JPH05114593A - 半導体ウエハーの研削方法 - Google Patents
半導体ウエハーの研削方法Info
- Publication number
- JPH05114593A JPH05114593A JP27439691A JP27439691A JPH05114593A JP H05114593 A JPH05114593 A JP H05114593A JP 27439691 A JP27439691 A JP 27439691A JP 27439691 A JP27439691 A JP 27439691A JP H05114593 A JPH05114593 A JP H05114593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- wafer
- layer
- thermoplastic resin
- grinding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体ウエハーの研削方法に係
り，特に，素子形成を終えた半導体ウエハーの研削方法
に関し，半導体ウエハーに割れや欠けを生ぜず均一な厚
さに研削する方法の提供を目的とする。 【構成】 ベースフィルム１上に熱可塑性樹脂層２，接
着材層３がこの順に形成された台に半導体ウエハー４を
その素子形成面を接着材層３と対向させて張り合わせ，
次いで，熱可塑性樹脂層２を加熱するとともに半導体ウ
エハー４の素子形成面と反対側の背面とベースフィルム
１下面から加圧して，素子形成面を熱可塑性樹脂層２に
なじませる工程を有し，半導体ウエハー４の張り合わさ
れた台をテーブル５に固定して，半導体ウエハー４の素
子形成面と反対側の背面を研削する半導体ウエハーの研
削方法により構成する。
り，特に，素子形成を終えた半導体ウエハーの研削方法
に関し，半導体ウエハーに割れや欠けを生ぜず均一な厚
さに研削する方法の提供を目的とする。 【構成】 ベースフィルム１上に熱可塑性樹脂層２，接
着材層３がこの順に形成された台に半導体ウエハー４を
その素子形成面を接着材層３と対向させて張り合わせ，
次いで，熱可塑性樹脂層２を加熱するとともに半導体ウ
エハー４の素子形成面と反対側の背面とベースフィルム
１下面から加圧して，素子形成面を熱可塑性樹脂層２に
なじませる工程を有し，半導体ウエハー４の張り合わさ
れた台をテーブル５に固定して，半導体ウエハー４の素
子形成面と反対側の背面を研削する半導体ウエハーの研
削方法により構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハーの研削方
法に係り，特に，素子形成を終えた半導体ウエハーの研
削方法に関する。
法に係り，特に，素子形成を終えた半導体ウエハーの研
削方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造において，素子形成を
終えるまでは製造工程中にウエハーが破損することを防
止するため，厚いウエハーを使用し，素子形成を終えた
段階で素子形成面と反対側の背面を研作して所定の厚さ
にすることが行われる。
終えるまでは製造工程中にウエハーが破損することを防
止するため，厚いウエハーを使用し，素子形成を終えた
段階で素子形成面と反対側の背面を研作して所定の厚さ
にすることが行われる。
【０００３】図２は従来の研削方法を示す側面図であ
り，１はベースフィルム，３は接着材層，４は半導体ウ
エハー，５はチャックテーブル，６はグラインダを表
す。ベースフィルム１は例えばポリエステルであり，そ
の上に接着材層３として糊が塗布されている。
り，１はベースフィルム，３は接着材層，４は半導体ウ
エハー，５はチャックテーブル，６はグラインダを表
す。ベースフィルム１は例えばポリエステルであり，そ
の上に接着材層３として糊が塗布されている。
【０００４】接着材層３に半導体ウエハー４の素子形成
面を接着し，半導体ウエハー４を張りつけたベースフィ
ルム１をチャックテーブル５に載せ，例えば真空吸着に
より固定する。
面を接着し，半導体ウエハー４を張りつけたベースフィ
ルム１をチャックテーブル５に載せ，例えば真空吸着に
より固定する。
【０００５】その後，グラインダ６により半導体ウエハ
ー４の素子形成面と反対側の背面を研削してウエハーを
所定の厚さに仕上げる。ところで，素子形成を終えた半
導体ウエハー４には，例えばバンプのような凹凸があ
り，素子形成面をベースフィルム１に接着材層３と対向
させて接着し，素子形成面と反対側の背面から加圧する
と，ベースフィルム１にも素子形成面の凹凸に応じて凹
凸が発生するのであるが，ポリエステルのようなベース
フィルム１は比較的硬めであって素子形成面の凹凸に十
分にはなじまない。
ー４の素子形成面と反対側の背面を研削してウエハーを
所定の厚さに仕上げる。ところで，素子形成を終えた半
導体ウエハー４には，例えばバンプのような凹凸があ
り，素子形成面をベースフィルム１に接着材層３と対向
させて接着し，素子形成面と反対側の背面から加圧する
と，ベースフィルム１にも素子形成面の凹凸に応じて凹
凸が発生するのであるが，ポリエステルのようなベース
フィルム１は比較的硬めであって素子形成面の凹凸に十
分にはなじまない。
【０００６】このような状態で半導体ウエハー４背面の
研削を行うと，特定の部分に大きな圧力が加わり，ウエ
ハーが割れたり，欠けたり，さらにウエハーの厚さ分布
の異常が発生したりする。
研削を行うと，特定の部分に大きな圧力が加わり，ウエ
ハーが割れたり，欠けたり，さらにウエハーの厚さ分布
の異常が発生したりする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，素子の形成された半導体ウエハー４の背面を研削
する時，ウエハーの割れや欠けを防止し，かつウエハー
の厚さ分布を均一にする研削方法を提供することを目的
とする。
鑑み，素子の形成された半導体ウエハー４の背面を研削
する時，ウエハーの割れや欠けを防止し，かつウエハー
の厚さ分布を均一にする研削方法を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１は実施例の研削方法
を示す側面図である。上記課題は，ベースフィルム１上
に熱可塑性樹脂層２，接着材層３がこの順に形成された
台に半導体ウエハー４をその素子形成面を該接着材層３
と対向させて張り合わせ，次いで，該熱可塑性樹脂層２
を加熱するとともに該半導体ウエハー４の素子形成面と
反対側の背面とベースフィルム１下面から加圧して，該
素子形成面を該熱可塑性樹脂層２になじませる工程を有
し，該半導体ウエハー４の張り合わされた台をテーブル
５に固定して，該半導体ウエハー４の素子形成面と反対
側の背面を研削する半導体ウエハーの研削方法によって
解決される。
を示す側面図である。上記課題は，ベースフィルム１上
に熱可塑性樹脂層２，接着材層３がこの順に形成された
台に半導体ウエハー４をその素子形成面を該接着材層３
と対向させて張り合わせ，次いで，該熱可塑性樹脂層２
を加熱するとともに該半導体ウエハー４の素子形成面と
反対側の背面とベースフィルム１下面から加圧して，該
素子形成面を該熱可塑性樹脂層２になじませる工程を有
し，該半導体ウエハー４の張り合わされた台をテーブル
５に固定して，該半導体ウエハー４の素子形成面と反対
側の背面を研削する半導体ウエハーの研削方法によって
解決される。
【０００９】
【作用】本発明では，半導体ウエハー４を張り合わす台
として，ベースフィルム１と接着材層３の間に熱可塑性
樹脂層２を設けた構造を採用する。半導体ウエハー４の
素子形成面を接着材層３に接着した後，熱可塑性樹脂層
２を加熱するとともに半導体ウエハー４の素子形成面と
反対側の背面とベースフィルム１下面から加圧するよう
にすると，熱可塑性樹脂層２の硬度が下がって素子形成
面の凹凸に応じて変形し，素子形成面と熱可塑性樹脂層
２は完全に密着するようになる。
として，ベースフィルム１と接着材層３の間に熱可塑性
樹脂層２を設けた構造を採用する。半導体ウエハー４の
素子形成面を接着材層３に接着した後，熱可塑性樹脂層
２を加熱するとともに半導体ウエハー４の素子形成面と
反対側の背面とベースフィルム１下面から加圧するよう
にすると，熱可塑性樹脂層２の硬度が下がって素子形成
面の凹凸に応じて変形し，素子形成面と熱可塑性樹脂層
２は完全に密着するようになる。
【００１０】その後，常温にもどすと熱可塑性樹脂層２
の硬度が上がって簡単には変形しなくなり，半導体ウエ
ハー４は台に固定される。この状態で背面研削を行え
ば，半導体ウエハー４の素子形成面に均一な圧力がかか
った状態で背面研削が行われ，ウエハーに割れや欠けが
発生することがなく，ウエハーの厚さ分布も均一とな
る。
の硬度が上がって簡単には変形しなくなり，半導体ウエ
ハー４は台に固定される。この状態で背面研削を行え
ば，半導体ウエハー４の素子形成面に均一な圧力がかか
った状態で背面研削が行われ，ウエハーに割れや欠けが
発生することがなく，ウエハーの厚さ分布も均一とな
る。
【００１１】
【実施例】図１は実施例の研削方法を示す側面図であ
り，１はベースフィルム，２は熱可塑性樹脂層，３は接
着材層，４は半導体ウエハー，５はチャックテーブル，
６はグラインダを表す。
り，１はベースフィルム，２は熱可塑性樹脂層，３は接
着材層，４は半導体ウエハー，５はチャックテーブル，
６はグラインダを表す。
【００１２】ベースフィルム１は例えば厚さ 150μｍの
ポリエステルであり，その上に厚さが例えば５０μｍの
熱可塑性樹脂層２を形成し，さらにその上に厚さが例え
ば５０μｍの接着材層３を形成する。
ポリエステルであり，その上に厚さが例えば５０μｍの
熱可塑性樹脂層２を形成し，さらにその上に厚さが例え
ば５０μｍの接着材層３を形成する。
【００１３】素子形成を終えた半導体ウエハー４の厚さ
は，例えば 600μｍであり，その素子形成面には例えば
バンプのような凹凸がある。このようなウエハーの素子
形成面を接着材層３と対向させて接着する。ウエハーを
台に張り付けた後，加熱して温度を例えば７０℃とし熱
可塑性樹脂層２の硬度を下げ変形しやすくする。
は，例えば 600μｍであり，その素子形成面には例えば
バンプのような凹凸がある。このようなウエハーの素子
形成面を接着材層３と対向させて接着する。ウエハーを
台に張り付けた後，加熱して温度を例えば７０℃とし熱
可塑性樹脂層２の硬度を下げ変形しやすくする。
【００１４】ベースフィルム１の下面とウエハーの素子
形成面と反対側の背面から均一に加圧すると素子形成面
の凹凸は熱可塑性樹脂層２にくい込み，熱可塑性樹脂層
２は素子形成面の凹凸に応じて変形する。その後，常温
にもどす。
形成面と反対側の背面から均一に加圧すると素子形成面
の凹凸は熱可塑性樹脂層２にくい込み，熱可塑性樹脂層
２は素子形成面の凹凸に応じて変形する。その後，常温
にもどす。
【００１５】このようにして半導体ウエハー４を張り合
わせた台をチャックテーブル５上に載せて真空吸着によ
り固定する。その後，グラインダ６によりウエハー背面
を研削し，ウエハーの厚さを所定の厚さ，例えば 200μ
ｍとする。
わせた台をチャックテーブル５上に載せて真空吸着によ
り固定する。その後，グラインダ６によりウエハー背面
を研削し，ウエハーの厚さを所定の厚さ，例えば 200μ
ｍとする。
【００１６】半導体ウエハー４には割れや欠けが生ぜ
ず，厚さ分布も均一となる。
ず，厚さ分布も均一となる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
素子形成後の半導体ウエハーを，たとえ素子形成面に凹
凸が形成されていても，割れや欠けを生じることなく背
面研削を行い，厚さ分布が均一な半導体ウエハーを形成
することができる。
素子形成後の半導体ウエハーを，たとえ素子形成面に凹
凸が形成されていても，割れや欠けを生じることなく背
面研削を行い，厚さ分布が均一な半導体ウエハーを形成
することができる。
【図１】実施例の研削方法を示す側面図である。
【図２】従来例の研削方法を示す側面図である。
１はベースフィルム ２は熱可塑性樹脂層 ３は接着材層 ４はウエハーであって半導体ウエハー ５はテーブルであってチャックテーブル ６はグラインダ
Claims (1)
- 【請求項１】 ベースフィルム(1) 上に熱可塑性樹脂層
(2), 接着材層(3)がこの順に形成された台に半導体ウ
エハー(4) をその素子形成面を該接着材層(3) と対向さ
せて張り合わせ，次いで，該熱可塑性樹脂層(2) を加熱
するとともに該半導体ウエハー(4) の素子形成面と反対
側の背面とベースフィルム(1) 下面から加圧して，該素
子形成面を該熱可塑性樹脂層(2) になじませる工程を有
し，該半導体ウエハー(4) の張り合わされた台をテーブ
ル(5) に固定して，該半導体ウエハー(4) の素子形成面
と反対側の背面を研削することを特徴とする半導体ウエ
ハーの研削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27439691A JPH05114593A (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | 半導体ウエハーの研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27439691A JPH05114593A (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | 半導体ウエハーの研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114593A true JPH05114593A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17541088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27439691A Withdrawn JPH05114593A (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | 半導体ウエハーの研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05114593A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3802725A1 (de) * | 1987-01-30 | 1988-08-11 | Asahi Optical Co Ltd | Tele-zoom-linsensystem |
| KR100510453B1 (ko) * | 1998-02-02 | 2005-10-21 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 연마 공정용 캐리어 필름 마운팅 방법 및 캐리어필름 마운팅 플레이트 |
| JP2012174956A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN104282545A (zh) * | 2014-10-15 | 2015-01-14 | 易德福 | 一种晶片研磨方法 |
-
1991
- 1991-10-23 JP JP27439691A patent/JPH05114593A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3802725A1 (de) * | 1987-01-30 | 1988-08-11 | Asahi Optical Co Ltd | Tele-zoom-linsensystem |
| KR100510453B1 (ko) * | 1998-02-02 | 2005-10-21 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 연마 공정용 캐리어 필름 마운팅 방법 및 캐리어필름 마운팅 플레이트 |
| JP2012174956A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US8574962B2 (en) | 2011-02-23 | 2013-11-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
| CN104282545A (zh) * | 2014-10-15 | 2015-01-14 | 易德福 | 一种晶片研磨方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4846915B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
| JPS63162155A (ja) | 研磨のための工作物取付け方法 | |
| TW329024B (en) | Bonded wafer | |
| JPH0636414B2 (ja) | 半導体素子形成用基板の製造方法 | |
| KR101982888B1 (ko) | 첩부 장치 및 첩부 방법 | |
| JP2013084770A (ja) | ウェーハの研削方法 | |
| JP3216583B2 (ja) | 貼り合わせｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JPH02123726A (ja) | ウエハ貼付装置 | |
| JPH05114593A (ja) | 半導体ウエハーの研削方法 | |
| JPH05226305A (ja) | 張合せウェハの製造方法 | |
| JP6837717B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP4462940B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH076982A (ja) | 薄層半導体基板の分割方法 | |
| JP2851808B2 (ja) | 研磨用ウエハ保持部材及びそのウエハ保持部材の定盤への装着方法 | |
| JP2014049537A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JPH03187223A (ja) | バンプ付き基板の研削方法 | |
| JPS63123645A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2019188529A (ja) | 研磨用キャリアプレートの製造方法および研磨用キャリアプレート | |
| JPH07130685A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JPS5972139A (ja) | 薄板材の加工方法 | |
| JPH11277419A (ja) | バッキングパッドの平坦度矯正方法 | |
| JPS58132458A (ja) | 硬脆材料基板の平面研磨方法及び研磨装置 | |
| JPS61141142A (ja) | 半導体ウエハの研削方法 | |
| JPS59132133A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP2022172822A (ja) | ウェーハの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |