JP6867149B2 - 基板保持部材 - Google Patents

基板保持部材 Download PDF

Info

Publication number
JP6867149B2
JP6867149B2 JP2016236982A JP2016236982A JP6867149B2 JP 6867149 B2 JP6867149 B2 JP 6867149B2 JP 2016236982 A JP2016236982 A JP 2016236982A JP 2016236982 A JP2016236982 A JP 2016236982A JP 6867149 B2 JP6867149 B2 JP 6867149B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
protective layer
end surface
holding member
substrate
base portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016236982A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017120891A (ja
Inventor
智浩 石野
智浩 石野
貴志 手島
貴志 手島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to KR1020177033307A priority Critical patent/KR102071120B1/ko
Priority to PCT/JP2016/087461 priority patent/WO2017110660A1/ja
Priority to US15/574,204 priority patent/US10468289B2/en
Priority to TW105142863A priority patent/TWI660247B/zh
Publication of JP2017120891A publication Critical patent/JP2017120891A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6867149B2 publication Critical patent/JP6867149B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/78—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using vacuum or suction, e.g. Bernoulli chucks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7614—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、半導体ウェハなど基板を吸着保持するために用いられる基板保持部材に関する。
半導体製造装置、特に露光機において、露光に際しウェハを保持するための部材として、例えば、基体の表面に複数の突起が形成されている基板保持部材が用いられる。このような基板保持部材は、極めて高い平面度と、静電気による回路破壊を防ぐため導電性であることが要求される。そのため、炭化珪素（以下「ＳｉＣ」とも称する。）のような導電性があり、かつ高剛性な素材が用いられる。特に、基板保持部材の突起の材質としては炭化珪素質焼結体（以下、「ＳｉＣ焼結体」とも称する。）が用いられる。また、ウェハとの接触による磨耗等を抑制するためＳｉＣ焼結体からなる突起にＳｉＣ膜（保護層）をコーティングし、コーティング後はブラスト加工や研磨加工により表面加工が施される。そして、このようなＳｉＣコーティングは基板保持部材全面になされる（例えば、特許文献１、２参照）。
特許第４７８２７４４号公報 特許第５０６３７９７号公報
半導体製造プロセス、特に回路パターンを作製する露光プロセス装置は、パーティクル抑制の要求が大きい。従って、基板保持部材からもパーティクルが発生しないことが要求される。
しかしながら、特許文献１、２のように、基板保持部材の全面にＳｉＣ膜をコーティングすると、表面に形成された突起において、ＳｉＣ焼結体からなる基部とＳｉＣ膜（保護層）との物性のわずかな差から長期間使用すると基部とＳｉＣ膜との間に剥離やクラックが発生する場合があった。これは、同じ素材であっても製法が異なるため線膨張係数、弾性率、密度、硬さ、結晶性など物性がわずかに異なり、温度変化に伴う膨張率の差異に起因する応力や、ウェハの吸着及び脱離が行われる際に発生する応力が原因と考えられる。すなわち、その応力は、基部のＳｉＣ膜の下部にまで伝搬し、剥離やクラックの原因となる。このようなＳｉＣ膜の剥離やクラックがパーティクルの発生の原因となることがあり改善が求められていた。
本発明は、上記従来の問題に鑑みなされたものであり、その目的は、基体の表面に形成されている複数の突起を備える基板保持部材において、突起に形成された保護層の剥離やクラックに起因するパーティクルを抑制し得る基板保持部材を提供することにある。
本発明の第１態様の基板保持部材は、基体と、前記基体の表面に形成されている複数の突起とを備える基板保持部材であって、前記突起は、上端面が平坦に形成された、炭化珪素質焼結体からなる基部と、炭化珪素からなる保護層とを有し、前記保護層は、前記基部の上端面の縁部から下端までの少なくとも一部において、全周にわたり露出している領域を有することを特徴とする。
本発明の第２態様の基板保持部材は、基体と、前記基体の表面に形成されている複数の突起とを備える基板保持部材であって、前記突起は、上端面が平坦に形成された、炭化珪素質焼結体からなる基部と、炭化珪素、ダイヤモンドライクカーボン、ＴｉＮ、ＴｉＣ、ＴｉＣＮ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＯ2、ＣｒＮ、Ｙ2Ｏ3およびＡｌ2Ｏ3から選択される少なくとも１種からなる保護層とを有し、前記保護層は、前記基部の上端面の縁部から下端までの少なくとも一部において、全周にわたり露出している領域を有することを特徴とする。
本発明の基板保持部材は、基体の表面に形成される複数の突起において、炭化珪素質焼結体からなる基部の表面に形成される、保護層を、基部の上端面の縁部から下端までの一部において、全周にわたり露出している領域を有する。すなわち、基部の上端面の縁部から下端までの間の一部で保護層が分断されている。そのように構成することで、基板保持部材の全面に保護層を形成する場合と比較して、保護層に発生する応力の伝搬が抑えられ、保護層の剥離やクラックが生じにくくなり、それらに起因するパーティクルを抑えることができる。
本発明の基板保持部材において、前記保護層は、前記基部の上端面を含む上部の少なくとも一部のみを覆うように形成されていることが好ましい。このように構成することで、基部と保護層との接触面積をより小さくすることができ、上記効果を効率的に発揮することができる。また、保護層の材料自体が少なくそれに起因するパーティクルをより抑えることができる。
この場合、前記保護層は、前記基部の上端面のみを覆うように形成することもできるし、前記基部の上端面を覆い、かつ上端面に連なる側面の一部を全周にわたり覆うように形成することもできる。
本発明の一実施形態の基板保持部材を示す斜視図。 図１に示す基板保持部材の突起部分を拡大して示す断面図。 図２に示す突起とは別の形態を示す断面図。 図２に示す突起とは別の形態を示す断面図。 図２に示す突起とは別の形態を示す断面図。 図２に示す突起とは別の形態を示す断面図。
本発明の基板保持部材は、基体と、前記基体の表面に形成されている複数の突起とを備える基板保持部材であって、前記突起は、上端面が平坦に形成された、炭化珪素質焼結体からなる基部と、保護層とを有し、前記保護層は、前記基部の上端面の縁部から下端までの少なくとも一部において、全周にわたり露出している領域を有することを特徴とする。
以下に、本発明の基板保持部材の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の基板保持部材の一実施形態の斜視図である。図１に示す基板保持部材１は、炭化珪素質焼結体からなる円盤状の基体１０と、基体１０の表面に形成された複数の突起２０とを有する。
図２は、基体１０の表面に形成された複数の突起２０のうち１つのみを示す断面図である。図２に示す突起２０は、炭化珪素質焼結体からなる基部２２と、保護層２４とからなる。図２の形態では、基部２２は、円柱状の下基部２２Ａと、下基部２２Ａの上方に突出した、下基部２２Ａよりも径が小さい円柱形状の上基部２２Ｂとからなる。そして、上基部２２Ｂの上端面は平坦に形成されている。なお、図２においては、突起２０は、実際の形状及び寸法比を考慮せず誇張して描いている。従って、実際の突起の形状及び寸法比とは必ずしも一致しない。後述する図３〜図６も同様である。
基部２２（上基部２２Ｂ）の上端面全体には ウェハとの接触による磨耗等を抑制することを目的として、保護層２４が形成されている。保護層２４は、炭化珪素、ダイヤモンドライクカーボン、ＴｉＮ、ＴｉＣ、ＴｉＣＮ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＯ2、ＣｒＮ、Ｙ2Ｏ3およびＡｌ2Ｏ3から選択される少なくとも１種からなる。図２に示す形態では、保護層２４は基部２２の上端面全体にのみ形成されており、基部２２の側面及び基体１０の表面（突起２０が形成されていない部分）には形成されていない。保護層２４は基部２２の上端面のみに形成されているため、上述の通り、基板保持部材の全面に保護層を形成する場合と比較して、保護層の剥離やクラックが生じにくくなり、それらに起因するパーティクルを抑えることができる。
以上の図２に示す突起２０における保護層２４は上端面全体にのみ形成したが、保護層２４は、図３に示すように、基部２２の上端面を覆い、かつ上端面に連なる側面の一部を全周にわたり覆うように形成することが好ましい。特に、上端面に形成された保護層２４は基板との物理的な接触により応力を受けるが、図３に示すように、端面に連なる側面の一部にまで形成することで、保護層２４と基部２２との接触面積が大きくなり、保護層２４の剥離の防止効果をより大きくすることができる。
以上の図２及び図３において、保護層２４は、基部２２の上端面を含む上部の少なくとも一部のみを覆うように形成されている。ここで、当該「上部」とは、上端と下端の中間部よりも上に位置していることをいう。具体的には、当該「上部」は、突起２０の頂点を高さの基準として１〜１００μｍの高さまでが好ましく、更に好ましくは５〜３０μｍの高さまでが好ましい。
以上、基体１０の表面に形成された突起２０は、径が異なる円柱形状の上基部と下基部とからなるものを示したが、本発明においてはその形状に限定されることはない。例えば、図４、図５に示すように、基部を円錐台形状とすることもできる。図４、図５においては、図２の構成要素と実質的に同じ構成要素には同じ符号を付している。また、図示しないが単純な円柱形状や角柱形状としてもよい。いずれの形状でも、保護層を、基部の上端面を含む上部の一部のみを覆うように形成されることで上記本発明の効果を発揮することができる。
以上の本発明の基板保持部材は、例えば、以下のようにして製造することができる。
先ず、炭化珪素からなる略円盤状の成形体を作製し、この成形体を１９００〜２１００［℃］、Ａｒガス雰囲気において焼結することにより略円盤状の炭化珪素質焼結体が作製する。次いで、炭化珪素質焼結体の上側表面に対して研削加工、サンドブラスト加工または放電加工などを施すことにより複数の基部２２を形成する。さらに、例えば、炭化珪素からなる保護層２４を、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、物理的気相成長法（ＰＶＤ）、めっき、蒸着、プラズマイオン注入法またはイオンプレーティング法にしたがって基体１０の上側表面および基部２２の表面を覆うように形成する。中でも、保護層２４は製膜プロセス温度が相対的に低く、基部２２への熱による変形が抑制されるＰＶＤで形成することが好ましい。このようにして形成された保護層２４は、基体１０の上側表面及び基部２２の表面の全面を覆う状態である。本発明においては、保護層２４は、（１）基部の上端面全体のみに形成された状態、又は（２）基部の上端面全体と当該上端面に連なる側面の途中にまで延設させる状態とするため、（１）又は（２）に対応する領域以外の領域をブラスト加工などにより除去する。さらに、少なくとも突起２０の頂面が平坦になるように保護層２４に対して研磨加工を施す。
以上の本発明の基板保持部材において、例えば、半導体ウェハなどの平板状の被吸着物たる基板が複数の突起２０のそれぞれに当接するように基板保持部材１により支持される。基体１０に形成された真空吸引用の経路に接続された真空ポンプ等の真空吸引装置により、基板保持部材１と被吸着物とにより画定される空間の空気が吸引されることにより、当該吸引力をもって被吸着物たる基板が基板保持部材１に吸着する。
１‥基板保持部材、１０‥基体、２０‥突起、２２‥基部、２４‥保護層。

Claims (2)

  1. 基体と、前記基体の表面に形成されている複数の突起とを備える基板保持部材であって、
    前記突起は、上端面が平坦に形成された、炭化珪素質焼結体からなる基部と、炭化珪素からなる保護層とを有し、
    前記保護層は、前記基部の上端面の縁部から下端までの少なくとも一部において、全周にわたり露出している領域を有することを特徴とし、
    前記保護層は、前記基部の上端面を含む上部の少なくとも一部のみを覆うように形成されていることを特徴とし、
    前記保護層は、前記基部の上端面を覆い、かつ上端面に連なる側面の一部を全周にわたり覆うように形成されていることを特徴とする基板保持部材。
  2. 基体と、前記基体の表面に形成されている複数の突起とを備える基板保持部材であって、
    前記突起は、上端面が平坦に形成された、炭化珪素質焼結体からなる基部と、炭化珪素、ダイヤモンドライクカーボン、ＴｉＮ、ＴｉＣ、ＴｉＣＮ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＯ2、ＣｒＮ、Ｙ2Ｏ3およびＡｌ2Ｏ3から選択される少なくとも１種からなる保護層とを有し、
    前記保護層は、前記基部の上端面の縁部から下端までの少なくとも一部において、全周にわたり露出している領域を有することを特徴とし、
    前記保護層は、前記基部の上端面を含む上部の少なくとも一部のみを覆うように形成されていることを特徴とし、
    前記保護層は、前記基部の上端面を覆い、かつ上端面に連なる側面の一部を全周にわたり覆うように形成されていることを特徴とする基板保持部材。
JP2016236982A 2015-12-25 2016-12-06 基板保持部材 Active JP6867149B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020177033307A KR102071120B1 (ko) 2015-12-25 2016-12-16 기판유지부재
PCT/JP2016/087461 WO2017110660A1 (ja) 2015-12-25 2016-12-16 基板保持部材
US15/574,204 US10468289B2 (en) 2015-12-25 2016-12-16 Substrate holding member
TW105142863A TWI660247B (zh) 2015-12-25 2016-12-23 基板保持構件

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015254670 2015-12-25
JP2015254670 2015-12-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017120891A JP2017120891A (ja) 2017-07-06
JP6867149B2 true JP6867149B2 (ja) 2021-04-28

Family

ID=59272319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016236982A Active JP6867149B2 (ja) 2015-12-25 2016-12-06 基板保持部材

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10468289B2 (ja)
JP (1) JP6867149B2 (ja)
KR (1) KR102071120B1 (ja)
TW (1) TWI660247B (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2010139A (en) 2012-02-03 2013-08-06 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
JP6867149B2 (ja) * 2015-12-25 2021-04-28 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材
JP6650345B2 (ja) * 2016-05-26 2020-02-19 日本特殊陶業株式会社 基板保持装置及びその製造方法
KR102206687B1 (ko) * 2017-06-26 2021-01-22 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 기판 유지 부재
KR102390754B1 (ko) 2017-11-08 2022-04-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판 홀더 및 디바이스를 제조하는 제조 방법
CN112786500A (zh) * 2019-11-11 2021-05-11 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 晶圆架及具有晶圆架的垂直晶舟
TWI786408B (zh) * 2020-05-28 2022-12-11 環球晶圓股份有限公司 晶圓承載台及晶圓鑲埋結構的形成方法
US11612972B2 (en) 2020-09-02 2023-03-28 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with embossments that comprise diamond-like carbon and deposited silicon-based material, and related methods
JP2022086147A (ja) * 2020-11-30 2022-06-09 京セラ株式会社 吸着部材の製造方法および吸着部材
JP7689852B2 (ja) * 2021-03-29 2025-06-09 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材およびその製造方法
WO2023286741A1 (ja) * 2021-07-12 2023-01-19 京セラ株式会社 吸着部材およびその製造方法
KR20240061613A (ko) * 2022-10-31 2024-05-08 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 기판 유지 부재

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5063797A (ja) 1973-10-08 1975-05-30
JP3095514B2 (ja) * 1992-01-29 2000-10-03 キヤノン株式会社 基板保持盤
JP2000311933A (ja) 1999-04-27 2000-11-07 Canon Inc 基板保持装置、基板搬送システム、露光装置、塗布装置およびデバイス製造方法ならびに基板保持部クリーニング方法
EP1510868A1 (en) 2003-08-29 2005-03-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7824498B2 (en) * 2004-02-24 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Coating for reducing contamination of substrates during processing
JP2005310933A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Nikon Corp 基板保持部材、露光装置及びデバイス製造方法
US20080138504A1 (en) 2006-12-08 2008-06-12 Coorstek, Inc. Coatings for components of semiconductor wafer fabrication equipment
JP5059450B2 (ja) * 2007-03-06 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及び基板処理装置
JP4782744B2 (ja) * 2007-08-24 2011-09-28 京セラ株式会社 吸着部材、吸着装置および吸着方法
US8124437B2 (en) * 2009-12-21 2012-02-28 Du Pont Apollo Limited Forming protrusions in solar cells
WO2012103967A1 (en) * 2011-02-01 2012-08-09 Asml Netherlands B.V. Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2012147931A1 (ja) * 2011-04-27 2012-11-01 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP5063797B2 (ja) 2011-05-23 2012-10-31 京セラ株式会社 吸着部材、吸着装置および吸着方法
US9593577B2 (en) * 2012-09-28 2017-03-14 Element Six Gmbh Pick tool having a super-hard planar strike surface
WO2014084060A1 (ja) 2012-11-28 2014-06-05 京セラ株式会社 載置用部材およびその製造方法
JP6867149B2 (ja) * 2015-12-25 2021-04-28 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材

Also Published As

Publication number Publication date
TWI660247B (zh) 2019-05-21
JP2017120891A (ja) 2017-07-06
KR102071120B1 (ko) 2020-01-29
TW201734656A (zh) 2017-10-01
US10468289B2 (en) 2019-11-05
KR20170137912A (ko) 2017-12-13
US20180130692A1 (en) 2018-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6867149B2 (ja) 基板保持部材
KR101673039B1 (ko) 정전 척
JP5063797B2 (ja) 吸着部材、吸着装置および吸着方法
CN112514046B (zh) 静电卡盘装置及静电卡盘装置的制造方法
JP4782744B2 (ja) 吸着部材、吸着装置および吸着方法
JP2009256789A (ja) セラミックスヒータ
CN108346611B (zh) 静电吸盘及其制作方法与等离子体处理装置
JP2014157944A (ja) ガス供給部材及びプラズマ処理装置
JP7096031B2 (ja) 基板保持部材
KR20210068318A (ko) 정전 척 장치
KR100989752B1 (ko) 웨이퍼 이송 블레이드
KR102672383B1 (ko) 웨이퍼 배치대 및 그 제법
WO2017110660A1 (ja) 基板保持部材
CN109119372B (zh) 基板保持构件
JP2008300374A (ja) 静電吸着装置
JP6782157B2 (ja) 静電チャック
JP6212412B2 (ja) 真空吸着部材
CN117751441A (zh) 用于制造系统机器人的静电终端受动器
US20230014146A1 (en) Film deposition device and substrate support device
CN223108839U (zh) 边缘环
JP7689852B2 (ja) 基板保持部材およびその製造方法
TWI747611B (zh) 晶片預清潔機台
JP7096133B2 (ja) 静電チャックの製造方法
KR20050102378A (ko) 반도체 제조장비의 정전척 구조
KR20130123268A (ko) 반도체 웨이퍼를 안정적으로 지지하기 위한 척 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190628

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200310

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200413

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200901

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200915

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210330

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210408

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6867149

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250