure method
US20070097346A1 (en) 2005-10-28 2007-05-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070139855A1 (en) 2005-12-21 2007-06-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp for a lithographic apparatus
US7626681B2 (en) * 2005-12-28 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007201068A (ja) 2006-01-25 2007-08-09 Taiheiyo Cement Corp 静電チャック
US7646581B2 (en) 2006-01-31 2010-01-12 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck
JP2007258240A (ja) 2006-03-20 2007-10-04 Tokyo Electron Ltd 表面処理方法
JP4873405B2 (ja) * 2006-03-24 2012-02-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置と方法
EP1840657A1 (en) 2006-03-28 2007-10-03 Carl Zeiss SMT AG Support structure for temporarily supporting a substrate
JP2007329008A (ja) 2006-06-07 2007-12-20 Tokyo Electron Ltd 熱板及びその製造方法
JP5019811B2 (ja) * 2006-07-20 2012-09-05 東京エレクトロン株式会社 静電吸着電極の補修方法
US8325321B2 (en) 2006-07-28 2012-12-04 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of heat dissipation and frame
DE102007005780A1 (de) * 2006-08-10 2008-02-14 Carl Zeiss Smt Ag Verbundstruktur für die Mikrolithographie und optische Anordnung
JP2008085129A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Taiheiyo Cement Corp 基板載置装置
TW200830034A (en) 2006-10-13 2008-07-16 Asahi Glass Co Ltd Method of smoothing surface of substrate for EUV mask blank, and EUV mask blank obtained by the method
JP4890421B2 (ja) 2006-10-31 2012-03-07 太平洋セメント株式会社 静電チャック
WO2008057483A2 (en) 2006-11-03 2008-05-15 Semlux Technologies, Inc. Laser conversion of high purity silicon powder to densified garnular forms
JP2008160093A (ja) * 2006-11-29 2008-07-10 Toto Ltd 静電チャック、静電チャックの製造方法および基板処理装置
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080138504A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Coorstek, Inc. Coatings for components of semiconductor wafer fabrication equipment
US7791708B2 (en) * 2006-12-27 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, substrate table, and method for enhancing substrate release properties
JP4874133B2 (ja) * 2007-02-02 2012-02-15 パナソニック株式会社 金型およびその製造方法
KR20090008658A (ko) 2007-07-18 2009-01-22 삼성전자주식회사 소자분리막을 갖는 반도체 소자의 제조방법
US7940511B2 (en) 2007-09-21 2011-05-10 Asml Netherlands B.V. Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp
US20090122458A1 (en) * 2007-11-14 2009-05-14 Varian Semiconductor Epuipment Associated, Inc. Embossed electrostatic chuck
US20090138504A1 (en) 2007-11-26 2009-05-28 International Business Machines Corporation Electronic calendar scheduling method
JP4894770B2 (ja) 2008-01-30 2012-03-14 株式会社フェローテックセラミックス 炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体、その製造方法およびその焼結体を用いた部材
NL1036460A1 (nl) 2008-02-20 2009-08-24 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
KR200449275Y1 (ko) 2008-02-25 2010-06-28 정지융 일회용 이쑤시개 겸용 식사도구 받침대
JP2009246302A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Lintec Corp ダイソートテープ
NL1036715A1 (nl) 2008-04-16 2009-10-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
EP2131241B1 (en) 2008-05-08 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
US8421993B2 (en) 2008-05-08 2013-04-16 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI475594B (zh) * 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc 靜電夾頭
US7883988B2 (en) 2008-06-04 2011-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor substrate
WO2010019430A2 (en) 2008-08-12 2010-02-18 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly
JP2010161319A (ja) 2009-01-09 2010-07-22 Nikon Corp 静電吸着保持装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP5193886B2 (ja) * 2009-01-14 2013-05-08 株式会社巴川製紙所 静電チャック装置の補修方法および補修装置、ならびに静電チャック装置
KR101691044B1 (ko) 2009-02-04 2016-12-29 맷슨 테크놀로지, 인크. 기판의 표면에 걸친 온도 프로파일을 방사상으로 튜닝하는 정전 척 시스템 및 방법
KR20100092221A (ko) 2009-02-12 2010-08-20 삼성전자주식회사 실린더형 커패시터 하부 전극을 포함하는 반도체 메모리 소자
WO2010095540A1 (ja) 2009-02-18 2010-08-26 株式会社アルバック ウェハ搬送用トレイ及びこのトレイ上にウェハを固定する方法
NL2004153A (en) * 2009-02-24 2010-08-25 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, a method for removing material of one or more protrusions on a support surface, and an article support system.
KR101680787B1 (ko) 2009-05-15 2016-11-29 엔테그리스, 아이엔씨. 중합체 돌기들을 가지는 정전 척
JP5561989B2 (ja) * 2009-10-02 2014-07-30 太陽ホールディングス株式会社 レーザーを用いたパターン形成方法
DE102009051351B4 (de) 2009-10-30 2014-07-10 Siemens Aktiengesellschaft Schienenfahrzeug mit Füllstandsüberwachung eines Abwasserbehälters
EP2317546A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-04 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method of making a support structure
JP5641765B2 (ja) 2009-11-02 2014-12-17 キヤノン株式会社 情報処理装置、認証方法、及びコンピュータプログラム
JP5423632B2 (ja) 2010-01-29 2014-02-19 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP5269128B2 (ja) 2010-03-12 2013-08-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置および方法
WO2012005294A1 (ja) * 2010-07-09 2012-01-12 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック装置及びその製造方法
NL2006913A (en) 2010-07-16 2012-01-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
NL2007768A (en) 2010-12-14 2012-06-18 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
TWI441589B (zh) 2011-01-07 2014-06-11 Taiwan Green Point Entpr Co A composite structure and its manufacturing method
WO2012103967A1 (en) * 2011-02-01 2012-08-09 Asml Netherlands B.V. Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2490073B1 (en) 2011-02-18 2015-09-23 ASML Netherlands BV Substrate holder, lithographic apparatus, and method of manufacturing a substrate holder
NL2008178A (nl) 2011-02-25 2012-08-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and stage system.
NL2008630A (en) 2011-04-27 2012-10-30 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
JP5063797B2 (ja) * 2011-05-23 2012-10-31 京セラ株式会社 吸着部材、吸着装置および吸着方法
NL2009487A (en) 2011-10-14 2013-04-16 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
NL2009874A (en) * 2011-12-23 2013-06-26 Asml Netherlands Bv Support, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2009858A (en) 2011-12-27 2013-07-01 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
EP3683627A1 (en) 2012-02-03 2020-07-22 ASML Netherlands B.V. Substrate holder and lithographic apparatus
KR20150016508A (ko) 2012-04-19 2015-02-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판 홀더, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
EP2927947B1 (en) 2012-11-28 2020-05-06 Kyocera Corporation Placement member and method for manufacturing same
KR20160013916A (ko) 2013-05-23 2016-02-05 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 방법 및 장치, 그리고 노광 방법 및 장치
US9220333B2 (en) 2013-11-27 2015-12-29 Msa Technology, Llc Adjustable lumbar support for mounting on a backpack and backpack having the same
WO2016164498A1 (en) 2015-04-06 2016-10-13 M Cubed Technologies, Inc. Article having diamond-only contact surfaces
JP6867149B2 (ja) * 2015-12-25 2021-04-28 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材
JP7278035B2 (ja) * 2018-06-20 2023-05-19 新光電気工業株式会社 静電チャック、基板固定装置
EP3882700A1 (en) * 2020-03-16 2021-09-22 ASML Netherlands B.V. Object holder, tool and method of manufacturing an object holder

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5182170A (en) * 1989-09-05 1993-01-26 Board Of Regents, The University Of Texas System Method of producing parts by selective beam interaction of powder with gas phase reactant
US5583736A (en) * 1994-11-17 1996-12-10 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Micromachined silicon electrostatic chuck
US6046426A (en) * 1996-07-08 2000-04-04 Sandia Corporation Method and system for producing complex-shape objects
US6307620B1 (en) * 1999-04-27 2001-10-23 Canon Kabushiki Kaisha Substrate holding apparatus, substrate transfer system, exposure apparatus, coating apparatus, method for making a device, and method for cleaning a substrate holding section
WO2001045882A2 (en) * 1999-11-16 2001-06-28 Triton Systems, Inc. Laser fabrication of discontinuously reinforced metal matrix composites
CN1580956A (zh) * 2003-08-12 2005-02-16 Asml荷兰有限公司 光刻装置和装置调节方法
CN1971430A (zh) * 2005-11-08 2007-05-30 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
TW201133696A (en) * 2009-08-12 2011-10-01 Varian Semiconductor Equipment Platen to control charge accumulation

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015507367A (ja) 2015-03-05
EP3550364A1 (en) 2019-10-09
US20160377994A1 (en) 2016-12-29
US20230251579A1 (en) 2023-08-10
WO2013113568A3 (en) 2013-12-12
NL2010139A (en) 2013-08-06
US20140368804A1 (en) 2014-12-18
EP2810128B1 (en) 2019-10-02
EP3683627A1 (en) 2020-07-22
CN109375474A (zh) 2019-02-22
EP2810127B1 (en) 2020-03-04
JP7186258B2 (ja) 2022-12-08
CN109298602A (zh) 2019-02-01
US11960213B2 (en) 2024-04-16
WO2013113569A1 (en) 2013-08-08
JP2015508229A (ja) 2015-03-16
US20170036272A1 (en) 2017-02-09
CN104081285A (zh) 2014-10-01
JP6317785B2 (ja) 2018-04-25
US20190224755A1 (en) 2019-07-25
EP2810127A1 (en) 2014-12-10
JP2021121865A (ja) 2021-08-26
US20170312826A1 (en) 2017-11-02
US10875096B2 (en) 2020-12-29
US11235388B2 (en) 2022-02-01
JP2023026425A (ja) 2023-02-24
US9737934B2 (en) 2017-08-22
WO2013113568A2 (en) 2013-08-08
CN104272190A (zh) 2015-01-07
US10898955B2 (en) 2021-01-26
US20220331862A1 (en) 2022-10-20
JP6882420B2 (ja) 2021-06-02
JP6085616B2 (ja) 2017-02-22
US20220152703A1 (en) 2022-05-19
CN109298602B (zh) 2021-10-15
JP2018117153A (ja) 2018-07-26
US20210107061A1 (en) 2021-04-15
EP2810128A2 (en) 2014-12-10
US10245641B2 (en) 2019-04-02
KR101652782B1 (ko) 2016-08-31
JP6609341B2 (ja) 2019-11-20
JP5957540B2 (ja) 2016-07-27
US20210114101A1 (en) 2021-04-22
US11376663B2 (en) 2022-07-05
JP2016187046A (ja) 2016-10-27
US11754929B2 (en) 2023-09-12
US9442395B2 (en) 2016-09-13
KR20140114430A (ko) 2014-09-26
CN109254501A (zh) 2019-01-22
NL2010140A (en) 2013-08-06
US9507274B2 (en) 2016-11-29
US11628498B2 (en) 2023-04-18
US20240027915A1 (en) 2024-01-25
US20150029485A1 (en) 2015-01-29
JP2020024451A (ja) 2020-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104081285B (zh) 衬底保持器和制造衬底保持器的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant