CN101226897A - 晶圆切割方法 - Google Patents

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CN101226897A CNA2007100002666A CN200710000266A CN101226897A CN 101226897 A CN101226897 A CN 101226897A CN A2007100002666 A CNA2007100002666 A CN A2007100002666A CN 200710000266 A CN200710000266 A CN 200710000266A CN 101226897 A CN101226897 A CN 101226897A
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adhesive tape
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褚福堂
钟启源
滕冀平
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Advanced Semiconductor Engineering Inc
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Advanced Semiconductor Engineering Inc
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Abstract

本发明公开了一种晶圆切割方法，其包括：(a)提供一个晶圆，该晶圆具一个主动表面及一个相对应的背面，该主动表面具有复数个切割道；(b)涂布一个保护层于该晶圆的主动表面及切割道；(c)贴附一个研磨胶带于该保护层下；(d)研磨该晶圆的背面以薄化该晶圆；(e)去除该研磨胶带；及(f)切割该晶圆以形成复数个芯片。借此，以防止晶圆切割时产生破裂、晶面刮伤、晶面污染及上述切割道表面不会产生剥离的问题。

Description

晶圆切割方法
技术领域
本发明涉及一种晶圆切割方法，特别是涉及一种涂布一个保护层于晶圆表面的晶圆切割方法。
背景技术
请参考图1至图4，其为现有晶圆切割方法的示意图。请参考图1，首先，提供一个晶圆10，晶圆10具有一个主动表面101及一个背面102，主动面101具有复数个切割道(图中未示)。接着，贴附一个研磨胶带11于主动表面101下，用以在后续的研磨过程中保护主动面101。
请参考图2，研磨晶圆10的背面102以薄化晶圆10。在现有的晶圆切割方法中，晶圆10是利用一个研磨机(图中未示)上的磨轮研磨晶圆10的背面102，以薄化晶圆10。接着，去除研磨胶带11，如图3所示。最后，利用一个刀具沿着主动面101上的切割道切割晶圆10，以形成复数个芯片12，如图4所示。
由于现有的晶圆切割方法，在薄化晶圆10后进行切割时，并无任何保护层保护该晶圆10，以致于切割时会于所述切割道表面产生剥离的情形，更有可能产生更大的剥离范围，而损坏到切割道附近的部分主动面101，而造成晶圆10的主动表面101被刮伤。另外，在研磨步骤之后，需要先移除研磨胶带11再进行切割晶圆10的动作，因此切割晶圆10以形成复数个芯片时，也会造成所述芯片的主动表面受到污染。
因此，有必要提供一种创新的具有进步性的晶圆切割方法，以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆切割方法，其包括：(a)提供一个晶圆，该晶圆具有一个主动表面及一个相对应的背面，该主动表面具有复数个切割道；(b)涂布一个保护层于该晶圆的主动表面及切割道；(c)贴附一个研磨胶带于该保护层下；(d)研磨晶圆的背面以薄化该晶圆；(e)去除该研磨胶带；及(f)切割该晶圆以形成复数个芯片。
本发明的晶圆切割方法，在薄化晶圆后，仍然具有保护层，因此，在进行晶圆的切割时，该保护层可用以保护晶圆，使切割时于所述切割道表面不会产生剥离的情形，更不会产生更大的剥离范围而损坏到切割道附近的部分主动面，给晶圆的主动表面造成刮伤。此外，在切割晶圆之后才移除该保护层，因此切割晶圆以形成复数个芯片时，也可避免所述芯片的主动表面受到污染。
本发明的目的特征及优点将以实施例结合附图进行详细说明。
附图说明
图1为现有晶圆贴附研磨胶带的示意图；
图2为现有研磨晶圆的示意图；
图3为现有移除研磨胶带的示意图；
图4为现有切割晶圆的示意图；
图5为本发明的晶圆的示意图；
图6为本发明的晶圆涂布保护层的示意图；
图7为本发明的晶圆贴附研磨胶带的示意图；
图8为本发明中研磨晶圆的示意图；
图9为本发明中移除研磨胶带的示意图；
图10为本发明中切割晶圆的示意图；
图11为本发明中移除保护层的示意图。
具体实施方式
参考图5至图10，其为本发明的晶圆切割方法的示意图。请参考图5，首先，提供一个晶圆20，晶圆20具一个主动表面201及一个背面202，该主动表面具有复数个切割道(图未示出)。请参考图6，涂布一个保护层21于主动表面201及所述切割道，保护层21完全覆盖主动表面201及切割道。在本实施例中，保护层21以旋转涂布方式涂布于主动表面201及切割道。保护层21为一种液态胶，在本实施例中，该液态胶为环氧树脂。
在涂布保护层21的步骤之后，更包括了一个烘烤的步骤，以固化保护层21，借以保护晶圆20。由于涂布于主动表面201的保护层21为一种液态物质，因此保护层21可完全覆盖晶圆20的主动表面201及切割道，且保护层21利用其液态的特性，不仅可紧密包覆主动表面201及切割道，也可使保护层21形成平坦的表面。
请参考图7，贴附一个研磨胶带22于保护层21下，更增加对晶圆20的保护性。请参考图8，晶圆20利用一个研磨机(图中未示)上的磨轮，研磨晶圆20的背面202以薄化该晶圆20，在研磨晶圆20时，紧密包覆的保护层21及研磨胶带22则提供该晶圆20的边缘支撑力，以避免晶圆20产生破片，或避免使晶圆20的主动表面201受到损伤。请参考图9，去除研磨胶带22。接着，利用一个刀具沿着主动面201上的切割道切割晶圆20，以形成复数个芯片23，如图10所示。最后，在切割晶圆20的步骤之后，更可利用一种溶剂将该保护层21移除，如图11所示。
本发明的晶圆切割方法，在薄化晶圆20后，仍然具有保护层21，因此，在进行晶圆20的切割时，保护层21可用以保护晶圆20，使切割时于所述切割道表面不会产生剥离的情形，更不会产生更大的剥离范围，而损坏到切割道附近的部分该主动面201，给晶圆20的主动表面201造成刮伤。另外，由于在切割晶圆20之后才移除保护层21，因此切割晶圆20以形成所述芯片23时，也可避免芯片23的主动表面201受到污染。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的普通技术人员当可根据本发明做出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (7)

1.一种晶圆切割方法，其特征在于，包含以下步骤：
(a)提供一个晶圆，所述晶圆具有一个主动表面及一个相对应的背面，该主动表面具有复数个切割道；
(b)涂布一个保护层于所述晶圆的该主动表面及所述切割道；
(c)贴附一个研磨胶带于所述保护层下；
(d)研磨所述晶圆的该背面以薄化所述晶圆；
(e)去除所述研磨胶带；及
(f)切割所述晶圆以形成复数个芯片。
2.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，在步骤(b)中，所述保护层以旋转涂布的方式涂布于所述晶圆的该主动表面。
3.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述保护层为一种液态胶。
4.如权利要求3所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述液态胶为环氧树脂。
5.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，在步骤(b)之后更包括了一个烘烤的步骤，以固化所述保护层。
6.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，在步骤(f)之后更包括了一个移除所述保护层的步骤。
7.如权利要求6所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述保护层是以一种溶剂移除。
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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