JPH0737840A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH0737840A JPH0737840A JP20288493A JP20288493A JPH0737840A JP H0737840 A JPH0737840 A JP H0737840A JP 20288493 A JP20288493 A JP 20288493A JP 20288493 A JP20288493 A JP 20288493A JP H0737840 A JPH0737840 A JP H0737840A
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- semiconductor substrate
- phs
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＰＨＳ構造を有する化合物半導体基板をチッ
プに分離する際、粘着テープに整列させたまま支持板よ
り剥離すること。 【構成】 半導体基板４を裏面からエッチングにてハ−
フエッチングする工程（図１工程Ｂ）、このハ−フエッ
チングされた半導体基板４を粘着テ−プ１１で貼り付
け、その後ブレ−キングする工程（同工程Ｄ）、ブレ−
キングされたチップの相互干渉を解消するため、粘着テ
−プ１１を引き伸ばす工程（同工程Ｅ）とを備えてい
る。 【効果】 工程の自動化を容易に行うことができ、しか
も大幅な工数低減が可能となる。また、ＰＨＳ構造を有
する半導体素子を支持板から剥離し、素子分離を行う場
合、半導体素子の重なりを防止し、外観チェックの工数
を大幅に低減することができる。
プに分離する際、粘着テープに整列させたまま支持板よ
り剥離すること。 【構成】 半導体基板４を裏面からエッチングにてハ−
フエッチングする工程（図１工程Ｂ）、このハ−フエッ
チングされた半導体基板４を粘着テ−プ１１で貼り付
け、その後ブレ−キングする工程（同工程Ｄ）、ブレ−
キングされたチップの相互干渉を解消するため、粘着テ
−プ１１を引き伸ばす工程（同工程Ｅ）とを備えてい
る。 【効果】 工程の自動化を容易に行うことができ、しか
も大幅な工数低減が可能となる。また、ＰＨＳ構造を有
する半導体素子を支持板から剥離し、素子分離を行う場
合、半導体素子の重なりを防止し、外観チェックの工数
を大幅に低減することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置及びその製
造方法に関し、特にプレ−テッドヒ−トシンク(Plated
Heat sink：以下“PHS”と略記する)構造を有する化合
物半導体装置及びその製造方法に関する。
造方法に関し、特にプレ−テッドヒ−トシンク(Plated
Heat sink：以下“PHS”と略記する)構造を有する化合
物半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にPHS構造を有する化合物半導体装
置の製造方法は、図４に示す工程フロ−「素子形成→支
持板貼付→裏面研磨エッチング→PHSめっき用下地金属
層形成→PHSめっき層形成→PHSめっき用下地金属層除去
→エッチング→ペレット剥離→整列→マウント」より成
る。
置の製造方法は、図４に示す工程フロ−「素子形成→支
持板貼付→裏面研磨エッチング→PHSめっき用下地金属
層形成→PHSめっき層形成→PHSめっき用下地金属層除去
→エッチング→ペレット剥離→整列→マウント」より成
る。
【０００３】この従来の製造法を図３(従来法における
製造工程Ａ〜Ｅよりなる工程順断面図)に基づいて詳細
に説明する。まず、図３工程Ａに示すように、半導体基
板４の表面に素子（ソ−ス電極１、ゲ−ト電極２、ドレ
イン電極３）を形成する。
製造工程Ａ〜Ｅよりなる工程順断面図)に基づいて詳細
に説明する。まず、図３工程Ａに示すように、半導体基
板４の表面に素子（ソ−ス電極１、ゲ−ト電極２、ドレ
イン電極３）を形成する。
【０００４】次に、図３工程Ｂに示すように、半導体基
板４の表面に貼付剤５を用いて支持板７を貼り付け、基
板４の裏面より研磨又はエッチングして所望の厚さ(数1
0μｍ)に薄層化し、その後複数の金属からなるPHSめっ
き用下地金属層６の形成を行う。
板４の表面に貼付剤５を用いて支持板７を貼り付け、基
板４の裏面より研磨又はエッチングして所望の厚さ(数1
0μｍ)に薄層化し、その後複数の金属からなるPHSめっ
き用下地金属層６の形成を行う。
【０００５】続いて、図３工程Ｃに示すように、ダイシ
ング域にレジスト８のパタ−ンをマスクとしてPHSめっ
きを施し、PHSめっき層９を形成する。その後、上記レ
ジスト８を除去し、図３工程Ｄに示すように、PHSめっ
き層９をマスクとしてPHSめっき用下地金属層６を除去
し、続いて半導体基板４をエッチングしてチップ12の分
離を行う。
ング域にレジスト８のパタ−ンをマスクとしてPHSめっ
きを施し、PHSめっき層９を形成する。その後、上記レ
ジスト８を除去し、図３工程Ｄに示すように、PHSめっ
き層９をマスクとしてPHSめっき用下地金属層６を除去
し、続いて半導体基板４をエッチングしてチップ12の分
離を行う。
【０００６】次に、図３工程Ｅに示すように、支持板７
と半導体基板４とを貼り付けている貼付剤５に対し溶解
可能な溶剤を用いて支持板７からチップ12を剥離し、洗
浄を行うことによってチップ分離を行っている。
と半導体基板４とを貼り付けている貼付剤５に対し溶解
可能な溶剤を用いて支持板７からチップ12を剥離し、洗
浄を行うことによってチップ分離を行っている。
【０００７】従来法では、以上のような工程で剥離、洗
浄したチップ12をばらばらにカゴ状のもので受けて溶剤
より取り出し、乾燥させる。そして、乾燥したチップ12
は、マウントを行うため、チップ12を１片づつ表裏を確
認し、トレ−に整列させていた。
浄したチップ12をばらばらにカゴ状のもので受けて溶剤
より取り出し、乾燥させる。そして、乾燥したチップ12
は、マウントを行うため、チップ12を１片づつ表裏を確
認し、トレ−に整列させていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の上記したチップ
分離法では、チップ12をマウントする前に１片づつ表裏
を確認し、トレ−に整列させる必要があり、そのため膨
大な工数を必要とする欠点を有している。また、工程の
自動化を意図する場合、表裏ばらばらに重なった状態で
存在するチップ12を認識し、これを個々に拾い上げ、整
列させることは非常に困難なことである。
分離法では、チップ12をマウントする前に１片づつ表裏
を確認し、トレ−に整列させる必要があり、そのため膨
大な工数を必要とする欠点を有している。また、工程の
自動化を意図する場合、表裏ばらばらに重なった状態で
存在するチップ12を認識し、これを個々に拾い上げ、整
列させることは非常に困難なことである。
【０００９】本発明は、従来の上記欠点、問題点に鑑み
成されたものであって、その目的は、工程の自動化を容
易に行うことができ、大幅に工数を低減することができ
る半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、PHS構造を有する半導体素
子を支持板から剥離し、素子分離を行う際、半導体素子
の重なりを防止し、外観チェックの工数を低減すること
ができる半導体装置及びその製造方法を提供することに
ある。
成されたものであって、その目的は、工程の自動化を容
易に行うことができ、大幅に工数を低減することができ
る半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、PHS構造を有する半導体素
子を支持板から剥離し、素子分離を行う際、半導体素子
の重なりを防止し、外観チェックの工数を低減すること
ができる半導体装置及びその製造方法を提供することに
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そして、本発明は、上記
目的を達成するため、PHS構造を有する化合物半導体装
置において、チップ側面の表面付近は、非垂直、非直線
的に、また、チップ側面のPHSめっき部付着は、表面付
近に比して内側に斜め又は湾曲にチップが分離されてい
る構造からなっている。
目的を達成するため、PHS構造を有する化合物半導体装
置において、チップ側面の表面付近は、非垂直、非直線
的に、また、チップ側面のPHSめっき部付着は、表面付
近に比して内側に斜め又は湾曲にチップが分離されてい
る構造からなっている。
【００１１】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体基板をチップに分離させる工程において、(1) 半
導体基板を裏面からエッチングにてハ−フエッチングす
る工程、(2) ハ−フエッチングされた半導体基板を粘着
テ−プで貼り付け、その後ブレ−キングする工程、(3)
ブレ−キングされたチップの相互干渉を解消するため、
粘着テ−プを引き伸ばす工程、とを備えている。
半導体基板をチップに分離させる工程において、(1) 半
導体基板を裏面からエッチングにてハ−フエッチングす
る工程、(2) ハ−フエッチングされた半導体基板を粘着
テ−プで貼り付け、その後ブレ−キングする工程、(3)
ブレ−キングされたチップの相互干渉を解消するため、
粘着テ−プを引き伸ばす工程、とを備えている。
【００１２】
【実施例】以下、本発明について図面を参照して説明す
る。本発明は、具体的には、図２に示す工程フロ−「素
子形成→支持板貼付→裏面研磨エッチング→PHSめっき
用下地金属層形成→PHSめっき層形成→PHSめっき用下地
金属層除去→ハ−フエッチング→支持板から剥離・洗浄
→粘着テ−プ貼付→ブレ−キング→テ−プ引き伸ばし→
マウント」より成る。
る。本発明は、具体的には、図２に示す工程フロ−「素
子形成→支持板貼付→裏面研磨エッチング→PHSめっき
用下地金属層形成→PHSめっき層形成→PHSめっき用下地
金属層除去→ハ−フエッチング→支持板から剥離・洗浄
→粘着テ−プ貼付→ブレ−キング→テ−プ引き伸ばし→
マウント」より成る。
【００１３】本発明は上記工程より成るが、これを更に
図１に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の一実
施例である半導体装置の製造工程Ａ〜Ｅよりなる工程順
断面図である。
図１に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の一実
施例である半導体装置の製造工程Ａ〜Ｅよりなる工程順
断面図である。
【００１４】まず、図１工程Ａに示すように、半導体基
板４に素子(ソ−ス電極１、ゲ−ト電極２、ドレイン電
極３)を形成し、これを貼付剤５を用いて支持板７に貼
り付ける。そして、この半導体基板４の裏面を研磨エッ
チングにより所望の厚さ(数10μｍ)に薄層化し、この面
にPHSめっき用下地金属層６を形成し、更に、マスク用
レジスト８を用いてPHSめっき層９を形成する。
板４に素子(ソ−ス電極１、ゲ−ト電極２、ドレイン電
極３)を形成し、これを貼付剤５を用いて支持板７に貼
り付ける。そして、この半導体基板４の裏面を研磨エッ
チングにより所望の厚さ(数10μｍ)に薄層化し、この面
にPHSめっき用下地金属層６を形成し、更に、マスク用
レジスト８を用いてPHSめっき層９を形成する。
【００１５】次に、図１工程Ｂに示すように、PHSめっ
き層９を形成するために用いたマスク用レジスト８を除
去し、続いて、このレジスト８を除去したところのPHS
めっき用下地金属層６を除去し、さらに半導体基板４を
PHSめっき層９をマスクとしてエッチングを行う。
き層９を形成するために用いたマスク用レジスト８を除
去し、続いて、このレジスト８を除去したところのPHS
めっき用下地金属層６を除去し、さらに半導体基板４を
PHSめっき層９をマスクとしてエッチングを行う。
【００１６】このとき、エッチング量を制御することに
よって半導体基板４の厚さ分すべてエッチングによって
除去しないで、半導体基板４の厚さの1／3〜2／3程度エ
ッチングしたところで該エッチングを終了させ、エッチ
ング除去部10を形成する。ここで用いるエッチングとし
ては、ドライエッチング、ウエットエッチングのいずれ
でもよい。
よって半導体基板４の厚さ分すべてエッチングによって
除去しないで、半導体基板４の厚さの1／3〜2／3程度エ
ッチングしたところで該エッチングを終了させ、エッチ
ング除去部10を形成する。ここで用いるエッチングとし
ては、ドライエッチング、ウエットエッチングのいずれ
でもよい。
【００１７】次に、図１工程Ｃに示すように、ハ−フエ
ッチングを行った半導体基板４を支持板７から剥離する
ため、貼付剤５を溶解する溶剤を用いて半導体基板４を
剥離し洗浄する。なお、半導体基板４と支持板７を貼り
付ける貼付剤５として、ワックス系のものを使用した場
合、半導体基板４を支持板７から剥離するとき、ホット
プレ−トなどを用いて加温することにより支持板７より
剥離し、その後ワックスを溶解することができる溶剤を
用いて半導体基板４を洗浄する。
ッチングを行った半導体基板４を支持板７から剥離する
ため、貼付剤５を溶解する溶剤を用いて半導体基板４を
剥離し洗浄する。なお、半導体基板４と支持板７を貼り
付ける貼付剤５として、ワックス系のものを使用した場
合、半導体基板４を支持板７から剥離するとき、ホット
プレ−トなどを用いて加温することにより支持板７より
剥離し、その後ワックスを溶解することができる溶剤を
用いて半導体基板４を洗浄する。
【００１８】次に、図１工程Ｄに示すように、支持板７
より剥離した半導体基板４の裏面から粘着テ−プ11で半
導体基板４を支持し、その後ブレ−キングを行い、チッ
プに分離する。ここで用いる粘着テ−プ11としては、後
工程の「マウント工程」を考慮し、紫外線を照射すると
粘付強度が低下する粘着テ−プ又は加熱することで粘付
強度が低下する粘着テ−プを用いることができる。
より剥離した半導体基板４の裏面から粘着テ−プ11で半
導体基板４を支持し、その後ブレ−キングを行い、チッ
プに分離する。ここで用いる粘着テ−プ11としては、後
工程の「マウント工程」を考慮し、紫外線を照射すると
粘付強度が低下する粘着テ−プ又は加熱することで粘付
強度が低下する粘着テ−プを用いることができる。
【００１９】次に、図１工程Ｅに示すように、マウント
を行う場合、ブレ−キングを行ったチップ側面が隣のチ
ップと干渉しないように、また、チップ12と粘着テ−プ
11との粘着力を低下させ、容易にチップをピップアップ
できるように粘着テ−プ11を引き伸ばす。このような工
程を用いることにより、チップ12を粘着テ−プ11上に整
列させたまま剥離、分離することができる。
を行う場合、ブレ−キングを行ったチップ側面が隣のチ
ップと干渉しないように、また、チップ12と粘着テ−プ
11との粘着力を低下させ、容易にチップをピップアップ
できるように粘着テ−プ11を引き伸ばす。このような工
程を用いることにより、チップ12を粘着テ−プ11上に整
列させたまま剥離、分離することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、チップを
粘着テ−プ上に整列させたまま剥離、分離することがで
きるので、工程の自動化を容易に行うことができ、しか
も大幅な工数低減が可能となる効果が生じる。また、本
発明によれば、PHS構造を有する半導体素子を支持板か
ら剥離し、素子分離を行うとき、半導体素子の重なりを
防ぎ、外観チェックの工数を低減することができる効果
が生じる。
粘着テ−プ上に整列させたまま剥離、分離することがで
きるので、工程の自動化を容易に行うことができ、しか
も大幅な工数低減が可能となる効果が生じる。また、本
発明によれば、PHS構造を有する半導体素子を支持板か
ら剥離し、素子分離を行うとき、半導体素子の重なりを
防ぎ、外観チェックの工数を低減することができる効果
が生じる。
【図１】本発明の実施例である半導体装置の製造工程Ａ
〜Ｅよりなる工程順断面図。
〜Ｅよりなる工程順断面図。
【図２】本発明による工程フロ−図。
【図３】従来の半導体装置の製造工程Ａ〜Ｅよりなる工
程順断面図。
程順断面図。
【図４】従来法による工程フロ−図。
１ ソ−ス電極 ２ ゲ−ト電極 ３ ドレイン電極 ４ 半導体基板 ５ 貼付剤 ６ PHSめっき用下地金属層 ７ 支持板 ８ レジスト ９ PHSめっき層 １０ エッチング除去部 １１ 粘着テ−プ １２ チップ
Claims (2)
- 【請求項１】 PHS構造を有する化合物半導体装置にお
いて、チップ側面の表面付近は、非垂直、非直線的に、
また、チップ側面のPHSめっき部付着は、表面付近に比
して内側に斜め又は湾曲にチップが分離されている構造
からなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 PHS構造を有する化合物半導体装置の製
造方法において、半導体基板を裏面からハ−フエッチン
グする工程と、このハ−フエッチングされた半導体基板
を粘着テ−プで貼り付け、ブレ−キングする工程と、該
粘着テ−プを引き伸ばす工程とを含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20288493A JP2616247B2 (ja) | 1993-07-24 | 1993-07-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20288493A JP2616247B2 (ja) | 1993-07-24 | 1993-07-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737840A true JPH0737840A (ja) | 1995-02-07 |
| JP2616247B2 JP2616247B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=16464802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20288493A Expired - Fee Related JP2616247B2 (ja) | 1993-07-24 | 1993-07-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2616247B2 (ja) |
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1993
- 1993-07-24 JP JP20288493A patent/JP2616247B2/ja not_active Expired - Fee Related
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