JPS63134167A - 半導体ウエハの研磨方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） この発明は、半導体ウェハの研磨方法に関する。

（従来の技術） 一般に、半導体ウェハは、インゴットから所定の厚さに
スライシングしたのち、その表面に所定のパターンを形
成するために鏡面研磨される。その研磨方法の一種に、
第２図に示すように、パラフィンなどのワックス■を接
着剤として、研磨治具のリファレンスプレート■に半導
体ウェハ（Ｗ）の一方の面を接着し、この半導体ウェハ
（Ｗ）の他方の面に、研磨装置の定盤に取付けられた研
磨布を圧接して研磨する片面研磨方法がある。

この研磨方法において、上記ワックスによる半導体ウェ
ハ（Ｗ）のリファレンスプレート■への取付けは５通常
、第３図に示すように、リファレンスプレート■と半導
体ウェハ（Ｗ）との間にワックスを介在させ、そのワッ
クス層が所定の厚さになるように、半導体ウェハ（Ｗ）
上から所定温度に加熱させた貼付は用治具■を押圧して
、ワックスを軟化させることによりおこなわれる。また
、研磨後の半導体ウェハ（Ｗ）の剥離は、リファレンス
プ、レート■を研磨装置から取外して、このリファレン
スプレート■ごと所定温度に加熱し、半導体ウェハを接
着しているワックスを軟化させることによりおこなわれ
る。

しかし、上記方法により半導体ウェハ（Ｗ）を取付けま
た剥離すると、半導体ウェハ（Ｗ）の一方の面、すなわ
ち非研磨面がリファレンスプレート■に接触しやすく、
その一方の非研磨面が損傷することがある。特に半導体
ウェハ（Ｗ）でも、ひ化ガリウムなど脆性の高い半導体
ウェハ（Ｗ）においては、その損傷の程度がいちじるし
く、ががる半導体ウェハ（Ｗ）の固定方法として適切で
ないという問題点がある。

（発明が解決しようとする問題点） 上記のように、従来の半導体ウェハの研磨方法は、研磨
治具と半導体ウェハとの間にワックスを介在させ、これ
を軟化がっ一定の厚さになるように半導体ウェハ上から
加熱加圧して研磨治具に取付け、また、研磨後は、その
ワックスを加熱軟化させて剥離するため、半導体ウェハ
の接着面側が研磨治具に接触して損傷しゃすく、特にひ
化ガリウムなどの脆性ウェハにおいて、その損傷がいち
じるしいという問題点がある。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） 接着剤により半導体ウェハの一方の面を研磨治具に接着
して、上記半導体ウェハの他方の面を研磨する半導体ウ
ェハの研磨方法において、上記半導体ウェハの一方の面
に上記接着剤より軟化点の高い保護膜を被着形成し、こ
の保護膜を介して上記接着剤により半導体ウェハを研磨
治具に接着するようにした。

（作　　用） 上記のように、半導体ウェハの一方の面に接着剤より軟
化点の高い保護膜を形成し、この保護膜を介して上記接
着剤により研磨治具に接着すると、接着剤より保護膜の
方が軟化点が高いことがら、接着剤を加熱軟化させて取
付けまたは剥離させる場合、研磨治具と直接接触するこ
とがなく、シたがって、半導体ウェハの非研磨面側の損
傷を防止することができる。

（実　施　例） 以下、図面を参照してこの発明を実施例に基づいて説明
する。

第１図（Ａ、）図に示すように、駆動装置（図示せず）
により回転駆動される円板（１０）上に半導体ウェハ（
Ｗ）の一方の面すなわち非研磨面を上にして同軸的に載
置し、この半導体ウェハ（Ｗ）をその回転軸（１１）の
中心部に設けられた真空吸引孔（１２）を介して１図示
しない真空装置により吸引して、上記円板（１０）上に
固定する。しかるのち、円板（１０）を１０００〜６０
００ｒｐｍ程度の回転数で回転駆動しながら、上記非研
磨面に、たとえばポリテルペン樹脂を主成分する「スカ
イコート−ＢＲＪ　　（商品名；１化精工（株）製）な
どの合成樹脂液（１３）を滴下し、塗布乾燥して、（Ｂ
）図に示すように、厚さ０．１〜５肯程度の膜厚均一な
保護膜（１４）を形成する。この保護膜（１４）形成に
おいて、１回の塗布乾燥で所定の膜厚が得られないとき
は、その塗布乾燥を複数回繰返せばよい。

つぎに、この半導体ウェハ（Ｗ）を円板（１ｏ）がら取
外し、（Ｃ）図に示すように、保護膜（１４）を研磨治
具のリファレンスプレート■と対向させ、がっこの保護
膜（１４）とリファレンスプレート■との間にワックス
（１５）を介在させる。このワックス（１５）としでは
、上記保護膜（１４）より軟化点の低いもの、たとえば
１化精工（株）の「ミクロンワックス」（商品名）が用
いられる。しかるのち、従来と同様に、所定温度に加熱
された貼付は用治具■を半導体ウェハ（Ｗ）上から抑圧
して、ワックス（１５）を軟化させて接着し、かつその
ワックス層を所定の厚さにする。

しかるのち、（Ｄ）図に示すように、上記半導体ウェハ
（Ｗ）の他方の面すなわち上面に、研磨装置の定盤（１
６）に取付けられた研磨布を圧接して、その上面を研磨
加工する。

なお、研磨終了した半導体ウェハ（Ｗ）は、その後リフ
ァレンスプレート■ごと研磨装置から取外し、これを所
定温度に加熱してワックス（１５）を軟化させ、リファ
レンスプレート■がら取外す。その後さらに、この取外
した単導体ウェハ（Ｗ）を、トリクロロエチレンあるい
はメチレンクロライドなど、の溶剤中に浸漬して保護膜
（１４）を除去する。

ところで、上記方法により半導体ウェハ（Ｗ）を研磨治
具に接着すると、半導体ウニハ（Ｗ）の非研磨面を損傷
することなく研磨治具に取付けて研磨加工することがで
きる。すなわち、１ミクロンワックス」の軟化点が５０
℃であるのに対し、ポリテルペン樹脂からなる「スカイ
コート−ＢＲＪは、軟化点が８５℃であるので、半導体
ウェハ（Ｗ）を研磨治具に取付けるとき、保護膜（１４
）を軟化させることなくワックス（１５）のみを加熱軟
化させて接着することができ、保護膜（１４）により半
導体ウェハ（Ｗ）が直接研磨治具に接触しないように保
護して、その損傷を防止することができる。したがって
、この方法によれば、シリコンウェハなど通常の半導体
ウェハは勿論、ひ化ガリウムなど特に脆性の高い半導体
ウェハに対しても、損傷することなく研磨することがで
きる。

なお、上記実施例では、保護膜にポリテルペン樹脂、接
着剤にパラフィン系ワックスを用いたが、要するに、こ
れらは、保護膜の軟化点が接着剤のそれよりも高く、か
つそれぞれが所要の接着力を備え、かつ剥離容易であれ
ばよく、上記材料に限定されるものではない。

〔発明の効果〕

半導体ウェハを研磨するに際し、その一方の非研磨面に
、接着剤より軟化点の高い保護膜を被着形成し、この保
護膜を介して上記接着剤により研磨治具に接着するよう
にしたので、保護膜により半導体ウェハを直接研磨治具
に接触しないように保護して接着することができ、その
一方の面が研磨治具と接触して生ずる損傷を防止するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）ないしくＤ）図はそれぞれこの発明の一実
施例である半導体ウェハの研磨方法を説明するための工
程図、第２図は従来の半導体ウェハの研磨方法説明図、
第３図はその半導体ウェハの研磨治具への取付けを説明
するための図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 接着剤により半導体ウェハの一方の面を研磨治具に接着
   して上記半導体ウェハの他方の面を研磨する半導体ウェ
   ハの研磨方法において、 上記半導体ウェハの一方の面に上記接着剤より軟化点の
   高い保護膜を被着形成し、この保護膜を介して上記半導
   体ウェハを上記接着剤により上記研磨治具に接着するこ
   とを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。