JP3151478B2 - 結晶体の研磨方法及び研磨治具 - Google Patents
結晶体の研磨方法及び研磨治具Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、結晶体基板の研磨方法
と、この方法の実施に当たって用いる研磨治具に関し、
特に基板の平行平面度のばらつきが小さく、高精度の光
デバイスを得るのに好適に用いられる研磨治具並びにこ
の治具を用いて研磨する方法である。
と、この方法の実施に当たって用いる研磨治具に関し、
特に基板の平行平面度のばらつきが小さく、高精度の光
デバイスを得るのに好適に用いられる研磨治具並びにこ
の治具を用いて研磨する方法である。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電子部品や光学部品に用いられ
る結晶体基板、あるいは薄膜の表面研磨は、河西、野
田、井田：タンタル酸リチウム電気光学素子の精密加
工、研究実用化報告２０巻４号ｐ９１５（１９７１）に
示すように、研磨治具としてガラス製の被研磨体キャリ
アー１を用いて、その被研磨体キャリアー１下面に被研
磨体３及び同程度の高さのダミー板２を被研磨体３の周
囲にそれぞれワックス４にて固定接着し、そして被研磨
体キャリアー１上部から荷重を加えながら定盤１０に接
触させ研磨を行っている（図３参照）。
る結晶体基板、あるいは薄膜の表面研磨は、河西、野
田、井田：タンタル酸リチウム電気光学素子の精密加
工、研究実用化報告２０巻４号ｐ９１５（１９７１）に
示すように、研磨治具としてガラス製の被研磨体キャリ
アー１を用いて、その被研磨体キャリアー１下面に被研
磨体３及び同程度の高さのダミー板２を被研磨体３の周
囲にそれぞれワックス４にて固定接着し、そして被研磨
体キャリアー１上部から荷重を加えながら定盤１０に接
触させ研磨を行っている（図３参照）。
【０００３】
【解決すべき課題】図３を使って説明すると（ａ）で
は、２−１、２−２のダミー体の被研磨面と被研磨体キ
ャリアー１の平面が平行になるように偏心荷重おもり５
を用いて研磨し、いわゆるダミー体の平行出しをする。
ダミー体の被研磨面と被研磨体キャリアー１の平面が平
行になった後、（ｂ）に示すように均一荷重おもり９を
用いて被研磨体３を研磨する。ところが被研磨体とダミ
ー体がほぼ同じ高さであるため、ダミー体の平行出しの
際に被研磨体も研磨してしまう。従って、このような研
磨をすると被研磨体を必要以上に削ってしまう。さら
に、ダミー体の平行出しの加工時間短縮のため砥粒の大
きいものを使用するが、この従来の方法ではダミー体の
平行出しの際、被研磨体を傷つける。そのため砥粒を小
さくする必要があり、多くの時間を必要とする。また、
ダミー体の平行出しに再現性がないため、研磨の加工量
に再現性がない。
は、２−１、２−２のダミー体の被研磨面と被研磨体キ
ャリアー１の平面が平行になるように偏心荷重おもり５
を用いて研磨し、いわゆるダミー体の平行出しをする。
ダミー体の被研磨面と被研磨体キャリアー１の平面が平
行になった後、（ｂ）に示すように均一荷重おもり９を
用いて被研磨体３を研磨する。ところが被研磨体とダミ
ー体がほぼ同じ高さであるため、ダミー体の平行出しの
際に被研磨体も研磨してしまう。従って、このような研
磨をすると被研磨体を必要以上に削ってしまう。さら
に、ダミー体の平行出しの加工時間短縮のため砥粒の大
きいものを使用するが、この従来の方法ではダミー体の
平行出しの際、被研磨体を傷つける。そのため砥粒を小
さくする必要があり、多くの時間を必要とする。また、
ダミー体の平行出しに再現性がないため、研磨の加工量
に再現性がない。
【０００４】また、先にダミー体を張り付けてダミー体
の平行出しを行った後被研磨体をワックスにより固定し
た場合には、被研磨体をワックスにより固定する際再度
加熱しワックスが溶融するため、ダミー体の平行度が低
下してしまうと言う欠点があった。
の平行出しを行った後被研磨体をワックスにより固定し
た場合には、被研磨体をワックスにより固定する際再度
加熱しワックスが溶融するため、ダミー体の平行度が低
下してしまうと言う欠点があった。
【０００５】本発明の目的は、上記従来技術の欠点を克
服することにあり、被研磨体の研磨量を最小限に抑え、
加工時間を短縮でき、厚みの再現性の良い均一な結晶体
を得ることができる研磨方法及びそれに用いる研磨治具
の提供を目指すものである。
服することにあり、被研磨体の研磨量を最小限に抑え、
加工時間を短縮でき、厚みの再現性の良い均一な結晶体
を得ることができる研磨方法及びそれに用いる研磨治具
の提供を目指すものである。
【０００６】
【課題を解決する手段】上記の目的実現のために鋭意研
究を行った結果、本発明者らは、研磨治具として被研磨
体よりも厚いダミー体を使用し、ダミー体と被研磨体と
を被研磨体キャリアーに接着後、ダミー体を研磨して平
行出しをすることにより、被研磨体を損傷することな
く、ダミー体の平行度を出すことができることを見いだ
した。
究を行った結果、本発明者らは、研磨治具として被研磨
体よりも厚いダミー体を使用し、ダミー体と被研磨体と
を被研磨体キャリアーに接着後、ダミー体を研磨して平
行出しをすることにより、被研磨体を損傷することな
く、ダミー体の平行度を出すことができることを見いだ
した。
【０００７】すなわち、本発明の研磨治具は、（ａ）両
面が互いに平行な平面を有する被研磨体キャリアー、
（ｂ）被研磨体の周囲に配置され、被研磨体キャリアー
の平面上に配置される被研磨体の最大高さよりも高いダ
ミー体、（ｃ）前記ダミー体が配置される被研磨体キャ
リアーの平面の反対側の平面に配置される偏心荷重おも
り、以上（ａ）〜（ｃ）により構成される。
面が互いに平行な平面を有する被研磨体キャリアー、
（ｂ）被研磨体の周囲に配置され、被研磨体キャリアー
の平面上に配置される被研磨体の最大高さよりも高いダ
ミー体、（ｃ）前記ダミー体が配置される被研磨体キャ
リアーの平面の反対側の平面に配置される偏心荷重おも
り、以上（ａ）〜（ｃ）により構成される。
【０００８】また本発明の研磨方法は、（ａ）被研磨体
及びダミー体を被研磨体キャリアーに接着するにあた
り、被研磨面が被研磨体の被研磨面の最大高さよりも高
くなるように調整されたダミー体を被研磨体の周囲に配
置し、被研磨体の被研磨面の対面を被研磨体キャリアー
の平面に対して平行に接着する工程。 （ｂ）偏心荷重おもりを用いてダミー体の被研磨面と被
研磨体キャリアーの平面が平行になるように研磨する工
程。 （ｃ）被研磨体を所望の厚さに研磨する工程。 以上（ａ）〜（ｃ）の工程により構成される結晶体の研
磨方法 である。前記被研磨体を研磨する方法において
は、被研磨体及びダミー体を被研磨体キャリアーに接着
する際、被研磨面が被研磨体の被研磨面よりも１０〜５
００μｍ、より好ましくは５０〜１００μｍ程度厚くな
るように調整されたダミー体を被研磨体の周囲に配置
し、被研磨体の被研磨面の対面を被研磨体キャリアーの
平面に対して平行に接着することが有利である。
及びダミー体を被研磨体キャリアーに接着するにあた
り、被研磨面が被研磨体の被研磨面の最大高さよりも高
くなるように調整されたダミー体を被研磨体の周囲に配
置し、被研磨体の被研磨面の対面を被研磨体キャリアー
の平面に対して平行に接着する工程。 （ｂ）偏心荷重おもりを用いてダミー体の被研磨面と被
研磨体キャリアーの平面が平行になるように研磨する工
程。 （ｃ）被研磨体を所望の厚さに研磨する工程。 以上（ａ）〜（ｃ）の工程により構成される結晶体の研
磨方法 である。前記被研磨体を研磨する方法において
は、被研磨体及びダミー体を被研磨体キャリアーに接着
する際、被研磨面が被研磨体の被研磨面よりも１０〜５
００μｍ、より好ましくは５０〜１００μｍ程度厚くな
るように調整されたダミー体を被研磨体の周囲に配置
し、被研磨体の被研磨面の対面を被研磨体キャリアーの
平面に対して平行に接着することが有利である。
【０００９】
【作用】本発明の研磨治具は、図１に示すように両面が
互いに平行な平面を有する被研磨体キャリアー１、被研
磨体の周囲を取り巻き、被研磨体キャリアーの平面上に
配置される被研磨体よりも望ましくは１０〜５００μｍ
程度厚いダミー体２、前記ダミー体が配置される被研磨
体キャリアーの平面の反対側の平面に配置される偏心荷
重おもり５によって構成される。被研磨体３の周囲に配
置されるダミー体２はリング状であることが望ましく、
被研磨体よりも１０〜５００μｍ程度厚いことが望まし
い。５００μｍよりも大きいと、ダミー体を研磨するの
に時間がかかり、１０μｍ未満だとダミー体を研磨して
いる間に平行出しを完了できないからである。前記ダミ
ー体の厚みは、被研磨体の厚みよりも５０〜１００μｍ
程度厚いことが有利である。
互いに平行な平面を有する被研磨体キャリアー１、被研
磨体の周囲を取り巻き、被研磨体キャリアーの平面上に
配置される被研磨体よりも望ましくは１０〜５００μｍ
程度厚いダミー体２、前記ダミー体が配置される被研磨
体キャリアーの平面の反対側の平面に配置される偏心荷
重おもり５によって構成される。被研磨体３の周囲に配
置されるダミー体２はリング状であることが望ましく、
被研磨体よりも１０〜５００μｍ程度厚いことが望まし
い。５００μｍよりも大きいと、ダミー体を研磨するの
に時間がかかり、１０μｍ未満だとダミー体を研磨して
いる間に平行出しを完了できないからである。前記ダミ
ー体の厚みは、被研磨体の厚みよりも５０〜１００μｍ
程度厚いことが有利である。
【００１０】研磨方法を図１を用いて具体的に説明す
る。被研磨体３とダミー体２とを被研磨体キャリアー１
にワックス４により接着する（図１のａ）。このとき、
必要に応じて被研磨体３の被研磨面の対面を研磨等で平
滑化し、平面６を形成することは望ましい。また、接着
する際に被研磨体の被研磨面の対面６を被研磨体キャリ
アーの平面７に対して平行に接着されるように修正す
る。つまり、接着前に被研磨体の厚さをハイトゲージに
より数点測定し、そして被研磨体キャリアー１に接着
後、同じ点の高さを測定することによりワックス４が均
一の厚さになるように修正を行う。
る。被研磨体３とダミー体２とを被研磨体キャリアー１
にワックス４により接着する（図１のａ）。このとき、
必要に応じて被研磨体３の被研磨面の対面を研磨等で平
滑化し、平面６を形成することは望ましい。また、接着
する際に被研磨体の被研磨面の対面６を被研磨体キャリ
アーの平面７に対して平行に接着されるように修正す
る。つまり、接着前に被研磨体の厚さをハイトゲージに
より数点測定し、そして被研磨体キャリアー１に接着
後、同じ点の高さを測定することによりワックス４が均
一の厚さになるように修正を行う。
【００１１】その後偏心荷重おもり５を用いてダミー体
２の被研磨面８と被研磨体キャリアー１の平面が平行に
なるように研磨する（図１のｂ）。つまり、図１（ｂ）
において点ａの被研磨体キャリアー平面７からの高さが
点ｂ、ｃに比べて高い場合、図２の偏心荷重おもりのＸ
の部分が図１（ｂ）の点Ａにあたる様にして研磨してい
く。ダミー体の被研磨面８がすべて同じ高さでかつ７に
対して平行になった後、必要に応じて均一荷重おもり９
を用いてダミー体２、および被研磨体３を研磨する（図
１のｃ）。このような研磨方法により被研磨体３を傷つ
けることなくダミー体２を研磨し、平行度を修正するこ
とができる。またダミー体の研磨と被研磨体の研磨とを
する場合砥粒を変えることが可能であるため、ダミー体
の研磨では大きな砥粒を、被研磨体の研磨には小さい砥
粒を使うことができる。そのため研磨の時間を短くでき
る。さらに厚さの均一な結晶体を再現よく作製できる。
２の被研磨面８と被研磨体キャリアー１の平面が平行に
なるように研磨する（図１のｂ）。つまり、図１（ｂ）
において点ａの被研磨体キャリアー平面７からの高さが
点ｂ、ｃに比べて高い場合、図２の偏心荷重おもりのＸ
の部分が図１（ｂ）の点Ａにあたる様にして研磨してい
く。ダミー体の被研磨面８がすべて同じ高さでかつ７に
対して平行になった後、必要に応じて均一荷重おもり９
を用いてダミー体２、および被研磨体３を研磨する（図
１のｃ）。このような研磨方法により被研磨体３を傷つ
けることなくダミー体２を研磨し、平行度を修正するこ
とができる。またダミー体の研磨と被研磨体の研磨とを
する場合砥粒を変えることが可能であるため、ダミー体
の研磨では大きな砥粒を、被研磨体の研磨には小さい砥
粒を使うことができる。そのため研磨の時間を短くでき
る。さらに厚さの均一な結晶体を再現よく作製できる。
【００１２】被研磨体キャリアーは、直径１３８ｍｍで
平行平面度０．３μｍ以下のアルミナ製の固定治具が好
適である。
平行平面度０．３μｍ以下のアルミナ製の固定治具が好
適である。
【００１３】ダミー体２は硬度が被研磨体３と同程度で
あればよく、アルミナ、炭化ケイ素、酸化ケイ素、ジル
コニア、窒化ケイ素、ガラスなどでもよい。ＬｉＴａＯ
3基板等を研磨する場合は、モース硬度６〜７のガラス
が特性、経済性の面から望ましい、また、リング状に被
研磨体を取り囲める形状であることが望ましい。
あればよく、アルミナ、炭化ケイ素、酸化ケイ素、ジル
コニア、窒化ケイ素、ガラスなどでもよい。ＬｉＴａＯ
3基板等を研磨する場合は、モース硬度６〜７のガラス
が特性、経済性の面から望ましい、また、リング状に被
研磨体を取り囲める形状であることが望ましい。
【００１４】本発明の研磨方法で用いられる砥粒−定盤
は、次のようにするのが好適である。ダミー体の研磨の
際は、粒径２μｍのダイヤモンドスラリー、銅ケメット
盤を使用する。そして被研磨体の研磨には粒径１／４μ
ｍのダイヤモンドスラリー、錫−鉛ケメット盤を使用し
て研磨する。研磨砥粒及びケメット盤を変更するのは、
次の理由による。ダミー体を研磨する際は、研磨速度を
大きくすることにより、加工時間を短くすることがで
き、また被研磨体を研磨する際は、研磨による傷を最小
限にできる。砥粒−定盤の変更は、被研磨体３とダミー
体２との高さの差が数μｍ程度になったときに行う。こ
れは、被研磨体３に大きなラップ痕を生じさせないため
である。
は、次のようにするのが好適である。ダミー体の研磨の
際は、粒径２μｍのダイヤモンドスラリー、銅ケメット
盤を使用する。そして被研磨体の研磨には粒径１／４μ
ｍのダイヤモンドスラリー、錫−鉛ケメット盤を使用し
て研磨する。研磨砥粒及びケメット盤を変更するのは、
次の理由による。ダミー体を研磨する際は、研磨速度を
大きくすることにより、加工時間を短くすることがで
き、また被研磨体を研磨する際は、研磨による傷を最小
限にできる。砥粒−定盤の変更は、被研磨体３とダミー
体２との高さの差が数μｍ程度になったときに行う。こ
れは、被研磨体３に大きなラップ痕を生じさせないため
である。
【００１５】平行度の測定は、ハイトゲージを使用し、
１μｍまで測定可能である。上記の被研磨体キャリアー
１に固定したダミー体２、被研磨体３の厚さが総て同じ
場合、平行度１μｍ／１３８ｍｍ以下である。
１μｍまで測定可能である。上記の被研磨体キャリアー
１に固定したダミー体２、被研磨体３の厚さが総て同じ
場合、平行度１μｍ／１３８ｍｍ以下である。
【００１６】平面度の測定は精度λ／２０のオプティカ
ルフラット（λ＝０．５４μｍ）を使用する。干渉縞が
平行であれば、被研磨体３の平面度は０．５４／２０＝
０．０２７μｍ以下である。また被研磨体３をワックス
４によりキャリアー１に接着している場合と被研磨体３
を取り外した場合の干渉縞が同じであれば、接着歪はな
く、平面度０．０２７μｍ以下である。
ルフラット（λ＝０．５４μｍ）を使用する。干渉縞が
平行であれば、被研磨体３の平面度は０．５４／２０＝
０．０２７μｍ以下である。また被研磨体３をワックス
４によりキャリアー１に接着している場合と被研磨体３
を取り外した場合の干渉縞が同じであれば、接着歪はな
く、平面度０．０２７μｍ以下である。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の具体的な方法を説明するが本
発明はこの実施例に限定されるものではない。
発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００１８】実施例１ ＬｉＴａＯ3 基板３（直径２０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）の研
磨を行い、平行出しを行った。ダミー体２として外径４
６ｍｍ，内径２３ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのリング状ガラ
ス板を使用した。被研磨体キャリアー１（直径１３８ｍ
ｍ、平行平面度０．３μｍ以下）にＬｉＴａＯ3 基板３
およびダミー体２をワックス４により接着した。このと
き、被研磨体３の被研磨面の対面６を被研磨体キャリア
ーの平面７に対して平行に接着されるように修正した。
つまり、接着前に被研磨体の厚さをハイトゲージにより
数点測定し、そして被研磨体キャリアー１に接着後、同
じ点の高さを測定することによりワックス４が均一の厚
さになるように修正を行った。そして、ダミー体２を研
磨している間に、表１で示した偏心荷重おもり５を用い
てダミー体２の被研磨面８と被研磨体キャリアー１の平
面７が平行になるように平行度の修正を行った。ダミー
体２の高さがすべて同じであれば、平行度１μｍ／１３
８ｍｍ以下である。平行度が目標値に達した後、均一荷
重おもり９（真鋳製、質量３．１ｋｇ）をかけて研磨し
ていった。ダミー体の研磨には、粒径２μｍのダイヤモ
ンドスラリー、銅ケメット盤を使用し、そしてダミー体
２と被研磨体３との厚さの差が数μｍとなったら粒径１
／４μｍのダイヤモンドスラリー、錫−鉛ケメット盤を
使用して研磨した。被研磨体３の全面が研磨された後、
精度λ／２０のオプティカルフラット（λ＝０．５４μ
ｍ）により平面度を測定したら、干渉縞が平行であっ
た。そして被研磨体３を被研磨体キャリアー１から外
し、再び平面度を測定しても、干渉縞は同一であった。
このようにして、被研磨体の研磨量７μｍで平行度１μ
ｍ／１３８ｍｍ以下、平面度０．０２７μｍ以下のＬｉ
ＴａＯ3 基板を得た。また加工に要した時間は１６時間
であった。同様の方法でＬｉＴａＯ3 基板を研磨した結
果、ＬｉＴａＯ3 基板の厚さ９９３±１μｍで、平行度
１μｍ／１３８ｍｍ以下、平面度０．０２７μｍ以下の
ＬｉＴａＯ3 基板を得た。
磨を行い、平行出しを行った。ダミー体２として外径４
６ｍｍ，内径２３ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのリング状ガラ
ス板を使用した。被研磨体キャリアー１（直径１３８ｍ
ｍ、平行平面度０．３μｍ以下）にＬｉＴａＯ3 基板３
およびダミー体２をワックス４により接着した。このと
き、被研磨体３の被研磨面の対面６を被研磨体キャリア
ーの平面７に対して平行に接着されるように修正した。
つまり、接着前に被研磨体の厚さをハイトゲージにより
数点測定し、そして被研磨体キャリアー１に接着後、同
じ点の高さを測定することによりワックス４が均一の厚
さになるように修正を行った。そして、ダミー体２を研
磨している間に、表１で示した偏心荷重おもり５を用い
てダミー体２の被研磨面８と被研磨体キャリアー１の平
面７が平行になるように平行度の修正を行った。ダミー
体２の高さがすべて同じであれば、平行度１μｍ／１３
８ｍｍ以下である。平行度が目標値に達した後、均一荷
重おもり９（真鋳製、質量３．１ｋｇ）をかけて研磨し
ていった。ダミー体の研磨には、粒径２μｍのダイヤモ
ンドスラリー、銅ケメット盤を使用し、そしてダミー体
２と被研磨体３との厚さの差が数μｍとなったら粒径１
／４μｍのダイヤモンドスラリー、錫−鉛ケメット盤を
使用して研磨した。被研磨体３の全面が研磨された後、
精度λ／２０のオプティカルフラット（λ＝０．５４μ
ｍ）により平面度を測定したら、干渉縞が平行であっ
た。そして被研磨体３を被研磨体キャリアー１から外
し、再び平面度を測定しても、干渉縞は同一であった。
このようにして、被研磨体の研磨量７μｍで平行度１μ
ｍ／１３８ｍｍ以下、平面度０．０２７μｍ以下のＬｉ
ＴａＯ3 基板を得た。また加工に要した時間は１６時間
であった。同様の方法でＬｉＴａＯ3 基板を研磨した結
果、ＬｉＴａＯ3 基板の厚さ９９３±１μｍで、平行度
１μｍ／１３８ｍｍ以下、平面度０．０２７μｍ以下の
ＬｉＴａＯ3 基板を得た。
【００１９】実施例２ ＬｉＮｂＯ3 基板３（１５×１５ｍｍ，厚さ１ｍｍ）に
ついても実施例１と同様の方法で研磨を行った。ダミー
体２は、厚さ１．０６ｍｍのリング状ガラス体を使用し
た。ＬｉＮｂＯ3 基板３とダミー体２を被研磨体キャリ
アー１に接着した。このとき、被研磨体３の被研磨面の
対面６を被研磨体キャリアー１の平面７に対して平行に
接着されるように修正した。その後、ダミー体２の被研
磨面８と被研磨体キャリアー１の平面が平行になるよう
に修正しながら、ダミー体２を研磨していった。ダミー
体２の高さがすべて同じであれば、平行度１μｍ／１３
８ｍｍ以下である。平行度が目標値に達した後、均一荷
重おもり９を用いて研磨していった。ＬｉＮｂＯ3 基板
３の全面が研磨された後、精度λ／２０のオプティカル
フラット（λ＝０．５４μｍ）により平面度を測定した
ら、干渉縞が平行であった。そしてＬｉＮｂＯ3 基板３
を被研磨体キャリアー１から外し、再び平面度を測定し
ても、干渉縞は同一であった。このようにして、被研磨
体３の研磨量５μｍで平行度１μｍ／１３８ｍｍ以下、
平面度０．０２７μｍ以下のＬｉＮｂＯ3 基板を作製し
た。加工に要した時間は１５時間であった。また、同様
の方法で３回ＬｉＮｂＯ3基板を研磨した結果、ＬｉＮ
ｂＯ3 基板の厚さ９９５±１μｍで、平行度１μｍ／１
３８ｍｍ以下、平面度０．０２７μｍ以下のＬｉＮｂＯ
3 基板を得た。
ついても実施例１と同様の方法で研磨を行った。ダミー
体２は、厚さ１．０６ｍｍのリング状ガラス体を使用し
た。ＬｉＮｂＯ3 基板３とダミー体２を被研磨体キャリ
アー１に接着した。このとき、被研磨体３の被研磨面の
対面６を被研磨体キャリアー１の平面７に対して平行に
接着されるように修正した。その後、ダミー体２の被研
磨面８と被研磨体キャリアー１の平面が平行になるよう
に修正しながら、ダミー体２を研磨していった。ダミー
体２の高さがすべて同じであれば、平行度１μｍ／１３
８ｍｍ以下である。平行度が目標値に達した後、均一荷
重おもり９を用いて研磨していった。ＬｉＮｂＯ3 基板
３の全面が研磨された後、精度λ／２０のオプティカル
フラット（λ＝０．５４μｍ）により平面度を測定した
ら、干渉縞が平行であった。そしてＬｉＮｂＯ3 基板３
を被研磨体キャリアー１から外し、再び平面度を測定し
ても、干渉縞は同一であった。このようにして、被研磨
体３の研磨量５μｍで平行度１μｍ／１３８ｍｍ以下、
平面度０．０２７μｍ以下のＬｉＮｂＯ3 基板を作製し
た。加工に要した時間は１５時間であった。また、同様
の方法で３回ＬｉＮｂＯ3基板を研磨した結果、ＬｉＮ
ｂＯ3 基板の厚さ９９５±１μｍで、平行度１μｍ／１
３８ｍｍ以下、平面度０．０２７μｍ以下のＬｉＮｂＯ
3 基板を得た。
【００２０】比較例 ＬｉＴａＯ3 基板３（直径２０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）の研
磨を行った。ダミー体２として外径４６ｍｍ，内径２３
ｍｍ、厚さ１ｍｍのドーナツ型ガラス板を使用した。被
研磨体キャリアー１（直径１３８ｍｍ、平行平面度０．
３μｍ以下）にＬｉＴａＯ3 基板３およびダミー体２を
ワックス４により接着した。このとき、被研磨体３の被
研磨面の対面６を被研磨体キャリアー１の平面７に対し
て平行に接着されるように修正した。そして、偏心荷重
おもり５を用いて、研磨しながら平行度の修正を行っ
た。研磨には、粒径１／４μｍのダイヤモンドスラリ
ー、錫−鉛ケメット盤を使用した。ダミー体２及び被研
磨体３の高さがすべて同じであれば、平行度１μｍ／１
３８ｍｍ以下である。平行度が目標値に達した後、精度
λ／２０のオプティカルフラット（λ＝０．５４μｍ）
により平面度を測定したら、干渉縞が平行であった。そ
して被研磨体をアルミナ治具から外し、再び平面度を測
定しても、干渉縞は同一であった。ＬｉＴａＯ3 基板の
研磨量は８２μｍであり、加工に要した時間は２８時間
であった。また、同様の方法で３回ＬｉＴａＯ3 基板を
研磨した結果、ＬｉＴａＯ3 基板の厚さは９４０±２０
μｍであった。
磨を行った。ダミー体２として外径４６ｍｍ，内径２３
ｍｍ、厚さ１ｍｍのドーナツ型ガラス板を使用した。被
研磨体キャリアー１（直径１３８ｍｍ、平行平面度０．
３μｍ以下）にＬｉＴａＯ3 基板３およびダミー体２を
ワックス４により接着した。このとき、被研磨体３の被
研磨面の対面６を被研磨体キャリアー１の平面７に対し
て平行に接着されるように修正した。そして、偏心荷重
おもり５を用いて、研磨しながら平行度の修正を行っ
た。研磨には、粒径１／４μｍのダイヤモンドスラリ
ー、錫−鉛ケメット盤を使用した。ダミー体２及び被研
磨体３の高さがすべて同じであれば、平行度１μｍ／１
３８ｍｍ以下である。平行度が目標値に達した後、精度
λ／２０のオプティカルフラット（λ＝０．５４μｍ）
により平面度を測定したら、干渉縞が平行であった。そ
して被研磨体をアルミナ治具から外し、再び平面度を測
定しても、干渉縞は同一であった。ＬｉＴａＯ3 基板の
研磨量は８２μｍであり、加工に要した時間は２８時間
であった。また、同様の方法で３回ＬｉＴａＯ3 基板を
研磨した結果、ＬｉＴａＯ3 基板の厚さは９４０±２０
μｍであった。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、被
研磨体の研磨量を最小限に抑えることができ、また加工
時間を短くすることができる。さらに厚みのある結晶体
を再現良く研磨できる為、高精度の光学デバイスを得る
のに有効である。
研磨体の研磨量を最小限に抑えることができ、また加工
時間を短くすることができる。さらに厚みのある結晶体
を再現良く研磨できる為、高精度の光学デバイスを得る
のに有効である。
【図１】本発明の研磨方法の状態を示す断面図である。
【図２】本発明にかかる偏心荷重おもり及び均一荷重お
もりを示す図である。
もりを示す図である。
【図３】従来の研磨方法を示す説明図である。
１ 被研磨体キャリアー ２ ダミー体 ３ 被研磨体 ４ ワックス ５ 偏心荷重おもり ６ 被研磨体の被研磨面の対面に形成した平面 ７ 被研磨体キャリアーの平面 ８ ダミー体の被研磨面 ９ 均一荷重おもり １０ 定盤
【表１】
Claims (2)
- 【請求項１】（ａ）両面が互いに平行な平面を有する被
研磨体キャリアー、（ｂ）被研磨体の周囲に配置され、
被研磨体キャリアーの平面上に配置される被研磨体の最
大高さよりも高いダミー体、（ｃ）前記ダミー体が配置
される被研磨体キャリアーの平面の反対側の平面に配置
される偏心荷重おもり、以上（ａ）〜（ｃ）によって構
成される研磨治具。 - 【請求項２】（ａ）被研磨体及びダミー体を被研磨体キ
ャリアーに接着するにあたり、被研磨面が被研磨体の被
研磨面の最大高さよりも高くなるように調整されたダミ
ー体を被研磨体の周囲に配置し、被研磨体の被研磨面の
対面を被研磨体キャリアーの平面に対して平行に接着す
る工程。 （ｂ）偏心荷重おもりを用いてダミー体の被研磨面と被
研磨体キャリアーの平面が平行になるように研磨する工
程。 （ｃ）被研磨体を所望の厚さに研磨する工程。 以上（ａ）〜（ｃ）の工程により構成される結晶体の研
磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31143991A JP3151478B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 結晶体の研磨方法及び研磨治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31143991A JP3151478B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 結晶体の研磨方法及び研磨治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0671557A JPH0671557A (ja) | 1994-03-15 |
| JP3151478B2 true JP3151478B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=18017231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31143991A Expired - Fee Related JP3151478B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 結晶体の研磨方法及び研磨治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3151478B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013031909A (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-14 | Seiko Instruments Inc | ガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計 |
| CN104889854B (zh) * | 2015-05-29 | 2017-04-19 | 虞雅仙 | 水晶坯件磨抛系统 |
-
1991
- 1991-10-31 JP JP31143991A patent/JP3151478B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0671557A (ja) | 1994-03-15 |
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