JPS58132458A - 硬脆材料基板の平面研磨方法及び研磨装置 - Google Patents

硬脆材料基板の平面研磨方法及び研磨装置

Info

Publication number
JPS58132458A
JPS58132458A JP57010623A JP1062382A JPS58132458A JP S58132458 A JPS58132458 A JP S58132458A JP 57010623 A JP57010623 A JP 57010623A JP 1062382 A JP1062382 A JP 1062382A JP S58132458 A JPS58132458 A JP S58132458A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
hard
brittle material
plate
material substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57010623A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Suzuki
勲 鈴木
Noriyuki Hattori
憲幸 服部
Kiichi Hama
浜 貴一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Priority to JP57010623A priority Critical patent/JPS58132458A/ja
Publication of JPS58132458A publication Critical patent/JPS58132458A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は硬脆材料基板の平面研磨方法、特に平面特性
に優れたガラス基板を片面づつ仕上げる平面研磨方法及
びそのための研磨装置に関する。
従来上記硬脆材料基板、特にガラス基板の片面研磨にお
いては、第3図ないし第、4図に示すように、荒ズリし
た硬脆材料基板すなわちガラス基板10を接着剤、2A
でプレッシャープレートe2.5に接着して荷重を加え
、定盤、、27を回転する二とによりその摩擦力でプレ
ッシャープレート、2.5定盤λ7上において自転させ
1片面研磨をする。研磨した後、ガラス基板10をプレ
ッシャープレート、2.5から接着剤−?乙を溶かして
剥離し、次に研磨し終った面に接着剤−2乙を塗布して
プレッシャープレート=2,5面に接着して上述の片面
研磨と同じ。
工程をとって片面づつ研磨する方法がある。また第5図
ないし第6図において定盤、27上にリングJOttr
lさ、このリングJo内にガラス保持シート3.2を介
して荒ズリしたガラス基板10を収容して保持し、プレ
ッシャープレート3/により荷重を加えて片面づつ研磨
する方法もある。
上記従来の平面研磨方法においては、ガラス基板の保持
方法として第3図の接着方法及び第5図のキャリアによ
る保持方法が採用されている。
二の場合第3図のように接着剤によりガラス基板を保持
する方法においては、研磨中は接着剤によりプレッシャ
ープレートに固定されておりトワイマン効果は生じない
が、接着剤を剥がした状態においては表面層の圧縮応力
バランスを失ってトワイマン効果が生じ、トワイマン効
果の生じたガラス基板をプレッシャープレート面に密着
するよう加圧状態で矯正接着することは、接着剤の均一
な膜厚、接着剤が溶融してから固化するまでの時間等の
要因を考えるならば非常に困難であり、かっ一連の作業
工程において接着剤によりカラス基板をプレッシャープ
レートに貼り付けまた剥がすのに加熱するので作業効率
が悪く、結局面精度の良いガラス基板を得るのは不可能
であった。
また第5図のキャリアによる保持においては、操作は簡
単であるがトワイマン効果が生じて面精度が悪く、この
欠点の除去は不可能である。
なお参考までに従来例(イ、口)の工程を下記に詳細に
示す。
イ 〔1)片面研磨 l)キャリアによる荒ズリしたガラス基板の保持 2)プレッシャープレートによる荷重を伴う片面研磨(
トワイマン効果) 〔2〕他面研磨 1)ガラス基板の裏返し 2)上記と同様の研磨(トワイマン効果)口 〔1〕片面研磨 1)プレッシャープレートへの接着によるガラス基板の
保持 2)プレッシャープレートによる荷重を伴う片面研磨 〔2〕他面研磨 ■)接着部分の剥離(トワイマン効果)2)プレッシャ
ープレートへのガラス基板他面の接着 3)プレッシャープレートによる荷重を伴う他面研磨 4)接着部分の剥離(トワイマン効果)なお従来例にお
いて片面づつ研磨した場合にトワイマン効果により生じ
る面精度の変化は、第1図に示したとおりA −) B
である(命中 治著 機械の研究第19巻第12号第1
624頁)。
本発明の硬脆材料基板の平面研磨方法及び研磨装置は従
来の上記欠点を解消せんとするもので、真空吸着により
硬脆材料基板を取り付は面に固着し、片面研磨によりト
ワイマン効果の生じた硬脆材料基板を矯正しながら仕上
げ研磨を行うことを特徴とするものである。
本発明の基本原理を説明すると、第2図りに示すように
、荒ズリしたガラス基板lの片面を仕上げ研磨し、次工
程には入るためにガラス基板/を脱離するとトワイマン
効果により仕上げ研磨面が凹面−となる。次にEに示す
ように、二の仕上げ研磨面を平面特性の優れた吸着面で
真空吸着して矯正し、フラットな状態3で残る他面の表
面層を上記仕上げ研磨と同一量研磨除去して両表面層の
応力バランスを保ち、トワイマン効果を現出させず、F
に示すような平面特性の優れたガラス基板を得ようとす
るものである。
第7図は本発明を適用した研磨装置を示すもので、定盤
、、?7上には直径2oIIIIIl〆のダイヤモンド
ペレットからなる固定研磨材4t0が、一定の間隔(2
5mm)で植設されている。他方においてガラス基板1
0のプレッシャープレートダ/には、正確に平面特性を
向上させた(面精度1.−以下)吸着面11..2が形
成され、二の吸着面11..2には所定の溝1ltJが
穿設されて、溝ダ3は一定の間隔(直仔1.5/−)で
溝tIJ内に開口する連通孔9IIを経て吸引空間t1
.5及び吸引孔ダ乙を通じ「コンバム」等の真空装置に
連通している。この真空装置による吸引の一例を挙げれ
ば、ガラス基板が、厚さ0゜09inch、縦×横の寸
法5 X 51nch、荷重200g/Cm”及びフラ
ットネス上5/−以下の条件においては、270g/C
l112の真空圧が必要であった。
従来の平面研磨における片面づつの研磨においては、加
工条件が上述の真空吸着の場合と同一のとき、研磨時間
2分(片面80〜100/−研磨)ではトワイマン効果
が影響して面精度は±15〜25P/全面であった(参
考写真1)が、本発明の真空吸着による上述の条件下で
は、面精度は±5/−/全面以下であった(参考写真2
)。
勿論本発明のような矯正目的での真空吸着においても、
他の手段を用いることなく研磨工程中ガラス基板を強固
に保持しておくことができる。
本発明は固定砥粒を用いた片面づつの研磨における。平
面特性に優れ、かつ自動化に適したガラス基板の研磨方
法及び研磨装置である。すなわちダイヤモンドペレット
からなる研磨皿もしくは吸着面に倣い、機械的精度はこ
れらの平面特性が優れていれば、他の部分において必要
とされないこと、また荒ズリしたガラス基板表面を順次
投入することによりダイヤモンドペレット面が荒ズリし
たガラス基板により常にセルフドレッシングされ。
かつ一定の加工条件下ではガラス基板表面が一定量研磨
されることを利用して、高精度の平面特性を有する吸着
面でガラス基板を真空吸着し、片面づつ仕上げ研磨する
。よって表面粗さくクラック層の深さ)によって生じる
応力バランスを矯正し、トワイマン効果を防ぎつつより
精度の高い平面特性を有するガラス基板を得る二とがで
きる。
本発明は以上のように構成したので、均一な平行平面を
有し、平面特性の優れた硬脆材料基板の研磨において、
高精度の平面特性を有しかつ自動化に適した研磨工程を
採用することができ硬脆材料基板、特にガラス基板を効
率良く研磨することがで゛さる。
【図面の簡単な説明】
第1図A−B及び第2図D−Fはそれぞれ従来例と本発
明との処理工程におけるガラス基板の状態を示す断面図
、第3図及び第4図は従来用いられている研磨方法を示
すそれぞれ断面図及び平面図、第5図及び第6図は従来
の他の例を示すそれぞれ断面図及び平面図、また第7図
は本発明を適用した研磨装置の断面図である。また参考
写真1は従来例で得たガラス基板の面精度を、参考写真
2は本発明で得たガラス基板の面精度をそれぞれ示す干
渉計写真である。 10 ガラス基板 、、2.s プレッシャープレート コ乙 接着剤    、27 定盤 −8研磨剤    30 リング 3.2 ガラス保持プレート 3/、ダ/ プレッシャープレート tpto  固定研磨材  lI、2 吸着面ダ3 溝
      1ItI  連通孔ダj 吸引空間   
ダ6 吸引孔 晃1図 A        3 虱2図 [)        E         F$5図 %5図 1j&16図 虱70 手続補正書(0刷 ()         昭和57年 5817日昭和5
7年特 許 願第10623号 2 発明の名称 硬脆材料端板の平面研磨方法及び研磨装置性 所  山
梨県北巨摩郡長板町中丸3280番地氏 名(名称) 
 株式会社 保谷電子4 代押人 刊囲 手続補正書(昼) 昭和57年特 許 願第10623号 2 発明の名称 硬脆材料基板の平面研磨方法及び研磨装置氏 名(名称
)  株式会社 保谷電子明細書 1、発明の名称 硬脆材料基板の平面研磨方法及び研磨装置2、特許請求
の範囲 1、荒ズリされた硬脆材料基板の片面を、仕上げ研磨し
、脱離した状態で応力バランスを失って凹面となった仕
上げ研磨面を高精度を有する吸着面に矯正吸着し、フラ
ットな状態で他面を仕上げ研磨することを特徴とする硬
脆材料基板の平面研磨方法 2、荒ズリされた硬脆材料基板は表面大きさに比べ肉厚
の薄い、いわゆる形状比の小さい基板である特許請求の
範囲第1項記載の硬脆材料基板の平面研磨方法 3、荒ズリされた硬脆材料基板は平行平面形状である特
許請求の範囲第1項または第2項記載の硬脆材料基板の
平面研磨方法。 4゜荒ズリされた硬脆材料基板はガラス板である特許請
求の範囲第1項、第2項または第3項記載の硬脆材料基
板の平面研磨方法。 5、定盤にダイヤモンドペレットを植設してなる平面特
性の優れた研磨皿と、この研磨皿と対向して被研磨材で
ある硬脆材料基板を矯正吸着するための、平面特性に優
れた吸着面を形成した硬脆材料基板の保持面とを有する
ことを特徴とする硬脆材料基板の平面研磨装置。 3、発明の詳細な説明 この発明は硬脆材料基板の平面研磨方法に関し、特に平
面特性に優れたガラス基板を片面づつ仕」二げる平面研
磨方法、及びそのための研磨装置に関する。 従来上記硬脆材料基板、特にガラス基板の片面研磨にお
いては、第3図ないし第4図に示すように、荒ズリした
硬脆材料基板すなわちガラス基板10を接着剤d乙でプ
レッシャープレート、、2.5に接着して荷重を加え、
定盤、22を回転することによりその摩擦力でプレッシ
ャープレート、2.5定盤、27上において自転させ、
片面研磨をする。研磨した後、ガラス基板10をプレッ
シャープレー1−−jから接着剤、2乙を溶がして剥離
し、次に研磨し終った面に接着剤、、2Aを塗布してプ
レッシャープレート、2,5面に接着して上述の片面研
磨と同じ工程をとって片面づつ研磨する方法がある。ま
た第5図ないし第6図において定盤、、27上にリング
30を置き、このリング30内にガラス保持シート3.
2を介して荒ズリしたガラス基板10を収容して保持し
、プレッシャープレート3/により荷重を加えて片面づ
つ研磨する方法もある。 上記従来の平面研磨方法においては、ガラス基板の保持
方法として第3図の接着方法及び第5図のキャリアによ
る保持方法が採用されている。 この場合第3図のように接着剤によりガラス基板を保持
する方法においては、研磨中は接着剤によりプレッシャ
ープレートに固定されておリトワイマン効果は生じない
が、接着剤を剥がした状態においては表面層の圧縮応力
バランスを失ってトワイマン効果が生じ、トワイマン効
果の生じたガラス基板をプレッシャープレート面に密看
するよう加圧状態で矯正接着することは、接着剤の均一
な膜厚、接着剤が溶融してから固化するまでの時間等の
要因を考えるならば非常に困難であり、かつ一連の作業
工程において接着剤によりガラス基板をプレッシャープ
レートに貼り付けまた剥がすのに加熱するので作業効率
が悪く、結局面精度の良いガラス基板を得るのは不可能
であった。 また第5図のキャリアによる保持においては。 操作は簡単であるがトワイマン効果が生じて面精度が悪
く、この欠点の除去は不可能である。 なお参考までに従来例(41口)の工程を下記に詳細に
示す。 〈イ〉 [1]片面研磨 ■)キャリアによる荒ズリしたガラス基板の保持 2)プレッシャープレートによる荷重を伴う片面研磨(
トワイマン効果) 〔2〕他面研磨 ■)ガラス基板の裏返し 2)上記と同様の研磨(トワイマン効果)〈口) 〔1〕片面研磨 1)プレッシャープレートへの接着によるガラス基板の
保持 2)プレッシャープレートによる荷重を伴う片面研磨 〔2〕他面研磨 1)接着部分の剥離(トワイマン効果)2)プレッシャ
ープレートへのガラス基板他面の接着 3)プレッシャープレートによる荷重を伴う他面研磨 4)接着部分の剥離(トワイマン効果)なお従来例にお
いて片面づつ研磨した場合にトワイマン効果により生じ
る面精度の変化は、第1図に示したとおりA−+Bであ
る(命中 治著 機械の研究第19巻第12号第162
4頁)。 本発明の硬脆材料基板の平面研磨方法及び研磨装置は従
来の上記欠点を解消せんとするもので、真空吸着により
硬脆材料基板を取り付は面に固着し、片面研磨によりト
ワイマン効果の生じた硬脆材料基板を矯正しながら仕上
げ研磨を行うことを特徴とするものである。 本発明の基本原理を説明すると、第2図りに示すように
、荒ズリしたガラス基板/の片面を仕上げ研磨し、次工
程には入るためにガラス基板/を脱離するとトワイマン
効果により仕上げ研磨面が凹面コとなる。次にEに示す
ように、この仕上げ研磨面を平面特性の優れた吸着面で
真空吸着して矯正し、フラットな状態Jで残る他面の表
面層を上記仕上げ研磨と同一量研磨除去して両表面層の
応力バランスを保ち、トワイマン効果を現出させず、F
に示すような平面特性の優れたガラス基板を得ようとす
るものである。 第7図は本発明を適用した研磨装置を示すもので、定盤
、27上には直径20+m95のダイヤモンドペレット
からなる固定研磨材4toが、一定の間隔(25mm)
で植設されている。他方においてガラス基板10のプレ
ッシャープレー14/には、正確に平面特性を向上させ
た(面積度1 /を以下)吸着面9Jが形成され、この
吸着面4t、2には所定の溝lI3が穿設されて、溝ダ
3は一定の間隔(直径1.5%)で溝II3内に開口す
る連通孔ダダを経て吸引空間Q、5及び吸引孔ダ4を通
じ「コンi(ム」等の真空装置に連通している。この真
空装置による吸引の一例を挙げれば、ガラス基板が、厚
さ0゜09inch、縦×横の寸法5 X 51nch
、荷重200g/c■2及びフラットネス±5−・以下
の条件におし)ては、 270g/cm”の真空圧が必
要であった。 従来の平面研磨における片面づつの研磨においては、加
工条件が上述の真空吸着の場合と同一のとき、研磨時間
2分(片面80〜100と研磨)ではトワイマン効果が
影響して面精度は±15〜25、−・/全面であったが
、本発明の真空吸着による上述の条件下では、面精度は
±5μ/全面以下であった。 勿論本発明のような矯正目的での真空吸着においても、
他の手段を用いることなく研磨工程中ガラス基板を強固
に保持しておくことができる。 本発明は固定砥粒を用いた片面づつの研磨における、平
面特性に優れ、かつ自動化に適したガラス基板の研磨方
法及び研磨装置である。すなわち硬脆材料基板の研磨に
おいては被研磨材は定盤とダイヤモンドペレットからな
る研磨皿もしくは吸着面に倣い、機械的精度はこれらの
平面特性が優れていれば、他の部分において必要とされ
ないこと、また荒ズリしたガラス基板表面を順次投入す
ることによりダイヤモンドペレット面が荒ズリしたガラ
ス基板により常にセルフドレッシングされ、かつ一定の
加工条件下ではガラス基板表面が一定量研磨されること
を利用して、高精度の平面特性を有する吸着面でガラス
基板を真空吸着し、片面づつ仕上げ研磨する。よって表
面粗さくクラック層の深さ)によって生じる応力バラン
スを矯正し、トワイマン効果を防ぎつつより精度の高い
平面特性を有するガラス基板を得ることができる。 本発明は以上のように構成したので均一な平行平面を有
し、平面特性の優れた硬脆材料基板の研磨において、高
精度の平面特性を有しかつ自動化に適した研磨工程を採
用することができ、硬脆材料基板、特にガラス基板を効
率良く研磨することがz′zう。 4、図面の簡単な説明 第11!IA−B及び第2図D−Fはそれぞれ従来例と
本発明との処理工程におけるガラス基板の状態を示す断
面図、第3図及び第4図は従来用いられている研磨方法
を示すそれぞれ断面図及び平面図、第5図及び第6図は
従来ρ他の例を示すそれぞれ断面図及び平面図、また第
7図は本発明を適用した研磨装置の断面図である。 10 ガラス基板 −j プレッシャープレート 2乙 接着剤    、22 定盤 −8研磨剤    JOリング 3− ガラス保持プレート 31.41/  プレッシャープレートダO固定研磨材
  ダ一 吸着面 1ItJ  il       ダq 連通孔ダj 吸
引空間   ダ乙 吸引孔 特許出願人  株式会社 保谷電子 =40′

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、荒ズリされた硬脆材料基板の片面を、仕上げ研磨し
    、脱離した状態で応力バランスを失って凹面となった仕
    上げ研磨面を高精度を有する吸着面に矯正吸着し、フラ
    ットな状態で他面を仕上げ研磨することを特徴とする硬
    脆材料基板の平面研磨方法 2#荒ズリされた硬脆材料基板は表面大きさに比べ肉厚
    の薄い、いわゆる形状比の小さい基板である特許請求の
    範囲第1項記載の硬脆材料基板の平面研磨方法 3、荒ズリされた硬脆材料基板は平行平面形状である特
    許請求の範囲第1項または第2項記載の硬脆材料基板の
    平面研磨方法。 4、荒ズリされた硬脆材料基板はガラス板である特許請
    求の範囲第1項、第2項または第3項記載の硬脆材料基
    板の平面研磨方法。 5、定盤にダイヤモンドペレットを植設してなる平面特
    性の優れた研磨皿と、この研磨皿と対向して被研磨材で
    ある硬脆材料基板を矯正吸着するための、平面特性に優
    れた吸着面を形成した硬脆材料基板の保持面とを有する
    ことを特徴とする硬脆材料基板の平面研磨装置。
JP57010623A 1982-01-25 1982-01-25 硬脆材料基板の平面研磨方法及び研磨装置 Pending JPS58132458A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57010623A JPS58132458A (ja) 1982-01-25 1982-01-25 硬脆材料基板の平面研磨方法及び研磨装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57010623A JPS58132458A (ja) 1982-01-25 1982-01-25 硬脆材料基板の平面研磨方法及び研磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58132458A true JPS58132458A (ja) 1983-08-06

Family

ID=11755341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57010623A Pending JPS58132458A (ja) 1982-01-25 1982-01-25 硬脆材料基板の平面研磨方法及び研磨装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58132458A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6052245A (ja) * 1983-09-01 1985-03-25 Mabuchi Shoten:Kk 研磨機
JPS63169265A (ja) * 1986-12-26 1988-07-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd ラツプ盤
JP2005314167A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Nippon Steel Corp 炭化珪素単結晶成長用種結晶とその製造方法及びそれを用いた結晶成長方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4933186U (ja) * 1972-06-27 1974-03-23
JPS49129992A (ja) * 1973-04-18 1974-12-12
JPS5123896A (en) * 1974-08-21 1976-02-26 Hitachi Electronics Usuitazaino shiagekakohoho

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4933186U (ja) * 1972-06-27 1974-03-23
JPS49129992A (ja) * 1973-04-18 1974-12-12
JPS5123896A (en) * 1974-08-21 1976-02-26 Hitachi Electronics Usuitazaino shiagekakohoho

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6052245A (ja) * 1983-09-01 1985-03-25 Mabuchi Shoten:Kk 研磨機
JPS63169265A (ja) * 1986-12-26 1988-07-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd ラツプ盤
JP2005314167A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Nippon Steel Corp 炭化珪素単結晶成長用種結晶とその製造方法及びそれを用いた結晶成長方法
JP4494856B2 (ja) * 2004-04-28 2010-06-30 新日本製鐵株式会社 炭化珪素単結晶成長用種結晶とその製造方法及びそれを用いた結晶成長方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63162155A (ja) 研磨のための工作物取付け方法
JP2856216B2 (ja) 半導体ウエハに粘着テープを接着する方法
JPS58132458A (ja) 硬脆材料基板の平面研磨方法及び研磨装置
JPH08274285A (ja) Soi基板及びその製造方法
JP2851808B2 (ja) 研磨用ウエハ保持部材及びそのウエハ保持部材の定盤への装着方法
JPS61158145A (ja) 半導体基板の加工方法
JPS61117064A (ja) 両面ポリシング装置
JPS61152358A (ja) 半導体ウエハの研削方法
JPS62236671A (ja) 被研磨材の保持装置
JPS5745929A (en) Grinding method for semiconductor wafer
JP3151478B2 (ja) 結晶体の研磨方法及び研磨治具
JPH05114593A (ja) 半導体ウエハーの研削方法
JPH01135439A (ja) ウェハー製造方法、及びその製造装置
JP2001334444A (ja) 薄板の曲面加工方法
JPS63123645A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5972139A (ja) 薄板材の加工方法
JPS5894964A (ja) 研摩装置
JPH02232172A (ja) 研磨部材の製造方法
JPS61271841A (ja) 半導体基板の研磨方法
JPS6331886Y2 (ja)
JPH0376119A (ja) 曲面の研削方法
TW436919B (en) Semiconductor wafer, its planarization method and device
TWI262542B (en) Apparatus and method for separating dice
JPS6294258A (ja) 平面加工における被加工物の保持方法
JPH02277235A (ja) 半導体ウェーハの研磨方法