JP2005314167A - 炭化珪素単結晶成長用種結晶とその製造方法及びそれを用いた結晶成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 片面が平面、他面が必ずしも平面でない炭化珪素単結晶成長用種結晶、及び、その製造方法、並びに、この種結晶を用いたSiC単結晶の結晶成長方法である。
【選択図】 なし
Description
Yu.M.Tairov and V.F.Tsvetkov, Journal of Crystal Growth,vol.52(1981)pp.146−150
(1) 炭化珪素単結晶成長用種結晶の片面が平面、他の面が必ずしも平面でないことを特徴とする炭化珪素単結晶成長用種結晶、
(2) 前記種結晶の平面側のそり・うねりが10μm以下である(1)に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶、
(3) 炭化珪素単結晶成長用種結晶の研磨方法であって、片面づつ研磨する方法で、先に研磨した面を平面にし、後に研磨した面を必ずしも平面でない面にすることを特徴とする炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法、
(4) 前記研磨方法が種結晶をポリッシングブロックに貼付して研磨定盤に押付けながら回転させて研磨する方法であって、該研磨定盤が平坦な研磨定盤である(3)に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法、
(5) 前記研磨定盤の平坦度が、平坦度÷研磨定盤直径の値が一万分の一以下である事を特徴とする(4)に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法、
(6) (1)又は(2)に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶を用いた炭化珪素単結晶の結晶成長方法であって、該種結晶の平面側を抜熱用坩堝蓋に密着させて、平面とは限らない面の上に炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の結晶成長方法、
である。
まず、種結晶として、口径75mmの(0001)面を有した六方晶系のSiC単結晶ウエハを用意した。この種結晶は、厚さ0.8mmで、SiC単結晶インゴットからスライスした両面が粗面の種結晶を、ダイヤモンド砥粒を用いた機械的研磨により片面ずつ鏡面研磨した。
比較例として、平坦性の悪い種結晶ウエハを用いて、成長実験を行った。まず、種結晶として、口径75mmの(0001)面を有した六方晶系のSiC単結晶ウエハを用意した。この種結晶のそり・うねりは10μm以上であり、概略凹面状の形状であった。
2 SiC結晶粉末原料、
3 坩堝(黒鉛あるいはタンタル等の高融点金属)、
4 黒鉛製坩堝蓋、
5 二重石英管、
6 支持棒、
7 黒鉛製フェルト(断熱材)、
8 ワークコイル、
9 高純度Arガス配管、
10 高純度Arガス用マスフローコントローラ、
11 真空排気装置。
Claims (6)
- 炭化珪素単結晶成長用種結晶の片面が平面、他の面が必ずしも平面でないことを特徴とする炭化珪素単結晶成長用種結晶。
- 前記種結晶の平面側のそり・うねりが10μm以下である請求項1に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶。
- 炭化珪素単結晶成長用種結晶の研磨方法であって、片面づつ研磨する方法で、先に研磨した面を平面にし、後に研磨した面を必ずしも平面でない面にすることを特徴とする炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法。
- 前記研磨方法が種結晶をポリッシングブロックに貼付して研磨定盤に押付けながら回転させて研磨する方法であって、該研磨定盤が平坦な研磨定盤である請求項3に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法。
- 前記研磨定盤の平坦度が、平坦度÷研磨定盤直径の値が一万分の一以下である事を特徴とする請求項4に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法。
- 請求項1又は2に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶を用いた炭化珪素単結晶の結晶成長方法であって、該種結晶の平面側を抜熱用坩堝蓋に密着させて、平面とは限らない面の上に炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の結晶成長方法。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009292705A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素エピタキシャル成長用炭化珪素単結晶ウェハ及び炭化珪素エピタキシャルウェハ |
JP2009291909A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Bridgestone Corp | 単結晶の研磨方法 |
CN101255597B (zh) * | 2007-12-13 | 2011-07-13 | 西安理工大学 | 一种用曲面籽晶进行物理气相输运的晶体生长的方法 |
JP2012250864A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素結晶インゴット、炭化珪素結晶ウエハおよび炭化珪素結晶インゴットの製造方法 |
JP2014045183A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-03-13 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体構造物、半導体装置及び該半導体構造物の製造方法 |
JP2014221711A (ja) * | 2006-09-14 | 2014-11-27 | クリー インコーポレイテッドCree Inc. | マイクロパイプ・フリーの炭化ケイ素およびその製造方法 |
JP2015117143A (ja) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶の製造方法 |
CN105556649A (zh) * | 2013-09-20 | 2016-05-04 | 新日铁住金高新材料株式会社 | 碳化硅单晶晶片的内应力评价方法和碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法 |
CN114457425A (zh) * | 2022-04-12 | 2022-05-10 | 杭州乾晶半导体有限公司 | 一种碳化硅籽晶重复循环利用的方法、装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6960866B2 (ja) | 2018-01-24 | 2021-11-05 | 昭和電工株式会社 | 単結晶4H−SiC成長用種結晶及びその加工方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58132458A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-08-06 | Hoya Corp | 硬脆材料基板の平面研磨方法及び研磨装置 |
JPS6171966A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-12 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 金属板の研摩方法 |
JPS61152365A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-11 | Tohoku Metal Ind Ltd | 薄物素材の鏡面加工方法 |
JPH11239962A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Toshiba Corp | ラッピング定盤およびそれを用いたラッピング装置 |
JP2000191399A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-11 | Showa Denko Kk | 炭化珪素単結晶およびその製造方法 |
JP2002308697A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-23 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用種結晶の装着方法 |
JP2003119098A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-23 | Denso Corp | 種結晶の固定方法および固定状態の評価方法 |
-
2004
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58132458A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-08-06 | Hoya Corp | 硬脆材料基板の平面研磨方法及び研磨装置 |
JPS6171966A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-12 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 金属板の研摩方法 |
JPS61152365A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-11 | Tohoku Metal Ind Ltd | 薄物素材の鏡面加工方法 |
JPH11239962A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Toshiba Corp | ラッピング定盤およびそれを用いたラッピング装置 |
JP2000191399A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-11 | Showa Denko Kk | 炭化珪素単結晶およびその製造方法 |
JP2002308697A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-23 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用種結晶の装着方法 |
JP2003119098A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-23 | Denso Corp | 種結晶の固定方法および固定状態の評価方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9099377B2 (en) | 2006-09-14 | 2015-08-04 | Cree, Inc. | Micropipe-free silicon carbide and related method of manufacture |
JP2014221711A (ja) * | 2006-09-14 | 2014-11-27 | クリー インコーポレイテッドCree Inc. | マイクロパイプ・フリーの炭化ケイ素およびその製造方法 |
CN101255597B (zh) * | 2007-12-13 | 2011-07-13 | 西安理工大学 | 一种用曲面籽晶进行物理气相输运的晶体生长的方法 |
JP2009291909A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Bridgestone Corp | 単結晶の研磨方法 |
JP2009292705A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素エピタキシャル成長用炭化珪素単結晶ウェハ及び炭化珪素エピタキシャルウェハ |
JP2012250864A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素結晶インゴット、炭化珪素結晶ウエハおよび炭化珪素結晶インゴットの製造方法 |
JP2014045183A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-03-13 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体構造物、半導体装置及び該半導体構造物の製造方法 |
EP3048641A4 (en) * | 2013-09-20 | 2017-05-17 | Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. | Method for evaluating internal stress of silicon carbide monocrystalline wafer and method for predicting warpage in silicon carbide monocrystalline wafer |
CN105556649A (zh) * | 2013-09-20 | 2016-05-04 | 新日铁住金高新材料株式会社 | 碳化硅单晶晶片的内应力评价方法和碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法 |
US10031089B2 (en) | 2013-09-20 | 2018-07-24 | Showa Denko K.K. | Method for evaluating internal stress of silicon carbide monocrystalline wafer and method for predicting warpage in silicone carbide monocrystalline wafer |
JP2015117143A (ja) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶の製造方法 |
CN114457425A (zh) * | 2022-04-12 | 2022-05-10 | 杭州乾晶半导体有限公司 | 一种碳化硅籽晶重复循环利用的方法、装置 |
CN114457425B (zh) * | 2022-04-12 | 2022-08-23 | 杭州乾晶半导体有限公司 | 一种碳化硅籽晶重复循环利用的方法、装置 |
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