JPS63150130A

JPS63150130A - 半導体基板の研磨方法

Info

Publication number: JPS63150130A
Application number: JP61297710A
Authority: JP
Inventors: Masahisa Iketani; 昌久池谷
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1986-12-16
Filing date: 1986-12-16
Publication date: 1988-06-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は、ＧａＡｓウェハなど半導体基板の研磨方法
に関するものである。

（従来の技術）ＧａＡｓウェハは、結晶構造上、非常に割れ易い。

そこで、ＧａＡｓウェハの研磨工程（３φ、　６００μ
ｍ厚を薄くするには）は、Ｓｉウェハのバックグライン
ダで研削する方法と異なり、ラッピングマシーンやポリ
ッシングマシーンを用いて研磨する方法がとられている
。

その従来のＧａＡｓウェハの研磨方法を第２図を参照し
て詳細に説明する。まず、アルミニウムの板からなるマ
ウントブロック１（支持体）上にノぐラフイン系のワッ
クス２を塗布し、その上にＧａ　Ａｓウェハ３を搭載す
ることにより、該ウェハ３を前記マウントブロック１に
ワックス２で接着支持する（第２図（ａ）　〜（ｃ）　
）。この時、ＧａＡｓウェハ３は、デバイスパターンが
形成された表面をマウントブロック１に接着支持する。

しかる後、マウントブロック１に表面が接着支持された
状態でＧａＡｓウェハ３の裏面を定盤４に押し当て、ア
ルミナ粒子５と純水の混合した混液を加えた状態で定盤
４を回転させることにより、ウェハ３の裏面の研磨を行
う（第２図（ｄ））。そして、任意の厚さまで研磨が完
了したら、定盤４上から他へ移してマウントブロック１
を加熱し、ワックス２を溶かすことにより、ウェハ３を
マウントブロック１から剥がす（第２図（ｅ））。その
後、ウェハ３の有機洗浄を行い、研磨工程が完了となる
。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながら、上記のような従来の方法では、デバイス
パターンが形成されたＧａＡｓ　３の表面が直接マウン
トグロック１に密着するため、デバイス・蓼ターンに傷
が発生するという問題点があった。

マタ、ウェハ３をマウントグロック１より剥がす時に割
れやすく、したがって、４００μｍ以下の厚さに研磨す
ることはできなかった。

この発明は上記の点に鑑みなされたもので、その目的は
、半導体基板表面のデバイス・（ターンの傷付き、半導
体基板の割れを防止し、半導体基板を超薄状態まで研磨
することも可能とする半導体基板の研磨方法を提供する
ことを目的とする。

（問題点を解決するための手段）この発明は、半導体基板の研磨方法において、半導体基
板の表面を、緩衝シートを介在させた状態でワックスに
より支持体に接着支持するようにしたものである。

（作用）上記のような構成によれば、半導体基板の表面と支持体
間には、ワックス士緩衝シート＋ワックスの層が形成さ
れる。そして、この層の形成により、半導体基板表面の
デバイスパターンには傷がつかず、かつ半導体基板にひ
ずみ（転位）も発生しにくくなる。

また、半導体基板を支持体から剥がす際は、支持体を加
熱し、ワックスを溶かし、その状態で緩衝シートを横に
引っ張ることによシ、該シート毎、半導体基板を支持体
より剥ぎ取る。その後、緩衝シートも横に引っ張って半
導体基板の表面から剥き取る。この方法によれば、半導
体基板に無理な力が加わらない。

（実施例）以下この発明の一実施例を第１図を参照して説明する。

第１図（ａ）に於いて、１１はアルミニウムの板からな
るマウントブロック（支持体）であり、このマウントグ
ロック１１を１００℃まで加熱する。そして、この加熱
されたマウントブロック１１上にワックス１２（）ぞラ
フイン系ワックス融点４２〜４３°Ｇ）を塗布し、その
上に緩衝シートとして薬包紙（１０μｍ厚）１３を搭載
する。さらに、その薬包紙１３上に前記と同様のワック
ス１４を塗布し・その上に６００μｍ厚のＧａＡ３ウエ
ノＳ１５を、表面をマウントグロック】１側にして搭載
する。そして、そのＧａＡｓウェハ１５の裏面より加圧
（０゜３９）、冷却Ｃ水冷却）することにより、固化し
たワックス１２．１４によりＧａＡｓウェハ１５の表面
ヲマウントグロツク１１に接着支持する。この時、加圧
と急冷のため、Ｇａ　Ａｓウェハ１５の表面とマウント
ブロック１１間には、約３０μｍのワックス１２＋薬包
紙】３＋ワックス１４０層が形成される。この層の形成
により、ＧａＡｓウェハ１５表面のデバイス・ぐターン
には傷がつかなくなり、かつＧａＡｓウェハ１５にひず
み（転位）も発生しにくくなる。

しかる後、上記のようにしてマウントグロック１１に表
面を接着支持さしたＧａＡｓウエノヘ１５の裏面を第１
図（ｂ）に示すように定盤１６に押し当て、アルミナ粒
子】７と純水の混合した混液を加えた状態で定盤１６を
回転させることにより、ウエノ・１５の裏面の研磨を行
う。

そして、任意の厚さまで研磨が完了したら、定盤１６上
から他へ移して第１図（Ｃ）に示すようにＧａＡｓウェ
ハ１５が上を向く状態とする。そして、その状態でマウ
ントグロック１１を１００℃に加熱する。すると、ワッ
クス１２．１４が再溶融する。

そして、ワックス１２．１４が再溶融した状態で、薬包
紙１３を横へ引っ張ることにより、薬包紙１３毎、Ｇａ
Ａｓウェハ１５をマウントグロック１１上から剥ぎ取る
。その後、薬包紙１３も横に引っ張ってＧａＡｓウェハ
１５の表面から剥ぎ取る。このような剥離方法によれば
、　ＧａＡｓウエノ１１５に無理な力が加わらず、２０
０μｍ厚程度のＧａ　ＡｓウエノＳ１５であっても破損
を防止できる。

そして、このようにしてＧａＡ、ｓウエノＳ１５をマウ
ントグロック１１上から剥ぎ取ったならば、該ＧａＡｓ
ウェハ１５をトリクレン、アセトンなどで有機洗浄し、
研磨工程を終了フる。

なお、上記一実施例では、（ｒａＡｓウニ・・１５とマ
ウントプロック１１間に介在される緩衝シートとして薬
包紙１３を用いたが、これに代えてポリエチレン系シー
トや塩化ビニール系シートを用いることもできる。

また、上記一実施例はＧａＡｓウェハ１５を研磨する場
合を示したが、その他の半導体基板も同様にして研磨で
きる。

（発明の効果）以上詳述したように、この発明の方法によれば、半導体
基板の表面を緩衝シートを介在させてワックスで支持体
に接着支持するようにしたので、相互間に形成されるワ
ックス＋緩衝シート士ワックスの層によシ基板弐面のデ
バイスパターンの傷付きおよび基板に対するひずみの発
生を防止できる。

また、剥離時は、緩衝シートを利用して半導体基板に無
理な力を加えることなく該基板を支持体から剥離でき、
２００μｍ厚程度の超薄の半導体基板であっても破損を
防止できる。その結果、研磨工程において、半導体基板
を２００μｍ厚程度の超薄状態まで研磨することも可能
となる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の半導体基板の研磨方法の一実施例を
工程順に示す側面図、第２図は従来のＧａＡｓウェハの
研磨方法を工程順に示す側面図である。１１・・・マウントブロック、１２・・・ワックス、１
３・・・薬包紙、１４・・・ワックス、１５・・・Ｇａ
Ａｓウェハ、１６・・・定盤、１７・・・アルミナ粒子
。Ｉ４ワソクヌ未発明−父万包例の万ノ衷第１図口）〜３どｒｅ、＋　　　　　　ｆ＝＝＝＝］＝■【ミー−１俤来
万汰第２図

Claims

【特許請求の範囲】支持体に半導体基板の表面を接着支持した状態で該基板
の裏面の研磨を行うようにした半導体基板の研磨方法に
おいて、半導体基板の表面は、緩衝シートを介在させた状態でワ
ックスで支持体に接着されることを特徴とする半導体基
板の研磨方法。