CN101000872A - 晶圆加工方法 - Google Patents

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CN101000872A CN 200610004815 CN200610004815A CN101000872A CN 101000872 A CN101000872 A CN 101000872A CN 200610004815 CN200610004815 CN 200610004815 CN 200610004815 A CN200610004815 A CN 200610004815A CN 101000872 A CN101000872 A CN 101000872A
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wafer processing
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褚福堂
钟启源
滕冀平
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Advanced Semiconductor Engineering Inc
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Advanced Semiconductor Engineering Inc
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Abstract

本发明提供一种晶圆加工的方法，其包括如下步骤：(a)提供一晶圆，该晶圆具有一主动面及一背面；(b)在该晶圆的主动面上附着一平板状的基板；(c)研磨该晶圆的背面；(d)移除该平板状的基板；以及(e)切割该晶圆。藉此，可以避免晶圆加工过程中发生的翘曲现象。

Description

晶圆加工方法
【技术领域】
本发明关于一种晶圆加工方法，尤其是关于一种利用一基板支撑晶圆以进行加工的方法。
【背景技术】
请参考图1至图6所示，该些图示按照步骤示意了传统的晶圆加工方法。首先，参考图1，提供一晶圆10，该晶圆10具有一主动面101及一背面102，其中该主动面101具有若干个焊垫或是切割线(未图示)等。接着，在主动面101上贴合一背面研磨胶带(Back Grinding Tape)12，用以在后续的研磨过程中保护主动面101。
接着，参考图2，将该晶圆10翻转180度，使其背面102朝上，且将晶圆10置于一研磨机上，利用研磨机的磨轮14研磨晶圆10的背面102
接着，参考图3，提供一切割胶膜16，将该切割胶膜16贴附于已研磨完成的晶圆10的背面102。
接着，参考图4，再将该晶圆10翻转180度，使其主动面101朝上，再利用该切割胶膜16将该晶圆10贴附于一晶圆座(frame)18上。之后，将该背面研磨胶带12撕开，以显露出该晶圆10的主动面101。
接着，参考图5，利用一刀具20沿着该晶圆10主动面101上的切割线切割该晶圆10，以形成若干个晶粒22(图6)。之后，再将该等晶粒22取下，利用一液态黏着剂(例如一银胶)24将该等晶粒22黏合至一基板26上，如图6所示。
此种晶圆加工方式的缺点在于：由于晶圆10越来越薄，且切割胶膜16和背面研磨胶带12本身也是一薄膜，因此晶圆10在搬运、贴合、研磨及切割等过程中很容易产生翘曲现象，而给加工带来困难，甚至无法加工。另外，当晶圆10的厚度低于约75微米(μm)时，如果该背面研磨胶带12本身切割状况不良，则会影响研磨制程的研磨结果。再者，传统的液态黏着剂24在贴合晶粒22的制程容易产生溢胶，而影响黏合质量。
因此，有必要提供一种创新且具进步性的晶圆加工方法，以解决上述问题。
【发明内容】
本发明的主要目的在于提供一种晶圆加工的方法，其利用一基板支撑晶圆以进行加工，藉此，当加工超薄晶圆时，该方法可以防止晶圆发生翘曲，以解决上述习知技术中存在的问题。
本发明的另一目的在于提供一种晶圆加工的方法，其利用一半固态的黏性膏取代习知技术中惯用的切割胶膜及液态黏着剂，可节省成本，且芯片黏合后不会有溢胶的情况，可以提高封装产品良率。
本发明的目的是通过如下方案实现的：一种晶圆加工的方法，包括：(a)提供一晶圆，该晶圆具有一主动面及一背面；(b)在该晶圆的主动面上附着一平板状的基板；(c)研磨该晶圆之背面：(d)移除该平板状之基板；以及(e)切割该晶圆。
所述步骤(b)进一步包括在该晶圆的主动面形成一胶层，再将该平板状的基板贴附至该晶圆的主动面。
所述步骤(b)之后还包括一翻转该晶圆的步骤。
所述步骤(c)之后还包括一步骤(c1)在该晶圆的背面形成一黏性膏。
所述黏性膏为一B阶段胶材。
所述黏性膏是以印刷或旋转涂布的方式形成于该晶圆的背面。
【附图说明】
图1至图6显示传统的晶圆加工方法的示意图；以及
图7至图13显示本发明晶圆加工方法的示意图。
【具体实施方式】
请参考图7至图13，该些图示按照步骤示意了本发明晶圆加工方法。首先，参考图7，提供一晶圆30，该晶圆30具有一主动面301及一背面302，其中该主动面301具有若干个焊垫或是切割线(未图示)等。接着，在晶圆30的主动面301形成一胶层32。该胶层32的形成方法可以是印刷或是旋转涂布等习知的方法。
接着，参考图8，在晶圆30的主动面301附着一平板状的基板34，用以在后续的研磨过程中保护该主动面301。该基板34为一刚性基板(例如一玻璃板)，其利用胶层32而紧密黏附该晶圆30，用以在后续的搬运及研磨制程中支撑该晶圆30，防止该晶圆30于厚度变薄时发生翘曲现象。
在本实施例中，该基板34利用胶层32而贴附至该晶圆30，然而可以理解的是，该基板34也可以利用其它习知方式附着于该晶圆30的主动面301上。
接着，参考图9，将该晶圆30翻转180度，使其背面302朝上，以加工该晶圆30的背面302。在本实施例中，将该晶圆30置于一研磨机上，利用研磨机的磨轮36研磨该晶圆30的背面302。
接着，参考图10，在晶圆30研磨过后的背面302形成一黏性膏(adhesive paste)38。该黏性膏38在一较佳实施例中为一B阶段胶材(B-stage epoxy)，其以印刷或旋转涂布方式形成于该晶圆30的背面302。此时该B阶段胶材处于A阶段(A-stage condition)。接着，进行一固化(curing)制程，使该B阶段胶材处于B阶段(B-stage condition)。
接着，参考图11，再将该晶圆30翻转180度，使其主动面301朝上，利用该黏性膏38将该晶圆30贴附于一晶圆座(frame)40上。之后，移除该基板34及该胶层32，以显露出该晶圆30的主动面301。
接着，参考图12，利用一刀具42沿着该晶圆30主动面301上的切割线切割该晶圆30，以形成若干个晶粒44(见图13所示)。之后，再将该些晶粒44取下，直接将该些晶粒44连同该黏性膏38一起黏合至一基板46上。要注意的是，该些晶粒44黏合至该基板46的制程通常需要加温及加压，以使该B阶段胶材处于C阶段(C-stage condition)，以增加黏合效果。
由于本发明中的晶粒44是利用黏性膏38黏合至该基板46的，因此不需使用习知技术中惯用的液态黏着剂24，可节省成本。另外，该B阶段胶材为一半固化的黏着剂，因此黏合后不会有溢胶的情况，应用于堆栈芯片的封装结构中，可以提高产品良率。
虽然本发明以前述的实施例揭露如上，但其并非用以限定本发明。在不脱离本发明的精神和范围内，本领域的普通技术人员可以对本发明进行各种改动。倘若对本发明的修改属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动在内。

Claims (9)

1.一种晶圆加工方法，其首先(a)提供一晶圆，该晶圆具有一主动面及一背面；然后(c)研磨该晶圆的背面；再(e)切割该晶圆；其特征在于：该方法在步骤(a)和(c)之间，还包括步骤(b)在该晶圆的主动面附着一平板状的基板；以及在步骤(c)和(e)之间还包括步骤(d)移除该平板状的基板。
2.如权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于：所述步骤(b)进一步包括在该晶圆的主动面形成一胶层，再将该平板状的基板贴附至该晶圆的主动面。
3.如权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于：所述步骤(b)之后还包括一翻转该晶圆的步骤。
4.如权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于：所述步骤(c)之后还包括一步骤(c1)在该晶圆的背面形成一黏性膏。
5.如权利要求4所述的晶圆加工方法，其特征在于：所述黏性膏为一B阶段胶材。
6.如权利要求4所述的晶圆加工方法，其特征在于：所述黏性膏是以旋转涂布的方式形成于该晶圆的背面。
7.如权利要求4所述的晶圆加工方法，其特征在于：所述黏性膏是以印刷的方式形成于该晶圆的背面。
8.如权利要求4所述的晶圆加工方法，其特征在于：所述步骤(c1)之后还包括一步骤(c2)将该晶圆置于一晶圆座上。
9.如权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于：所述平板状的基板为一玻璃板。
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