JP6307753B2 - 半導体基板の平坦化加工方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 231
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 103
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 19
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 13
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 11
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- ZXNKRXWFQRLIQG-UHFFFAOYSA-N silicon(4+);tetraborate Chemical compound [Si+4].[Si+4].[Si+4].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] ZXNKRXWFQRLIQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001024304 Mino Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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Description
1).TTVが2.0μm以下のテンプレート基板の表面に水膜を形成する行程。
2).前記水膜上に前記半導体基板をのせて貼り合わせ、前記テンプレート基板と前記半導体基板が前記水膜によって接合された積層体を形成する行程。
3).前記テンプレート基板を下にして前記積層体を吸着チャックに載置した後、前記吸着チャックを回転させて前記水膜の厚みを50〜1,000nmの間の厚みまで減らす行程。
4).前記積層体の前記半導体基板の裏面を研削加工する平坦化加工行程。
5).平坦化加工された前記積層体より平坦化加工された前記半導体基板を、前記水膜との貼り合わせ面より分離してTTVが1.0μm以下の平坦化加工された前記半導体基板として回収する行程。
1).セラミック製のテンプレート基板チャックの表面に水膜を形成する行程。
2).前記水膜上に前記半導体基板を接合して貼り合わせ、セラミック製の前記テンプレート基板チャックと前記半導体基板が前記水膜によって接合された積層体を形成する行程。
3).前記積層体のセラミック製の前記テンプレート基板チャックの回転軸を回転させて前記水膜の厚みを50〜1,000nmの間の厚みまで減らす行程。
4).前記積層体の前記半導体基板の裏面を研削加工する平坦化加工行程。
5).前記積層体より平坦化加工された前記半導体基板を、前記水膜との貼り合わせ面より分離してTTVが1.0μm以下の平坦化加工された前記半導体基板として回収する行程。
(1).TTVが2.0μm以下のテンプレート基板(T)の表面に水膜(wm)を形成し、その水膜(wm)の上に半導体基板(W)を載せてテンプレート基板(T)と半導体基板(W)が水膜(wm)によって接合された積層体(S)を形成する行程。(図1の1参照)
(2).前記積層体(S)をスピンナー上に載せ、500〜10,000min−1の回転速度でスピン(回転)させて水膜(wm)の厚みを50〜1,000nmに調整する行程。(図1の2参照)
(3).前記積層体(S)の周縁部に撥水膜を形成する行程。(図1の3参照)
(4).この積層体(S)を吸着チャック(C)の上にテンプレート基板(T)面が下方を向くように載置し、ついで、吸着チャック(C)の回転軸を回転させながら、回転する研削砥石(G)をインフィードダウンさせて半導体基板(W)の裏面を研削砥石(G)により研削加工(研磨加工も含む)して前記半導体基板(W)の厚みを5〜50μmの厚みまで薄くする平坦化加工行程。(図1の4参照)
(5).平坦化加工された積層体(S)に水を噴射して平坦化加工された半導体基板(W)を前記水膜(wm)面より分離してTTVが0.8μm以下、厚み5〜50μmの平坦化加工された半導体基板(W)として回収する行程。
(i).特許文献1記載のようにテンプレート基板(T)と半導体基板(W)の2枚を水槽中の水中で平行にして接触させ、さらに押し付けてテンプレート基板(T)と半導体基板(W)間に存在する水膜(wm)より余分な水分を排除して両基板の接合を水の表面張力で強固にした積層体(S)を得た後、この積層体(S)を水槽より取り出す。
(ii).吸着チャック(C)上に載置されたテンプレート基板(T)の上面にロールコーターまたはダイコーター、あるいは、スプレーコ―ターを用いて純水を塗布し、次いで、この水塗布面に半導体基板(W)を重ね合わせて積層体(S)を形成する。
(iii).基板収納カセット内に収納されているテンプレート基板(T)を吸着チャック(C)上方に移送する途中に設けられた回転するスポンジロールコーターにテンプレート基板(T)表面を接触させることにより水膜(wm)を形成し、ついで、吸着チャック(C)上にテンプレート基板(T)が吸着チャック(C)面に接するように載置した後、水膜(wm)面上に半導体基板(W)を載置して積層体(S)を形成する。
(iv).恒温多湿室(絶対湿度は80%以上)内にテンプレート基板(T)と半導体基板(W)を保管して湿気を両基板の表面に付着させた後、両基板を重ね合わせ、然る後に恒温多湿室外へ運び出し、冷気に曝すことにより両基板間に水膜(wm)を形成させて積層体(S)を形成する。
(v).表面粗さが15nm以下の吸着チャック(C)をテンプレート基板(T)と見做し、この吸着チャック(C)上に純水をスピンコートして水膜(wm)を形成し、この水膜(wm)上に半導体基板(W)を載置した後、前記半導体基板(W)面を風船プレスで加圧して積層体(S)を形成する。
(vi).平坦度が0.5μm以下のテンプレート基板(T)上に純水をスピンコートして水膜(wm)を形成し、この水膜(wm)上に半導体基板(W)を載置してテンプレート基板(T)と半導体基板(W)が水膜(wm)によって接合された積層体(S)を形成し、ついで、この積層体(S)をバキューム室に移し、減圧して前記水膜(wm)の厚みを50〜300nm厚みまで減らして積層体(S)を形成する。
直径320mm、厚み2mmの硼酸珪素ガラス基板からなるテンプレート基板(T)と、厚み775μmのシリコン基板表面にプリント配線を施した直径300mmの半導体基板(W)を水槽中の水中で平行にして接触させ、さらに押し付けて約1,500nmの厚みの水膜(wm)で接合された積層体(S)を得た。
直径320mm、厚み4mm、表面粗さ(Ra)12nmの石英ガラス製のテンプレート基板チャック上に純水を供給しながら前記石英ガラス製のテンプレート基板チャックの回転軸を3,000min −1 で15秒間回転させるスピンコート方法で厚み約800nmの水膜を形成した。
T テンプレート基板
W 半導体基板(被研削物)
S 積層体
C 吸着チャック
Claims (2)
- 次の1)から5)の行程を経過して、TTVが1.0μm以下の平坦化加工表面を有する半導体基板を製造することを特徴とする、半導体基板の平坦化加工方法。
1).TTVが2.0μm以下のテンプレート基板の表面に水膜を形成する行程。
2).前記水膜上に前記半導体基板をのせて貼り合わせ、前記テンプレート基板と前記半導体基板が前記水膜によって接合された積層体を形成する行程。
3).前記テンプレート基板を下にして前記積層体を吸着チャックに載置した後、前記吸着チャックを回転させて前記水膜の厚みを50〜1,000nmの間の厚みまで減らす行程。
4).前記積層体の前記半導体基板の裏面を研削加工する平坦化加工行程。
5).平坦化加工された前記積層体より平坦化加工された前記半導体基板を、前記水膜との貼り合わせ面より分離してTTVが1.0μm以下の平坦化加工された前記半導体基板として回収する行程。 - 次の1)から5)の行程を経過して、TTVが1.0μm以下の平坦化加工表面を有する半導体基板を製造することを特徴とする、半導体基板の平坦化加工方法。
1).セラミック製のテンプレート基板チャックの表面に水膜を形成する行程。
2).前記水膜上に前記半導体基板を接合して貼り合わせ、セラミック製の前記テンプレート基板チャックと前記半導体基板が前記水膜によって接合された積層体を形成する行程。
3).前記積層体のセラミック製の前記テンプレート基板チャックの回転軸を回転させて前記水膜の厚みを50〜1,000nmの間の厚みまで減らす行程。
4).前記積層体の前記半導体基板の裏面を研削加工する平坦化加工行程。
5).前記積層体より平坦化加工された前記半導体基板を、前記水膜との貼り合わせ面より分離してTTVが1.0μm以下の平坦化加工された前記半導体基板として回収する行程。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014099155A JP6307753B2 (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | 半導体基板の平坦化加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014099155A JP6307753B2 (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | 半導体基板の平坦化加工方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015216281A JP2015216281A (ja) | 2015-12-03 |
JP2015216281A5 JP2015216281A5 (ja) | 2017-07-06 |
JP6307753B2 true JP6307753B2 (ja) | 2018-04-11 |
Family
ID=54752906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014099155A Active JP6307753B2 (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | 半導体基板の平坦化加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6307753B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6993099B2 (ja) * | 2017-04-27 | 2022-01-13 | 株式会社岡本工作機械製作所 | チャック装置 |
JP6938084B2 (ja) * | 2017-07-26 | 2021-09-22 | 株式会社ディスコ | ブレード保持具 |
JP7166729B2 (ja) * | 2018-12-11 | 2022-11-08 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP7166730B2 (ja) * | 2018-12-11 | 2022-11-08 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP7184621B2 (ja) * | 2018-12-12 | 2022-12-06 | 株式会社ディスコ | 剥離方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05152306A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Sony Corp | 半導体基板及びその製造方法 |
JP2014041854A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
2014
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015216281A (ja) | 2015-12-03 |
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