JPH0653194A - 半導体ウェーハ加工方法 - Google Patents
半導体ウェーハ加工方法Info
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- JPH0653194A JPH0653194A JP20351692A JP20351692A JPH0653194A JP H0653194 A JPH0653194 A JP H0653194A JP 20351692 A JP20351692 A JP 20351692A JP 20351692 A JP20351692 A JP 20351692A JP H0653194 A JPH0653194 A JP H0653194A
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- Japan
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- reinforcing plate
- adhesive
- flattening
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 補強板に接着剤で接着されて補強された半導
体ウェーハの研磨などの加工を、半導体ウェーハの剥が
れや破損を少なくして作業性良く、歩留まり良く行う加
工方法の提供。 【構成】 半導体ウェーハ（1）の凹凸パターン（2）の
ある表面に、塗布して放置することで上面が自然に平坦
化する平坦化接着剤（3）を塗布し、この平坦化接着剤
（3）を介して半導体ウェーハ（1）に平坦な補強板
（4）を接着固定する。平坦化接着剤（3）の使用で、半
導体ウェーハ（1）と補強板（4）の間の接着部分での空
隙を無くし、接着強度が強固に安定する。このように補
強板（4）に接着された半導体ウェーハ（1）に対して、
その裏面の研磨やメッキ処理、切断などの加工が行われ
る。
体ウェーハの研磨などの加工を、半導体ウェーハの剥が
れや破損を少なくして作業性良く、歩留まり良く行う加
工方法の提供。 【構成】 半導体ウェーハ（1）の凹凸パターン（2）の
ある表面に、塗布して放置することで上面が自然に平坦
化する平坦化接着剤（3）を塗布し、この平坦化接着剤
（3）を介して半導体ウェーハ（1）に平坦な補強板
（4）を接着固定する。平坦化接着剤（3）の使用で、半
導体ウェーハ（1）と補強板（4）の間の接着部分での空
隙を無くし、接着強度が強固に安定する。このように補
強板（4）に接着された半導体ウェーハ（1）に対して、
その裏面の研磨やメッキ処理、切断などの加工が行われ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの裏面
を研磨する工程などの半導体ウェーハ加工方法で、詳し
くは半導体ウェーハの表面に補強板を接着剤で固定した
状態で、半導体ウェーハの裏面を研磨加工するなどの加
工工程での製造方法に関する。
を研磨する工程などの半導体ウェーハ加工方法で、詳し
くは半導体ウェーハの表面に補強板を接着剤で固定した
状態で、半導体ウェーハの裏面を研磨加工するなどの加
工工程での製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガリウムひ素の化合物半導体ウェーハ
は、シリコン半導体ウェーハに比べて機械的強度に劣
り、製造工程の途中で割れ易い。
は、シリコン半導体ウェーハに比べて機械的強度に劣
り、製造工程の途中で割れ易い。
【０００３】そこで、製造工程途中で割れ易い半導体ウ
ェーハの研磨は、半導体ウェーハを補強板で補強した状
態で行われ、その概要を図４乃至図７を参照して説明す
る。
ェーハの研磨は、半導体ウェーハを補強板で補強した状
態で行われ、その概要を図４乃至図７を参照して説明す
る。
【０００４】図４（イ）に示すように、大き目の厚さD
の半導体ウェーハ（1）の表面に接着剤（5）を塗布す
る。半導体ウェーハ（1）はガリウムひ素の化合物半導
体で、その表面は配線や電極などの各種回路要素の凹凸
パターン（2）が形成された凹凸面であり、裏面は平坦
面である。接着剤（5）はワックスなどの一般的なもの
が使用される。
の半導体ウェーハ（1）の表面に接着剤（5）を塗布す
る。半導体ウェーハ（1）はガリウムひ素の化合物半導
体で、その表面は配線や電極などの各種回路要素の凹凸
パターン（2）が形成された凹凸面であり、裏面は平坦
面である。接着剤（5）はワックスなどの一般的なもの
が使用される。
【０００５】また、図４（ロ）に示すように、半導体ウ
ェーハ（1）より大径の平坦な補強板（4）を用意し、こ
れの片面に定量の接着剤（5'）を塗布する。接着剤
（5'）は、半導体ウェーハ（1）の接着剤（5）と同一種
のものが使用される。
ェーハ（1）より大径の平坦な補強板（4）を用意し、こ
れの片面に定量の接着剤（5'）を塗布する。接着剤
（5'）は、半導体ウェーハ（1）の接着剤（5）と同一種
のものが使用される。
【０００６】而して、図５に示すように、半導体ウェー
ハ（1）と補強板（4）を、互いに接着剤（5）（5'）同
士を重ねて接着し合い、半導体ウェーハ（1）に補強板
（4）を平行に貼着する。
ハ（1）と補強板（4）を、互いに接着剤（5）（5'）同
士を重ねて接着し合い、半導体ウェーハ（1）に補強板
（4）を平行に貼着する。
【０００７】半導体ウェーハ（1）を補強板（4）で補強
した図５の状態で、半導体ウェーハ（1）を裏面から砥
石などで機械的に研磨する。半導体ウェーハ（1）は図
５の破線位置まで研磨されて、図６に示す所定厚さD'の
薄い半導体ウェーハ（1）となる。
した図５の状態で、半導体ウェーハ（1）を裏面から砥
石などで機械的に研磨する。半導体ウェーハ（1）は図
５の破線位置まで研磨されて、図６に示す所定厚さD'の
薄い半導体ウェーハ（1）となる。
【０００８】この後、薄くした半導体ウェーハ（1）を
補強板（4）で補強したまま、半導体ウェーハ（1）の裏
面のメッキ処理や、ドライエッチングなどの真空プロセ
スでの各種処理が行われる。そして、最終的に半導体ウ
ェーハ（1）は図６の破線位置から切断されて、図７に
示すような複数の半導体ペレット（1'）に分割され、そ
の後、接着剤（5）（5'）が溶剤で除去されて補強板
（4）から半導体ペレット（1'）が個々に分離される。
補強板（4）で補強したまま、半導体ウェーハ（1）の裏
面のメッキ処理や、ドライエッチングなどの真空プロセ
スでの各種処理が行われる。そして、最終的に半導体ウ
ェーハ（1）は図６の破線位置から切断されて、図７に
示すような複数の半導体ペレット（1'）に分割され、そ
の後、接着剤（5）（5'）が溶剤で除去されて補強板
（4）から半導体ペレット（1'）が個々に分離される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】厚目の半導体ウェーハ
（1）に補強板（4）を接着して、半導体ウェーハ（1）
を研磨やメッキなどの各種工程に送ることで、半導体ウ
ェーハ（1）の割れによる歩留まり低下が軽減される。
ところが、図５に示すように半導体ウェーハ（1）と補
強板（4）を接着剤（5）（5'）で貼着すると、両者間に
部分的に空隙（6）が生じ、この空隙（6）が後述の様々
なトラブルを引き起こす不具合があった。
（1）に補強板（4）を接着して、半導体ウェーハ（1）
を研磨やメッキなどの各種工程に送ることで、半導体ウ
ェーハ（1）の割れによる歩留まり低下が軽減される。
ところが、図５に示すように半導体ウェーハ（1）と補
強板（4）を接着剤（5）（5'）で貼着すると、両者間に
部分的に空隙（6）が生じ、この空隙（6）が後述の様々
なトラブルを引き起こす不具合があった。
【００１０】半導体ウェーハ（1）の表面は凹凸パター
ン（2）の凹凸面であり、この上に接着剤（5）を塗布す
ると、接着剤（5）の表面も凹凸パターン（2）に応じた
凹凸面となる。半導体ウェーハ（1）の接着剤（5）を補
強板（4）の接着剤（5'）に重ねて、半導体ウェーハ
（1）と補強板（4）を平行に貼着すると、半導体ウェー
ハ（1）の接着剤（5）の表面の凹部に相当する部分や、
接着剤（5）の凸部の周辺部分で不定形な空隙（6）が生
じる。この空隙（6）は、半導体ウェーハ（1）と補強板
（4）との接着面積を少なくして、補強板（4）と半導体
ウェーハ（1）の接着強度を弱める。
ン（2）の凹凸面であり、この上に接着剤（5）を塗布す
ると、接着剤（5）の表面も凹凸パターン（2）に応じた
凹凸面となる。半導体ウェーハ（1）の接着剤（5）を補
強板（4）の接着剤（5'）に重ねて、半導体ウェーハ
（1）と補強板（4）を平行に貼着すると、半導体ウェー
ハ（1）の接着剤（5）の表面の凹部に相当する部分や、
接着剤（5）の凸部の周辺部分で不定形な空隙（6）が生
じる。この空隙（6）は、半導体ウェーハ（1）と補強板
（4）との接着面積を少なくして、補強板（4）と半導体
ウェーハ（1）の接着強度を弱める。
【００１１】その結果、半導体ウェーハ（1）の裏面を
研磨加工するときの外力で、半導体ウェーハ（1）が補
強板（4）から剥がれることがあり、研磨加工を難しく
していた。また、研磨後の半導体ウェーハ（1）を半導
体ペレット（1'）に分割するときに、半導体ペレット
（1'）が補強板（4）から不本意に剥がれて飛散するこ
ともあり、切断作業に注意を要した。
研磨加工するときの外力で、半導体ウェーハ（1）が補
強板（4）から剥がれることがあり、研磨加工を難しく
していた。また、研磨後の半導体ウェーハ（1）を半導
体ペレット（1'）に分割するときに、半導体ペレット
（1'）が補強板（4）から不本意に剥がれて飛散するこ
ともあり、切断作業に注意を要した。
【００１２】また、補強板（4）で補強された半導体ウ
ェーハ（1）を薄く研磨した後の真空プロセスの処理時
に、補強板（4）と半導体ウェーハ（1）の間の空隙
（6）の部所で圧力差により半導体ウェーハ（1）に応力
が集中して、半導体ウェーハ（1）にクラックが生じた
り、悪くすると半導体ウェーハ（1）が割れることがあ
った。
ェーハ（1）を薄く研磨した後の真空プロセスの処理時
に、補強板（4）と半導体ウェーハ（1）の間の空隙
（6）の部所で圧力差により半導体ウェーハ（1）に応力
が集中して、半導体ウェーハ（1）にクラックが生じた
り、悪くすると半導体ウェーハ（1）が割れることがあ
った。
【００１３】それ故に本発明の目的とするところは、半
導体ウェーハと補強板を十分気密に、安定した確実な接
着力で接着して、半導体ウェーハを常に安定な状態で研
磨加工等する方法を提供することにある。
導体ウェーハと補強板を十分気密に、安定した確実な接
着力で接着して、半導体ウェーハを常に安定な状態で研
磨加工等する方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、表面に凹凸パターンを有する半導体ウェーハ
の凹凸表面に、塗布し放置することで上面が平坦となる
高分子材料の平坦化接着剤を塗布し、この平坦化接着剤
を介して半導体ウェーハ表面側に平坦な補強板を貼着す
ることを特徴とする。
するため、表面に凹凸パターンを有する半導体ウェーハ
の凹凸表面に、塗布し放置することで上面が平坦となる
高分子材料の平坦化接着剤を塗布し、この平坦化接着剤
を介して半導体ウェーハ表面側に平坦な補強板を貼着す
ることを特徴とする。
【００１５】
【作用】半導体ウェーハの凹凸表面に塗布される平坦化
接着剤は、市販されている耐熱、耐薬品性に優れた高分
子材料で、これの定量を半導体ウェーハの表面に塗布し
てしばらく放置すると、自らの流動性でもって上面が水
平に平坦化され、その状態が維持される。したがって、
半導体ウェーハ表面の平坦化接着剤上に平坦な補強板を
貼着すると、平坦面同士の貼着となり、半導体ウェーハ
と補強板は間に空隙の無い気密な状態で接着されること
になり、接着剤中の空隙に伴う半導体ウェーハ加工上の
トラブル発生が回避される。
接着剤は、市販されている耐熱、耐薬品性に優れた高分
子材料で、これの定量を半導体ウェーハの表面に塗布し
てしばらく放置すると、自らの流動性でもって上面が水
平に平坦化され、その状態が維持される。したがって、
半導体ウェーハ表面の平坦化接着剤上に平坦な補強板を
貼着すると、平坦面同士の貼着となり、半導体ウェーハ
と補強板は間に空隙の無い気密な状態で接着されること
になり、接着剤中の空隙に伴う半導体ウェーハ加工上の
トラブル発生が回避される。
【００１６】
【実施例】上記半導体ウェーハ（1）と補強板（4）に適
用した本発明の実施例を、図１乃至図３を参照して説明
する。
用した本発明の実施例を、図１乃至図３を参照して説明
する。
【００１７】本発明においては、図１（イ）に示すよう
に、ガリウムひ素の化合物半導体である半導体ウェーハ
（1）の凹凸表面に平坦化接着剤（3）を塗布し、平坦化
接着剤（3）を介して半導体ウェーハ（1）の表面側に平
坦な補強板（4）を貼着したことを特徴とする。図１
（ロ）に示すように、補強板（4）の片面にも定量の接
着剤（3'）を塗布し、この接着剤（3'）と半導体ウェー
ハ（1）の平坦化接着剤（3）同士が接着して、半導体ウ
ェーハ（1）と補強板（4）が平行に貼着される。
に、ガリウムひ素の化合物半導体である半導体ウェーハ
（1）の凹凸表面に平坦化接着剤（3）を塗布し、平坦化
接着剤（3）を介して半導体ウェーハ（1）の表面側に平
坦な補強板（4）を貼着したことを特徴とする。図１
（ロ）に示すように、補強板（4）の片面にも定量の接
着剤（3'）を塗布し、この接着剤（3'）と半導体ウェー
ハ（1）の平坦化接着剤（3）同士が接着して、半導体ウ
ェーハ（1）と補強板（4）が平行に貼着される。
【００１８】半導体ウェーハ（1）の平坦化接着剤（3）
は、ＨＰＲ［富士ホトラマ製］などの商品名で知られて
いる耐熱性、耐薬品性に優れた高分子材料である。この
平坦化接着剤（3）は、水平な凹凸面にその凹凸を埋め
る程度に塗布してしばらく放置しておくと、自らの流動
性で上面の凹凸が無くなり、上面が水平面となる物性を
有する。
は、ＨＰＲ［富士ホトラマ製］などの商品名で知られて
いる耐熱性、耐薬品性に優れた高分子材料である。この
平坦化接着剤（3）は、水平な凹凸面にその凹凸を埋め
る程度に塗布してしばらく放置しておくと、自らの流動
性で上面の凹凸が無くなり、上面が水平面となる物性を
有する。
【００１９】かかる平坦化接着剤（3）を半導体ウェー
ハ（1）の表面に、凹凸パターン（2）を十分に埋め隠す
定量を塗布する。そして、半導体ウェーハ（1）を水平
に保持したまましばらく放置すると、図１（イ）に示す
ように、平坦化接着剤（3）の上面が平坦化される。
ハ（1）の表面に、凹凸パターン（2）を十分に埋め隠す
定量を塗布する。そして、半導体ウェーハ（1）を水平
に保持したまましばらく放置すると、図１（イ）に示す
ように、平坦化接着剤（3）の上面が平坦化される。
【００２０】他方、図１（ロ）に示すように、補強板
（4）にも接着剤（3'）を塗布する。この接着剤（3'）
は平坦化接着剤（3）と同一品種にすることが、接着剤
の保守管理上に便利であるが、従来同様の別品種であっ
てもよい。平坦な補強板（4）に接着剤（3'）は凹凸無
く、上面平坦に塗布される。
（4）にも接着剤（3'）を塗布する。この接着剤（3'）
は平坦化接着剤（3）と同一品種にすることが、接着剤
の保守管理上に便利であるが、従来同様の別品種であっ
てもよい。平坦な補強板（4）に接着剤（3'）は凹凸無
く、上面平坦に塗布される。
【００２１】図１（イ）と（ロ）の半導体ウェーハ
（1）と補強板（4）を、互いに接着剤（3）（3'）同士
で接着すると、両者の接着剤（3）（3'）は平坦面同士
で重なる。従って、図２に示すように、半導体ウェーハ
（1）と補強板（4）の接着剤（3）（3'）は内部に空隙
を生じることなく気密に合体する。
（1）と補強板（4）を、互いに接着剤（3）（3'）同士
で接着すると、両者の接着剤（3）（3'）は平坦面同士
で重なる。従って、図２に示すように、半導体ウェーハ
（1）と補強板（4）の接着剤（3）（3'）は内部に空隙
を生じることなく気密に合体する。
【００２２】図２の状態で半導体ウェーハ（1）の裏面
が、図２破線位置まで研磨される。この場合、半導体ウ
ェーハ（1）と補強板（4）の間に空隙が無くて、両者の
接着強度が強く、且つ、この接着が安定に維持されてい
るので、半導体ウェーハ（1）の研磨加工時に半導体ウ
ェーハ（1）が補強板（4）から剥がれる心配が無い。こ
れにより半導体ウェーハ（1）の研磨加工の作業性、信
頼性が良くなる。
が、図２破線位置まで研磨される。この場合、半導体ウ
ェーハ（1）と補強板（4）の間に空隙が無くて、両者の
接着強度が強く、且つ、この接着が安定に維持されてい
るので、半導体ウェーハ（1）の研磨加工時に半導体ウ
ェーハ（1）が補強板（4）から剥がれる心配が無い。こ
れにより半導体ウェーハ（1）の研磨加工の作業性、信
頼性が良くなる。
【００２３】また、図３に示すように、研磨で薄く加工
された半導体ウェーハ（1）は、補強板（4）に接着され
たまま、裏面のメッキ処理など後工程に送られる。この
後工程の例えば真空プロセスで行われる処理時におい
て、薄い半導体ウェーハ（1）と補強板（4）は、空隙の
無い接着剤（3）（3'）で接着されているので、真空中
で半導体ウェーハ（1）に集中的な応力が発生すること
が無い。従って、真空プロセスの処理時でも半導体ウェ
ーハ（1）にクラックや割れが発生する心配が無く、そ
の処理の作業性、信頼性が良くなる。
された半導体ウェーハ（1）は、補強板（4）に接着され
たまま、裏面のメッキ処理など後工程に送られる。この
後工程の例えば真空プロセスで行われる処理時におい
て、薄い半導体ウェーハ（1）と補強板（4）は、空隙の
無い接着剤（3）（3'）で接着されているので、真空中
で半導体ウェーハ（1）に集中的な応力が発生すること
が無い。従って、真空プロセスの処理時でも半導体ウェ
ーハ（1）にクラックや割れが発生する心配が無く、そ
の処理の作業性、信頼性が良くなる。
【００２４】また、最終的に半導体ウェーハ（1）は、
図３の破線箇所から切断されて半導体ペレットに細分割
される。この場合、半導体ウェーハ（1）は補強板（4）
に空隙の無い接着剤（3）（3'）で強固に、安定して接
着されているので、半導体ウェーハ（1）の切断時に切
断分離された半導体ペレットが補強板（4）から剥がれ
て飛散する心配が無い。
図３の破線箇所から切断されて半導体ペレットに細分割
される。この場合、半導体ウェーハ（1）は補強板（4）
に空隙の無い接着剤（3）（3'）で強固に、安定して接
着されているので、半導体ウェーハ（1）の切断時に切
断分離された半導体ペレットが補強板（4）から剥がれ
て飛散する心配が無い。
【００２５】以上のような半導体ウェーハ（1）の加工
が完了すると、半導体ウェーハ（1）と補強板（4）を接
着する接着剤（3）（3'）が溶剤で除去される。平坦化
接着剤（3）の溶剤としては、ＯＨＲハクリ剤［東京応
化（株）製］などの有機溶剤が適当である。
が完了すると、半導体ウェーハ（1）と補強板（4）を接
着する接着剤（3）（3'）が溶剤で除去される。平坦化
接着剤（3）の溶剤としては、ＯＨＲハクリ剤［東京応
化（株）製］などの有機溶剤が適当である。
【００２６】なお、上記実施例はガリウムひ素の化合物
半導体の半導体ウェーハについて説明したが、本発明は
シリコン半導体ウェーハであっても有効に適用できる。
半導体の半導体ウェーハについて説明したが、本発明は
シリコン半導体ウェーハであっても有効に適用できる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウェーハの凹凸
表面に塗布された平坦化接着剤は、しばらく放置するこ
とで上面が平坦となるので、これの平坦な上面に平坦な
補強板を貼着すると、半導体ウェーハと補強板の間に空
隙が生じず、従って、半導体ウェーハと補強板の接着が
強固に安定し、半導体ウェーハの裏面研磨などの加工時
に半導体ウェーハが剥がれたり破損するようなトラブル
発生が減少し、半導体ウェーハ加工の作業性改善、歩留
まり向上が図れる効果がある。
表面に塗布された平坦化接着剤は、しばらく放置するこ
とで上面が平坦となるので、これの平坦な上面に平坦な
補強板を貼着すると、半導体ウェーハと補強板の間に空
隙が生じず、従って、半導体ウェーハと補強板の接着が
強固に安定し、半導体ウェーハの裏面研磨などの加工時
に半導体ウェーハが剥がれたり破損するようなトラブル
発生が減少し、半導体ウェーハ加工の作業性改善、歩留
まり向上が図れる効果がある。
【００２８】特に、半導体ウェーハが機械的強度の弱い
ガリウムひ素化合物半導体の場合、その破損防止効果に
優れ、化合物半導体装置のコストダウンが図れる。
ガリウムひ素化合物半導体の場合、その破損防止効果に
優れ、化合物半導体装置のコストダウンが図れる。
【図１】本発明の一実施例を説明するためのもので、
（イ）は半導体ウェーハの断面図、（ロ）は補強板の断
面図
（イ）は半導体ウェーハの断面図、（ロ）は補強板の断
面図
【図２】図１の半導体ウェーハと補強板を貼着したとき
の断面図
の断面図
【図３】図２の半導体ウェーハを研磨したときの断面図
【図４】従来の半導体ウェーハ加工方法を説明するため
のもので、（イ）は半導体ウェーハの断面図、（ロ）は
補強板の断面図
のもので、（イ）は半導体ウェーハの断面図、（ロ）は
補強板の断面図
【図５】図４の半導体ウェーハと補強板を貼着したとき
の断面図
の断面図
【図６】図５の半導体ウェーハを研磨したときの断面図
【図７】図６の半導体ウェーハを半導体ペレットに分割
したときの断面図
したときの断面図
1 半導体ウェーハ 2 凹凸パターン 3 平坦化接着剤 4 補強板
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に凹凸パターンを有する半導体ウェ
ーハの凹凸状表面に、塗布し放置することで上面が平坦
となる高分子材料の平坦化接着剤を塗布し、この平坦化
接着剤を介して半導体ウェーハ表面側に補強板を貼着し
た状態で、半導体ウェーハの所定の加工を行うことを特
徴とする半導体ウェーハ加工方法。 - 【請求項２】 半導体ウェーハがガリウムひ素及びイン
ジウムリンの化合物半導体であることを特徴とする請求
項１記載の半導体ウェーハ加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20351692A JPH0653194A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体ウェーハ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20351692A JPH0653194A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体ウェーハ加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653194A true JPH0653194A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16475450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20351692A Withdrawn JPH0653194A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体ウェーハ加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653194A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203828A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Lintec Corp | ウエハの裏面研削方法 |
| US9458365B2 (en) | 2013-07-22 | 2016-10-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Temporary bonding adhesive compositions and methods of manufacturing a semiconductor device using the same |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP20351692A patent/JPH0653194A/ja not_active Withdrawn
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