JPH0831778A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0831778A JPH0831778A JP6163685A JP16368594A JPH0831778A JP H0831778 A JPH0831778 A JP H0831778A JP 6163685 A JP6163685 A JP 6163685A JP 16368594 A JP16368594 A JP 16368594A JP H0831778 A JPH0831778 A JP H0831778A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- substrate
- temperature
- adhesive sheet
- semiconductor
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- Pending
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来の半導体基板の裏面工程における問題点
を解決するように改良された半導体基板の裏面工程を提
供する。 【構成】 半導体基板の一方の主面を、第一の温度以上
で粘着力の無くなる第一の粘着シート２１を用いて第一
の支持基板に貼り付け前記半導体基板の裏面に加工を施
す工程と、前記半導体基板の他方の主面を、前記第一の
粘着シートよりさらに高温度で粘着力の無くなる第二の
粘着シート２２を用いて第二の支持基板に貼り付け前記
第一の支持基板を前記第一の温度まで加熱し前記半導体
基板より取外す工程とを含む半導体装置の製造方法。
を解決するように改良された半導体基板の裏面工程を提
供する。 【構成】 半導体基板の一方の主面を、第一の温度以上
で粘着力の無くなる第一の粘着シート２１を用いて第一
の支持基板に貼り付け前記半導体基板の裏面に加工を施
す工程と、前記半導体基板の他方の主面を、前記第一の
粘着シートよりさらに高温度で粘着力の無くなる第二の
粘着シート２２を用いて第二の支持基板に貼り付け前記
第一の支持基板を前記第一の温度まで加熱し前記半導体
基板より取外す工程とを含む半導体装置の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係り、特に半導体基板の裏面に施す加工工程の改良に関
する。
係り、特に半導体基板の裏面に施す加工工程の改良に関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体素子の製造では半導体基板
の基板表面に素子を形成した後、基板厚を所望の厚みま
で薄くするため研磨を行い、半導体基板の裏面に金属膜
を形成する。一例として、砒化ガリウム電界効果トラン
ジスタ（ＧａＡｓＦＥＴ）の製造を例にとり、従来の技
術を説明する。
の基板表面に素子を形成した後、基板厚を所望の厚みま
で薄くするため研磨を行い、半導体基板の裏面に金属膜
を形成する。一例として、砒化ガリウム電界効果トラン
ジスタ（ＧａＡｓＦＥＴ）の製造を例にとり、従来の技
術を説明する。
【０００３】図４および図５は従来例にかかる半導体基
板を支持基板へ貼り付け、裏面加工を施し、支持基板か
ら剥離する工程を説明するためのいずれも断面図であ
る。
板を支持基板へ貼り付け、裏面加工を施し、支持基板か
ら剥離する工程を説明するためのいずれも断面図であ
る。
【０００４】まず、半導体基板１の表面を加熱溶融した
ワックス２で第一の支持基板３に貼り付ける（図４，図
５（ａ））。この際、半導体基板１は裏面が露出するよ
うに貼り付ける。そして貼り付け後、研磨材（例えばア
ルミナ粉末）を用いて半導体基板を所定の基板厚に研磨
する（図５（ｂ））。研磨後、真空蒸着法、もしくは鍍
金法、もしくは両法を併用して半導体基板１の裏面に金
属膜４を形成する（図５（ｃ））。
ワックス２で第一の支持基板３に貼り付ける（図４，図
５（ａ））。この際、半導体基板１は裏面が露出するよ
うに貼り付ける。そして貼り付け後、研磨材（例えばア
ルミナ粉末）を用いて半導体基板を所定の基板厚に研磨
する（図５（ｂ））。研磨後、真空蒸着法、もしくは鍍
金法、もしくは両法を併用して半導体基板１の裏面に金
属膜４を形成する（図５（ｃ））。
【０００５】次に、ワックス２を再加熱し、半導体基板
１を支持基板３から剥離する（図５（ｄ））。次に有機
洗浄処理を行い、ワックス２を除去する（図５
（ｅ））。次に半導体基板上の素子について電気的特性
検査を行った後、ダイヤモンド針等で半導体基板を切断
し、分離する。
１を支持基板３から剥離する（図５（ｄ））。次に有機
洗浄処理を行い、ワックス２を除去する（図５
（ｅ））。次に半導体基板上の素子について電気的特性
検査を行った後、ダイヤモンド針等で半導体基板を切断
し、分離する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】研磨によって厚みの薄
くなった半導体基板は割れ、欠けが発生し易い。また薄
くなった半導体基板の裏面に金属膜を形成すると、金属
膜の応力により、半導体基板の反りが発生し、更に割れ
易くなる。特にワックスを再加熱し、支持基板から半導
体基板を剥離する際に、半導体基板が反るため、割れる
事が多い。また、薄くなった半導体基板の特性検査及び
素子分離工程時にも基板が反っているため、割れる事が
多い。半導体基板の割れは半導体素子の製造歩留りを大
きく低下させる原因となっている。
くなった半導体基板は割れ、欠けが発生し易い。また薄
くなった半導体基板の裏面に金属膜を形成すると、金属
膜の応力により、半導体基板の反りが発生し、更に割れ
易くなる。特にワックスを再加熱し、支持基板から半導
体基板を剥離する際に、半導体基板が反るため、割れる
事が多い。また、薄くなった半導体基板の特性検査及び
素子分離工程時にも基板が反っているため、割れる事が
多い。半導体基板の割れは半導体素子の製造歩留りを大
きく低下させる原因となっている。
【０００７】本発明の目的は上記従来の問題点に鑑み、
これを解決するように改良された半導体基板の裏面工程
を提供する。
これを解決するように改良された半導体基板の裏面工程
を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、半導体基板の一方の主面を、第一の温度
以上で粘着力の無くなる第一の粘着シートを用いて第一
の支持基板に貼り付ける工程と、前記半導体基板の裏面
に加工を施す工程と、前記半導体基板の他方の主面を、
前記第一の粘着シートよりさらに高温度で粘着力の無く
なる第二の粘着シートを用いて第二の支持基板に貼り付
ける工程と、前記第一の支持基板を前記第一の温度まで
加熱し前記半導体基板より取外す工程とを含むことを特
徴とする。
の製造方法は、半導体基板の一方の主面を、第一の温度
以上で粘着力の無くなる第一の粘着シートを用いて第一
の支持基板に貼り付ける工程と、前記半導体基板の裏面
に加工を施す工程と、前記半導体基板の他方の主面を、
前記第一の粘着シートよりさらに高温度で粘着力の無く
なる第二の粘着シートを用いて第二の支持基板に貼り付
ける工程と、前記第一の支持基板を前記第一の温度まで
加熱し前記半導体基板より取外す工程とを含むことを特
徴とする。
【０００９】また、前記一方の主面が表面に半導体素子
が形成されている主面、他方の主面が被加工主面である
ことを特徴とする。
が形成されている主面、他方の主面が被加工主面である
ことを特徴とする。
【００１０】さらに、表面に半導体素子が形成されてい
る半導体基板の表面側を、第一の温度以上で粘着力の無
くなる第一の粘着シートを用いて第一の支持基板に貼り
付ける工程と、前記半導体基板の裏面に加工を施す工程
と、前記半導体基板を裏面を、前記第一の粘着シートよ
りさらに高温度で粘着力の無くなる第二の粘着シートを
用いて第二の支持基板に貼り付ける工程と、前記第一の
支持基板を前記第一の温度まで加熱し前記半導体基板よ
り取外す工程と、半導体素子の特性検査および素子分離
の工程とを含むことを特徴とする。
る半導体基板の表面側を、第一の温度以上で粘着力の無
くなる第一の粘着シートを用いて第一の支持基板に貼り
付ける工程と、前記半導体基板の裏面に加工を施す工程
と、前記半導体基板を裏面を、前記第一の粘着シートよ
りさらに高温度で粘着力の無くなる第二の粘着シートを
用いて第二の支持基板に貼り付ける工程と、前記第一の
支持基板を前記第一の温度まで加熱し前記半導体基板よ
り取外す工程と、半導体素子の特性検査および素子分離
の工程とを含むことを特徴とする。
【００１１】
【作用】加熱温度により粘着力が異なる二種類の粘着シ
ートを用いることで、半導体基板を常に支持基板に貼り
付けた状態で、裏面の研磨、金属膜の形成、特性検査及
び素子分離を行うため、半導体基板の割れを防止するこ
とが可能となる。
ートを用いることで、半導体基板を常に支持基板に貼り
付けた状態で、裏面の研磨、金属膜の形成、特性検査及
び素子分離を行うため、半導体基板の割れを防止するこ
とが可能となる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき図１ないし図
３を参照して説明をする。
３を参照して説明をする。
【００１３】両面に粘着膜のある第一の粘着シート２１
を第一の支持基板１１に貼り付ける（図１（ａ））。こ
の粘着シート２１は所定の温度（以下第一の温度と記
す）未満では粘着力を有するが、第一の温度以上では粘
着力が無くなるものを用いる。半導体基板（１）の表面
を第一の粘着シート２１に押しつけ、第一の支持基板１
１に貼り付ける（図１（ｂ））。この際、半導体基板１
は、その裏面が露出するように貼り付ける。貼り付け
後、研磨材（例えばアルミナ粉末）を用いて所定の基板
厚になるように半導体基板１を研磨する（図１
（ｃ））。
を第一の支持基板１１に貼り付ける（図１（ａ））。こ
の粘着シート２１は所定の温度（以下第一の温度と記
す）未満では粘着力を有するが、第一の温度以上では粘
着力が無くなるものを用いる。半導体基板（１）の表面
を第一の粘着シート２１に押しつけ、第一の支持基板１
１に貼り付ける（図１（ｂ））。この際、半導体基板１
は、その裏面が露出するように貼り付ける。貼り付け
後、研磨材（例えばアルミナ粉末）を用いて所定の基板
厚になるように半導体基板１を研磨する（図１
（ｃ））。
【００１４】次に半導体基板１の裏面に真空蒸着法、も
しくは鍍金法、もしくはその両法を併用して金属膜４を
形成する（図１（ｄ））。
しくは鍍金法、もしくはその両法を併用して金属膜４を
形成する（図１（ｄ））。
【００１５】次に第二の粘着シート２２を第二の支持基
板１２に貼り付ける（図２（ａ））。ここで第二の粘着
シート２２は第一の温度では粘着力を有するが更に高温
（以下第二の温度と記す）では粘着力が無くなるものを
用いる。金属膜４を第二の粘着シート２２に押しつけ、
半導体基板１を第二の支持基板１２に貼り付ける（図２
（ｂ））。
板１２に貼り付ける（図２（ａ））。ここで第二の粘着
シート２２は第一の温度では粘着力を有するが更に高温
（以下第二の温度と記す）では粘着力が無くなるものを
用いる。金属膜４を第二の粘着シート２２に押しつけ、
半導体基板１を第二の支持基板１２に貼り付ける（図２
（ｂ））。
【００１６】次に全体を、第一の温度より高く、第二の
温度より低く設定された温度に加熱する（図２
（ｃ））。加熱により第一の粘着シート２１は粘着力が
無くなるため第一の支持基板１１を半導体基板１から取
り外すことができる（図３（ａ））。
温度より低く設定された温度に加熱する（図２
（ｃ））。加熱により第一の粘着シート２１は粘着力が
無くなるため第一の支持基板１１を半導体基板１から取
り外すことができる（図３（ａ））。
【００１７】次に第二の支持基板１２に貼り付けた状態
で半導体基板１の表面の素子の特性検査を行う。次にダ
イヤモンド針等を用いて半導体基板１を切断する（図３
（ｂ））。
で半導体基板１の表面の素子の特性検査を行う。次にダ
イヤモンド針等を用いて半導体基板１を切断する（図３
（ｂ））。
【００１８】最後に全体を第二の温度以上に加熱した
後、第二の粘着シート２２から素子を剥離し、素子を分
離する（図３（ｃ））。
後、第二の粘着シート２２から素子を剥離し、素子を分
離する（図３（ｃ））。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように本発明の製造方法によ
れば、加熱温度により粘着力が異なる二種類の粘着シー
トを用いることで、半導体基板を常に支持基板に貼り付
けた状態で、裏面の研磨、金属膜の形成、特性検査及び
素子分離を行うため、半導体基板の割れを防止する事が
でき顕著な歩留り向上が図れる。
れば、加熱温度により粘着力が異なる二種類の粘着シー
トを用いることで、半導体基板を常に支持基板に貼り付
けた状態で、裏面の研磨、金属膜の形成、特性検査及び
素子分離を行うため、半導体基板の割れを防止する事が
でき顕著な歩留り向上が図れる。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明に係る一実施例の製造
方法の一部を工程順に示すいずれも断面図。
方法の一部を工程順に示すいずれも断面図。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る一実施例の製造
方法の一部を図１に引続き工程順に示すいずれも断面
図。
方法の一部を図１に引続き工程順に示すいずれも断面
図。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る一実施例の製造
方法の一部を図２に引続き工程順に示すいずれも断面
図。
方法の一部を図２に引続き工程順に示すいずれも断面
図。
【図４】従来例の製造方法の一部を示す断面図。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は従来例の製造方法の一部を図
４に引続き工程順に示すいずれも断面図。
４に引続き工程順に示すいずれも断面図。
１ 半導体基板 ２ ワックス ３ 支持基板 ４ 金属膜 ５ ダイヤモンド針 １１ 第一の支持基板 １２ 第二の支持基板 ２１ 第一の粘着シート ２２ 第二の粘着シート
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板の一方の主面を、第一の温度
以上で粘着力の無くなる第一の粘着シートを用いて第一
の支持基板に貼り付ける工程と、前記半導体基板の裏面
に加工を施す工程と、前記半導体基板の他方の主面を、
前記第一の粘着シートよりさらに高温度で粘着力の無く
なる第二の粘着シートを用いて第二の支持基板に貼り付
ける工程と、前記第一の支持基板を前記第一の温度まで
加熱し前記半導体基板より取外す工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 一方の主面が表面に半導体素子が形成さ
れている主面、他方の主面が被加工主面であることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 表面に半導体素子が形成されている半導
体基板の表面側を、第一の温度以上で粘着力の無くなる
第一の粘着シートを用いて第一の支持基板に貼り付ける
工程と、前記半導体基板の裏面に加工を施す工程と、前
記半導体基板を裏面を、前記第一の粘着シートよりさら
に高温度で粘着力の無くなる第二の粘着シートを用いて
第二の支持基板に貼り付ける工程と、前記第一の支持基
板を前記第一の温度まで加熱し前記半導体基板より取外
す工程と、半導体素子の特性検査および素子分離の工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6163685A JPH0831778A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6163685A JPH0831778A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831778A true JPH0831778A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15778658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6163685A Pending JPH0831778A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831778A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013165294A (ja) * | 2013-05-13 | 2013-08-22 | Lintec Corp | ワーク受渡し機構を有する装置 |
| JP2017028218A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 豊田合成株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JPWO2014192631A1 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-02-23 | 三井化学東セロ株式会社 | 電子部材の剥離方法 |
| WO2024018921A1 (ja) * | 2022-07-21 | 2024-01-25 | 東京応化工業株式会社 | 基板貼り付け装置、基板処理システム、及び基板貼り付け方法 |
-
1994
- 1994-07-15 JP JP6163685A patent/JPH0831778A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013165294A (ja) * | 2013-05-13 | 2013-08-22 | Lintec Corp | ワーク受渡し機構を有する装置 |
| JPWO2014192631A1 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-02-23 | 三井化学東セロ株式会社 | 電子部材の剥離方法 |
| JP2017028218A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 豊田合成株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| WO2024018921A1 (ja) * | 2022-07-21 | 2024-01-25 | 東京応化工業株式会社 | 基板貼り付け装置、基板処理システム、及び基板貼り付け方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |