JPS59132133A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
半導体基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS59132133A JPS59132133A JP701683A JP701683A JPS59132133A JP S59132133 A JPS59132133 A JP S59132133A JP 701683 A JP701683 A JP 701683A JP 701683 A JP701683 A JP 701683A JP S59132133 A JPS59132133 A JP S59132133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- adhesive layer
- polishing
- polishing plate
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体基板の研摩工程において、半導体基板
を研摩用板上に接着によシ固定し、半導、
体基板を研摩する半導体基板の製造方法に関するもので
ある。
を研摩用板上に接着によシ固定し、半導、
体基板を研摩する半導体基板の製造方法に関するもので
ある。
第１図は従来の半導体基板の製造方法を示す断面図であ
る。同図において、（１）は研摩用板、（２）はこの研
摩用板（１）の表面に均一に形成したステッキワックス
などの接着剤層、（３）は研摩すべき半導体基板である
。なお、（Ｊは研摩用板（１）と半導体基板（３）との
間の接着剤層（２）に当てて歪を与え、半導体基板（３
）をはがすための鋭利な刃物である。
る。同図において、（１）は研摩用板、（２）はこの研
摩用板（１）の表面に均一に形成したステッキワックス
などの接着剤層、（３）は研摩すべき半導体基板である
。なお、（Ｊは研摩用板（１）と半導体基板（３）との
間の接着剤層（２）に当てて歪を与え、半導体基板（３
）をはがすための鋭利な刃物である。
次に、上記構成による半導体基板の研摩工程について説
明する。まず、研摩用板（１）を約１２０℃に熱したの
ち、この研摩用板（１）の表面に例えばステッキワック
スなどのワックスを熱などによシ溶かし、均一な接着剤
層（２）を形成する。そして、この接着剤層（２）上に
研摩すべき半導体基板（３）を乗せたのち、プレスしな
がら冷却することによ）、半導体基板（３）を研摩用板
（１）上に固定することができる。
明する。まず、研摩用板（１）を約１２０℃に熱したの
ち、この研摩用板（１）の表面に例えばステッキワック
スなどのワックスを熱などによシ溶かし、均一な接着剤
層（２）を形成する。そして、この接着剤層（２）上に
研摩すべき半導体基板（３）を乗せたのち、プレスしな
がら冷却することによ）、半導体基板（３）を研摩用板
（１）上に固定することができる。
次にこの半導体基板（３）を研摩用板（１）に接着した
ままラッピング装置などの研摩装置によシ、半導体基板
（３）を所定の厚さまで研摩する。そして、水洗などに
よシ、この研摩工程で生じた汚れを洗い落したのち乾燥
する。次に、この研摩用板（１）および半導体基板（３
）を共に例えば１０℃に冷却し、その状態で鋭利な刃物
（４）を研摩用板（１）と半導体基板（３）の間の接着
剤層（２）に当てて歪を与えることによ）、半導体基板
（３］を研摩用板（１）から簡単にはずすことができる
。
ままラッピング装置などの研摩装置によシ、半導体基板
（３）を所定の厚さまで研摩する。そして、水洗などに
よシ、この研摩工程で生じた汚れを洗い落したのち乾燥
する。次に、この研摩用板（１）および半導体基板（３
）を共に例えば１０℃に冷却し、その状態で鋭利な刃物
（４）を研摩用板（１）と半導体基板（３）の間の接着
剤層（２）に当てて歪を与えることによ）、半導体基板
（３］を研摩用板（１）から簡単にはずすことができる
。
しかしながら、従来の半導体基板の製造方法では鋭利な
刃物を接着剤層に当てて歪を与えてはがすため、この接
着剤層（２）は主に研摩用板（１）へ付着したまま残シ
、接着剤層（２）の歪は直接半導体基板（３）に与えら
れるため、半導体基板（３）が割れ易く、特に半導体基
板の径および厚みによって異なるが、例えば径が９０ｗ
ｎφで、厚みが２５０μｍの半導体基板では約１．５％
の確率で割れるなどの欠点があった。
刃物を接着剤層に当てて歪を与えてはがすため、この接
着剤層（２）は主に研摩用板（１）へ付着したまま残シ
、接着剤層（２）の歪は直接半導体基板（３）に与えら
れるため、半導体基板（３）が割れ易く、特に半導体基
板の径および厚みによって異なるが、例えば径が９０ｗ
ｎφで、厚みが２５０μｍの半導体基板では約１．５％
の確率で割れるなどの欠点があった。
したがって、この発明の目的は半導体基板を研摩用板か
らはずすとき、この歪が半導体基板ではなく、研摩用板
へ与えられるようにして、半導体基板の割れを防止する
半導体基板の製造方法を提供するものである。
らはずすとき、この歪が半導体基板ではなく、研摩用板
へ与えられるようにして、半導体基板の割れを防止する
半導体基板の製造方法を提供するものである。
このような目的を達成するため、この発明は半導体基板
を研摩用板に接着する゛接着工程に少なくとも２層の接
着剤層を形成する。ものであ）、以下実施例を用いて詳
細に説明する。
を研摩用板に接着する゛接着工程に少なくとも２層の接
着剤層を形成する。ものであ）、以下実施例を用いて詳
細に説明する。
第２図はこの発明に係る半導体基板の製造方法の一実施
例を示す断面図である。同図において、（５）は前記接
着剤層（２）によく接着する例えばスカイコートなどを
塗布した第２の接着剤層である。
例を示す断面図である。同図において、（５）は前記接
着剤層（２）によく接着する例えばスカイコートなどを
塗布した第２の接着剤層である。
次に上記構成による半導体基板の製造方法について説明
する。まず、研摩用板（１）を約１２０℃に熱したのち
、この研摩用板（υの表面Ｋ例えばステッキワックスな
どのワックスを熱などｋよ）溶かし、均一な接着剤層（
２）を形成する。一方、半導体基板（３）の一方の面に
スカイコートなどの接着剤を塗布し、第２の接着剤層（
５）を形成する。次に接着剤層（２）と第２の接着剤層
（５）が接するように重ねて、プレスなどをしながら冷
却することによル、研摩用板（１）上に半導体基板（３
）を接着固定することができる。次に、半導体基板（３
）の接着しない面をラッピング装置などで研摩する。そ
して、水洗などによ）、この研摩工程で生じた汚れを洗
い落として乾燥する。次に１半導体基板（３）および研
摩用板（１）を共に冷却したのち、接着剤層（２）また
は第２の接着剤層（５）（または両層の境界でもよい）
に、鋭利な刃物（４）を当てて歪を与えると、冷却にょ
シ硬化した接着剤層（２）は研摩用板（１）との間では
く離する。
する。まず、研摩用板（１）を約１２０℃に熱したのち
、この研摩用板（υの表面Ｋ例えばステッキワックスな
どのワックスを熱などｋよ）溶かし、均一な接着剤層（
２）を形成する。一方、半導体基板（３）の一方の面に
スカイコートなどの接着剤を塗布し、第２の接着剤層（
５）を形成する。次に接着剤層（２）と第２の接着剤層
（５）が接するように重ねて、プレスなどをしながら冷
却することによル、研摩用板（１）上に半導体基板（３
）を接着固定することができる。次に、半導体基板（３
）の接着しない面をラッピング装置などで研摩する。そ
して、水洗などによ）、この研摩工程で生じた汚れを洗
い落として乾燥する。次に１半導体基板（３）および研
摩用板（１）を共に冷却したのち、接着剤層（２）また
は第２の接着剤層（５）（または両層の境界でもよい）
に、鋭利な刃物（４）を当てて歪を与えると、冷却にょ
シ硬化した接着剤層（２）は研摩用板（１）との間では
く離する。
このため、歪は半導体基板（３）に与えられることなく
はがれるため、半導体基板（３）が割れることはな −
い。
はがれるため、半導体基板（３）が割れることはな −
い。
なお、上述の実施例では接着剤層（２）にステッキワッ
クス、第２の接着剤層（５）にスカイコートワックスを
使用したが、接着剤層（２）が常に研摩用板（１）から
はづれるものであればいかなる接着剤を用いてもよいこ
とはもちろんである。また、スピンコードなどＫよル、
先に研摩用板（１）表面にはつれ易い膜を形成しても結
果として、半導体基板（３１Ｋ接する接着剤層が半導体
基板（３）よシはづれなければその膜を形成してもよい
ことはもちろんである。
クス、第２の接着剤層（５）にスカイコートワックスを
使用したが、接着剤層（２）が常に研摩用板（１）から
はづれるものであればいかなる接着剤を用いてもよいこ
とはもちろんである。また、スピンコードなどＫよル、
先に研摩用板（１）表面にはつれ易い膜を形成しても結
果として、半導体基板（３１Ｋ接する接着剤層が半導体
基板（３）よシはづれなければその膜を形成してもよい
ことはもちろんである。
以上詳細に説明したように、この発明に係る半導体基板
の製造方法によれば厚さが薄い半導体基板でも簡単にし
かも割れるこをなく、研摩用板からはづすことができる
効果がある。
の製造方法によれば厚さが薄い半導体基板でも簡単にし
かも割れるこをなく、研摩用板からはづすことができる
効果がある。
第１図は従来の半導体基板の製造方法を示す断面図、第
２図はこの発明に係る半導体基板の製造方法の一実施例
を示す断面図である。 （１）・・・・研摩用板、（２）ｅ・・・接着剤層、（
３）・・・・半導体基板、（４）・・・・刃物、（５）
・・・拳第２の接着剤層。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −
２図はこの発明に係る半導体基板の製造方法の一実施例
を示す断面図である。 （１）・・・・研摩用板、（２）ｅ・・・接着剤層、（
３）・・・・半導体基板、（４）・・・・刃物、（５）
・・・拳第２の接着剤層。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −
Claims (1)
- 半導体基板を研摩用板上に接着によシ固定して半導体基
板を研摩する半導体基板の製造方法において、前記半導
体基板を前記研摩用板に接着する接着工程に少なくとも
２層の接着剤層を形成することを特徴とする半導体基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP701683A JPS59132133A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | 半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP701683A JPS59132133A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | 半導体基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59132133A true JPS59132133A (ja) | 1984-07-30 |
Family
ID=11654238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP701683A Pending JPS59132133A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | 半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59132133A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01319938A (ja) * | 1988-06-21 | 1989-12-26 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 薄片の剥離方法及び剥離装置 |
-
1983
- 1983-01-17 JP JP701683A patent/JPS59132133A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01319938A (ja) * | 1988-06-21 | 1989-12-26 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 薄片の剥離方法及び剥離装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI345266B (ja) | ||
| JP3553551B2 (ja) | 半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2005167200A (ja) | ケミカルメカニカルポリッシングのための弾性研磨パッド | |
| JPH06268183A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61260629A (ja) | ウエハ加工用フイルム | |
| JPS59132133A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH11145089A (ja) | 半導体ウエハの裏面研削方法およびそれに使用される保護テープ | |
| JP2002337274A (ja) | 接着体及びその製造方法 | |
| JPS61158145A (ja) | 半導体基板の加工方法 | |
| JPH10335195A (ja) | 張り合わせ基板の製造方法 | |
| JP3422225B2 (ja) | 貼り合わせ半導体基板及びその製造方法 | |
| JP2005216948A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
| JPH08274286A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JPS63123645A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05114593A (ja) | 半導体ウエハーの研削方法 | |
| JPS63134167A (ja) | 半導体ウエハの研磨方法 | |
| JPH11297650A (ja) | 半導体ウェハの製造方法 | |
| JPH0653194A (ja) | 半導体ウェーハ加工方法 | |
| JP2627157B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH05109679A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3996481B2 (ja) | 半導体基板のエッチング方法 | |
| JP4011178B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、それに使用する樹脂基板及びテープ | |
| JPH11224870A (ja) | 貼り合わせ半導体基板及びその製造方法 | |
| JPH04115865A (ja) | 加工物接着方法 | |
| KR20020080136A (ko) | 반도체칩과 섭스트레이트의 접착 방법 및 그 구조 |