CN1601705A - 半导体晶片的分割方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的半导体晶片分割方法是在表面由划道划分多个半导体芯片形成的半导体晶片分割为各个半导体芯片的半导体晶片分割方法,通过至少包括:仅留下上述半导体晶片外周区,沿着划道形成深度相当于完成半导体芯片厚度的槽的槽形成工序;在该槽形成后的半导体晶片表面上配设保护构件的保护构件配設工序;研磨上述半导体晶片的背面,露出上述槽,把上述半导体晶片分割为各个半导体芯片的分割工序,沿着划道形成后的切削槽不是到外周端缘,所以在此后一边供给研磨水一边研磨半导体晶片背面分割的工序中,没有从外周端缘来的脏研磨水向切削槽渗透并污染半导体芯片的担心,而且,不会丧失ID标记信息的认识性和表示晶向的切口的识别性,能很有效地分割。
Description
技术领域
本发明涉及一种,例如,IC,LSI等半导体芯片通过划道区分,先通过划片装置沿着划道划片形成的半导体晶片,而后通过研磨装置而研磨半导体晶片背面分割为各个半导体芯片的半导体晶片分割方法。
背景技术
这种IC、LSI等半导体芯片所形成的多个半导体晶片是,通过划片装置等分割装置向分割为各自的半导体芯片,装配到手机,个人计算机等电子机器的电路而广泛地利用的。
可是,这种电子机器,正在推进小型化和减轻重量,要求减薄半导体芯片的厚度,作为将其厚度减薄到100μm以下,50μm以下的技术而称作DBG技术而闻名。
但是,因为这种DBG沿着半导体晶片表面所形成的划道,形成相当于半导体芯片完成厚度的深度槽,而后在半导体晶片的表面上配设胶带等保护构件,以研磨半导体晶片背面,使背面露出槽,分割为各个半导体芯片的技术,有如下这些方面的问题。
(1)用切削刀片沿半导体晶片表面上形成的划道形成槽的时候,不但从半导体晶片外周飛散三角形状微细边角料损伤切削刀片,而且飛散的微细边角料落到卡盘台上,使得把下一个半导体晶片保持在卡盘台上的时候,有损伤半导体晶片的担心。
(2)在半导体晶片的外周,形成表示厚度、划道间隔、划道宽度等信息的ID标记的情况,以切削刀片在TD标记上形成槽的话,就不能识别信息。
(3)正在研磨半导体晶片背面的时候,从半导体晶片外围脏了的研磨水有向研磨槽渗透,污染半导体芯片的担心。
(4)正在研磨半导体晶片背面时候,因为从半导体晶片外周来的三角形状微细边角料脱落飛散到多个地方,所以没有了附加表示晶向的切口和区别,有给下一道工序的作业带来妨碍的担心。
而且,留下晶片周边部对形成半导体芯片内部部分进行划片是公知的技术。这种公知的技术,用具备检测半导体晶片外端缘手段的划片装置,存储以此检测手段测定的晶片外端缘的数据,根据这个存储数据,沿着划线的上述外端缘一方从一定范围内部开始切削,从上述外端缘的另一方切削到一定范围内部为止,对从上述各个外端缘到一定范围内部的外围部分而言,在厚度方向至少部分地留下晶片,对从上述外围部分起的内部而言就要进行完全划片,因为通过切削而没有分离碎片就能防止半导体芯片或刀片的损坏。
[专利文献1]特开2002-43254号公报
但是,该公知的划片的技术方面所应用的半导体晶片,具有表示晶向的切口,而且,是介以划片胶带固定在环状架上,和该架一起把划片胶带吸附于切割台上进行完全划片,在该完全划片的时候,只是防止从外周部分离飛散碎片,然而从最初,例如形成50μm以下半导体芯片完成厚度的半导体晶片情况下,在半导体芯片的电路形成工序中,由于晶片过薄,整体性发生挠曲对其处理(光致抗蚀剂的涂布和清洗除去等)和操作(干燥或运送等)带来重大的妨碍。
而且,完全划片后,因为在晶片外围部分留下没有划片的部分,即使能研磨背面一侧要形成更薄厚度并给表面一侧安装保护构件,因为各半导体芯片部分已经分割成一个个,所以使研磨油石接触分割后状态的半导体芯片背面晶向研磨是很困难的。
发明内容
在现有例的半导体晶片分割方法方面,想要解决的课题是,形成不给半导体芯片的电路形成工序带来妨碍的厚度的半导体晶片厚度,同时在外周缘形成ID标记一起在外周端缘形成表示晶向的切口,而后,当分割为薄半导体芯片时,不管划片工序或者研磨工序,要使从外周缘部没有分离飛散三角形状碎片,而且不丧失晶向识别性和ID标记信息的认识性,能很有效地分割。
本发明是在表面由划道区分多个半导体芯片,把形成了的半导体晶片分割为一个个半导体芯片的半导体晶片分割方法,是以至少由仅留下上述半导体晶片的外周区,沿着划道形成相当于半导体芯片完成厚度的深度槽的槽形成工序;在形成该槽的半导体晶片表面上配设保护构件的保护构件配設工序;研磨上述半导体晶片背面露出上述槽,把上述半导体晶片分割为一个个半导体芯片的分割工序构成为最主要特征的半导体晶片分割方法。
本发明半导体晶片分割方法是包括,在上述半导体晶片外周区的要求位置至少施加ID标记,在上述槽形成工序中避开该ID标记形成槽作为付加要件。
在本发明半导体晶片分割方法方面,因为仅留下半导体晶片的外周区形成沿着划道切削的槽,切削槽因为不到外周端缘,所以在一边供给研磨水而后一边研磨半导体晶片背面晶向分割的工序中,不仅没有从外周端缘脏了的研磨水向切削槽渗透污染半导体芯片的担心,而且因为没有损伤外周区上所形成的ID标记而失去信息的认识性,而且从半导体晶片的外周端缘没有散飛三角形状微细的边角料,没有失去表示晶向的切口识别性。
附图说明
图1是表示本发明具体实施例的半导体晶片分割方法中使用的划片装置立体图。
图2是表示该实施例应用于分割的半导体晶片立体图。
图3是表示该实施例中用划片装置槽切削工序后的半导体晶片立体图。
图4是表示该实施例中槽切削工序后在该槽切削面上配设了保护构件状态的半导体晶片背面一侧立体图。
图5是表示该实施例的半导体晶片分割方法中使用的研磨装置要部立体图。
图6是表示该实施例中用研磨装置研磨背面一侧,露出切削槽状态的半导体晶片立体图。
图7是该实施中研磨背面一侧露出切削槽的半导体晶片翻转表示的立体图。
图8是把该翻转后的半导体晶片安装于划片架上剥离安装保护构件表示的立体图。
具体实施方式
形成半导体晶片的厚度为半导体芯片的电路形成工序和而后的处理中不会带来妨碍程度的厚度,沿着区分半导体芯片的划道,仅留下半导体晶片外周区形成相当于半导体芯片完成厚度的切削槽,通过使得把研磨其半导体晶片背面从表面一侧形成的切削槽背面一侧露出,因而把半导体晶片上形成的半导体芯片分割成一个个,然后形成预定的薄型半导体芯片,而且,在半导体晶片的外周区上事先形成ID标记,当分割为薄半导体芯片时,不管划片工序或者研磨工序,不丧失晶向的识别性和ID标记信息的认识性和,能有效地分割,加以实现。
[实施例1]
一边参照附图一边说明有关本发明的半导体晶片分割方法的话,图1是表示使用于分割方法的一例划片装置立体图,该划片装置1是具有至少载置半导体晶片的卡盘台2;具备切削该载置的半导体晶片的刀片3的切削手段4;检测半导体晶片状态,即,晶片大小、表面上形成的半导体芯片大小、划道状态等的对准手段5,同时具有对卡盘台2的半导体晶片的供给手段6等。还有,将半导体晶片多片存放盒7内安装在划片装置1的要求位置。
图2中,表示按本发明被分割的半导体晶片。该半导体晶片10是其表面一侧多个半导体晶片10排列的状态,而且由划道12划分而形成,表示晶片晶向的切口13形成于边缘,同时在该切口13附近设置ID标记14。
这时的ID标记14,是记录半导体晶片10的形态或状态,其形态或状态,例如是,晶片大小,半导体芯片种类、大小、完成厚度,纵、横划道12的状态(宽度、间隔)是等,按照读出ID标记14,对该半导体晶片10,以设定的顺序适当地进行切削或研磨。
首先,作为最初的工序(步骤),载置划片装置1的卡盘台2上的半导体晶片10,用对准手段5测定划道12的位置,在切削区,如图3所示,用切削手段4的刀片3仅留下半导体晶片10的外周区,沿着各划道10切削形成相当于半导体晶片10完成厚度的深度槽15。
也就是,半导体晶片1最终的完成厚度,例如,是100μm的话,就形成槽15的深度为100~105μm,如是50μm的话就形成50~55μm深度的槽15,半导体晶片10的厚度是理所当然比形成的槽15还厚,例如,有大约近一倍的厚度,槽15的切削形成,就是留下外周部的「切除一半」,形成了槽15以后,既不用简切割单晶片10,也不切除标记14,不会失去信息的认识性。还有,用于切削的刀片3直径小,例如,1~2寸左右是令人满意的。
这样槽15的形成工序(步骤)结束以后,如图4所示,在形成了该槽15的半导体晶片10的表面一侧张贴配设由有粘合剤的保护胶带等构成的保护构件16。这时的粘合剤在以后的剥离工序由于粘着成分不会留在半导体晶片10的表面上,所以使用紫外线照射型保护胶带,即UV胶带是令人满意的。配设了保护构件16的半导体晶片10,移交下一分割工序(步骤)。
该分割工序(步骤),例如,由如图5所示的研磨装置20所完成。该研磨装置20具备,至少卡盘台21、研磨油石22、驱动该研磨油石22的驱动部23、支持该驱动部23,引导上下方向移动的导轨部24、以及使驱动部23上下方向精密地移动的移动用驱动部25。
而且,配设有保护构件16的半导体晶片10,变成表里相反使背面朝上,将保护构件16接触卡盘台21载置固定,一边供给研磨水一边驱动研磨油石22研磨半导体晶片10的背面侧,如图6所示,从表面一侧全面地均匀研磨直到切削形成的槽15露出。
这样通过研磨半导体晶片10的背面一侧,把该半导体芯片10的表面一侧形成的半导体晶片10分别分割成一个个,而且应该分割成具有和槽15的深度相对应的厚度,即,具有完成厚度的半导体晶片10。
在这一工序(步骤)中,因为以研磨油石22一边供给研磨水一边研磨半导体芯片10的背面一侧,沿着划道形成的各槽15没达到半导体晶片10的外周端缘,所以不仅没有脏研磨水从半导体晶片10的外周端缘向内部渗透,污染半导体芯片的担心,而且没有从半导体晶片10的外周端缘脱落三角形状微细边角料的担心,就是不丧失表示晶向的切口13的识别性。
分割工序(步骤)结束后,从研磨装置20取出半导体晶片10,如图7所示,把研磨过的背面一侧朝下而让保护构件16成为上侧,按照表示晶向的切口13晶向适当定位,然后介以称为划片胶带称的伸张胶带18张贴载置到称为划片架的框架17上,如图8所示,然后剥离保护构件16。还有,在框架17上,设置兼具表示张贴载置的半导体晶片10晶向的定位的切口部19,和ID标记14的信息相关顺利完成下一道工序的各种作业。
有关本发明的半导体晶片分割方法,形成半导体晶片对半导体芯片电路形成工序和而后操作上不带来妨碍程度的厚度,沿着区域区分半导体芯片的划道以划片装置切削的时候,仅留下半导体晶片外周区形成相当于半导体芯片完成厚度的切削槽,通过研磨其半导体晶片背面使切削槽露出背面一侧,把半导体晶片分割为半导体芯片,就能形成预定薄型半导体芯片,而且,不管划片工序或者研磨工序,都不丧失半导体晶片外周区形成的ID标记信息的认识性和向外周端缘形成的晶向切口的识别性,能够对薄型半导体芯片有效地进行分割,可广泛利用于小型、薄型化的半导体芯片的制造。
Claims (2)
1.一种半导体晶片分割方法,其特征是至少包括:
在表面由划道区分多个半导体芯片,把形成了的半导体晶片分割为一个个半导体芯片,
至少由仅留下所述半导体晶片的外周区,沿着划道形成相当于半导体芯片完成厚度的深度槽的槽形成工序;
在形成该槽的半导体晶片表面上配设保护构件的保护构件配設工序;
研磨所述半导体晶片背面露出所述槽,把所述半导体晶片分割为一个个半导体芯片的分割工序。
2.按照权利要求1所述的半导体晶片分割方法,其特征是:
在所述半导体晶片外周区的要求位置施加至少ID标记,
在所述槽形成工序中避开该ID标记形成槽。
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