JPH0729959A

JPH0729959A - ウェハ搬送装置

Info

Publication number: JPH0729959A
Application number: JP17550193A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Morioka; 裕之森岡; Hitoshi Atari; 仁阿多利; Mikihiro Umehara; 幹裕梅原
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1993-07-15
Filing date: 1993-07-15
Publication date: 1995-01-31

Abstract

(57)【要約】【構成】ウェハ搬送装置の少なくとも当接面を単結晶ア
ルミナで形成した。【効果】載置面を単結晶アルミナで形成してあるためボ
イドがなく、高純度であることから、ウェハに悪影響を
およぼすことなく搬送を行うことができる。しかも、硬
度が高く、耐薬品性にも優れているために磨耗すること
がなく、フッ酸などの強酸で洗浄しても、長期にわたり
使用することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハや液晶基
板などを支持、または真空吸着支持して移動させるため
のウェハ搬送装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体ウェハや液晶基板（以
下、これらをウェハと略称する）を下側から支持して搬
送する搬送アームや、真空吸着して搬送する真空ピンセ
ットなどが広く用いられており、これらのウェハ搬送装
置を構成する材料として、石英ガラスや高純度の多結晶
アルミナ、炭化珪素質セラミックスなどが用いられてい
る。（特開昭５９−１２４５３６号公報、特開昭６２−
５３７７４号公報、特開昭６３−１６９２４３号公報参
照）例えば、図８に示す搬送アーム３１は、石英ガラス
或いはセラミックスから成る板状体３２に、表面が滑ら
かで板状体３２と同じ材質から成る支持部材３３を、ウ
ェハ５０を三点支持するように接着剤３４によって取着
したものである。そして、図10に示すように、カセット
５５に収納されたウェハ５０を搬送アーム３１の載置面
３５上に載せ、下側から持ち上げて取り出し、搬送する
ようになっていた。

【０００３】又、図９に示す真空ピンセット４１は、セ
ラミックス板４２の内部に連通孔４５を備え、この連通
孔４５の先端側にて開口部４３とし、後端側にて吸引孔
４４としたものである。この真空ピンセット４１は、搬
送アーム３１と同様カセット５５に収納されるウェハ５
０の上側もしくは下側に真空ピンセット４１を位置さ
せ、吸引孔４４から真空吸引することによってウェハ５
０を載置面４６に吸着させ、搬送していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、近年、半導
体装置の高密度化に伴い、上記ウェハ搬送装置の載置面
３５，４６を形成するセラミックスの微小なボイド中に
溜まったゴミがウェハ５０に付着し、悪影響をおよぼす
という問題があった。

【０００５】又、ウェハ搬送装置の載置面３５，４６を
構成するアルミナや炭化珪素質のセラミックスは、純度
が９９．９％のものが使われているが、残り０．１％中
に含まれる不純物のＮａやＣａなどが、ウェハ５０との
間で物質移動を起こし、やはりウェハ５０に悪影響を与
えるため、良質の製品を製造することができず、製品歩
留りが上がらなかった。

【０００６】一方、石英ガラスを用いれば、純度が９
９．９９％以上でボイドをなくすことができるが、ヤン
グ率が小さいためにウェハ搬送装置が撓み易いという問
題があった。その為、ウェハ５０を取り出すときには、
ウェハ搬送装置がカセット５５に当たってしまって取り
出すことができず、逆に、ウェハ５０をカセット５５に
収納する場合には、カセット５５の間隔に上手く一致さ
せることが難しく、ウェハ５０の破損事故を生じる恐れ
があった。しかも、搬送中には、ウェハ搬送装置が撓ん
でいるため、ずれおちてしまう恐れもあった。

【０００７】又、石英ガラスは硬度も低いことから、搬
送の繰り返しですぐに載置面３５，４６が摩耗してしま
うといった問題もあった。

【０００８】そこで、上記セラミックスの欠点を補うも
のとして、ウェハ５０と同じ成分であるＳｉＯ₂をセラ
ミックス製のウェハ搬送装置にコーティングすることが
考えられるが、載置面３５，４６の面精度を出すために
研磨加工を施さなければならず、その為には１００μｍ
以上の厚みをもったコーティング層を形成しなければな
らない。しかし、１００μｍ以上の厚みをもったコーテ
ィング層を形成するためには、非常に長い時間を要し、
加工工程の増加にもつながることから生産効率が悪く、
大量生産には不向きであるといった問題があった。

【０００９】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明では上記
問題に鑑み、ウェハ搬送装置のうち、少なくともウェハ
と接触する当接面を純度９９．９９％以上の単結晶アル
ミナで形成するとともに、当接面を中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．０８μｍ以下に仕上げたことを特徴とするも
のである。

【００１０】

【作用】本発明に係るウェハ搬送装置は、当接面を単結
晶アルミナで形成してあるためボイドがなく、純度が９
９．９９％以上であることから、ウェハに悪影響をおよ
ぼすことはない。しかも、上記当接面は中心線平均粗さ
で０．０８μｍ以下としてあることから、微細なゴミの
付着も低減し、ウェハに傷を付けることなく搬送を行う
ことができる。又、単結晶アルミナは硬度が高く、耐薬
品性にも優れているために磨耗することがなく、フッ酸
などの強酸で洗浄しても、浸食を受けにくいことから、
この単結晶アルミナで当接面を形成したウェハ搬送装置
は、極めて信頼性が高く、長期にわたって使用すること
ができる。

【００１１】

【実施例】以下、本発明実施例を説明する。

【００１２】〔実施例１〕図１（ａ）は本発明のウェハ
搬送装置のうち、搬送アーム１を示す平面図であり、図
１（ｂ）はその断面図を示すもので、この搬送アーム１
は、セラミックスから成る板状体２の一方の面に、ウェ
ハを三点支持できるよう単結晶アルミナから成る３個の
支持部材３を接着してある。この板状体２に支持部材３
を接合する接着剤４としては、エポキシ樹脂で接着して
も良いが、高温雰囲気中で使われる場合には、硼酸ガラ
スによって融着焼結させても良い。

【００１３】このような搬送アーム１は、例えば図１０
に示すように、カセット５５に収納されているウェハ５
０の下側に、搬送アーム１の先端部を挿入して少し持ち
上げ、載置面３ａにウェハ５０を載せて支持する。そし
て、搬送アーム１をカセット５５からゆっくりと引き抜
き、所定の場所まで搬送するようになっている。

【００１４】ところで、本発明に係る単結晶アルミナ
は、純度が９９．９９％以上で、ボイド占有率がゼロで
ある。このような単結晶アルミナを製造するには、ＥＦ
Ｇ法（Ｅｄｇｅ−ｄｅｆｉｎｅｄＦｉｌｍ−ｆｅｄ
Ｇｒｏｗｔｈ法）により行うことが最適である。即ち、
高純度のアルミナを不活性雰囲気中で溶融し、このアル
ミナ融液と接するように内部にスリットを備えたリボン
状のサファイア単結晶育成のモリブデンダイを位置さ
せ、アルミナ融液を毛細管作用によりモリブデンダイ上
端部に上昇させ、所定の面方位を有するサファイアシー
ドをモリブデンダイ上端部のアルミナ融液と接触させ、
次いでシードを上方に引き上げて単結晶アルミナである
サファイアの育成を行う。

【００１５】このようにして得られた単結晶アルミナ
は、ヤング率が３×１０⁴ｋｇ／ｍｍ²以上、ビッカー
ス硬度が２×１０³ｋｇ／ｍｍ²以上と優れた機械的特
性を有することから最適な載置面３ａを形成することが
できる。特に、載置面３ａを純度が９９．９９％以上
で、且つボイドがない単結晶アルミナで構成したのは、
純度が９９．９９％未満であると、不純物中のＮａやＣ
ａの量が増大するため、ウェハ５０を載置した時に単結
晶アルミナ中のＮａやＣａが物質移動を起こし、ウェハ
５０に悪影響を与えてしまうからで、ボイドがあると、
そこに溜まった塵埃がやはりウェハ５０に悪影響を与え
るといった問題があるからである。

【００１６】又、単結晶アルミナには３種類の面方位が
あり、図２に示すように、結晶のＣ軸に対して直角方向
に（０００１）面（以下、Ｃ面と呼ぶ）が存在し、この
Ｃ面に対して直交し、且つ１２０°中心角になるように
回転対称方向にａ₁軸、ａ₂軸、ａ₃軸があり、これら
３種類の軸にできる３つの面は等価であり、その面が
（１１２−０）面（以下、Ａ面と呼ぶ、又、指数の後の
−は、負の成分を示す）である。又、Ｃ軸に対してｍ軸
方向（ｍ軸方向とは六角柱の側面に垂直な軸をいう）に
５７．６°傾いたＲ軸に垂直な面が（１１−０２）面
（以下、Ｒ面と呼ぶ）である。そして、この３種類の面
のうち、どの面が載置面３ａを構成していても良いが、
好ましくはＡ面が載置面３ａを構成したほうがよい。こ
れは単結晶アルミナの結晶構造が六方晶形であり、結晶
学的に考えた場合、Ａ面が最も安定であるからである。
即ち、３種類の面方位のうち、Ａ面が最も強度及び硬度
が高いため、載置面３ａをＡ面で形成することで、非常
に摩耗し難い面とすることができ、安定したウェハ５０
の支持を提供することができる。

【００１７】しかも、上記ＥＦＧ法を用いれば、簡単に
所定の面方位を持った単結晶アルミナを大量に育成する
ことができる。なお、他のＨＥＭ法、ＣＺ法を用いて単
結晶アルミナを育成したものであってもよい。

【００１８】又、載置面３ａの面粗さは中心線平均粗さ
（Ｒａ）で０．０８μｍ以下とすることが重要である。
これは面粗さが０．０８μｍより大きいと、載置面３ａ
の凹部にゴミが溜まりやすく、載置するウェハ５０に悪
影響を与えるばかりか、搬送中の微振動によってウェハ
５０に傷を付けてしまうからである。

【００１９】このように、搬送アーム１の載置面３ａを
単結晶アルミナで形成したことにより、不純物や塵埃の
付着によるウェハ５０の品質低下を防止し、安定した支
持を行うことができる。

【００２０】一方、搬送アーム１をなす板状体２は、比
重が低く、ヤング率が２×１０⁴ｋｇ／ｍｍ²以上を有
する多結晶アルミナ、炭化珪素、窒化珪素などのセラミ
ックス或いはサファイアで形成してあればよく、このよ
うな板状体２は厚みｔを１ｍｍとして８インチ径のウェ
ハ５０を載置しても撓むことはなく、駆動部（不図示）
に大きな負荷をかけることもないため、安定した搬送を
行うことができる。

【００２１】なお、実施例の搬送アーム１では三点支持
するものを示したが、四点支持或いは多点支持したもの
でもよく、ウェハ５０を安定に支持できる構造であれば
よい。

【００２２】〔実施例２〕図３（ａ）は本発明のウェハ
搬送装置のうち、他の搬送アーム５を示す平面図であ
り、図３（ｂ）はその断面図を示すものである。なお、
図１と同一部分は同一符号で示す。

【００２３】この搬送アーム５は、多結晶アルミナセラ
ミックス或いは単結晶アルミナから成る板状体２の一方
の面に、ウェハ５０を三点支持できるよう単結晶アルミ
ナから成る３個の支持部材３を焼結して接合したもので
ある。又、載置面３ａは中心線平均粗さで０．０８μｍ
以下の鏡面に仕上げてある。

【００２４】上記多結晶アルミナセラミックスから成る
板状体２に支持部材３を接合するには、各接合面２ｅ，
３ｅを中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．２μｍ以下の鏡面
に研磨し、支持部材３を板状体２に摺り合わせたあと、
１７００〜１８００℃程度の温度で焼成することで、各
接合面２ｅ，３ｅにあるアルミナ粒子同士が拡散作用に
よって焼結し、接合することができる。特に、支持部材
３を板状体２に接合するにあたって重要なのは、各接合
面２ｅ，３ｅを中心線平均粗さで０．２μｍ以下の鏡面
に研磨する点にある。つまり、接合面２ｅ，３ｅが鏡面
でないと、接合面２ｅ，３ｅを形成するアルミナ粒子同
士の接触面積が小さいために、拡散作用があったとして
も少ない範囲での拡散しか起こっておらず、十分な接合
強度を得ることができない。

【００２５】又、上記単結晶アルミナから成る板状体２
に支持部材３を接合するには、各接合面２ｅ，３ｅをダ
イヤモンド砥粒によるラッピング加工を施し、次にクロ
スによるポリッシング研磨を行うことにより、中心線平
均粗さ（Ｒａ）で０．０２μｍ以下、好ましくは０．０
１μｍ以下で、且つ平坦度が２０μｍ以下、好ましくは
５μｍ以下の面に仕上げることが必要である。そして、
鏡面研磨された板状体２及び支持部材３の接合面２ｅ，
３ｅを重合わせ、５０ｇ／ｃｍ²の圧力を加えた状態
で、真空炉に入れ約１７００℃で３時間程度アニール処
理することにより一体接合することができる。なお、高
温炉は、真空炉以外でも接合可能であるが、好ましくは
真空炉で行う方が好ましく、処理温度は、１０００℃以
上で、且つサファイアの融点以下でできるだけ高い温度
で行った方が好ましい。

【００２６】さらに、単結晶アルミナから成る板状体２
と支持部材３を接合する場合には、引張応力が生じる方
向に各単結晶アルミナのＣ軸を併せることで、載置面３
ａ及び板状体２の上下面がＡ面で形成されることから、
よりいっそう搬送アーム５の強度を高めることができ
る。

【００２７】このような搬送アーム５は、耐熱性、耐薬
品性に優れるとともに、支持部材３と板状体２が焼結に
より接合してあるため、高温下でも使用することができ
る。しかも、長期にわたる使用の間に載置面３ａに溜ま
った塵埃を取り除くために、強酸による洗浄を繰り返し
ても載置面３ａ及び、接合部が浸食を受けることもない
ため長期使用が可能となり、信頼性の高い搬送アーム５
とすることができる。〔実施例３〕図４（ａ）は本発明の真空ピンセット１１
を示す平面図であり、図４（ｂ）はその断面図で、この
真空ピンセット１１は、２枚の多結晶アルミナセラミッ
クスから成る板状体１２，１３の一方に溝１２ｂを形成
し、他方の板状体１３には上記溝１２ｂの両端部と一致
するように２つの孔を穿設してあり、２枚の板状体１
２，１３を焼結により接合したものである。そして、板
状体１２の溝１２ｂが連通孔１６として作用し、この連
通孔１６は先端側の孔にて開口部１４を、後端側の孔に
て吸引孔１５をなしている。又、開口部１４のまわりに
は、単結晶アルミナから成るリング１７を焼結によって
接合して、吸着面１７ａとしてある。なお、リング１７
と板状体１２の接合は、実施例２と同じ方法で接合して
あり、吸着面１７ａは中心線平均粗さで０．０８μｍ以
下の鏡面に仕上げてある。そして、この真空ピンセット
１１の吸引孔１５より真空吸引することによって、吸着
面１７ａにウェハ５０を吸着・支持するようになってい
る。

【００２８】このような真空ピンセット１１は、リング
１７を単結晶アルミナで形成して、中心線平均粗さで
０．０８μｍ以下の鏡面としてあるため、塵埃などを寄
せ付けず、吸引力によってウェハ５０を吸着面１７ａに
押し付けて傷を付けるようなこともない。しかも、強酸
による洗浄を繰り返し施すことができるというように信
頼性の高い真空ピンセット１１とすることができる。

【００２９】〔実施例４〕図５（ａ），（ｂ）は本発明
に係る他の真空ピンセット２１で、多結晶アルミナセラ
ミックスから成る板状体２２に溝２２ｂを形成し、表面
を中心線平均粗さで０．０８μｍ以下に研磨した単結晶
アルミナから成る板状体２３には、上記溝２２ｂの両端
部と一致するように２つの孔が穿設してあり、２枚の板
状体２２，２３を実施例２と同様の方法で焼結により接
合したものである。そして、板状体２２の溝２２ｂを連
通孔２６として、この連通孔２６とつながる先端側の孔
を開口部２４とし、後端側の孔を吸引孔２５としてあ
る。

【００３０】このような真空ピンセット２１は、多結晶
アルミナセラミックスから成る板状体２２と、単結晶ア
ルミナから成る板状体２３とを接合した構造としてある
ため、薄型の真空ピンセット２１とすることができる。
その為、収納スペースが狭いカセット５５でも簡単にウ
ェハ５０の出し入れが可能であり、板状体２３の表面が
そのまま吸着面２３ａとなるため、吸着面２３ａを大き
くとることができ、安定したウェハ５０の支持ができ
る。

【００３１】〔実施例５〕図６（ａ），（ｂ）は本発明
に係るさらに別の真空ピンセット３１で、２枚の単結晶
アルミナから成る板状体３２，３３の一方に溝３２ｂを
形成し、他方の板状体３３には上記溝３２ｂの両端部と
一致するように２つの孔が穿設してあり、これら２枚の
板状体３２，３３を接合したものである。そして、板状
体３２の溝３２ｂが連通孔３６として作用し、この連通
孔３６とつながる先端側の孔を開口部３４とし、後端側
の孔を吸引孔３５としてある。又、ウェハの吸着面３３
ａをなす板状体３３の表面を中心線平均粗さで０．０８
μｍ以下の鏡面に仕上げてある。

【００３２】この２枚の単結晶アルミナから成る板状体
３２，３３を接合するには、実施例２の単結晶アルミナ
製の板状体２と支持部材３との接合同様、各接合面３２
ｅ，３３ｅをダイヤモンド砥粒によるラッピング加工を
施し、次にクロスによるポリッシング研磨を行うことに
より、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０２μｍ以下、好
ましくは０．０１μｍ以下で、且つ平坦度が２０μｍ以
下、好ましくは５μｍ以下の面に仕上げることが必要で
ある。そして、鏡面研磨された板状体３２，３３の接合
面３２ｅ，３３ｅを重合わせ、５０ｇ／ｃｍ²の圧力を
加えた状態で、真空炉に入れ約１７００℃で３時間程度
アニール処理することにより一体接合することができ
る。

【００３３】又、各板状体３２，３３を接合する場合に
は、引張応力が生じる方向に各単結晶アルミナのＣ軸を
併せることで、吸着面３３ａを含む面がＡ面となること
から、よりいっそう真空ピンセット３１の強度を高める
ことができる。

【００３４】その為、このような構造を有する真空ピン
セット３１は、小型で安定な支持ができるとともに、高
温化で最も信頼性があり、洗浄による使用回数が最も長
いものとすることができる。

【００３５】なお、本発明のウェハ搬送装置は、以上の
実施例に示した構造のものだけに限定されるものではな
く、少なくとも載置面に純度が９９．９９％以上の単結
晶アルミナを用いたものであれば本発明の範囲にあるこ
とは言うまでもない。

【００３６】〔実験例〕本発明に係る単結晶アルミナ
（サファイア）と、比較例として従来用いられていた石
英、多結晶アルミナ、及び炭化珪素でテストピースを作
製し、表面に存在する直径５μｍ以上のボイドの個数
と、耐薬品性について実験を行った。なお、各試料の特
性は表１に示す通りであり、ボイドは１ｃｍ²当りの個
数を測定し、耐薬品性については、液温が６０℃のフッ
酸（濃度４６％）に２４時間浸したときの浸食量を測定
した。

【００３７】その結果は表１の通りである。

【００３８】

【表１】

【００３９】表１より判るように、試料３及び試料４に
は、多数のボイドが存在しており、しかも、耐薬品性に
ついても、少しではあるが浸食を受けている。その為、
ウェハに傷を付けたり、悪影響を与える恐れがあること
や、洗浄の繰り返しによって載置面の面精度が損なわれ
るのは避けられないことが判る。

【００４０】又、試料２にあっては、ボイドの数がゼロ
と優れているものの、ヤング率が他の材料に比してかな
り劣っており、しかも、強酸に対して浸食し易いことが
判る。

【００４１】これに対し、本発明の試料１の材料は、ボ
イドの数がゼロと優れており、載置面を形成するのに最
適な材料であることが判る。又、耐薬品性についても、
本発明の試料１は全く浸食していないことから、洗浄を
繰り返しても載置面の面精度が損なわれることはなく、
長期にわたり使用できることが判る。

【００４２】又、試料３及び４の材料では、純度を９
９．９９％以上とするのは困難であるが、本発明の単結
晶アルミナでは可能である。

【００４３】次に、本発明の載置面を構成するサファイ
アの表面粗さを変えたときのシリコンの付着量について
実験を行った。

【００４４】サファイア板の表面にラップ加工を施して
種々の表面粗さとし、その上に１０ｍｍ角のシリコンウ
ェハを載せて、上から５００ｇの荷重を掛ける。そし
て、シリコンウェハを１０ｍ摺動させときにサファイア
板の表面に付着する径が２０μｍ以上のパ−ティクル数
をカウントしてグラフに表した。なお、表面粗さは中心
線平均粗さで算出してある。

【００４５】結果は、図７に示す通りである。

【００４６】図７から判るように、中心線平均粗さが
０．０８μｍより大きい場合は、サファイアといえども
シリコンの付着は避けられない。

【００４７】これに対して、中心線平均粗さが０．０８
μｍ以下ではパーティクル数は、非常に少なくなり載置
面として最適な面であることが判る。その為、このよう
な表面粗さを有するサファイアを載置面としたウェハ搬
送装置では、搬送の際に生じる摺れ合いによって、ウェ
ハに傷を付けることなく、移動させることができる。さ
らに、本発明実施例２の搬送アーム５を用意し、８inch
シリコンウェハを載置したときの板状体２の撓み量を測
定した。

【００４８】本発明実施例２の搬送アーム５は、長さ２
００ｍｍ、幅３０ｍｍ、厚み１．５ｍｍの多結晶アルミ
ナセラミックス及びサファイアから成る板状体２で形成
し、１０ｍｍ角で、厚みが１ｍｍのサファイアから成る
３個の支持部材３を焼結により接合したものである。
又、比較例として、本発明の搬送アーム５と同一寸法で
板状体及び支持部材が石英ガラスから成る搬送アームを
用意して実験を行った。なお、上記搬送アームを構成す
る材質は表１に示す通りである。

【００４９】実験の結果、比較例の搬送アームは、石英
ガラスのヤング率が７７００ｋｇ／ｍｍ²と低いため、
８inchシリコンウェハ（約５０ｇ）を載置すると２．７
５ｍｍも撓んだ。これに対して本発明実施例２の各搬
送アーム５は８inchシリコンウェハを載置しても、多結
晶アルミナセラミックス製の板状体２では０．５７ｍ
ｍ、サファイア製の板状体２にあっては０．４８ｍｍと
非常に撓み量が少なかった。又、搬送アーム５の板状体
２の厚みをさらに薄くして実験を行った結果、多結晶ア
ルミナセラミックス製の板状体２では１ｍｍの厚みのも
のまで使用可能であり、サファイア製の板状体２にあっ
ては０．９ｍｍの厚みのものまで使用できることが判っ
た。その為、本発明実施例２の各搬送アーム５を用いれ
ば、現在では収納間隙の限界と言われるウェハの収納間
隙が２ｍｍのカセットからでも容易にウェハの取り出し
或いは収納を行うことができる。

【００５０】

【発明の効果】本発明によれば、少なくともウェハと接
触する当接面を単結晶アルミナで形成し、その面粗さを
中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０８μｍ以下としたこと
により、ゴミの付着を大幅に低減し、ウェハに傷を付け
ることなく載置或いは吸着させることができる。しか
も、高純度であるため、ＮａやＣａを殆ど含有していな
いことから、物質移動によるウェハへの悪影響を与える
ことない。

【００５１】又、単結晶アルミナで形成したウェハ搬送
装置は高強度で耐薬品性に優れているため、たわむこと
がなく、狭いカセットに収納されたウェハをスムーズに
取り出すことができるとともに、何回洗浄を繰り返した
としても、浸食を受けないため、長期にわたり使用する
ことができるというように、極めて信頼性の高いウェハ
搬送装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明実施例に係るウェハ搬送装置の
うち、搬送アームを示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）
のＸ−Ｘ線断面図である。

【図２】単結晶アルミナの面方位を示す図である。

【図３】（ａ）は本発明に係る他の搬送アームの平面図
であり、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ線断面図である。

【図４】（ａ）は本発明に係るウェハ搬送装置のうち、
真空ピンセットを示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の
Ｚ−Ｚ線断面図である。

【図５】（ａ）は本発明に係る他の真空ピンセットの平
面図であり、（ｂ）は（ａ）のＷ−Ｗ線断面図である。

【図６】（ａ）は本発明に係る他の真空ピンセットの平
面図であり、（ｂ）は（ａ）のＶ−Ｖ線断面図である。

【図７】本発明に係る単結晶アルミナの表面粗さとシリ
コンの付着量を示したグラフである。

【図８】従来の搬送アームを示す斜視図である。

【図９】従来の真空ピンセットを示す斜視図である。

【図10】一般的なウェハ搬送装置の使用状態を示した図
である。

【符号の説明】

１：搬送アーム２：板状体３：支持部材４：接着剤３ａ：載置面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ウェハを載置或いは真空吸着して移動させ
る搬送装置において、少なくともウェハと接触する当接
面を純度が９９．９９％以上の単結晶アルミナで形成
し、該当接面を中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０８μｍ
以下の面としたことを特徴とするウェハ搬送装置。