KR100989752B1 - 웨이퍼 이송 블레이드 - Google Patents

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KR100989752B1
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Abstract

몸체(18)의 웨이퍼-로딩 영역(18b)의 블레이드 표면상에 제공된 블레이드(16)의 돌출부들(22)은 블레이드 표면(18a)상에 로딩되는 웨이퍼(W)를 지지한다. 돌출부들(22)은 표면 거칠기에 의해 형성된 미세홈들을 갖기 때문에, 웨이퍼(W)가 억제된 변위로 돌출부들(22)상에 유지된다. 블레이드(16)는 진공 흡입 없이 웨이퍼(W)를 유지시키는 간단한 구조를 갖고, 블레이드(16)의 몸체(18)에 웨이퍼(W)를 유지시키기 위한 수용 홀을 갖지 않는다. 이는 웨이퍼(W)상의 결함들의 형성을 효과적으로 방지할 수 있다.

Description

웨이퍼 이송 블레이드{WAFER TRANSFER BLADE}
본 발명은 반도체 제조 장치에 사용되는 웨이퍼 이송 블레이드에 관한 것이다.
반도체 제조 장치에 사용된 웨이퍼 이송 블레이드는 고정밀 정렬을 요구하였다. 예를 들어, 웨이퍼를 유지하도록 진공 척을 통해 웨이퍼의 후면에서 흡입하는 진공 흡입(sucking) 블레이드가 공지되어 있다.
진공상태로 사용하기 위한 통상적인 공지된 블레이드는 웨이퍼-수용 홀이 제공되는 평탄 플레이트 블레이드이다. 웨이퍼-수용 홀은 웨이퍼-수용 홀의 직경이 로딩되는 웨이퍼의 직경보다 약간 더 크고, 웨이퍼-수용 홀의 측면상의 웨이퍼의 변위(displacement)를 조절한다(심사되지 않은 일본 특허출원 공개번호 제2001-53135호 및 6-181252호).
그러나, 이러한 종래의 블레이드는 다음의 문제점들을 갖는다. 진공 흡입 블레이드에 진공 장치가 제공되기 때문에, 그 구성이 복잡하다. 더욱이, 수용 홀이 제공된 블레이드에서, 웨이퍼의 변위를 조절하기 위해 웨이퍼의 둘레는 수용 홀의 측면과 접촉되도록 배치되고, 이에 따라 동작 동안 웨이퍼상의 결함들을 초래한 다.
본 발명은 상기한 문제점들을 해결하도록 달성되며, 본 발명의 목적은 웨이퍼 상의 결함들을 감소시키는 간단한 구조로 웨이퍼 이송 블레이드를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 웨이퍼 이송 블레이드는 블레이드의 몸체의 블레이드 표면 상에 로딩되는 웨이퍼를 이송하고, 표면 거칠기 처리(surface roughening treatment)를 받는 최상위면들을 갖는 돌출부들(projections)은 몸체의 웨이퍼-로딩 영역의 블레이드 표면상에 제공된다.
웨이퍼 이송 블레이드의 돌출부들은 몸체의 블레이드 표면상의 웨이퍼-로딩 영역에 제공되고, 블레이드 표면상에 로딩되는 웨이퍼를 지지한다. 돌출부들의 최상위면들은 표면 거칠기 처리를 받기 때문에, 웨이퍼는 억제된(suppressed) 변위로 돌출부들 상에 유지된다. 보다 구체적으로는, 웨이퍼 이송 블레이드는 진공 흡입 없이 웨이퍼를 유지하는 간단한 구조를 갖는다. 또한, 웨이퍼를 유지하기 위한 블레이드는 블레이드 몸체에 수용 홀을 갖지 않기 때문에, 웨이퍼상의 결함들이 방지될 수 있다.
일 실시예에서, 돌출부들에 대한 재료는 몸체의 재료와 동일할 수 있다. 그러한 경우, 돌출부들 및 몸체는 동일한 열 저항과 내구성(durability)을 갖는다.
다른 실시예에서, 돌출부들은 몸체와 일체형일 수 있다. 그러한 경우, 블레이드의 구조가 간소화되고, 이에 의해 블레이드가 용이하게 제조될 수 있다. 돌출부들이 개별적인 부분품들(separate pieces)인 경우, 돌출부들을 몸체에 접착시키기 위해 접착제가 사용될 수 있다. 이는 불순물들이 웨이퍼 상에 부착되거나 열 저항이 감소되도록 한다. 그러나, 그러한 문제들은 몸체와 일체형인 돌출부들을 제공함으로써 방지될 수 있다.
일 실시예에서, 각각의 돌출부들은 표면 거칠기 처리에 의해 형성되고 하나의 방향으로 연장되는 톱니모양 홈들(serrated grooves)을 가질 수 있다. 그러한 경우, 결과적인 블레이드는 홈들에 수직인 방향에서 높은 웨이퍼-유지력을 나타낸다.
일 실시예에서, 각각의 돌출부 상의 홈들은 웨이퍼 이송 블레이드의 회전 방향에 실질적으로 수직인 방향으로 연장될 수 있다. 일반적으로, 웨이퍼 이송 블레이드의 회전 방향에서 웨이퍼-유지력은 중요하다. 그러나, 웨이퍼 이송 블레이드의 회전 방향에 실질적으로 수직인 방향에서 연장되는 홈들의 경우, 회전 방향의 변위가 효과적으로 억제된다.
일 실시예에서, 각각의 돌출부 상의 홈들은 #30-90 연마 분말을 이용하여 연마함으로써 형성될 수 있다. 대안적으로, 일 실시예에서, 각각의 돌출부는 표면 거칠기 처리로서 샌드블라스팅(sandblasting)을 받을 수 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 이송 블레이드는 블레이드의 몸체의 블레이드 표면상에 로딩되는 웨이퍼를 이송하고, 몸체의 블레이드 표면상의 웨이퍼-로딩 영역의 적어도 일부분은 표면 거칠기 처리를 받은 거친(roughened)-표면 영역이고, 웨이퍼-로딩 영역의 둘레는 웨이퍼-로딩 영역의 높이 보다 더 크지 않은 높이를 갖는다.
몸체의 블레이드 표면상의 웨이퍼-로딩 영역의 둘레는 웨이퍼-로딩 영역의 높이 보다 더 크지 않은 높이을 갖고, 이에 의해 웨이퍼 이송 블레이드는 웨이퍼-로딩 영역상의 거친-표면 영역에 웨이퍼를 유지시킨다. 보다 구체적으로는, 웨이퍼 이송 블레이드는 진공 흡입 없이 웨이퍼를 유지시키는 간단한 구조를 갖는다. 또한, 웨이퍼를 유지시키기 위한 블레이드가 블레이드 몸체에 수용 홀을 갖지 않기 때문에, 웨이퍼상의 결함들이 방지될 수 있다.
일 실시예에서, 전체 웨이퍼-로딩 영역은 거친-표면 영역일 수 있다. 그러한 경우, 결과적인 블레이드는 높은 유지력을 갖는다.
일 실시예에서, 거친-표면 영역은 표면 거칠기 처리에 의해 형성되고 하나의 방향으로 연장되는 톱니모양 홈들을 가질 수 있다. 그러한 경우, 결과적인 블레이드는 홈들에 수직인 방향에서 높은 웨이퍼-유지력을 갖는다.
일 실시예에서, 거친-표면 영역상에 형성된 홈들은 웨이퍼 이송 블레이드의 회전 방향에 실질적으로 수직인 방향으로 연장될 수 있다. 일반적으로, 웨이퍼 이송 블레이드의 회전 방향의 웨이퍼-유지력은 중요하다. 그러나, 웨이퍼 이송 블레이드의 회전 방향에 실질적으로 수직인 방향으로 연장되는 홈들의 경우, 회전 방향의 변위가 효과적으로 억제된다.
일 실시예에서, 거친-표면 영역상의 홈들은 #30-90 연마 분말을 이용하여 연마함으로써 처리될 수 있다. 더욱이, 일 실시예에서, 거친-표면 영역은 표면 거칠기 처리로서 샌드블라스팅에 의해 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 이송 블레이드는 간단한 구조를 가질 수 있고, 웨이퍼상의 결함들을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예들은 첨부된 도면들을 참조로 상세히 기술될 것이다. 동일하거나 등가적인 유사한 구성요소들은 동일한 참조번호들로 지칭되고, 중복되는 설명은 생략된다.
제 1 실시예
도 1에 도시된 것처럼, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 클러스터 툴(10)은 이송 챔버(11), 및 이송 챔버(11) 둘레에 반경으로 배치된 다수의 처리 챔버들(12)을 포함한다. 처리 챔버들(12) 사이에서 웨이퍼(W)의 이송을 용이하게 하기 위해 이송 로봇(14)이 이송 챔버(11)에 제공된다.
웨이퍼(W)(예를 들어, 200mm의 직경을 갖는 실리콘 웨이퍼)를 이송하는 블레이드(16)(웨이퍼 이송 블레이드)는 이송 로봇(14)에 부착된다. 이송 로봇(14)은 각각의 처리 챔버(12)로부터 근접하게 떨어진 방향(도 1의 α 방향) 및 처리 챔버들(12) 사이의 방향(도 1의 β 방향)에서 블레이드(16)를 이동시킨다.
도 2에 도시된 것처럼, 블레이드(16)는 몸체(18), 및 몸체(18)를 유지시키고 몸체(18)를 이송 로봇(14)에 결합시키기 위한 결합기(coupler)(20)를 포함한다.
몸체(18)는 SiC로 이루어진 사각형 플레이트이다. 몸체(18)의 연장 방향(X 방향)은 블레이드의 진행(advancing)/수축(retracting) 방향(α 방향)과 실질적으로 일치한다. 몸체(18)의 주표면(18a)은 웨이퍼(W)가 로딩되는 블레이드 표면이다. 몸체(18)의 블레이드 표면(18a)상에 로딩되는 웨이퍼(W)가 이송된다. 몸체(18)의 블레이드 표면(18a)상의 웨이퍼-로딩 영역(18b)은 몸체(18)와 일체형인 3개의 돌출부들(22)을 갖는다. 이러한 돌출부들(22)은 예를 들어, 기계가공(machining)에 의해 몸체(18)의 제조 동안 형성된다.
3개의 돌출부들(22)은 몸체(18)의 횡방향(몸체의 연장 방향에 수직인 Y 방향)으로 배향되는 2개의 돌출부들(22), 및 2개의 돌출부들(22) 사이의 중간의 이등분선 상에 배치된 하나의 돌출부(22)를 포함한다. 각각의 돌출부(22)는 블레이드 표면(18a)에 수직으로 연장되는 원통형 형상(약 0.4mm의 높이와 약 4mm의 직경)을 갖는다. 도 3에 도시된 것처럼, 각각의 돌출부(22)의 최상위면은 표면 거칠기 처리를 받는다. 보다 구체적으로는, 각각의 돌출부(22)의 최상위면은 몸체(18)의 종방향(X 방향)으로 연장되는 톱니모양 미세홈들(약 200㎛의 피치 및 약 100㎛의 깊이)을 갖는다. 그러한 미세홈들은 다이아몬드 연마 분말을 이용하여 연마함으로써 형성될 수 있다. 일본 산업 표준(JIS) R6001 (1998)에 따른 다이아몬드 연마 분말 #60이 사용되었다. 대안적으로, 다이아몬드 연마 분말 #30-90이 사용될 수도 있다. #30 보다 더 굵은(coarser) 다이아몬드 연마 분말은 미세홈들 상의 피크 엣지들을 충분히 뾰족하게 할 수 없고, #90보다 더 미세한 다이아몬드 연마 분말은 충분한 높이를 가진 피크들을 형성할 수 없다.
도 4에 도시된 것처럼, 웨이퍼(W)가 전술한 몸체(18)상에 로딩될 때, 돌출부들(22)이 웨이퍼-로딩 영역(18b)에 형성되기 때문에, 웨이퍼(W)는 단지 돌출부들(22)만에 의해 지지된다. 웨이퍼(W)와 접촉되도록 배치된 돌출부들(22)의 최상위면들은 표면-거칠기 처리에 의해 형성된 미세홈들을 갖고, 이에 의해 웨이퍼(W)와 돌출부들(22) 사이에 큰 마찰력이 보장될 수 있다. 결과적으로, 웨이퍼(W)는 억제된 변위로 돌출부들(22)상에 유지된다.
미세홈들은 블레이드(16)의 진행/수축 방향(도 1의 α 방향)을 따라 몸체(18)의 연장 방향(X 방향)으로 연장하기 때문에, 블레이드(16)의 회전 방향(도 1의 β 방향)과 연관된 유지력이 특히 개선된다. 도 1에 도시된 클러스터 툴(10)에서, 블레이드(16)의 가속도 및 최종 속도는 종종 이동 거리 때문에 진행/수축 방향에서보다 회전 방향에서 더 높다. 결과적으로, 회전 이동에 대한 블레이드(16)의 웨이퍼-유지력은 중요하다. 따라서, 전술한 것처럼, 블레이드(16)의 회전 방향(β 방향)에 수직인 미세홈들이 돌출부들(22)에 제공된다(즉, 블레이드(16)의 진행/수축 방향(α 방향, X 방향)을 따라). 이는 회전 이송 동안 웨이퍼(W)의 변위를 효과적으로 억제시킬 수 있다.
도 5는 웨이퍼(W)를 수용하기 위한 수용 홀(18d)이 제공된 종래의 블레이드(16A)의 몸체(18A)를 도시한다. 이러한 종래의 몸체(18A)에서, 웨이퍼-로딩 영역(18b)의 둘레(18c)는 웨이퍼-로딩 영역(18b)의 높이보다 더 큰 높이를 갖는다. 웨이퍼(W)의 둘레는 수용 홀(18d)의 측면과 접촉되게 배치되어, 몸체(18A)가 웨이퍼(W)의 변위를 조절한다. 수용 홀(18d)의 측면과 웨이퍼(W)의 이러한 접촉은 웨이퍼(W)상의 부분적인 결함들을 초래한다.
그러나, 본 발명의 실시예에 따른 몸체(18)에서, 웨이퍼-로딩 영역(18b)은 웨이퍼-로딩 영역(18b)의 둘레(18c)와 동일한 높이를 가짐으로써, 웨이퍼(W)상의 결함들의 형성을 효과적으로 방지한다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 몸체(18)는 종래의 몸체(18A)와 달리 수용 홀(18d)을 요구하지 않기 때문에, 몸체(18)의 두 께 d1(예, 1mm)은 종래의 몸체(18A)의 두께 d2(예, 3mm)에 비해 감소될 수 있다. 그러한 두께의 감소는 블레이드(16)가 카세트에 적층된 웨이퍼들(W)을 처리할 때, 웨이퍼들 사이에(예, 5.5mm 간격) 블레이드(16)의 몸체(18)의 삽입을 용이하게 한다. 또한, 블레이드(16)의 몸체(18)와 웨이퍼(W)의 접촉 가능성은 현저하게 억제된다.
더욱이, 실험들을 통해, 본 발명의 발명자들은 이송 속도와 같은 동일한 이송 조건들하에서, 본 발명의 실시예에 따른 블레이드(16)가 수용 홀(18d)이 제공된 종래의 블레이드(16A)에 비해, 이송 동작 동안 로딩되는 웨이퍼(W)의 변위를 감소시킨다는 것을 검증했다.
상기에서 상세히 설명된 것처럼, 몸체(18)의 웨이퍼-로딩 영역(18b)의 블레이드 표면상에 제공된 블레이드(16)의 돌출부들(22)은 블레이드 표면(18a)상에 로딩되는 웨이퍼(W)를 지지한다. 돌출부들(22)은 표면 거칠기에 의해 형성된 미세홈들을 갖기 때문에, 웨이퍼(W)가 억제된 변위로 돌출부들(22)상에 유지된다. 즉, 블레이드(16)는 진공 흡입 없이 웨이퍼(W)를 유지시키는 간단한 구조를 갖고, 몸체(18)에 웨이퍼(W)를 유지시키기 위한 수용 홀을 갖지 않는다. 이는 웨이퍼(W)상의 결함들의 형성을 효과적으로 방지할 수 있다.
몸체(18)와 일체형인 돌출부들(22)은 블레이드(16)의 구조를 간소화시키고, 블레이드(16)의 제조를 용이하게 한다. 돌출부들(22)이 개별적인 부분품들인 경우, 돌출부들(22)을 몸체(18)에 접착하기 위해 접착제가 사용될 수 있다. 이는 불순물들이 웨이퍼(W)상에 부착되도록 하거나 열 저항이 감소되도록 한다. 그러나, 그러한 문제들은 몸체(18)와 일체형인 돌출부들(22)에 의해 방지될 수 있다. 돌출부들(22)은 몸체(18)와 일체형이어야 할 필요는 없고, 요구된다면 개별적인 부분품들일 수 있다.
더욱이, 돌출부들(22)의 재료는 몸체(18)의 재료와 동일하기 때문에(이 경우, SiC), 돌출부들(22)과 몸체(18)는 동일한 열 저항과 내구성을 갖는다. 즉, 동일한 재료(예를 들어, SiC, SiO2, Al2O3, 탄소 유리(GC), TiO2, 또는 Al)로 형성된 돌출부들(22)과 몸체(18)는 높은 열 저항을 보장한다. 전술한 표면 거칠기 처리를 통해, 본 발명자들은 몸체(18)에 사용되는 높은 경도를 가진 재료에 의해 웨이퍼(W)가 지지되더라도, 충분한 유지력을 갖고 웨이퍼(W)를 성공적으로 이송할 수 있는 블레이드(18)를 달성하였다. 수지 재료들은 낮은 열 저항 때문에 돌출부들(22)에 대해 사용될 수 없다. 특히, 수지는 웨이퍼(W)의 증착과 같은 고온 조건들하에서 저하(예를 들어, 변형되거나 용융됨)될 수 있다.
또한, 3개의 돌출부들(22)은 작은 표면 접촉 면적으로 웨이퍼(W)를 지지하기 때문에, 블레이드(16)의 재료 또는 그 내부의 불순물들이 웨이퍼(W)의 후면으로 전달되는 것이 현저하게 억제된다. 특히, 돌출부들(22)의 최상위면들은 웨이퍼(W)와 블레이드(16) 사이의 표면 접촉 면적을 감소시키도록 표면 거칠기 처리를 받고, 이에 따라 그러한 전달이 효과적으로 억제된다.
본 실시예의 블레이드(16)가 실제적으로 웨이퍼(W)를 이송할 때, 단지 수 마이크로미터 직경을 갖는 3개의 트레이스들(traces)이 3개의 돌출부들(22)에 대응하는 위치들에서 웨이퍼(W)의 후면상에 남았다. 이는 표면 거칠기 처리를 받은 돌출부들(22)의 전체 최상위면들이 웨이퍼(W)의 후면에 접촉되지 않는다는 것을 나타낸다. 돌출부들(22)의 최상위면들의 미세영역들만이 웨이퍼(W)의 후면과 접촉된다. 결과적으로, 돌출부들(22)의 미세영역들은 웨이퍼(W)를 지지한다. 즉, 실제적으로, 웨이퍼(W)가 블레이드(16)에 접촉되는 면적은 돌출부들의 최상위면들보다 현저하게 더 작다.
제 2 실시예
본 발명에 따른 제 2 실시예가 도 6 및 도 7을 참조로 기술될 것이다. 도 6은 제 2 실시예에 따른 블레이드(16B)를 도시하는 사시도이다. 도 7은 도 6에 도시된 블레이드(16B)를 도시하는 개념적 단면도이다.
블레이드(16B)는 블레이드(16B)가 돌출부를 갖지 않지만 전체 거친 표면(18a)을 갖는다는 점에서 제 1 실시예의 블레이드(16)와 상이하다. 보다 구체적으로는, 블레이드(16b)의 몸체(18B)는 돌출부가 없는 평탄한 블레이드 표면(18a)을 갖는다. 도 3에 도시된 X 방향으로 연장되는 톱니모양 미세홈들은 전체 블레이드 표면(18a)상에 형성된다.
제 2 실시예에서, 웨이퍼(W)가 몸체(18B)상에 로딩될 때, 미세홈들이 전체 블레이드 표면(18a)상에 형성되기 때문에, 웨이퍼(W)와 몸체(18) 사이에 큰 마찰력이 보장될 수 있다. 결과적으로, 웨이퍼(W)는 억제된 변위로 유지될 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같은 제 2 실시예에서, 웨이퍼-로딩 영역(18b)은 제 1 실시예에서처럼, 웨이퍼-로딩 영역(18b)의 둘레(18c)와 동일한 높이를 갖는다. 이는 웨이 퍼(W)상의 결함들의 형성을 효과적으로 방지하고 몸체(18B)의 두께를 감소시킬 수 있다.
상기에서 설명된 것처럼, 몸체(16B)의 블레이드 표면(18a)상의 웨이퍼-로딩 영역(18b)의 둘레(18c)는 웨이퍼-로딩 영역(18b)의 높이보다 더 크지 않은 높이를 갖고, 이에 의해 블레이드(16B)는 웨이퍼-로딩 영역(18b)상의 거친-표면 영역에 웨이퍼(W)를 유지시킨다. 보다 구체적으로는, 블레이드(16B)는 진공 흡입 없이 웨이퍼(W)를 유지시키는 간단한 구조를 갖는다. 또한, 웨이퍼(W)를 유지시키기 위한 블레이드(16B)가 몸체(18)에 수용 홀을 갖지 않기 때문에, 웨이퍼(W)상의 결함들이 방지될 수 있다.
전체 블레이드 표면(18a)이 거친-표면 영역일 필요는 없다. 웨이퍼-로딩 영역(18b)의 일부분이 거친-표면 영역일 수 있다. 그러나, 전체 웨이퍼-로딩 영역(18b)이 거친-표면 영역일 때, 블레이드는 높은 웨이퍼-유지력을 갖는다.
블레이드들(16, 16B)은 진공 흡입을 요구하지 않기 때문에, 진공 또는 공기에서 웨이퍼(W)를 이송하는 클러스터 툴에 적용될 수 있다.
본 발명은 전술한 실시예들로 제한되어서는 않되며 다양한 변형예들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 돌출부들의 수, 크기 및 형상은 요구된다면 적절히 변경될 수 있다. 또한, 표면 거칠기 처리에 의해 형성되는 미세홈들의 크기, 형상 및 연장 방향도 요구된다면 변경될 수 있다. 더욱이, 블라스팅(blasting) 처리가 표면 거칠기 처리로서 사용될 수도 있다. 충분한 유지력과 높은 재현성을 보장한다는 관점에서 연마 처리가 바람직하다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 클러스터 툴을 도시하는 개념도이다.
도 2는 도 1의 클러스터 툴의 블레이드를 도시하는 사시도이다.
도 3은 도 2의 거친 돌출부의 상태를 도시하는 도면이다.
도 4는 도 2의 블레이드를 도시하는 개념적 단면도이다.
도 5는 종래기술에 따른 블레이드를 도시하는 개념적 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 블레이드를 도시하는 사시도이다.
도 7은 도 6의 블레이드의 개념적 단면도이다.

Claims (19)

  1. 블레이드(blade)의 몸체상에 로딩되는 웨이퍼를 이송하기 위한 웨이퍼 이송 블레이드로서,
    상기 블레이드의 몸체는 상기 몸체의 웨이퍼-로딩 영역에서 표면 거칠기(roughening) 처리를 받은 최상위면들을 가진 원통형 돌출부들을 구비하며, 상기 돌출부들이 상기 몸체와 일체형인(integrated) 웨이퍼 이송 블레이드.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    각각의 상기 돌출부들은 상기 표면 거칠기 처리에 의해 형성되고 하나의 방향으로 연장되는 톱니모양 홈들을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 블레이드.
  4. 제 3 항에 있어서,
    각각의 상기 돌출부들상의 상기 홈들은 상기 웨이퍼 이송 블레이드의 회전 방향에 실질적으로 수직인 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 블레이드.
  5. 제 3 항에 있어서,
    각각의 상기 돌출부들상의 상기 홈들은 #30-90 연마 분말을 이용하여 연마함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 블레이드.
  6. 제 4 항에 있어서,
    각각의 상기 돌출부들상의 상기 홈들은 #30-90 연마 분말을 이용하여 연마함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 블레이드.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌출부들과 상기 몸체는 동일한 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 블레이드.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면 거칠기 처리는 샌드블라스팅(sandblasting)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 블레이드.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 표면 거칠기 처리는 샌드블라스팅인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 블레이드.
  10. 블레이드의 몸체상에 로딩되는 웨이퍼를 이송하기 위한 웨이퍼 이송 블레이드로서,
    상기 몸체의 표면상의 웨이퍼-로딩 영역의 적어도 일부분은 표면 거칠기 처리를 받은 거친(roughened)-표면 영역이고, 상기 블레이드가 돌출부 없이 구성되며, 상기 웨이퍼-로딩 영역의 둘레는 상기 웨이퍼-로딩 영역의 높이 이하의 높이를 갖는, 웨이퍼 이송 블레이드.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 거친-표면 영역은 전체 웨이퍼-로딩 영역인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 블레이드.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 거친-표면 영역은 상기 표면 거칠기 처리에 의해 형성되고 하나의 방향으로 연장되는 톱니모양 홈들을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 블레이드.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 거친-표면 영역상에 형성된 상기 홈들은 상기 웨이퍼 이송 블레이드의 회전 방향에 실질적으로 수직인 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 블레이드.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 거친-표면 영역상에 형성된 상기 홈들은 #30-90 연마 분말을 이용하여 연마함으로써 처리되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 블레이드.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 거친-표면 영역상에 형성된 상기 홈들은 #30-90 연마 분말을 이용하여 연마함으로써 처리되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 블레이드.
  16. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 표면 거칠기 처리는 샌드블라스팅인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 블레이드.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
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